專利名稱：靜電電容式輸入裝置和用于計(jì)算導(dǎo)體接近位置的計(jì)算方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及靜電電容式輸入裝置。另外，本發(fā)明涉及用于計(jì)算導(dǎo)體的接近位置的計(jì)算方法。
背景技術(shù)：
圖34和圖35表示作為本發(fā)明的關(guān)聯(lián)技術(shù)的輸入裝置的一例。圖35是沿圖34的 XXXV-XXXV線的平面圖。這兩幅圖所示的輸入裝置9X，通過與液晶顯示面板9Y重疊使用， 構(gòu)成觸摸板。該觸摸板用于例如便攜式電話機(jī)9Z的顯示機(jī)構(gòu)和操作機(jī)構(gòu)。作為現(xiàn)有技術(shù)中的觸摸板的一例，公開在日本特開2008-33777號公報(bào)中。上述輸入裝置9X具有透射板91 (在圖35中省略)、透射板92、檢測電極9a、％、配線931、配線932 (在圖34中省略)、柔性基板971和IC芯片972。檢測電極9a、9b分別形成于透射板91、92。檢測電極9a每個(gè)都沿著y方向延伸。檢測電極9b每個(gè)都沿著χ方向延伸。配線931與檢測電極9a連接。配線932與檢測電極9b連接。圖36模式化地表示檢測電極9a和IC芯片972的連接狀態(tài)。IC芯片972具有多個(gè)輸入端子979。輸入端子979各自與配線931分別連接。雖然未圖示，但檢測電極9b也相同。如圖34所示，便攜式電話機(jī)9Z具有透明蓋98。輸入裝置9X與透明蓋98接合。 使用者在操作便攜式電話機(jī)9Z時(shí)，通過將手指等導(dǎo)體9D對透明蓋98接近或接觸，在導(dǎo)體 9D和檢測電極9a、9b之間產(chǎn)生靜電電容。圖37用圖表示將導(dǎo)體9D接近或接觸透明蓋98 時(shí)的，導(dǎo)體9D和檢測電極9a之間的靜電電容的變化所對應(yīng)的值。通過確定與靜電電容增加的輸入端子979連接的檢測電極9a，能夠檢測出導(dǎo)體9D接近了透明蓋98的哪個(gè)位置。在輸入裝置9X中，由于外來的噪聲影響，即使在導(dǎo)體9D沒有接近的情況下檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容也存在微小的變化。因此，IC芯片972，在得到χ方向、y方向的導(dǎo)體9D的接近位置相關(guān)信息之前或之后，判斷檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容增加量是否超過規(guī)定的閾值。當(dāng)檢測電極9a的靜電電容增加量沒有超過規(guī)定的閾值時(shí)，IC 芯片972判斷導(dǎo)體9D沒有接近檢測電極9a、檢測電極％。此時(shí)，IC芯片972將導(dǎo)體9D沒有接近的信號輸出到外部。另一方面，當(dāng)檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容增加量超過規(guī)定的閾值時(shí)，IC芯片972將導(dǎo)體9D的接近位置相關(guān)信息輸出到外部。但是，例如當(dāng)便攜式電話機(jī)9Z的透明蓋98較厚時(shí)，導(dǎo)體9D與檢測電極9a、檢測電極9b的最短隔離距離變大。于是，即使導(dǎo)體9D接近，檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容增加量也減少。因此，不得不將上述閾值減小。如果減小閾值，當(dāng)受到外來噪聲影響檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容發(fā)生變化時(shí)，檢測電極9a、檢測電極9b的靜電電容增加量有超過該閾值的可能性。這樣的情況，會導(dǎo)致雖然導(dǎo)體9D沒有接近檢測電極9a、檢測電極 %，但是判斷為導(dǎo)體9D接近了檢測電極9a、檢測電極9b的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而實(shí)現(xiàn)，以提供能夠抑制誤動作的發(fā)生的靜電電容式輸入裝置為課題。由本發(fā)明的第一方面提供的靜電電容式輸入裝置，包括多個(gè)第一檢測電極，其沿第一方向排列且各自在與上述第一方向交叉的第二方向上延伸；多個(gè)第二檢測電極，其沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸；存儲部，其隨著第一導(dǎo)體和各第一檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第一檢測電極得到的值分別作為第一方向檢測值存儲，并且，隨著上述第一導(dǎo)體和各第二檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值存儲；和計(jì)算部，其中上述計(jì)算部執(zhí)行生成多個(gè)對第一值和第二值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第一映射值的處理，其中，第一值是對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第二值是對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值(生成多個(gè)將針對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第一值，和針對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第二值，進(jìn)行運(yùn)算后的第一映射值的處理)；和使用上述多個(gè)第一映射值，對上述第一導(dǎo)體是否接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的處理。優(yōu)選上述多個(gè)第一映射值，包括上述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值，上述計(jì)算部，在判斷上述第一導(dǎo)體是否接近的處理中，對上述最大第一映射值和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較。優(yōu)選上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)，是將上述各第一檢測電極與規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，上述多個(gè)第二值的任意一個(gè)，是將上述各第二檢測電極與上述規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。優(yōu)選上述各第一映射值，是上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與上述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和。優(yōu)選上述各第一映射值，是對上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與上述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和進(jìn)行乘方運(yùn)算而得的值。優(yōu)選上述各第一映射值，與包括一組上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，上述計(jì)算部，使用上述多個(gè)第一映射值，執(zhí)行計(jì)算第一接近位置的處理，上述第一接近位置，是上述第一導(dǎo)體在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極的位置。優(yōu)選上述計(jì)算部，在計(jì)算上述第一接近位置的處理中，僅使用上述多個(gè)第一映射值之中的一部分來計(jì)算上述第一接近位置。優(yōu)選上述各第一映射值，是第一矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在上述第一矩陣中， 行元素分別對應(yīng)上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在上述第一矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的上述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的上述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，上述多個(gè)第一映射值包括上述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值；和與該最大第一映射值相比行序號相差一個(gè)且列序號相同的兩個(gè)相鄰的第一映射值，上述計(jì)算部在計(jì)算上述第一接近位置的處理中，使用上述最大第一映射值和上述兩個(gè)相鄰的第一映射值，計(jì)算上述第一接近位置。優(yōu)選上述多個(gè)第一檢測電極，包括上述多個(gè)第一檢測電極之中最接近上述第一接近位置的第一接近檢測電極，上述多個(gè)第二檢測電極，包括上述多個(gè)第二檢測電極之中最接近上述第一接近位置的第二接近檢測電極，上述計(jì)算部執(zhí)行準(zhǔn)備處理，在上述準(zhǔn)備處理中，將上述存儲部中的、上述多個(gè)第一方向檢測值之中與上述第一接近檢測電極對應(yīng)的值變換小，并且，將上述存儲部中的、上述多個(gè)第二方向檢測值之中與上述第二接近檢測電極對應(yīng)的值變換小。優(yōu)選上述計(jì)算部執(zhí)行下述處理在上述準(zhǔn)備處理被進(jìn)行之后，生成多個(gè)對第三值和第四值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第二映射值的處理，其中，第三值是對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第四值是對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用上述多個(gè)第二映射值，對上述第二導(dǎo)體是否接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的處理。優(yōu)選上述各第二映射值，與包括一組上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和上述第二方向的坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，上述計(jì)算部，使用上述多個(gè)第二映射值，執(zhí)行計(jì)算第二接近位置的處理，上述第二接近位置，是與上述第一導(dǎo)體不同的第二導(dǎo)體在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極的位置。優(yōu)選上述計(jì)算部在計(jì)算上述第二接近位置的處理中，僅使用上述多個(gè)第二映射值之中的一部分來計(jì)算上述第二接近位置。優(yōu)選上述各第二映射值，是第二矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在上述第二矩陣中， 行元素分別對應(yīng)上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在上述第二矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的上述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的上述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，上述多個(gè)第二映射值包括上述多個(gè)第二映射值之中最大的最大第二映射值；和與該最大第二映射值相比列序號相差一個(gè)且行序號相同的兩個(gè)相鄰的第二映射值，上述計(jì)算部在計(jì)算上述第二接近位置的處理中，使用上述最大第二映射值和上述兩個(gè)相鄰的第二映射值，計(jì)算上述第二接近位置。由本發(fā)明的第二方面提供的計(jì)算方法，包括如下各步驟使用一種靜電電容式輸入裝置，該靜電電容式輸入裝置具備沿第一方向排列且各自在與上述第一方向交叉的第二方向上延伸的多個(gè)第一檢測電極，和沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸的多個(gè)第二檢測電極，隨著第一導(dǎo)體和各第一檢測電極的靜電電容變化將通過各第一檢測電極得到的值分別作為第一方向檢測值存儲在存儲部，隨著上述第一導(dǎo)體和各上述第二檢測電極的靜電電容變化將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值存儲在上述存儲部，生成多個(gè)對第一值和第二值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第一映射值，其中，第一值是對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第二值是對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，和使用上述多個(gè)第一映射值，對上述第一導(dǎo)體是否接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷。優(yōu)選上述多個(gè)第一映射值，包括上述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值，在上述進(jìn)行判斷的步驟中，對上述最大第一映射值和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較。優(yōu)選上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)，是將上述各第一檢測電極與規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，上述多個(gè)第二值，是將上述各第二檢測電極與上述規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。優(yōu)選上述各第一映射值，是上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與上述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和。優(yōu)選上述各第一映射值，是對上述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與上述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和進(jìn)行乘方運(yùn)算而得的值。優(yōu)選上述各第一映射值，與包括一組上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，還具有使用上述多個(gè)第一映射值計(jì)算第一接近位置的步驟，上述第一接近位置，是上述第一導(dǎo)體在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極的位置。優(yōu)選在計(jì)算上述第一接近位置的步驟中，僅使用上述多個(gè)第一映射值之中的一部分來計(jì)算上述第一接近位置。優(yōu)選上述各第一映射值，是第一矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在上述第一矩陣中， 行元素分別對應(yīng)上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在上述第一矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的上述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的上述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，上述多個(gè)第一映射值包括上述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值；和與該最大第一映射值相比行序號相差一個(gè)且列序號相同的兩個(gè)相鄰的第一映射值，在計(jì)算上述第一接近位置的步驟中，使用上述最大第一映射值和上述兩個(gè)相鄰的第一映射值，計(jì)算上述第一接近位置。優(yōu)選上述多個(gè)第一檢測電極，包括上述多個(gè)第一檢測電極之中最接近上述第一接近位置的第一接近檢測電極，上述多個(gè)第二檢測電極，包括上述多個(gè)第二檢測電極之中最接近上述第一接近位置的第二接近檢測電極，還具有準(zhǔn)備步驟，該準(zhǔn)備步驟是，將上述存儲部中的、上述多個(gè)第一方向檢測值之中與上述第一接近檢測電極對應(yīng)的值變換小，并且，將上述存儲部中的、上述多個(gè)第二方向檢測值之中與上述第二接近檢測電極對應(yīng)的值變換小的步驟。優(yōu)選在上述準(zhǔn)備步驟之后，生成多個(gè)對第三值和第四值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第二映射值的步驟，其中，第三值是對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值， 第四值是對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用上述多個(gè)第二映射值，對上述第二導(dǎo)體是否接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的步驟。優(yōu)選上述各第二映射值，與包括一組上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和上述第二方向的坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，還具有使用上述多個(gè)第二映射值計(jì)算第二接近位置的步驟，上述第二接近位置，是上述第二導(dǎo)體在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極的位置。優(yōu)選在計(jì)算上述第二接近位置的步驟中，僅使用上述多個(gè)第二映射值之中的一部分來計(jì)算上述第二接近位置。優(yōu)選上述各第二映射值，是第二矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在上述第二矩陣中， 行元素分別對應(yīng)上述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)上述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在上述第二矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的上述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的上述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，上述多個(gè)第二映射值包括上述多個(gè)第二映射值之中最大的最大第二映射值；和與該最大第二映射值相比列序號相差一個(gè)且行序號相同的兩個(gè)相鄰的第二映射值，在計(jì)算上述第二接近位置的步驟中，使用上述最大第二映射值和上述兩個(gè)相鄰的第二映射值來計(jì)算上述第二接近位置。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，通過以下參照附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，能夠更加明晰。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的輸入裝置的截面圖。圖2是沿圖1的II-II線的輸入裝置的主要部分平面圖。圖3是主要表示圖2所示輸入裝置的第一檢測電極的平面圖。圖4是主要表示圖2所示輸入裝置的第二檢測電極的平面圖。圖5是本實(shí)施方式的IC芯片的功能框圖。圖6是表示本實(shí)施方式的處理流程的流程圖。圖7是表示各第一方向檢測值和各第二方向檢測值的各值的一例的圖。圖8是三維地表示圖7所示各值的圖。圖9是圖2所示輸入裝置的放大平面圖。圖10是對第一實(shí)施方式的情況2進(jìn)行說明的附圖。圖11是對第一實(shí)施方式的情況3進(jìn)行說明的附圖。圖12是對第一實(shí)施方式的情況4進(jìn)行說明的附圖。圖13是對以第一實(shí)施方式的第一映射值為元素的矩陣進(jìn)行說明的附圖。圖14是三維地表示第一實(shí)施方式的第一映射值的附圖。圖15是用于對判斷第一實(shí)施方式的導(dǎo)體是否接近的過程進(jìn)行說明的圖。圖16是說明第一實(shí)施方式的第一接近坐標(biāo)的值的求法所用的圖。圖17是三維地表示第二實(shí)施方式的第一映射值的附圖。圖18是三維地表示第三實(shí)施方式的第一映射值的附圖。圖19是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的輸入裝置的主要部位平面圖。圖20是表示第五實(shí)施方式的處理流程的流程圖。圖21是用于說明第五實(shí)施方式的準(zhǔn)備處理的附圖。圖22是對第五實(shí)施方式的情況1進(jìn)行說明的附圖。圖23是對第五實(shí)施方式的情況2進(jìn)行說明的附圖。圖M是對第五實(shí)施方式的情況3進(jìn)行說明的附圖。圖25是對第五實(shí)施方式的情況4進(jìn)行說明的附圖。圖沈是對以第五實(shí)施方式的第二映射值為元素的矩陣進(jìn)行說明的附圖。圖27是用于對判斷第五實(shí)施方式的導(dǎo)體是否接近的過程進(jìn)行說明的附圖。圖觀是說明第五實(shí)施方式的第二接近坐標(biāo)的值的求法所用的圖。圖四是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式的輸入裝置的主要部位平面圖。圖30是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式的輸入裝置的主要部位平面圖。
圖31是表示第六實(shí)施方式的各第一方向檢測值和各第二方向檢測值的各值的一例的圖。圖32是使用圖31所示第一方向檢測值和第二方向檢測值的各值，和第一實(shí)施方式中的式子，生成的第一映射值。圖33是三維地表示第六實(shí)施方式的第一映射值的圖。圖34是表示本發(fā)明關(guān)聯(lián)的輸入裝置的一例的截面圖。圖35是沿圖34的XXXV-XXXV線的主要部位平面圖。圖36是概念地表示檢測電極和IC芯片的連接狀態(tài)的附圖。圖37是表示將導(dǎo)體接近或接觸透明蓋時(shí)的，導(dǎo)體和檢測電極之間的靜電電容的變化對應(yīng)的值的圖。
具體實(shí)施例方式以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行具體說明。圖1和圖2表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的輸入裝置Al。這兩幅圖表示的輸入裝置 Al，具有透射板l、2、x方向位置檢測用的多個(gè)第一檢測電極EXi(i = 1、2、……、n)、y方向位置檢測用的多個(gè)第二檢測電極EyjG = 1、2、……、m)、配線3、3’、樹脂層4、間隔體5、各向異性導(dǎo)電樹脂部6、護(hù)罩層7、柔性基板8和IC芯片9。圖1中省略了配線3、3’。圖2中省略了透射板2、樹脂層4、間隔體5、各向異性導(dǎo)電樹脂部6、護(hù)罩層7、柔性基板8和IC芯片9。輸入裝置Al以能夠檢測出導(dǎo)體Dl的接近位置的方式構(gòu)成。輸入裝置Al例如配置在液晶顯示面板Pl的圖像顯示面?zhèn)龋瑯?gòu)成觸摸板裝置。圖3是主要表示圖2所示的第一檢測電極Exi的平面圖。圖4是主要表示圖2所示的第二檢測電極的平面圖。透射板1、2分別是透明樹脂基板或透明玻璃基板。作為透明樹脂基板的材料，能夠列舉例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)。χ方向位置檢測用的多個(gè)第一檢測電極Exi (i = 1、2、……、n)，在透射板1的圖1 上面形成圖案。多個(gè)第一檢測電極Exi,各自在y方向上延伸且相互平行，且在χ方向(與 y方向垂直相交)相互間隔排列。在本實(shí)施方式中，第一檢測電極Exi的條數(shù)為10(即η = 10)。各第一檢測電極Exi例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。如圖3所示，各第一檢測電極Exi具有多個(gè)菱形狀的部分，和與這些菱形狀的部分連接的線狀的部分。該菱形狀部分的形狀，可以是圓形狀、多邊形狀，或其他形狀。y方向位置檢測用的多個(gè)第二檢測電極Eyj(j = 1、2、……、m)，在透射板2的圖中下面形成圖案。多個(gè)第二檢測電極Eyj,各自在χ方向上延伸且相互平行，且在y方向相互間隔排列。在本實(shí)施方式中，第二檢測電極的條數(shù)為14(即m=14)。各第二檢測電極Eyj例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。如圖4所示，各第二檢測電極Eyj具有多個(gè)菱形狀的部分，和與這些菱形狀的部分連接的線狀的部分。該菱形狀部分的形狀，可以是圓形狀、多邊形狀，或其他形狀。第二檢測電極的菱形狀的部分配置成，在χ方向和y方向上，不與第一檢測電極Exi的菱形狀部分重疊。各配線3的一部分，在透射板1上形成圖案。各配線3的另一部分，在透射板2上和柔性基板8上形成圖案。透射板1上的各配線3的一部分，和與透射板1上的各配線3 的一部分對應(yīng)的透射板2上的各配線3的一部分，確保透射板1上的各配線3的一部分間的電絕緣狀態(tài)且確保透射板2上的各配線3的一部分間的電絕緣狀態(tài)，并且通過各向異性導(dǎo)電樹脂部6電連接。各向異性導(dǎo)電樹脂部6由硬化的各向異性導(dǎo)電樹脂構(gòu)成。各配線3 在透射板1上與一個(gè)第一檢測電極Exi連接。配線3’在透射板2上和柔性基板8上形成圖案，在透射板2上與一個(gè)第二檢測電極Ε。連接。如圖1所示，樹脂層4和間隔體5，間隔在透射板1、2之間。樹脂層4由良好地使光透過的樹脂材料構(gòu)成。通過樹脂層4，第一檢測電極Exi間、第二檢測電極Eyj間，以及第一檢測電極EXi、第二檢測電極Eyj間的電絕緣狀態(tài)得以確保。間隔體5是由有機(jī)硅或丙烯樹脂(例如積水化學(xué)工業(yè)=MicropearI系列)構(gòu)成的粒狀體。通過適當(dāng)選擇間隔體5的尺寸，能夠確保透射板1、2間的適當(dāng)距離。護(hù)罩層7設(shè)置在透射板1的圖1中下面。護(hù)罩層7例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。護(hù)罩層7被背部保護(hù)層(圖示略)覆蓋。護(hù)罩層7承擔(dān)阻斷外來噪聲的功能。柔性基板8如圖1所示，安裝在透射板2的端部。如上所述，配線3的一部分和配線3’的一部分，也設(shè)置于柔性基板8。IC芯片9裝載于柔性基板8。IC芯片9承擔(dān)控制輸入裝置Al的驅(qū)動狀態(tài)，和計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置的功能。IC芯片9通過未圖示的輸入端子，與各第一檢測電極Exi和各第二檢測電極Eyj連接。圖5表示IC芯片9的功能框圖。如同圖所示，IC芯片9包括存儲部91和計(jì)算部 92。存儲部91存儲計(jì)算部92計(jì)算時(shí)的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，存儲部91隨著手指等導(dǎo)體Dl與各第一檢測電極Exi之間的靜電電容的變化、將通過各第一檢測電極Exi得到的值分別作為第一方向檢測值)(ch(i) (i = 1、2、……、n)存儲。同樣地，存儲部91隨著導(dǎo)體 Dl與各第二檢測電極之間的靜電電容的變化、將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值Ych(j) (j = 1、2、……、m)存儲。計(jì)算部92，計(jì)算χ方向和y方向的導(dǎo)體Dl的接近位置。計(jì)算部92邊與存儲部91 進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳送接收邊進(jìn)行計(jì)算。接著，用圖6 圖16，對本實(shí)施方式的導(dǎo)體Dl的接近位置的計(jì)算方法的一例進(jìn)行說明。圖6是表示本實(shí)施方式中的處理流程的流程圖。在本實(shí)施方式中，對導(dǎo)體Dl接近透射板2時(shí)的、作為導(dǎo)體Dl的接近位置的第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的計(jì)算方法進(jìn)行說明。<第一方向檢測值和第二方向檢測值的存儲(SlOl) >首先，如圖6所示，將第一方向檢測值和第二方向檢測值存儲在存儲部91中。在輸入裝置Al啟動時(shí)，從各第一檢測電極Exi,將導(dǎo)體Dl和各第一檢測電極Exi之間能夠產(chǎn)生的靜電電容變化對應(yīng)的信號發(fā)送到IC芯片9。IC芯片9在接收到該信號時(shí)，如上所述， 存儲部91隨著導(dǎo)體Dl和各第一檢測電極Exi之間的靜電電容的變化，將通過各第一檢測電極Exi和IC芯片9中的未圖示的電路得到的值分別作為第一方向檢測值)(Ch(i) (i = 1、 2、……、n)存儲。同樣地，從各第二檢測電極Eyj,將導(dǎo)體Dl和各第二檢測電極Eyj之間能夠產(chǎn)生的靜電電容變化對應(yīng)的信號發(fā)送到IC芯片9。IC芯片9在接收到該信號時(shí)，如上所述，存儲部91隨著導(dǎo)體Dl和各第二檢測電極間的靜電電容的變化、將通過各第二檢測電極Eyj和IC芯片9中的未圖示的電路得到的值分別作為第二方向檢測值Ych(j) (j =1、2、......、m)存儲。圖7表示導(dǎo)體Dl接近圖2所示的位置時(shí)的，各第一方向檢測值)(Ch(i)和各第二方向檢測值Ych(j)的各值的一例。圖8用三維柱狀圖表示圖7所示的各第一方向檢測值 Xch(i)和各第二方向檢測值Ych(j)的各值。與圖2所示的導(dǎo)體Dl對透射板2的接觸區(qū)域相互對置的面積最大的是第一檢測電極Ex1 E^cn之中的電極Ex5,與該接觸區(qū)域相互對置的面積第二大的是第一檢測電極E&。第二檢測電極Ey1 Eym之中與該接觸區(qū)域相互對置的面積最大的是第二檢測電極Ey7,與該接觸區(qū)域相互對置的面積第二大的是第二檢測電極Ey8，與該區(qū)域相互對置的面積第三大的是第二檢測電極Ey6。圖7表示，第一方向檢測值)(ch(i)、第二方向檢測值Ych (j)的各個(gè)值，分別對應(yīng)于導(dǎo)體Dl對透射板2的接觸區(qū)域與第一檢測電極EXi、第二檢測電極Eyj相互對置的面積。另外，圖7中)(Ch(2)、Xch (9)、 Ych (3)、Ych (13)表示很小的值，是噪聲的影響?！吹谝挥成渲档纳?S102)>接著，用第一方向檢測值)(Ch(i)和第二方向檢測值Ych (j)，生成多個(gè)第一映射值。圖14三維地表示第一映射值。具體而言，如下所示生成第一映射值。各第一映射值是將對第一方向檢測值)(ch(i)的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第一值、對第二方向檢測值Ych(j) 的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第二值進(jìn)行運(yùn)算后的值。第一映射值與求該第一映射值所用的第一方向檢測值)(Ch(i)的各個(gè)值正相關(guān)。 即，對于第一映射值，如果求該第一映射值所用的第一方向檢測值Xch (i)之中的某個(gè)特定的第一方向檢測值)(ch(i)以外的值，和求該第一映射值所用的第二方向檢測值Ych(j)的值相同，則該特定的第一方向檢測值)(ch(i)的值越大，第一映射值的值越大。第一映射值與求該第一映射值所用的第二方向檢測值Ych(i)的各個(gè)值正相關(guān)。即，如果求該第一映射值所用的第一方向檢測值Xch (i)，和求該第一映射值所用的第二方向檢測值Ych (j)之中的某個(gè)特定的第二方向檢測值Ych(j)以外的值相同，則該特定的第二方向檢測值Ych(j) 的值越大，第一映射值的值越大。生成的第一映射值的個(gè)數(shù)，通過將多個(gè)第一方向檢測值)(Ch(i)的任意一個(gè)與多個(gè)第二方向檢測值Ych(j)的任意一個(gè)組合，能夠自由決定。以下表示生成2nXaii個(gè)第一映射值的例子。圖9是圖2所示輸入裝置Al的放大平面圖。各第一映射值mapl(p，q)對應(yīng)某個(gè)二維坐標(biāo)，該二維坐標(biāo)(X1M，YIm)，是圖9等所示規(guī)定面積的區(qū)域的重心坐標(biāo)。區(qū)域的形狀可以是任意形狀。在本實(shí)施方式中，區(qū)域Rm具有各第一檢測電極Exi的菱形狀部分4個(gè)的量的面積。第一映射值mapl(p，q)定義為mapl (p, q) = Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q)......(1)Vx (p，q)是第一值，表示為Vx(ρ, q) = Σ Sk · Xch(k)......(2)在這里，&是區(qū)域與第一檢測電極^^重疊區(qū)域的面積(k= 1、2、……、n)。 即第一值Vx (p，q)是將區(qū)域與第一檢測電極重疊的面積作為權(quán)重，對第一方向檢測值)Cch(i)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。同樣地，Vy(p，q)是第二值，表示為
Vy (p, q) = Σ Tk · Ych(k)...... (3)在這里同樣地，是區(qū)域^與第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的面積(k= 1、 2、……、m)。即第二值Vy(p，q)是將區(qū)域與第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重，對第二方向檢測值Ych(j)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。因此，第一映射值mapl(p，q)可以說是，將區(qū)域與第一檢測電極重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重、對第一方向檢測值)Cch(i)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，和將區(qū)域與第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重、對第二方向檢測值Ych (j)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值之和。在本實(shí)施方式中，第一映射值mapl (p，q)在(p，q) = (2i，2j)的情況...............(情況 1，參照圖 9)(p，q) = (2i+l，2j)的情況............(情況 2，參照圖 10)(p，q) = (2i，2j+l)的情況............(情況 3，參照圖 11)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情況.........(情況 4，參照圖 12)這四種情況(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每種情況下，求得時(shí)所用的參數(shù)不同。以下進(jìn)行具體說明?！辞闆r1>用圖9，對情況1進(jìn)行說明。如同圖所示，二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (xi2i, Yi2j)= (XiiYj)……(4-1)Xi是第一檢測電極Exi的χ方向的中心位置。同樣地，Yj是第二檢測電極Eyj的y 方向的中心位置。情況1中(2)式表示為Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch(i-l)+l. 4Xch(i)+0. 3Xch(i+l)......(2-1)就Sg、Sp Si+1而言，令第一檢測電極Exi含有的一個(gè)菱形電極的面積為1，則S" =0.3，Si = 1.4，Sw = 0.3。另外作為Xch(O)Jch(n+1)等實(shí)際不存在的值，可以用適當(dāng)?shù)闹?例如0)。同樣地情況1中(3)式表示為Vy (p, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych(j-l)+l. 4Ych(j)+0. 3Ych(j+l)......(3-1)就Τ」+ Τ」、IV1而言，令第二檢測電極Eyj含有的菱形電極一個(gè)的面積為1，則T^ =0.3，Tj = 1. 4, TJ+1 = 0.3。另外作為Ych(O)、Ych (m+1)等實(shí)際不存在的值，可以用適當(dāng)?shù)闹?例如0)。情況1中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。〈情況2>圖10是對情況2進(jìn)行說明的附圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(Χ1ρα，Υ1ρα)表示為
(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)……(4-2)乂樹是第一檢測電極Exi+1的χ方向的中心位置。情況2中(2)式表示為Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(2-2)就31工01而言，令第一檢測電極Exi含有的菱形電極一個(gè)的面積為1，令51 = 1.0， S =10情況2中(3)式與情況(1)同樣地，表示為Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(3-2)情況2中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)?！辞闆r3>圖11是對情況3進(jìn)行說明的附圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)……0-3)YJ+1是第二檢測電極Eyj的y方向的中心位置。情況3中⑵式與情況1同樣地，表示為Vx (p, q) = Vx (2i, 2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i-1) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(2-3)情況3中(3)式表示為Vy (ρ, q) = Vy (2i, 2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j)+l. OYch (j+1)......(3-3)就TpIV1而言，令第二檢測電極Eyj含有的菱形電極一個(gè)的面積為1，則Tj = 1.0， TJ+1 = 1. 0。情況3中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)?！辞闆r4>
圖12是對情況4進(jìn)行說明的附圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(X1M，Y1M)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-4)情況4中⑵式與情況2同樣地，表示為Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)
=1. OXch ⑴ +1. OXch (i+Ι)......(2-4)情況4中(3)式與情況3同樣地，表示為Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j)+l. OYch (j+1)......(3-4)情況4中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。通過以上情況1 情況4的情況的計(jì)算，能夠生成多個(gè)第一映射值mapl (p, q)。如果考慮i = l、2、……、n，則ρ是2 2n+l的2η個(gè)整數(shù)。另一方面，如果考慮 j = l、2、……、m，則q是2 2m+l的an個(gè)整數(shù)。于是，第一映射值mapl (p，q)，能夠考慮為2nXaii矩陣Tl的元素。在這里，將矩陣Tl的元素α 定義(參照圖13)為α rs = mapl (r+1, s+1)......(5)(r=l、2、......、2n，s = 1、2、......、2m)從式(4-1)、式(4- 、式(4- 、式(4-4)可知，如果多個(gè)第一映射值mapl (p，q)的 P值互相相等，則這些第一映射值mapl (P，q)對應(yīng)的二維坐標(biāo)XIm的值相同。因此，如果矩陣Tl中行序號相同，則矩陣元素(第一映射值mapl (p，q))對應(yīng)的二維坐標(biāo)的XIm的值相同。例如，矩陣Tl的第三行的元素的ρ是4，則根據(jù)式、(4-3)式，X1m = )(2。同樣地可知，如果多個(gè)第一映射值mapl (p，q)的q值互相相等，則這些第一映射值 mapl (p, q)對應(yīng)的二維坐標(biāo)YIm的值相同。因此，如果矩陣Tl中列序號相同，則矩陣元素 (第一映射值mapl(p，q))對應(yīng)的二維坐標(biāo)的YIm的值相同。例如，矩陣Tl的第二列的元素的 q 是 3，則根據(jù)(4-3)式、(4-4)式，Ylpq = (YfY2)/2。根據(jù)G-1)式、0-2)式、0-3)式、(4-4)式，ρ值越大，XIm的值越大，而且，q值越大，YIm越大。因此，在矩陣Tl中，隨著行序號增加，該行元素(第一映射值mapl (p，q)) 的每個(gè)對應(yīng)的二維坐標(biāo)XIm的值，單調(diào)增加。同樣地，在矩陣Tl中，隨著列序號增加，該列元素(第一映射值mapl (p，q))的每個(gè)對應(yīng)的二維坐標(biāo)YIm的值，單調(diào)增加。在圖14中，將第一映射值mapl (p, q)三維地表示，從而能夠視覺地認(rèn)知第一映射值mapl(p，q)。同圖的高度方向?qū)?yīng)第一映射值的值。第一映射值map(p，q)之中值較大的，能夠用導(dǎo)體Dl接近的第一檢測電極Exi和第二檢測電極Eyj求得。因此可以說，第一映射值mapl (p，q)之中較大的值對應(yīng)的二維坐標(biāo)，接近于導(dǎo)體Dl接近的位置。<導(dǎo)體Dl是否接近的判斷(S103) >接著，參照圖15，用通過上述過程生成的第一映射值mapl (p，q)，對多個(gè)第一檢測電極Exi和多個(gè)第二檢測電極Eyj,對判斷導(dǎo)體Dl是否接近的步驟(Sl(XB)進(jìn)行說明。首先， 在上述處理中求得的第一映射值mapl (p，q)之中，將最大的最大第一映射值mapl (pmax， qmax)提取出(pmax是第一映射值取最大值時(shí)的ρ值。同樣地，qmax是第一映射值取最大值時(shí)的q值)。接著，計(jì)算部92，對該最大第一映射值mapl (pmax，qmax)是否比規(guī)定的閾值 (參照圖14)大進(jìn)行判斷。當(dāng)最大第一映射值mapl (pmax，qmax)在規(guī)定閾值以下時(shí)(S103 否)，計(jì)算部92判斷為導(dǎo)體Dl沒有接近(S104)。當(dāng)判斷導(dǎo)體Dl沒有接近時(shí)，計(jì)算部92，將導(dǎo)體Dl沒有接近的信號(例如使第一接近坐標(biāo)(xl,yl)為(0,0)的信號)，輸出到IC芯片9的外部(S106)。
〈第一接近坐標(biāo)(xl,yl)的計(jì)算(S105)>另一方面，當(dāng)最大第一映射值mapKpmax，qmax)比規(guī)定閾值大時(shí)(S103:是)， 計(jì)算部92判斷為導(dǎo)體Dl接近。此時(shí)，計(jì)算部92對第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的值進(jìn)行計(jì)算 (Sl(^)。計(jì)算部92可以僅使用多個(gè)第一映射值mapl(p，q)之中的一部分，計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的值。在本實(shí)施方式中，在計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的xl時(shí)，使用最大第一映射值mapl(pmax，qmax)、與該最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相比行序號相差一個(gè)且包含在同一列中的兩個(gè)相鄰的第一映射值mapl(pmax-l，u)、mapl(pmax+l，u)(在這u = 2、 3、……、2m+l)。以下作為一例，對U = qmax的情況，S卩，這兩個(gè)相鄰的第一映射值與最大第一映射值被包含在同一列中的情況進(jìn)行說明。圖16是說明本實(shí)施方式的第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的xl值的求法所用的圖。同圖所示圖的橫軸，是鄰接的第一映射值mapl (pmax-1, qmax)、最大第一映射值mapl (pmax, qmax)和鄰接的第一映射值mapl (pmax+1，qmax)各自對應(yīng)的二維坐標(biāo)的XIm的值。同圖的縱軸，是各第一映射值的值。要求得第一接近坐標(biāo)的xl值，需要求得通過同圖的三個(gè)第一映射值的二次曲線。然后，求得該二次曲線的頂點(diǎn)的坐標(biāo)或軸等，計(jì)算xl值。在本實(shí)施方式中，為了計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)中的yl，與計(jì)算xl時(shí)同樣地， 使用最大第一映射值mapl (pmax，qmax)、與該最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相比列序號相差一個(gè)的行中所含的兩個(gè)相鄰的第一映射值mapl (v, qmax-1) ,mapl (ν, qmax+1)(在這里v = 2、3、……、2n+l)。這兩個(gè)相鄰的第一映射值，被包含在同一列中。計(jì)算yl值的方法，由于與計(jì)算xl的方法相同所以省略說明。通過這樣的方式，計(jì)算部92對多個(gè)第一檢測電極Exi和多個(gè)第二檢測電極Eyj,計(jì)算表示導(dǎo)體Dl的接近位置的第一接近坐標(biāo)(xl，yl)。然后，IC芯片9將計(jì)算出的第一接近坐標(biāo)(xl, yl)相關(guān)的信號輸出到外部(S106)。通過以上流程，能夠計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)。接著對本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖7所示，如果導(dǎo)體Dl接近第一檢測電極Exi,則多個(gè)0、3 個(gè))第一方向檢測值)(ch(i)比其他第一方向檢測值)(Ch(i)大。同樣地，如果導(dǎo)體Dl接近第二檢測電極Eyj,則多個(gè)0、3個(gè))第二方向檢測值Ych (j)比其他第二方向檢測值Ych (j) 大。通過生成第一映射值mapl (p，q)，能夠求得增加了當(dāng)導(dǎo)體Dl接近第一檢測電極Exi時(shí)變大的第一方向檢測值)(ch (i)，和導(dǎo)體Dl接近第二檢測電極Eyj時(shí)變大的第二方向檢測值 Ych(j)的影響的值。因此，如圖14所示，當(dāng)導(dǎo)體Dl接近第一檢測電極EXi、第二檢測電極 Eyj時(shí)，特定的第一映射值mapl (p，q)的值極端地變大。因此，能夠?qū)⒛茉O(shè)定檢測導(dǎo)體Dl是否接近時(shí)所用閾值的值的范圍增大。其結(jié)果是，即使由于噪聲影響第一方向檢測值)Cch(i) 和第二方向檢測值Ych(j)增加，也能夠設(shè)定更大的閾值，從而使只要導(dǎo)體Dl沒有接近，第一映射值mapl(p，q)就不會超過閾值。因此，根據(jù)輸入裝置Al，能夠抑制雖然導(dǎo)體Dl未接近但判斷為導(dǎo)體Dl接近的誤動作。在本實(shí)施方式中，用第一映射值mapl (p，q)，計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)。能夠生成第一映射值mapl(p，q)的個(gè)數(shù)，并不受制于第一檢測電極Exi的個(gè)數(shù)、第二檢測電極Eyj 的個(gè)數(shù)。因此，通過較多地生成第一映射值mapl (p，q)，能夠計(jì)算更加正確的第一接近坐標(biāo) (xl，yl)。
在本實(shí)施方式中，為了計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)，求得圖16所示二次曲線的頂點(diǎn)的坐標(biāo)或軸。通過發(fā)明者們可知，這樣的計(jì)算方法適用于正確地求得第一接近坐標(biāo)(xl， yl)。接著，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式，求得第一映射值mapl (p， q)時(shí)的參數(shù)與第一實(shí)施方式不同，其他點(diǎn)與第一實(shí)施方式相同。以下進(jìn)行具體說明。在本實(shí)施方式中，區(qū)域具有各第一檢測電極Exi的菱形狀部分4. 5個(gè)的量的面積。在本實(shí)施方式中，第一映射值mapl (p，q)也在(p，q) = (2i，2j)的情況...............(情況 1)(p，q) = (2i+l，2j)的情況............(情況 2)(p，q) = (2i，2j+l)的情況............(情況 3)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情況.........(情況 4)四種情況(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每種情況下，求得時(shí)所用的參數(shù)不同。以下進(jìn)行具體說明?！辞闆r1>情況1的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)可以表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xi2i，Yi2i)= (XiiYi)……(4-5)情況1中(2)式可以表示為Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3375Xch (i_l) +1. 575Xch (i) +0. 3375Xch (i+1)......(2-5)同樣地情況1中(3)式表示為Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3375Ych (j-1) +1. 575Ych (j) +0. 3375Ych (j+1)......(3-5)情況1中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。〈情況2>情況2的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)...... (4-6)情況2中(2)式表示為Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 1. 125Xch(i)+l. 125Xch(i+l)......(2-6)情況2中(3)式與情況(1)同樣地，可以表示為Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)
= 0. 3375Ych (j_l) +1. 5750Ych (j) +0. 3375Ych (j+1)......(3-6)情況2中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情況 3>情況3的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)...... (4-7)情況3中(2)式與情況1同樣地，可以表示為Vx (p, q) = Vx (2i, 2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3375Xch (i_l) +1. 5750Xch (i) +0. 3375Xch (i+1)......0-7)情況3中(3)式表示為Vy (ρ, q) = Vy (2i, 2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. 125Ych (j) +1. 125Ych (j+1)......(3-7)情況3中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情況 4>情況4的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-8)情況4中(2)式與情況2同樣地，表示為Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i)+Si+1Xch (i+1)= 1. 125Xch (i) +1. 125Xch (i+1)......0-8)情況4中(3)式與情況3同樣地，表示為Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j) +Tj+lYch (j+1)= 1. 125Ych (j) +1. 125Ych (j+1)......(3-8)情況4中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。通過以上情況1 情況4的情況的計(jì)算，能夠生成多個(gè)第一映射值mapl (p, q)。圖17三維地表示導(dǎo)體Dl接近時(shí)的，用這樣的參數(shù)生成的第一映射值mapl (p，q)。接著，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，求得第一映射值 mapl (p, q)時(shí)的參數(shù)與第一、第二實(shí)施方式不同，其他點(diǎn)與第一實(shí)施方式相同。以下進(jìn)行具體說明。在本實(shí)施方式中，區(qū)域具有各第一檢測電極Exi的菱形狀部分6. 25個(gè)的量的面積。本實(shí)施方式中，第一映射值mapl (p，q)也在
(p，q) = Oi，2j)的情況…(p，q) = Oi+l，2j)的情況(p，q) = Oi，2j+l)的情況
(情況1) (情況2) (情況3)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情況.........(情況 4)四種情況的每種情況下，求得時(shí)所用的參數(shù)不同(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、 m)。以下進(jìn)行具體說明。〈情況1>情況1的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2i)= (XiiYi)...... (4-9)情況1中(2)式表示為Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 5Xch (i_l) +2. 125Xch (i) +0. 5Xch (i+1)......0-9)同樣地情況1中(3)式表示為Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 5Ych (j-1) +2. 125Ych (j) +0. 5Ych (j+1)......(3-9)情況1中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情況 2>情況2的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)……(4-10)情況2中(2)式表示為Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i)+Si+1Xch (i+1)= 1. 5Xch(i)+l. 5Xch(i+l)......(2-10)情況2中(3)式與情況(1)同樣地，表示為Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 5625Ych (j-1) +2. 125Ych (j) +0. 5625Ych (j+1)......(3-10)情況2中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情況 3>情況3的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)...... (4-11)情況3中(2)式與情況1同樣地，表示為
Vx (p, q) = Vx(2i,2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 5625Xch (i_l) +2. 125Xch (i) +0. 5625Xch (i+1)......Q-11)情況3中(3)式表示為Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych(j+l)= 1. 5Ych(j)+l. 5Ych(j+l)......(3-11)情況3中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。< 情況 4>情況4的二維坐標(biāo)(X1M，Ylpq)表示為(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-12)情況4中(2)式與情況2同樣地，表示為Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +S^lXch (i+1) +Si+2Xch (j+2)= 0. 0625Xch (i_l) +1. 5Xch (i) +1. 5Xch (i+1) +0. 0625Xch (i+2)......
(2-12)情況4中(3)式與情況3同樣地，表示為Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +Ti+1Ych (j+1) +TJ+2Ych (j+2)= 0. 0625Ych(j-l)+l. 5Ych(j)+l. 5Ych(j+l)+0. 0625Ych(j+2)......
(3-12)情況4中像這樣求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射
值 mapl (p, q)。通過以上情況1 情況4的情況的計(jì)算，能夠生成多個(gè)第一映射值mapl (p, q)。圖18三維地表示導(dǎo)體Dl接近時(shí)的，用這樣的參數(shù)生成的第一映射值mapl (p，q)。接著，對本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，第一接近坐標(biāo)(xl， yl)的求法，與上述方法不同。在本實(shí)施方式中，要計(jì)算第一接近坐標(biāo)的xl，用與圖15的最大第一映射值mapl(pmaX，qmax)相同列所含的全部第一映射值mapl (v，qmax) (ν = 2、 3、……、2n+l)。將這些多個(gè)第一映射值mapl (p，q)的大小作為權(quán)重，通過加權(quán)平均計(jì)算， 能夠計(jì)算第一接近坐標(biāo)的xl。同樣地，要計(jì)算第一接近坐標(biāo)的yl，用與最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相同列所含的全部第一映射值mapl(pmax，u) (u = 2、3、……、2m+l)。將這些多個(gè)第一映射值 mapl (p, q)的大小作為權(quán)重，通過加權(quán)平均計(jì)算，能夠計(jì)算第一接近坐標(biāo)的yl。接著，對本發(fā)明的第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，計(jì)算如圖19所示的兩個(gè)導(dǎo)體D1、D2的接近位置。圖20是表示本實(shí)施方式的處理流程的流程圖。如同圖所示，本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，不僅計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)，而且計(jì)算作為導(dǎo)體 D2的接近位置的第二接近坐標(biāo)(x2，y2) (S207 S211)。以下進(jìn)行具體說明。
首先，直到計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)為止的步驟(S201 S205)，與圖6所示第一實(shí)施方式的步驟(S101 S105)相同?！礈?zhǔn)備處理(S206)>接著，進(jìn)行用于計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的準(zhǔn)備處理(S206)。如上所述，從多個(gè)第一檢測電極Exi得到的多個(gè)第一方向檢測值Xch (i)，和從多個(gè)第二檢測電極得到的多個(gè)第二方向檢測值Ych(j)被存儲在存儲部91中。如圖21所示，作為準(zhǔn)備處理，使從最接近第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的第一檢測電極Exi (在圖19、圖21中是Ex8)得到的第一方向檢測值)Cch(i)減少。這是為了在計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的基礎(chǔ)上，減少由導(dǎo)體Dl 向第一方向檢測值)(ch(i)接近導(dǎo)致的影響。同樣地，使從與最接近第一接近坐標(biāo)(xl，yl) 的第一檢測電極Exi相鄰的第一檢測電極Ex"得到的第一方向檢測值Xch (i-1)，和從第一檢測電極Exi+1得到的第一方向檢測值)(Ch(i+l)兩個(gè)值減小。同樣地，作為準(zhǔn)備處理，使從最接近第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的第二檢測電極 Ey^在圖19、圖21中是Ey3)得到的第二方向檢測值Ych(j)減少。使從與最接近第一接近坐標(biāo)(xl，yl)的第二檢測電極Eyj相鄰的第二檢測電極Eyf1得到的第二方向檢測值 Ych(j-Ι)，和從第二檢測電極Eyp1得到的第二方向檢測值Ych(j+Ι)兩個(gè)值減小。例如，使該第一方向檢測值和第二方向檢測值的值每個(gè)都變?yōu)槎种弧?lt;第二映射值的生成(S207) >接著，在完成上述準(zhǔn)備處理后，用第一方向檢測值)(Ch(i)和第二方向檢測值 Ych(j)，生成多個(gè)第二映射值map2(p，q) (S207)。以下所述的第二映射值map2 (p，q)的求法，除了用完成上述準(zhǔn)備處理后的第一方向檢測值)(ch(i)和第二方向檢測值Ych(j)這一點(diǎn)以外，與第一映射值mapl(p，q)的求法相同。第二映射值map2(p，q)，也是將對第一方向檢測值)Cch(i)的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第三值，和對第二方向檢測值Ych(j)的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算后的第四值，進(jìn)行運(yùn)算后的值。第二映射值與求該第二映射值所用的第一方向檢測值)(Ch(i)的各個(gè)值正相關(guān)。 即，如果求該第二映射值所用的第一方向檢測值)Cch(i)之中的某個(gè)特定的第一方向檢測值)(Ch(i)以外的值，和求該第二映射值所用的第二方向檢測值Ych(j)的值相同，則該特定的第一方向檢測值)Cch(j)的值越大，第二映射值的值越大。第二映射值與求該第二映射值所用的第二方向檢測值Ych (j)的各個(gè)值正相關(guān)。即，如果求該第二映射值所用的第一方向檢測值Xch (i)，和求該第二映射值所用的第二方向檢測值Ych (j)之中的某個(gè)特定的第二方向檢測值Ych(j)以外的值相同，則該特定的第二方向檢測值Ych(j)的值越大，第二映射值的值越大。生成的第二映射值的個(gè)數(shù)，通過將多個(gè)第一方向檢測值)(Ch(i)的任意一個(gè)與多個(gè)第二方向檢測值Ych(j)的任意一個(gè)組合，能夠自由決定。以下表示生成2nXaii個(gè)第二映射值的例子。第二映射值map2(p，q)的各個(gè)對應(yīng)的二維坐標(biāo)(X2M，Y2M)，是圖22等所示規(guī)定面積的區(qū)域的重心坐標(biāo)。區(qū)域的形狀可以是任意形狀。在本實(shí)施方式中，區(qū)域具有各第一檢測電極Exi的菱形狀部分4個(gè)的量的面積。第二映射值map2(p，q)定義為map2 (ρ, q) = Wx (ρ, q)+ffy(p, q)......(6)fe (p，q)是第三值，表示為
Wx (p, q) = Σ Sk · Xch (k)......(7)在這里，&是區(qū)域和第一檢測電極權(quán)1;重疊區(qū)域的面積(k = 1、2、……、η)。 即第三值fe (p，q)是將區(qū)域和第一檢測電極重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重，對第一方向檢測值)Cch(i)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。同樣地，Wy (p，q)是第四值，表示為Wy (p, q) = Σ Tk · Ych (k)……(8)在這里同樣地，是區(qū)域1^和第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的面積(k = 1、 2、……、m)。即第四值Wy(p，q)是將區(qū)域和第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重，對第二方向檢測值Ych(j)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。因此，第二映射值map2(p，q)可以說是，將區(qū)域和第一檢測電極重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重，對第一方向檢測值)Cch(i)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，和將區(qū)域和第二檢測電極Eyk重疊區(qū)域的各個(gè)面積作為權(quán)重，對第二方向檢測值Ych (j)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，之和。在本實(shí)施方式中，第二映射值map2 (p，q)在(p，q) = (2i，2j)的情況...............(情況 1，參照圖 22)(p，q) = (2i+l，2j)的情況............(情況 2，參照圖 23)(p，q) = (2i，2j+l)的情況............(情況 3，參照圖 24)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情況.........(情況 4，參照圖 25)4種情況(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每種情況下，求得時(shí)所用的參數(shù)不同。以下進(jìn)行具體說明?！辞闆r1>用圖22，對情況1進(jìn)行說明。如同圖所示，二維坐標(biāo)(Χ、,，Y2pq)表示為(X2m，Y2m) = (X22i, Y22J)= (XiiYj)...... (9-1)Xi是第一檢測電極Exi的χ方向的中心位置。同樣地，Yj是第二檢測電極Eyj的y 方向的中心位置。情況1中(7)式表示為Wx (p, q) = ffx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i_l) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(7-1)就Sg、Sp Si+1而言，令第一檢測電極Exi含有的菱形電極一個(gè)的面積為1，則S" =0.3，Si = 1.4，Sw = 0.3。另外Rh(O)、Xch (n+1)作為實(shí)際不存在的值，可以用適當(dāng)?shù)闹怠Ｍ瑯拥厍闆r1中⑶式表示為Wy (p, q) =ffy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(8-1)就IVpI^IV1而言，令第二檢測電極含有的菱形電極一個(gè)的量的面積為1，則 IV1 = 0. 3，Tj = 1. 4，TJ+1 = 0. 3。另外、Ych (m+1)作為實(shí)際不存在的值，可以用適當(dāng)?shù)闹?。情況1中像這樣求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情況 2>圖23是對情況2進(jìn)行說明的圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(Χ、,，Y2pq)表示為(X2m，Y2m) = (X22i+1, Y22J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)...... (9-2)乂樹是第一檢測電極Exi+1的χ方向的中心位置。情況2中(7)式表示為Wx (p, q) = ffx(2i+l,2j)= SiXch (i)+Si+1Xch(i+l)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(7-2)就言，令第一檢測電極Exi含有的菱形電極一個(gè)的量的面積為IjljSi = 1. 0，Si+1= 1. 0。情況2中(8)式與情況1同樣地，表示為Wy (p, q) = ffy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(8-2)情況2中像這樣求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情況 3>圖M是對情況3進(jìn)行說明的圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(Χ、,，Y2pq)表示為(X2m，Y2m) = (X22i, Y22J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)……(9-3)Yi+1是第二檢測電極Eyj的y方向的中心位置。情況3中(7)式與情況1同樣地，表示為Wx (p, q) = Wx (2i, 2 j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i-1) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(7-3)情況3中(8)式表示為Wy (ρ, q) = Wy (2i, 2 j+1)= TjYch (j) +IV1Ych (j+1)= 1. OYch (j) +1. OYch (j+1)......(8-3)就TpIV1而言，令第二檢測電極Eyj含有的菱形電極一個(gè)的面積為1，則Tj = 1.0， TJ+1 = 1. 0。情況3中像這樣求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情況 4>圖25是對情況4進(jìn)行說明的圖。如同圖所示，二維坐標(biāo)(X2m，Y2m)表示為
(X2m，Y2m) = (X22i+1，Y22J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(9-4)情況4中(7)式與情況2同樣地，表示為Wx (p, q) = Wx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i)+Si+1Xch(i+l)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(7-4)情況4中(8)式與情況3同樣地，表示為Wy (p, q) = Wy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j) +1. OYch (j+1)......(8-4)情況4中像這樣求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。通過以上情況1 情況4的情況的計(jì)算，能夠生成多個(gè)第二映射值map2 (ρ, q)。如果考慮i = l、2、……、n，則ρ是2 2n+l的2η個(gè)整數(shù)。另一方面，如果考慮 j = l、2、……、m，則q是2 2m+l的an個(gè)整數(shù)。于是，第二映射值map2 (p，q)，能夠考慮為是2nXaii矩陣T2的元素。在這里，將矩陣T2的元素β 定義(參照圖26)為β rs = map2 (r+1，s+1)......(10)(r=l、2、......、2n，s = 1、2、......、2m)從式(9-1)、式(9-2)、式(9-3)、式(9-4)可知，如果多個(gè)第二映射值map2 (p，q) 的P值相等，則這些第二映射值map2 (P，q)對應(yīng)的二維坐標(biāo)X2M的值相同。因此，如果矩陣 T2中行序號相同，則矩陣元素(第二映射值map2(p，q))對應(yīng)的二維坐標(biāo)的X2M的值相同。 例如，矩陣T2的第三行的元素的ρ是4，則根據(jù)(9-1)式、(9-3)式，X2pq = X20同樣地可知，如果多個(gè)第二映射值map2 (p，q)的q值相等，則這些第二映射值 map2(p, q)對應(yīng)的二維坐標(biāo)Y2M的值相同。因此，如果矩陣T2中列序號相同，則矩陣元素 (第二映射值map2(p，q))對應(yīng)的二維坐標(biāo)的Y2M的值相同。例如，矩陣T2的第二列的元素的 q 是 3，則根據(jù)(9-3)式、(9-4)式，Y2pq = (YfY2)/2。根據(jù)(9-1)式、(9-2)式、(9-3)式、(9-4)式，ρ值越大，X2pq越大，而且，q值越大， Y2M越大。因此，在矩陣T2中，隨著行序號增加，該行元素(第二映射值map2(p，q))的對應(yīng)的二維坐標(biāo)X2M的值，單調(diào)增加。同樣地，在矩陣T2中，隨著列序號增加，該列元素(第二映射值map2(p，q))的對應(yīng)的二維坐標(biāo)Y2M的值，單調(diào)增加。<導(dǎo)體D2是否接近的判斷(S208) >接著，參照圖27，使用通過上述過程生成的第二映射值map2 (p，q)，對判斷導(dǎo)體D2 是否接近多個(gè)第一檢測電極Exi和多個(gè)第二檢測電極Eyj的步驟(S208)進(jìn)行說明。首先， 在上述處理中求得的第二映射值map2 (p，q)之中，將最大的最大第二映射值map2 (pmax， qmax)提取出(pmax在本實(shí)施方式中是第二映射值取最大值時(shí)的ρ值。同樣地，qmax是本實(shí)施方式中第二映射值取最大值時(shí)的q值)。接著，計(jì)算部92，對該最大第二映射值 map2 (pmax, qmax)是否比規(guī)定閾值大進(jìn)行判斷。當(dāng)最大第二映射值map2 (pmax, qmax)在規(guī)定閾值以下時(shí)(S208:否)，計(jì)算部92判斷為導(dǎo)體D2沒有接近(S209)。當(dāng)判斷為導(dǎo)體D2沒有接近時(shí)，計(jì)算部92將導(dǎo)體D2沒有接近的信號(例如使第二接近坐標(biāo)(x2，y2)為(0，0)的信號)，和已經(jīng)計(jì)算出的第一接近坐標(biāo)(xl，yl)，輸出到IC芯片9的外部(S211)。<第二接近坐標(biāo)(x2, y2)的計(jì)算(S210) >另一方面，當(dāng)最大第二映射值map2(pmaX，qmaX)比規(guī)定閾值大時(shí)(S208 是)，計(jì)算部92判斷為導(dǎo)體D2接近。此時(shí)，計(jì)算部92計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的值(S210)。在本實(shí)施方式中，要計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的x2，用最大第二映射值map2(pmaX，qmaX)、 與該最大第二映射值map2(pmaX，qmax)相比行序號相差一個(gè)且包含在同一列中的兩個(gè)相
鄰的第二映射值 map2(pmax-l，u)、map2(pmax+l，U)(在這里 u = 2、3、......、2m+l)。以下
作為一例，對u = qmax的情況，即，這兩個(gè)相鄰的第二映射值與最大第二映射值被包含在同一列中的情況進(jìn)行說明。圖觀是說明本實(shí)施方式的第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的x2值的求法所用的圖。同圖所示圖的橫軸，是相鄰的第二映射值map2 (pmax-1, qmax)、最大第二映射值map2 (pmax, qmax)和相鄰的第二映射值map2 (pmax+1, qmax)各自對應(yīng)的二維坐標(biāo)的X2M的值。同圖的縱軸，是各第二映射值的值。要求得第一接近坐標(biāo)的x2值，需要求得通過同圖的三個(gè)第二映射值的二次曲線。然后，求得該二次曲線的頂點(diǎn)的坐標(biāo)或軸等，計(jì)算x2的值。在本實(shí)施方式中，要計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)的y2，與計(jì)算x2時(shí)同樣地，需要用最大第二映射值map2(pmax，qmax)、與該最大第二映射值map2 (pmax，qmax)相比列序號相差一個(gè)的行中所含的兩個(gè)相鄰的第二映射值map2 (ν, qmax-1)、map2 (ν, qmax+1)(在這里 ν = 2,3,……、2n+l)。這兩個(gè)相鄰的第二映射值，包含在同一列中。計(jì)算y2值的方法，由于與計(jì)算x2的方法相同所以省略說明。通過這樣的方式，計(jì)算部92計(jì)算表示導(dǎo)體D2接近多個(gè)第一檢測電極Exi和多個(gè)第二檢測電極Eyj的接近位置的第二接近坐標(biāo)(x2，y2)。然后，IC芯片9將與計(jì)算出的第二接近坐標(biāo)(x2，y2)，和已經(jīng)計(jì)算出的第一接近坐標(biāo)(xl,yl)相關(guān)的信號，輸出到外部(S211)。通過以上流程，能夠計(jì)算第一接近坐標(biāo)(xl，yl)和第二接近坐標(biāo)(x2，y2)。接著對本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，也與第一實(shí)施方式同樣地，能夠抑制雖然導(dǎo)體D2未接近但判斷為導(dǎo)體D2接近的誤動作。在本實(shí)施方式中，用第二映射值map2 (p，q)，計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)。能夠生成第二映射值map2(p，q)的個(gè)數(shù)，并不受限于第一檢測電極的個(gè)數(shù)、第二檢測電極Eyj 的個(gè)數(shù)。因此，通過較多地生成第二映射值map2 (p，q)，能夠計(jì)算更加正確的第二接近坐標(biāo) (x2, y2)。在本實(shí)施方式中，為了計(jì)算第二接近坐標(biāo)(x2，y2)，求得圖觀所示二次曲線的頂點(diǎn)的坐標(biāo)或軸。通過發(fā)明者們可知，這樣的計(jì)算方法適用于正確地求得第二接近坐標(biāo)(x2， y2)0接著，對本發(fā)明的第六實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，第一映射值mapl(p，q)，是將第一值Vx(p，q)和第二值Vy(p，q)之和進(jìn)行乘方運(yùn)算而得的值。S卩，將本實(shí)施方式中第一映射值mapl (p，q)定義為map l(p, q) = (Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q))v...... (1)，
(ν = 2、3、4......)第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p, q)的求法，步驟S103 S106，與第一實(shí)施方式相同，所以省略說明。根據(jù)本實(shí)施方式，即使在圖29、圖30所示導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積比第一實(shí)施方式的接觸面積小的情況下，也能夠正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置。導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積小的情況，例如發(fā)生在導(dǎo)體Dl的大小較小的情況(導(dǎo)體Dl是兒童的手指的情況，參照圖四、圖30)，和作為導(dǎo)體Dl的手指沒有充分按壓透射板2的情況。根據(jù)本實(shí)施方式，即使在由于噪聲影響，多個(gè)第一方向檢測值)Cch(i)經(jīng)常顯示很小的值的情況， 和多個(gè)第二方向檢測值Ych (j)經(jīng)常顯示很小的值的情況下，也能夠正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置。其理由如下。為了在導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積較小時(shí)正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置， 期望使導(dǎo)體Dl接近第一檢測電極Exi和第二檢測電極時(shí)變大的第一映射值mapl (ρ, q)，對用起因于噪聲的第一方向檢測值)(ch(i)、第二方向檢測值Ych(j)求得的第一映射值 mapl (p, q)的比值Ra較大。在由于噪聲影響，多個(gè)第一方向檢測值)Cch(i)經(jīng)常顯示很小的值的情況，和多個(gè)第二方向檢測值Ych(j)經(jīng)常顯示很小的值的情況下，為了正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置，也期望比值Ra較大。這是因?yàn)?，如果比值Ra較大，則即使在導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積較小的情況下，也能夠更加可靠地判斷為導(dǎo)體Dl接近，而且，能夠設(shè)置即使由于噪聲影響也不容易誤判導(dǎo)體Dl的接近的閾值。在本實(shí)施方式中，因?yàn)橹笖?shù)ν大于1，所以與V= 1的情況相比，比值Ra較大。這可以通過參照圖31 圖33來理解。圖31用三維的棒狀圖表示如圖30所示導(dǎo)體Dl接近透射板2時(shí)的，各第一方向檢測值)(ch(i)和第二方向檢測值Ych(j)的各值。第一檢測電極Ex1 E^cn之中，與圖30所示導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸區(qū)域的大部分相對置的是，第一檢測電極Ex4。因此，在圖31中第一方向檢測值)(Ch(4)顯示比其他第一方向檢測值)(ch(i)大的值。由于導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積比第一實(shí)施方式的接觸面積小，所以與第一檢測電極相對置的面積也較小。因此，第一方向檢測值Xch (4) 的值比第一實(shí)施方式的值小。第一檢測電極 E^cn之中電極Ex3，與圖30所示導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸區(qū)域較小地相對置，因此，在圖31中，第一方向檢測值khCB)顯示很小的值。在本實(shí)施方式中，對由于噪聲的影響，多個(gè)第一方向檢測值)(ch(i)經(jīng)常顯示很小的值的情況進(jìn)行闡述。在圖31中，由于噪聲的影響，XCh(l)、)(Ch(6)、XCh(9)顯示很小的值。第二檢測電極Ey1 Eym之中，與圖30所示導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸區(qū)域的相對置的，只有第二檢測電極Eyltl。因此，在圖31中，第二方向檢測值Ych(IO)顯示比其他第二方向檢測值Ych (j)大的值。由于導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積比第一實(shí)施方式的接觸面積小，所以與第二檢測電極Eyltl相對置的面積也較小。因此，第二方向檢測值Ych(IO)的值比第一實(shí)施方式的值小。在本實(shí)施方式中，對由于噪聲影響，多個(gè)第二方向檢測值Ych(j) 經(jīng)常顯示很小的值的情況進(jìn)行闡述。在圖31中，由于噪聲影響，Ych(3)、Ych(6)顯示很小的值。圖32三維地表示用圖31中所示的第一方向檢測值)Cch(i)和第二方向檢測值 Ych(j)，在(1)’式中令ν = 1的情況下，即用第一實(shí)施方式所述的方法求得的情況下的，第一映射值mapl(p，q)。圖33三維地表示用圖31中所示的第一方向檢測值)Cch (i)和第二方向檢測值Ych (j)，在⑴’式中令ν = 3的情況下的第一映射值mapl(p，q)。如圖32所示，由于導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積較小，所以同圖中表示峰值的第一映射值mapl(p，q)(例如mapl(8，20))，比其他第一映射值mapl(p，q)稍大。用起因于噪聲的第一方向檢測值)(ch(i)(例如kh(6))、第二方向檢測值Ych(j)(例如Ych(6))求得的第一映射值mapl(p，q)(用圖32中的Ra表示一例)，顯示較大的值。因此，圖32所示情況，比值Ra的值較小。另一方面，在圖33中，與圖32所示情況相比，表示峰值的第一映射值mapl (p，q) (例如mapl (8,20)),比其他第一映射值mapl (p，q)極端地大。在圖33中，用起因于噪聲的第一方向檢測值Xch (i)(例如Xch (6))和第二方向檢測值Ych (j)(例如Ych (6))求得的第一映射值mapl(p，q)(用圖33中的Ra表示一例)，變得較小。因此，圖33所示情況，比值 Ra的值較大。如上所述可知，在本實(shí)施方式中，與ν = 1的情況相比，比值Ra變大。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即使在導(dǎo)體Dl對于透射板2的接觸面積比第一實(shí)施方式的面積小的情況下，也能夠正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置。根據(jù)本實(shí)施方式，即使在由于噪聲影響，多個(gè)第一方向檢測值)(ch(i)經(jīng)常顯示很小的值的情況，和多個(gè)第二方向檢測值 Ych (j)經(jīng)常顯示很小的值的情況下，也能夠正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl的接近位置。另外，與本實(shí)施方式同樣地，在第四實(shí)施方式中，可以將第一映射值mapl(p，q)定義為mapl (p，q) = (Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q))v...... (1)，(ν = 2>3>4......)，進(jìn)行計(jì)算。進(jìn)而，也可以將第二映射值map2 (ρ, q)定義為
map2 (ρ，q) = (Wx (ρ, q)+ffy(p, q))w...... (6)，(w = 2,3,4......)，進(jìn)行計(jì)算。另外，也可以令ν = w，進(jìn)行計(jì)算。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，如上所述，也能夠分別正確地計(jì)算導(dǎo)體Dl、D2的接近位置。本發(fā)明的范圍并不限定于上述實(shí)施方式。本發(fā)明的各部分的具體結(jié)構(gòu)，能夠自由地進(jìn)行各種設(shè)計(jì)改變。例如，對于第一映射值，雖然表示了第一映射值是第一值和第二值之和的例子，但是也可以通過將使第一值和第二值相乘的第一映射值與規(guī)定閾值作比較，來判斷導(dǎo)體是否接近。在上述實(shí)施方式中，第一檢測電極和第二檢測電極形成在不同基板上，但也可以使該第一檢測電極和第二檢測電極形成在單一基板上。本發(fā)明相關(guān)的輸入裝置，并不限定為便攜式電話機(jī)所用的輸入裝置。例如，在數(shù)碼照相機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備、自動存取款機(jī)等使用觸摸板的機(jī)器中，能夠利用本發(fā)明的輸入裝置。也可以在生成第一映射值mapl (p，q)的步驟(S102)和判斷導(dǎo)體Dl是否接近的步驟(S103)之間，進(jìn)行使由于噪聲影響而顯示很小的值的第一映射值mapl(p，q)為0的計(jì)算。這樣的計(jì)算，例如通過使某值以下的第一映射值mapl (p，q)為0來進(jìn)行。
權(quán)利要求
1.一種靜電電容式輸入裝置，其特征在于，包括多個(gè)第一檢測電極，其沿第一方向排列且各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多個(gè)第二檢測電極，其沿所述第二方向排列且各自在所述第一方向上延伸； 存儲部，其隨著第一導(dǎo)體和各第一檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第一檢測電極得到的值分別作為第一方向檢測值存儲，并且，隨著所述第一導(dǎo)體和各第二檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值存儲；和計(jì)算部，其中所述計(jì)算部執(zhí)行生成多個(gè)對第一值和第二值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第一映射值的處理，其中，第一值是對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第二值是對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用所述多個(gè)第一映射值，對所述第一導(dǎo)體是否接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的處理。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多個(gè)第一映射值，包括所述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值， 所述計(jì)算部，在判斷所述第一導(dǎo)體是否接近的處理中，對所述最大第一映射值和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)，是將所述各第一檢測電極與規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，所述多個(gè)第二值的任意一個(gè)，是將所述各第二檢測電極與所述規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述各第一映射值，是所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與所述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述各第一映射值，是對所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與所述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和進(jìn)行乘方運(yùn)算而得的值。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述各第一映射值，與包括一組所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，所述計(jì)算部，使用所述多個(gè)第一映射值，執(zhí)行計(jì)算第一接近位置的處理， 所述第一接近位置，是所述第一導(dǎo)體在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極的位置。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述計(jì)算部，在計(jì)算所述第一接近位置的處理中，僅使用所述多個(gè)第一映射值之中的一部分來計(jì)算所述第一接近位置。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述各第一映射值，是第一矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在所述第一矩陣中，行元素分別對應(yīng)所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在所述第一矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的所述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的所述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，所述多個(gè)第一映射值包括所述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值；和與該最大第一映射值相比行序號相差一個(gè)且列序號相同的兩個(gè)相鄰的第一映射值，所述計(jì)算部在計(jì)算所述第一接近位置的處理中，使用所述最大第一映射值和所述兩個(gè)相鄰的第一映射值，計(jì)算所述第一接近位置。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多個(gè)第一檢測電極，包括所述多個(gè)第一檢測電極之中最接近所述第一接近位置的第一接近檢測電極，所述多個(gè)第二檢測電極，包括所述多個(gè)第二檢測電極之中最接近所述第一接近位置的第二接近檢測電極，所述計(jì)算部執(zhí)行準(zhǔn)備處理，在所述準(zhǔn)備處理中，將所述存儲部中的、所述多個(gè)第一方向檢測值之中與所述第一接近檢測電極對應(yīng)的值變換小，并且，將所述存儲部中的、所述多個(gè)第二方向檢測值之中與所述第二接近檢測電極對應(yīng)的值變換小。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 所述計(jì)算部執(zhí)行下述處理在所述準(zhǔn)備處理被進(jìn)行之后，生成多個(gè)對第三值和第四值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第二映射值的處理，其中，第三值是對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第四值是對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用所述多個(gè)第二映射值，對所述第二導(dǎo)體是否接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的處理。
11.如權(quán)利要求10所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述各第二映射值，與包括一組所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和所述第二方向的坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，所述計(jì)算部，使用所述多個(gè)第二映射值，執(zhí)行計(jì)算第二接近位置的處理， 所述第二接近位置，是與所述第一導(dǎo)體不同的第二導(dǎo)體在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極的位置。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述計(jì)算部在計(jì)算所述第二接近位置的處理中，僅使用所述多個(gè)第二映射值之中的一部分來計(jì)算所述第二接近位置。
13.如權(quán)利要求12所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 所述各第二映射值，是第二矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在所述第二矩陣中，行元素分別對應(yīng)所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在所述第二矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的所述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的所述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，所述多個(gè)第二映射值包括所述多個(gè)第二映射值之中最大的最大第二映射值；和與該最大第二映射值相比列序號相差一個(gè)且行序號相同的兩個(gè)相鄰的第二映射值，所述計(jì)算部在計(jì)算所述第二接近位置的處理中，使用所述最大第二映射值和所述兩個(gè)相鄰的第二映射值，計(jì)算所述第二接近位置。
14.一種計(jì)算方法，其特征在于，包括使用一種靜電電容式輸入裝置，該靜電電容式輸入裝置具備沿第一方向排列且各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多個(gè)第一檢測電極，和沿所述第二方向排列且各自在所述第一方向上延伸的多個(gè)第二檢測電極，隨著第一導(dǎo)體和各第一檢測電極的靜電電容變化將通過各第一檢測電極得到的值分別作為第一方向檢測值存儲在存儲部的步驟，隨著所述第一導(dǎo)體和各所述第二檢測電極的靜電電容變化將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值存儲在所述存儲部的步驟，生成多個(gè)對第一值和第二值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第一映射值的步驟，其中，第一值是對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第二值是對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，和使用所述多個(gè)第一映射值，對所述第一導(dǎo)體是否接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述多個(gè)第一映射值，包括所述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值， 在所述進(jìn)行判斷的步驟中，對所述最大第一映射值和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較。
16.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)，是將所述各第一檢測電極與規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值，所述多個(gè)第二值，是將所述各第二檢測電極與所述規(guī)定區(qū)域的重疊區(qū)域的面積作為權(quán)重，對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行加法運(yùn)算而得的值。
17.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述各第一映射值，是所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與所述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和。
18.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述各第一映射值，是對所述多個(gè)第一值的任意一個(gè)與所述多個(gè)第二值的任意一個(gè)之和進(jìn)行乘方運(yùn)算而得的值。
19.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述各第一映射值，與包括一組所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，還具有使用所述多個(gè)第一映射值計(jì)算第一接近位置的步驟，所述第一接近位置，是所述第一導(dǎo)體在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極的位置。
20.如權(quán)利要求19所述的計(jì)算方法，其特征在于在計(jì)算所述第一接近位置的步驟中，僅使用所述多個(gè)第一映射值之中的一部分來計(jì)算所述第一接近位置。
21.如權(quán)利要求20所述的計(jì)算方法，其特征在于 所述各第一映射值，是第一矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在所述第一矩陣中，行元素分別對應(yīng)所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在所述第一矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的所述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的所述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，所述多個(gè)第一映射值包括所述多個(gè)第一映射值之中最大的最大第一映射值；和與該最大第一映射值相比行序號相差一個(gè)且列序號相同的兩個(gè)相鄰的第一映射值，在計(jì)算所述第一接近位置的步驟中，使用所述最大第一映射值和所述兩個(gè)相鄰的第一映射值，計(jì)算所述第一接近位置。
22.如權(quán)利要求14所述的計(jì)算方法，其特征在于所述多個(gè)第一檢測電極，包括所述多個(gè)第一檢測電極之中最接近所述第一接近位置的第一接近檢測電極，所述多個(gè)第二檢測電極，包括所述多個(gè)第二檢測電極之中最接近所述第一接近位置的第二接近檢測電極，還具有準(zhǔn)備步驟，該準(zhǔn)備步驟是，將所述存儲部中的、所述多個(gè)第一方向檢測值之中與所述第一接近檢測電極對應(yīng)的值變換小，并且，將所述存儲部中的、所述多個(gè)第二方向檢測值之中與所述第二接近檢測電極對應(yīng)的值變換小的步驟。
23.如權(quán)利要求22所述的計(jì)算方法，其特征在于，還具有在所述準(zhǔn)備步驟之后，生成多個(gè)對第三值和第四值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第二映射值的步驟，其中，第三值是對所述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第四值是對所述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用所述多個(gè)第二映射值，對所述第二導(dǎo)體是否接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的步驟。
24.如權(quán)利要求23所述的計(jì)算方法，其特征在于所述各第二映射值，與包括一組所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值和所述第二方向的坐標(biāo)值的二維坐標(biāo)對應(yīng)，還具有使用所述多個(gè)第二映射值計(jì)算第二接近位置的步驟，所述第二接近位置，是所述第二導(dǎo)體在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多個(gè)第一檢測電極和所述多個(gè)第二檢測電極的位置。
25.如權(quán)利要求M所述的計(jì)算方法，其特征在于在計(jì)算所述第二接近位置的步驟中，僅使用所述多個(gè)第二映射值之中的一部分來計(jì)算所述第二接近位置。
26.如權(quán)利要求25所述的計(jì)算方法，其特征在于 所述各第二映射值，是第二矩陣的多個(gè)元素的任意一個(gè)，在所述第二矩陣中，行元素分別對應(yīng)所述第一方向的一個(gè)坐標(biāo)值，且列元素分別對應(yīng)所述第二方向的一個(gè)坐標(biāo)值，在所述第二矩陣中，隨著行序號增加，與該行元素對應(yīng)的所述第一方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，并且，隨著列序號增加，與該列元素對應(yīng)的所述第二方向的坐標(biāo)值單調(diào)變化，所述多個(gè)第二映射值包括所述多個(gè)第二映射值之中最大的最大第二映射值；和與該最大第二映射值相比列序號相差一個(gè)且行序號相同的兩個(gè)相鄰的第二映射值，在計(jì)算所述第二接近位置的步驟中，使用所述最大第二映射值和所述兩個(gè)相鄰的第二映射值來計(jì)算所述第二接近位置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種靜電電容式輸入裝置和用于計(jì)算導(dǎo)體接近位置的計(jì)算方法。該靜電電容式輸入裝置包括多個(gè)第一檢測電極，其沿第一方向排列且各自在與上述第一方向交叉的第二方向上延伸；多個(gè)第二檢測電極，其沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸；存儲部，其隨著第一導(dǎo)體和各第一檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第一檢測電極得到的值分別作為第一方向檢測值存儲，并且，隨著上述第一導(dǎo)體和各第二檢測電極之間的靜電電容的變化將通過各第二檢測電極得到的值分別作為第二方向檢測值存儲；和計(jì)算部。上述計(jì)算部執(zhí)行生成多個(gè)對第一值和第二值進(jìn)行運(yùn)算而得到的第一映射值的處理，其中，第一值是對上述多個(gè)第一方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值，第二值是對上述多個(gè)第二方向檢測值的至少一個(gè)進(jìn)行運(yùn)算而得到的值；和使用上述多個(gè)第一映射值，對上述第一導(dǎo)體是否接近上述多個(gè)第一檢測電極和上述多個(gè)第二檢測電極進(jìn)行判斷的處理。
文檔編號G06F3/044GK102163111SQ20111004390
公開日2011年8月24日 申請日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月19日
發(fā)明者大槻佳之, 笠嶋康史 申請人:羅姆股份有限公司