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      由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽的制作方法

      文檔序號(hào):6356692閱讀:214來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽。
      背景技術(shù)
      在藥店、超市、書(shū)店等商場(chǎng),由于零售商品體積較小,較容易被夾帶外出,這樣就會(huì) 給商家造成經(jīng)濟(jì)損失。因此,解決零售商品在書(shū)店、藥店、超市等商場(chǎng)中出售不被“偷竊”是 商家們普遍關(guān)心的事情。同時(shí),隨著物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn),對(duì)于商品數(shù)量的物流控制和管理方面的 要求也越來(lái)越突出。目前,在商品、圖書(shū)等防盜或管理技術(shù)中,用于商品的防盜的電子標(biāo)簽 通常是低頻標(biāo)簽。而超高頻作用范圍廣,傳送數(shù)據(jù)速度快,通??捎糜谏唐返臄?shù)據(jù)存儲(chǔ)管 理?,F(xiàn)有技術(shù)中的超高頻標(biāo)簽往往體積偏大難以隱藏,如果將防盜標(biāo)簽與該超高頻數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)標(biāo)簽做成一體,易于被發(fā)現(xiàn)后撕除,從而影響商品的管理。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種體積較小,且兼 顧防盜及管理功能的由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種由非晶軟磁材料組合而成的狹 長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,包括用于超高頻探測(cè)的第一天線和用于低頻探測(cè)并增強(qiáng)第一天線 在超高頻的探測(cè)性能的第二天線,第一天線具有設(shè)置在第一天線中部的空孔和無(wú)線射頻芯 片,所述的無(wú)線射頻芯片設(shè)置在第一天線的橫向中下部,第二天線具有非晶軟磁材料制成 的基片和多個(gè)間隔排布的半硬磁材料制成的充消磁片,所述的充消磁片粘貼于基片的同一 表面上。為了增強(qiáng)標(biāo)簽在超高頻段的探測(cè)性能,所述的第一天線和第二天線接觸連接。為了保證第二天線在低頻段的探測(cè)感知能力,所述的充消磁片的長(zhǎng)度為5mm 20mm,寬度為0. 5mm 3mm,所述的基片的長(zhǎng)度為60mm 200mm,寬度為0. 5mm 3mm,各個(gè) 充消磁片之間在長(zhǎng)度方向等間距排布,所述的間距為2mm 10mm。為了保證第一天線在超高頻段的探測(cè)感知能力,所述的第一天線的長(zhǎng)度為 90mm 100mm,寬度為2mm 4mm,所述的無(wú)線射頻芯片的寬度為0. 5mm 1. 5mm,所述的空 孔的寬度為0. 5mm 1. 5mm。第一天線用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)管理,第二天線用于電磁波防盜。當(dāng)檢測(cè)天線以IOHz到 20KHz的低頻產(chǎn)生交變磁場(chǎng)進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)對(duì)象是第二天線,第二天線即是一條具有陡峭 磁滯回線的坡莫合金軟磁條。當(dāng)軟磁條位于發(fā)射天線產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)當(dāng)中時(shí),其極性被周 期性地反復(fù)磁化。軟磁條中的磁通密度B在外加磁場(chǎng)強(qiáng)度H作用下,做跨越“0”附近的非 線性跳躍變化,由此產(chǎn)生了頻率為發(fā)射天線基頻的諧波,這些諧波被接收天線接收和處理 后產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)。在超高頻段工作時(shí),第二天線的屬性變?yōu)榻饘伲谝惶炀€內(nèi)的無(wú)線射頻 RFID讀寫(xiě)器通過(guò)讀寫(xiě)器持續(xù)發(fā)送出一定頻率的信號(hào)。當(dāng)標(biāo)簽進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),無(wú)源標(biāo)簽憑借感 應(yīng)電流所獲得的能量發(fā)送出存儲(chǔ)在芯片中的產(chǎn)品信息,或者有源標(biāo)簽主動(dòng)發(fā)送某一頻率的
      3信號(hào);隨后無(wú)線射頻RFID讀寫(xiě)器內(nèi)的讀寫(xiě)器天線讀取信息后,將數(shù)據(jù)傳輸?shù)街醒胄畔⑾到y(tǒng) 進(jìn)行有關(guān)的數(shù)據(jù)處理。本發(fā)明的有益效果是,本發(fā)明一種由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感 應(yīng)標(biāo)簽,第二天線的基片采用非晶軟磁材料制成,該材料具有極高的導(dǎo)磁性能,尤其在低頻 段1Ηζ-7500Ηζ中導(dǎo)磁性能最強(qiáng),保證了標(biāo)簽的電磁波防盜功能;標(biāo)簽外形呈狹長(zhǎng)狀,體積 較小,有利于確保隱密性;第二天線在高頻段時(shí),屬性變?yōu)榻饘?,增?qiáng)第一天線的探測(cè)性能, 從而縮小了標(biāo)簽的整體體積。


      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。圖1是本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽中第二天線 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽中第二天線 的結(jié)構(gòu)分解示意圖。圖3是本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽中第一天線 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽實(shí)施例1的結(jié) 構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽實(shí)施例2的結(jié) 構(gòu)示意圖。圖中1、第一天線,2、第二天線,1-1、空孔,1-2、無(wú)線射頻芯片,2-1、基片,2-2、充消磁片。
      具體實(shí)施例方式現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖,僅以 示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。如圖3所示,本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽中第一 天線的結(jié)構(gòu)示意圖。第一天線1具有設(shè)置在第一天線1中部的空孔1-1和無(wú)線射頻芯片
      1-2,無(wú)線射頻芯片1-2設(shè)置在第一天線1的橫向中下部。第一天線1的長(zhǎng)度為95mm,寬度 為3mm,無(wú)線射頻芯片1-2的寬度為1mm,空孔1-1的寬度為1mm。如圖1和圖2所示,本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽 中第二天線的結(jié)構(gòu)示意圖和結(jié)構(gòu)分解示意圖。第二天線2具有非晶軟磁材料制成的基片
      2-1和多個(gè)間隔排布的半硬磁材料制成的充消磁片2-2,充消磁片2-2通過(guò)寬度為4mm 4. 5mm、初粘為25的PET雙面膠粘貼于基片2_1的同一表面上。充消磁片2_2的長(zhǎng)度為 5mm 20mm,寬度為0. 5mm 3mm。各個(gè)充消磁片2-2之間在長(zhǎng)度方向等間隔排布,間距為 2mm 10mm。基片2-1的長(zhǎng)度為60mm 200mm,寬度為0. 5mm 3mm。第二天線2的基片 2-1選用鈷、鎳、硼、硅等材料由非晶快淬噴帶設(shè)備噴制而成。第一天線1與第二天線2夾設(shè)于貼紙結(jié)構(gòu)的上底紙與下底紙之間,上底紙下表面 具有可撕離的PET離型膜,下底紙上表面具有可撕離的白色格拉辛離型膜,第一天線與第二天線之間通過(guò)PET雙面膠連接,PET離型膜與第一天線之間通過(guò)白色雙面膠連接,第二天 線與白色格拉辛離型膜之間通過(guò)白色單面膠連接。白色單面膠寬度為4-4. 5mm,初粘是25 ; PET離型膜和白色格拉辛離型膜的剝離強(qiáng)度均為8克士3克,寬度均為4mm 4. 5mm。實(shí)施例1如圖4所示,本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽實(shí)施例 1的結(jié)構(gòu)示意圖。第二天線2貼合在第一天線1的一側(cè),正好與第一天線1的一側(cè)相重合, 并且第二天線2不遮蔽第一天線1中部的空孔1-1及無(wú)線射頻芯片1-2。本實(shí)施例為本發(fā) 明的最佳實(shí)施例,在超高頻段工作時(shí),可達(dá)到4米的探測(cè)距離。實(shí)施例2如圖5所示,本發(fā)明由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽實(shí)施例 2的結(jié)構(gòu)示意圖。第二天線2貼合在第一天線1的一側(cè),第一天線1與第二天線2邊緣連 接,并且不與第二天線2重疊。在超高頻段工作時(shí),本實(shí)施例可以達(dá)到3 3. 5米的探測(cè)距 離,效果較好。本發(fā)明一種由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,第二天線的基 片采用非晶軟磁材料制成,該材料具有極高的導(dǎo)磁性能,尤其在低頻段1Ηζ-7500Ηζ中導(dǎo)磁 性能最強(qiáng),保證了標(biāo)簽的電磁波防盜功能;標(biāo)簽外形呈狹長(zhǎng)狀,體積較小,有利于確保隱密 性;第二天線在高頻段時(shí),屬性變?yōu)榻饘?,在不影響第一天線正常工作的前提下,與第一天 線有部分接觸連接,增強(qiáng)第一天線的探測(cè)性能。以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示,通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完 全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù) 性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,其特征在于包括用于 超高頻探測(cè)的第一天線(1)和用于低頻探測(cè)并增強(qiáng)第一天線在超高頻的探測(cè)性能的第二 天線O),第一天線(1)具有設(shè)置在第一天線(1)中部的空孔(1-1)和無(wú)線射頻芯片(1-2), 所述的無(wú)線射頻芯片(1-2)設(shè)置在第一天線(1)的橫向中下部,第二天線(2)具有非晶軟 磁材料制成的基片和多個(gè)間隔排布的半硬磁材料制成的充消磁片0-2),所述的充 消磁片(2-2)粘貼于基片的同一表面上,所述的第一天線(1)和第二天線(2)接觸 連接。
      2.如權(quán)利要求1所述的由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,其特征 在于所述的充消磁片(2-2)的長(zhǎng)度為5mm 20mm,寬度為0. 5mm 3mm。
      3.如權(quán)利要求1所述的由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,其特征 在于各個(gè)充消磁片0-2)之間在長(zhǎng)度方向等間距排布,所述的間距為2mm 10mm。
      4.如權(quán)利要求1所述的由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,其特征 在于所述的基片0-1)的長(zhǎng)度為60mm 200mm,寬度為0. 5mm 3mm。
      5.如權(quán)利要求1所述的由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,其特征 在于所述的第一天線(1)的長(zhǎng)度為90mm 100mm,寬度為2mm 4mm,所述的無(wú)線射頻芯 片(1-2)的寬度為0. 5mm 1. 5mm,所述的空孔(1-1)的寬度為0. 5mm 1. 5mm。
      全文摘要
      本發(fā)明一種由非晶軟磁材料組合而成的狹長(zhǎng)條的超高頻感應(yīng)標(biāo)簽,包括用于超高頻探測(cè)的第一天線和用于低頻探測(cè)并增強(qiáng)第一天線在超高頻的探測(cè)性能的第二天線,第一天線具有設(shè)置在第一天線中部的空孔和無(wú)線射頻芯片,所述的無(wú)線射頻芯片設(shè)置在第一天線的橫向中下部,第二天線具有非晶軟磁材料制成的基片和多個(gè)間隔排布的半硬磁材料制成的充消磁片,所述的充消磁片粘貼于基片的同一表面上。本發(fā)明標(biāo)簽的第二天線的基片采用非晶軟磁材料制成,該材料導(dǎo)磁性能高,尤其在低頻段1Hz-7500Hz中導(dǎo)磁性能最強(qiáng),保證了標(biāo)簽的電磁波防盜功能;標(biāo)簽外形呈狹長(zhǎng)狀,體積小,有利于確保隱密性;第二天線在高頻段時(shí),屬性變?yōu)榻饘?,增?qiáng)第一天線的探測(cè)性能,縮小了標(biāo)簽體積。
      文檔編號(hào)G06K19/077GK102129604SQ201110071450
      公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2011年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月24日
      發(fā)明者白文新 申請(qǐng)人:常州市科晶電子有限公司
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