專利名稱：半導(dǎo)體工藝配方生成方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝配方生成方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路antegrated Circuit，IC)工藝流程中，受兩方面因素影響，使得配方編輯復(fù)雜其一，不同工藝階段的設(shè)備所需配方的參數(shù)不相同；其二，晶片加工工藝的復(fù)雜性導(dǎo)致半導(dǎo)體工藝的配方很復(fù)雜。而快速、準(zhǔn)確地生成配方文件是工藝過(guò)程中所必須的。IC工藝流程中，多種工藝在一個(gè)完整的芯片制造過(guò)程中會(huì)多次應(yīng)用(如清洗工藝)，其他IC處理工藝之前或之后幾乎都需要對(duì)硅片進(jìn)行清洗，如進(jìn)入FAB廠前的拋光片清洗、銅工藝中通孔刻蝕后的清洗(Post Via EtchClean)、溝槽刻蝕后的清洗(Post Trench Etch Clean)、 淀積前后的清洗(Pre and Post Deposit Clean)、以及在線電子質(zhì)量測(cè)量后清洗(PostOL Electronic Quality Measurement Clean)等等。而不同階段的清洗工藝使用的配方文件， 除清洗腔室不同弓丨起配方文件存在的差別外，配方文件格式大體相同。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可實(shí)現(xiàn)快速生成配方的半導(dǎo)體工藝配方生成方法及系統(tǒng)。( 二 )技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體工藝配方生成方法，該方法包括步驟Si.根據(jù)不同腔室的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；S2.根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。其中，該方法還包括步驟S3.建立各配方文件間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，并將關(guān)聯(lián)信息嵌入配置文件。其中，所述配置文件中包括配方參數(shù)以及配方參數(shù)屬性。其中，所述配方參數(shù)包含藥液配比以及控制信息。其中，所述配方參數(shù)屬性包括數(shù)據(jù)類型、單位、初始值以及數(shù)值范圍。其中，所述約束設(shè)置包括單個(gè)配方參數(shù)的約束設(shè)置以及配方參數(shù)間的約束設(shè)置。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體工藝配方生成系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括配置文件生成模塊， 用于根據(jù)不同腔室的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；配方文件生成模塊，用于根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。其中，其特征在于，該系統(tǒng)還包括關(guān)聯(lián)模塊，用于建立各配方文件間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，并將關(guān)聯(lián)信息嵌入配置文件。(三)有益效果本發(fā)明的方法及系統(tǒng)利用半導(dǎo)體工藝過(guò)程中某些流程的相同相似性，可實(shí)現(xiàn)快速生成以及檢驗(yàn)配方。


圖1為依照本發(fā)明一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體工藝配方生成方法流程圖；圖2為依照本發(fā)明一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體工藝配方生成方法中配方類型嵌套示意圖；圖3為依照本發(fā)明一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體工藝配方生成系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出的半導(dǎo)體工藝配方生成方法及系統(tǒng)，結(jié)合附圖和實(shí)施例說(shuō)明如下。本發(fā)明的方法及系統(tǒng)把工藝配方的生成，即編輯分成配置和編輯兩個(gè)部分，以快速生成特定工藝要求的配方文件。配置階段對(duì)單個(gè)配方參數(shù)進(jìn)行數(shù)值類型、數(shù)值范圍、單位以及初始值等屬性進(jìn)行基本配置生成配置文件，同時(shí)建立配方參數(shù)間的約束關(guān)系；編輯階段根據(jù)配置階段生成的配置文件和建立的配方參數(shù)約束關(guān)系，在編輯、保存與打開(kāi)工藝配方操作時(shí)對(duì)工藝配方文件約束和檢查。下面以半導(dǎo)體工藝中的清洗工藝為例，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的方法及系統(tǒng)。如圖1所示，依照本發(fā)明一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體工藝配方生成，即配方的編輯方法包括步驟Si.根據(jù)不同的清洗腔室具有的不同的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并根據(jù)配方參數(shù)間的只讀和參數(shù)數(shù)值編輯限制進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；S2.根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。其中，通過(guò)步驟Sl的配置過(guò)程生成的配置文件用于對(duì)配方編輯進(jìn)行第一層約束限制，即配方參數(shù)的編輯限制。不同清洗工藝的主要區(qū)別體現(xiàn)在配方參數(shù)，配置生成包含有配方參數(shù)以及配方參數(shù)屬性的配置文件，其中配方參數(shù)包含藥液配比以及控制信息，根據(jù)不同清洗工藝和不同反應(yīng)腔室情況，進(jìn)行所需要的參數(shù)情況的靈活配置。配方參數(shù)的屬性包括數(shù)據(jù)類型、單位、初始值以及數(shù)值范圍等內(nèi)容，其中數(shù)值范圍限定實(shí)際工藝過(guò)程運(yùn)動(dòng)部件(電機(jī)等)運(yùn)行情況、化學(xué)藥液使用量和具體每一工藝步的處理時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)。下面表 1是配置文件參數(shù)的例子，針對(duì)不同的數(shù)據(jù)類型設(shè)置參數(shù)的數(shù)值范圍，表中列出了 Siort、 Integer, Long Float、Double、String、Ext_String 等多種數(shù)據(jù)類型及其設(shè)置范圍。表1配置文件的參數(shù)屬性設(shè)置
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體工藝配方生成方法，其特征在于，該方法包括步驟51.根據(jù)不同腔室的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；52.根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝配方編輯方法，其特征在于，該方法還包括步驟53.建立各配方文件間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，并將關(guān)聯(lián)信息嵌入配置文件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝配方生成方法，其特征在于，所述配置文件中包括配方參數(shù)以及配方參數(shù)屬性。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體工藝配方生成方法，其特征在于，所述配方參數(shù)包含藥液配比以及控制信息。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體工藝配方生成方法，其特征在于，所述配方參數(shù)屬性包括數(shù)據(jù)類型、單位、初始值以及數(shù)值范圍。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝配方生成方法，其特征在于，所述約束設(shè)置包括單個(gè)配方參數(shù)的約束設(shè)置以及配方參數(shù)間的約束設(shè)置。
7.一種半導(dǎo)體工藝配方生成系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)包括配置文件生成模塊，用于根據(jù)不同腔室的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；配方文件生成模塊，用于根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝配方生成系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括關(guān)聯(lián)模塊，用于建立各配方文件間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，并將關(guān)聯(lián)信息嵌入配置文件。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體工藝配方生成方法及系統(tǒng)，該方法包括步驟S1.根據(jù)不同腔室的特征，對(duì)工藝配方進(jìn)行動(dòng)態(tài)配置，生成配置文件，并進(jìn)行配方參數(shù)的約束設(shè)置；S2.根據(jù)配置文件以及配方參數(shù)的約束設(shè)置，生成工藝配方文件。本發(fā)明的方法及系統(tǒng)利用半導(dǎo)體工藝過(guò)程中某些流程的相同相似性，可實(shí)現(xiàn)快速生成以及檢驗(yàn)配方。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102243670SQ20111010667
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者吳儀, 楊曉, 郭訓(xùn)容 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司