專利名稱：以動態(tài)門檻進行區(qū)塊管理的方法及存儲裝置及控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及快閃存儲器(Flash Memory)的存取(Access)，更具體地說，涉及一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的存儲裝置及其控制器。
背景技術(shù)：
近年來由于快閃存儲器的技術(shù)不斷地發(fā)展，各種便攜式存儲裝置(例如符合SD/ MMC、CF、MS、》)標準的記憶卡)或具備快閃存儲器的固態(tài)硬盤(Solid State Drive, SSD) 被廣泛地實施于諸多應(yīng)用中。因此，這些存儲裝置中的快閃存儲器的存取控制遂成為相當熱門的議題。以常用的NAND型快閃存儲器而言，其主要可區(qū)分為單階細胞(Single Level Cell,SLC)與多階細胞(Multiple Level Cell,MLC)兩大類的快閃存儲器。單階細胞快閃存儲器中的每個被當作記憶單元的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞快閃存儲器中的每個被當作記憶單元的晶體管的儲存能力則被充分利用，采用較高的電壓來驅(qū)動，以通過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄兩組(或以上)二進制位信息(00、01、11、10)；理論上，多階細胞快閃存儲器的記錄密度可以達到單階細胞快閃存儲器的記錄密度的兩倍，這對于曾經(jīng)在發(fā)展過程中遇到瓶頸的NAND型快閃存儲器的相關(guān)產(chǎn)業(yè)而言，是非常好的消息。相較于單階細胞快閃存儲器，由于多階細胞快閃存儲器的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞快閃存儲器很快地成為市面上的便攜式存儲裝置競相采用的主流。然而，多階細胞快閃存儲器的不穩(wěn)定性所導(dǎo)致的問題也一一浮現(xiàn)。為了確保存儲裝置對快閃存儲器的存取控制能符合相關(guān)規(guī)范，快閃存儲器的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數(shù)據(jù)的存取。依據(jù)相關(guān)技術(shù)，有了這些管理機制的存儲裝置還是有不足之處。例如在該存儲裝置被設(shè)計成具有較高儲存容量及/或較高彈性的狀況下，所述管理機制可能變得非常復(fù)雜，這可能會導(dǎo)致硬件資源的芯片面積以及相關(guān)成本增加。因此，需要一種新穎的方法來進行區(qū)塊管理，以增進具備快閃存儲器的存儲裝置的存取效能。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的存儲裝置及其控制器，以解決上述問題。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題是提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的存儲裝置及其控制器，以增進該存儲裝置的存取效能并且控制該存儲裝置以適應(yīng)性的方式來運作。本發(fā)明的較佳實施例中提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法，該方法應(yīng)用于一快閃存儲器(Flash Memory)的控制器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊，該方法包含有依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻；以及比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。本發(fā)明于提供上述方法的同時，也對應(yīng)地提供一種存儲裝置，其包含有一快閃存儲器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊；以及一控制器，用來存取(Access)該快閃存儲器以及管理該多個區(qū)塊。另外，該控制器依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻。此外，該控制器比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。本發(fā)明于提供上述方法的同時，也對應(yīng)地提供一種存儲裝置的控制器，該控制器用來存取一快閃存儲器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊，該控制器包含有一只讀存儲器 (Read Only Memory，ROM)，用來儲存一程序碼；以及一微處理器，用來執(zhí)行該程序碼以控制對該快閃存儲器的存取以及管理該多個區(qū)塊。另外，在該微處理器的控制下，該控制器依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻，并且比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。本發(fā)明的好處之一是，通過調(diào)整該動態(tài)門檻，本發(fā)明可妥善地進行區(qū)塊管理，增進該存儲裝置的效能。于是，通過調(diào)整該動態(tài)門檻，該存儲裝置能以適應(yīng)性的方式來運作。


圖1為依據(jù)本發(fā)明一第一實施例的一種存儲裝置的示意圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明一實施例的一種用來進行區(qū)塊管理的方法的流程圖。圖3A至圖3C為圖2所示的方法于某些實施例中的實施細節(jié)。其中，附圖標記說明如下100存儲裝置110存儲器控制器112微處理器112C程序碼112M只讀存儲器114控制邏輯116緩沖存儲器118接口邏輯120快閃存儲器910用來進行區(qū)塊管理的方法912,914步驟Dv檢測值DTa調(diào)整量R(O)，R(I)，R(2)，R(3)，R(4)，R(5)，R(6)范圍TH10, TH11,TH21, TH30, TH31, TH32, 預(yù)定門檻TH33, TH34，TH3具體實施例方式
請參考圖1，圖1為依據(jù)本發(fā)明一第一實施例的一種存儲裝置100的示意圖，其中本實施例的存儲裝置100尤其可為便攜式存儲裝置，例如符合SD/MMC、CF、MS、XD標準的記憶卡，或通用串行總線閃存盤(Universal Serial Bus Flash Drive,USB Flash Drive, 也稱為USB Flash Disk)，即所謂的優(yōu)盤，但不以此為限。存儲裝置100包含有一快閃存儲器(Flash Memory) 120 ；以及一控制器，用來存取(Access)快閃存儲器120，其中該控制器例如一存儲器控制器110。依據(jù)本實施例，存儲器控制器110包含一微處理器112、一只讀存儲器(Read Only Memory, ROM) 112M、一控制邏輯114、至少一緩沖存儲器116、與一接口邏輯118。另外，本實施例的只讀存儲器112M用來儲存一程序碼112C，而微處理器112則用來執(zhí)行程序碼112C以控制對快閃存儲器120的存取。請注意到，程序碼112C也能儲存在緩沖存儲器116或任何形式的存儲器內(nèi)。請注意，在此以便攜式存儲裝置為例；這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的一變化例，存儲裝置100可為固態(tài)硬盤(Solid State Drive, SSD)。于本實施例中，只讀存儲器112M用來儲存一程序碼112C，而微處理器112則用來執(zhí)行程序碼112C以控制對快閃存儲器120的存取(Access)。于典型狀況下，快閃存儲器 120包含多個區(qū)塊(Block)，而該控制器(例如通過微處理器112執(zhí)行程序碼112C的存儲器控制器110)對快閃存儲器120進行擦除數(shù)據(jù)的運作以區(qū)塊為單位來進行擦除。例如于本實施例或其某些變化例中，該控制器能通過以區(qū)塊為單位及/或以超區(qū)塊(Meta-block) 為單位進行擦除，來對快閃存儲器120進行擦除數(shù)據(jù)的運作，其中每一超區(qū)塊可具有一預(yù)定數(shù)量的區(qū)塊。另外，一區(qū)塊可記錄特定數(shù)量的頁O^age)，尤其是實體頁(Physical Page)， 其中上述的控制器對快閃存儲器120進行寫入數(shù)據(jù)的運作以頁為單位來進行寫入。例如 該控制器能通過以頁為單位及/或以一數(shù)量的頁為單位進行寫入，來對快閃存儲器120進行寫入數(shù)據(jù)的運作，其中一實體頁可包含多個區(qū)段Gector)，諸如8個區(qū)段。實作上，通過微處理器112執(zhí)行程序碼112C的存儲器控制器110可利用其本身內(nèi)部的元件來進行諸多控制運作，例如利用控制邏輯114來控制快閃存儲器120的存取運作(尤其是對至少一區(qū)塊或至少一頁的存取運作)、利用緩沖存儲器116進行所需的緩沖處理、以及利用接口邏輯118來與一主機(Host Device ；未顯示于圖1)溝通。存儲器控制器 110可依據(jù)該主機所發(fā)出的存取指令來控制快閃存儲器120。依據(jù)本實施例，除了能存取快閃存儲器120，存儲器控制器110還能妥善地管理該多個區(qū)塊。請參考圖2，該控制器所進行的區(qū)塊管理的相關(guān)細節(jié)進一步說明如下。圖2為依據(jù)本發(fā)明一實施例的一種用來進行區(qū)塊管理的方法910的流程圖。該方法可應(yīng)用于圖1所示的存儲裝置100，尤其是上述的控制器(例如通過微處理器112執(zhí)行程序碼112C的存儲器控制器110)。另外，該方法可通過利用圖1所示的存儲裝置100來實施，尤其是通過利用上述的控制器來實施。該方法說明如下于步驟912中，該控制器依據(jù)至少一條件(例如一個或多個條件)調(diào)整一動態(tài)門檻DT。尤其是，動態(tài)門檻DT是可用來判斷是否擦除所述區(qū)塊中的一區(qū)塊的可調(diào)門檻。例如該控制器可依據(jù)該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量來調(diào)整動態(tài)門檻DT。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的一變化例，該控制器可依據(jù)空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量對該多個區(qū)塊的數(shù)量的比率來調(diào)整動態(tài)門檻DT。于步驟914中，該控制器利用比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及動態(tài)門檻DT，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。該有效/無效頁數(shù)代表該特定區(qū)塊中的有效/無效頁的數(shù)量，其中一有效頁代表儲存有用的數(shù)據(jù)(或有效數(shù)據(jù))的一實體頁，而一無效頁代表沒有儲存有用的數(shù)據(jù)的一實體頁。實作上，由于每一完全寫入(Fully Programmed)區(qū)塊包含一預(yù)定數(shù)量的頁(例如在某些實施例可為1 頁)，同一個完全寫入?yún)^(qū)塊的有效頁數(shù)與無效頁數(shù)是彼此互補的。請注意，該控制器諸如存儲器控制器110可從存儲裝置100中的一有效/無效頁數(shù)表讀取該有效/無效頁數(shù)，其中該有效/無效頁數(shù)表是用來儲存該多個區(qū)塊各自的有效 /無效頁數(shù)。例如存儲器控制器Iio可將該有效/無效頁數(shù)表儲存于快閃存儲器120中。 當需要時，存儲器控制器110從快閃存儲器120載入該有效/無效頁數(shù)表的至少一部分(例如一部分或全部)，并且暫時地將該有效/無效頁數(shù)表的上述至少一部分儲存于緩沖存儲器116中，以更新該有效/無效頁數(shù)表。之后，存儲器控制器110可進一步將該有效/無效頁數(shù)表的更新版本儲存于快閃存儲器120中。存儲器控制器110可依據(jù)關(guān)于存儲器控制器110及/或快閃存儲器120的一檢測值DV來調(diào)整動態(tài)門檻DT。例如檢測值DV可包含(但不限于)上述該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量，以及上述空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量對該多個區(qū)塊的數(shù)量的比率。尤其是，存儲器控制器110可依據(jù)檢測值DV是否落入多個范圍R(k)當中的一特定范圍(或值)來調(diào)整動態(tài)門檻DT，其中k = 0、1、…、或K，且K可為一正整數(shù)。如此，該多個范圍包含(K+1)個范圍R(O)、R(I)、…、與R(K)。針對步驟912當中進行的調(diào)整，不同的范圍的調(diào)整量，諸如該(K+1)個范圍R(O)、R(I)、…、與R(K)中的一部分或全部的各自的調(diào)整量，可視為檢測值DV的一函數(shù)，且因此可合稱為調(diào)整量DTA (DV)。相仿地，不同的范圍的動態(tài)門檻DT，諸如該(K+1)個范圍R(O)、R(I)、…、與R(K)中的一部分或全部的各自的動態(tài)門檻DT，可視為動態(tài)門檻DT的一函數(shù)，且因此可合稱為動態(tài)門檻DT (DV)。例如 在上述的特定范圍代表該(K+1)個范圍R(O)、R(I)、…、與R(K)中的一范圍R(kl)并且對應(yīng)于范圍R(kl)的調(diào)整量{DTA(DV) |DV e R(kl)}為正(尤其是一正值)的狀況下，存儲器控制器110增加動態(tài)門檻DT。又例如在上述的特定范圍代表該(K+1)個范圍R(O)、 R⑴、…、與R(K)中的一范圍R(k2)并且對應(yīng)于范圍R(k2)的調(diào)整量{DTA(DV) DVeR(k2)} 為負(尤其是一負值)的狀況下，存儲器控制器110減少動態(tài)門檻DT。又例如在上述的特定范圍代表該(K+1)個范圍R(O)、R(I)、…、與R(K)中的一范圍R(k3)并且對應(yīng)于范圍R(k3)的調(diào)整量{DTA(DV) DV e R(k3)}是零的狀況下，存儲器控制器110將零調(diào)整量 {DTA(DV) DV e R(k3)}施加于動態(tài)門檻DT，且因此就不會調(diào)整到動態(tài)門檻DT。依據(jù)上面實施例的一變化例，存儲器控制器110可依據(jù)存儲器控制器110的一忙碌/閑置等級來調(diào)整動態(tài)門檻DT，且因此，檢測值DV可為存儲器控制器110的該忙碌/閑置等級。例如當該忙碌/閑置等級指出存儲器控制器110下在忙碌中(例如該忙碌/閑置等級諸如一忙碌等級達到一預(yù)定等級)，存儲器控制器110可調(diào)整動態(tài)門檻DT以減少一擦除運作的發(fā)生機率，使得工作負荷得以被減少。如此，于步驟914中，存儲器控制器110更傾向于判斷不要擦除該特定區(qū)塊。又例如當該忙碌/閑置等級指出存儲器控制器110并非忙碌中(例如該忙碌/閑置等級諸如一忙碌等級小于一預(yù)定等級)，存儲器控制器110 可調(diào)整動態(tài)門檻DT以增加一擦除運作的發(fā)生機率，使得其硬件資源得以被充分利用。如此，于步驟914中，存儲器控制器110更傾向于判斷要擦除該特定區(qū)塊。依據(jù)本發(fā)明的某些實施例，諸如以上公開的實施例/變化例中的一部分或全部，存儲器控制器110可立即進行一擦除運作以確保整體效能。例如在上述的有效/無效頁數(shù)代表一有效頁數(shù)的狀況下，當檢測到該特定區(qū)塊的有效頁數(shù)等于零時，存儲器控制器110 立即擦除該特定區(qū)塊。又例如在上述的有效/無效頁數(shù)代表一無效頁數(shù)的狀況下，當檢測到該特定區(qū)塊的無效頁數(shù)達到其可能的最大值(例如一完全寫入?yún)^(qū)塊中的頁數(shù))時，存儲器控制器110立即擦除該特定區(qū)塊。依據(jù)本發(fā)明的某些實施例，諸如以上公開的實施例/變化例中的一部分或全部， 上述的至少一條件包含「一事件是否發(fā)生」的條件。如此，當存儲器控制器110被該事件觸發(fā)時，存儲器控制器110可調(diào)整動態(tài)門檻DT。圖3A至圖3C為圖2所示的方法于某些實施例中的實施細節(jié)。在這些實施例中， 上述的至少一條件可包含用來判斷調(diào)整量DTA(DV)及/或用來判斷是否調(diào)整動態(tài)門檻DT 的一個或多個條件。請參考圖3A。在K = 2的狀況下，上述的該(K+1)個范圍包含三個范圍R(O)、R(1)、 與W2)。調(diào)整量DTA(DV)繪示為一函數(shù)(于圖3A標示為「DTA」)的某些曲線，尤其是圖3A 所示的粗線。于本實施例中，上述的至少一條件包含「檢測值DV是否達到一預(yù)定門檻(諸如預(yù)定門檻TH11)」的一第一條件，且另包含「檢測值DV是否低于另一預(yù)定門檻(諸如預(yù)定門檻TH10)」的一第二條件，其中該第一條件與該第二條件中的至少一部分(例如一部分或全部)可于步驟912中被存儲器控制器110所檢查。于是，通過將這個函數(shù)應(yīng)用于步驟 912的運作，存儲器控制器110可于檢測值DV達到預(yù)定門檻THll時增加動態(tài)門檻DT，或于檢測值DV低于預(yù)定門檻THlO時減少動態(tài)門檻DT。尤其是，本實施例的檢測值DV可為該多個區(qū)塊當中空白區(qū)塊的數(shù)量。請參考圖;3B。在K = 1的狀況下，上述的該(K+1)個范圍包含兩個范圍R(O)與 R(I)。調(diào)整量DTA(DV)繪示為一函數(shù)(于圖;3B標示為「DTA」)的某些曲線，尤其是圖所示的粗線。于本實施例中，上述的至少一條件包含「檢測值DV是否達到一預(yù)定門檻(諸如預(yù)定門檻TH21)」的該第一條件，其中該第一條件于步驟912中被存儲器控制器110所檢查。于是，通過將這個函數(shù)應(yīng)用于步驟912的運作，存儲器控制器110可于檢測值DV達到預(yù)定門檻TH21時增加動態(tài)門檻DT，或于檢測值DV未達到預(yù)定門檻TH21時減少動態(tài)門檻 DT。尤其是，本實施例的檢測值DV可為該多個區(qū)塊當中空白區(qū)塊的數(shù)量。請參考圖3C。在K = 6的狀況下，上述的該(K+1)個范圍包含七個范圍R(0)、 R(I)、…、與R(6)。調(diào)整量DTA(DV)繪示為一函數(shù)(于圖3C標示為「DTA」)的某些曲線， 尤其是圖3C所示的粗線。于本實施例中，上述的至少一條件包含多個條件，諸如該第一條件與該第二條件的某些組合/變化。由于圖3C所示的預(yù)定門檻TH30、TH31、TH32、TH33、 TH34、與 TH35 分別定義了范圍 R(O) ,R(I)、R(2)、R(3)、R(4)、R(5)、與 R(6)，預(yù)定門檻 TH30、 TH31、TH32、TH33、TH34、與TH35可分別用來判斷檢測值DV是否落于范圍R(O)、R⑴、…、 與R(6)中的任何一個。相仿地，該多個條件中的至少一部分(例如一部分或全部)可于步驟912中被存儲器控制器110所檢查。于是，通過將這個函數(shù)應(yīng)用于步驟912的運作，存儲器控制器110可于檢測值DV達到預(yù)定門檻TH33、TH34、與TH35中的任何一個時增加動態(tài)門檻DT，或于檢測值DV低于預(yù)定門檻TH32、TH31、與TH30中的任何一個時減少動態(tài)門檻 DT0更明確而言，在上述的特定范圍代表范圍R(O)、R(I)、…、與R(6)中的一范圍R(k4)， 存儲器控制器110將對應(yīng)于范圍R(k4)的調(diào)整量{DTA(DV) DV e R(k4)}施加于動態(tài)門檻DT，且因此以調(diào)整量{DTA(DV) |DV e R(k4)}調(diào)整動態(tài)門檻DT。尤其是，本實施例的檢測值 DV可為該多個區(qū)塊當中空白區(qū)塊的數(shù)量。本發(fā)明的好處之一是，通過妥善地設(shè)計用來調(diào)整動態(tài)門檻DT的一函數(shù)，諸如圖3A 至圖3C所示的實施例中所公開的各個函數(shù)的任何一個，本發(fā)明可妥善地進行區(qū)塊管理，增進該存儲裝置的效能。于是，通過調(diào)整該動態(tài)門檻，該存儲裝置能以適應(yīng)性的方式來運作。 例如當該存儲裝置剛被使用且具有許多空白區(qū)塊時，該動態(tài)門檻可被決定為一高值；因此，一擦除運作的發(fā)生機率得以減少，且該存儲裝置的耐用度可被增強。又例如當該存儲裝置被使用許久且僅具有少許空白區(qū)塊時，該動態(tài)門檻可被決定為一低值；因此，一擦除運作的發(fā)生機率得以增加，且該存儲裝置可提供更多的空白區(qū)塊以供用來儲存?zhèn)魉妥栽撝鳈C的數(shù)據(jù)。另外，依據(jù)以上各個實施例/變化例來實施并不會增加許多額外的成本，甚至比相關(guān)技術(shù)更能節(jié)省成本。因此，基于以上公開的內(nèi)容，相關(guān)技術(shù)的問題已被解決，且整體成本不會增加太多。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種用來進行區(qū)塊管理的方法，該方法應(yīng)用于一快閃存儲器的控制器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊，其特征是，該方法包含有依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻；以及比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含依據(jù)該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量調(diào)整該動態(tài)門檻。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征是，依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含依據(jù)所述空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量對該多個區(qū)塊的數(shù)量的比率來調(diào)整該動態(tài)門檻。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含依據(jù)關(guān)于該控制器/快閃存儲器的一檢測值是否落入多個范圍當中的一特定范圍來調(diào)整該動態(tài)門檻。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征是，該檢測值代表該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量，或代表所述空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量對該多個區(qū)塊的數(shù)量的比率。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征是，該檢測值代表該控制器的一忙碌/閑置等級。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征是，該至少一條件包含該檢測值是否達到一預(yù)定門檻的一第一條件；以及依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含于該檢測值達到該預(yù)定門檻時，增加該動態(tài)門檻。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征是，依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含于該檢測值未達到該預(yù)定門檻時，減少該動態(tài)門檻。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征是，該至少一條件包含該檢測值是否低于另一預(yù)定門檻的一第二條件；以及依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含于該檢測值低于該另一預(yù)定門檻時，減少該動態(tài)門檻。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征是，該檢測值代表該多個區(qū)塊當中空白區(qū)塊的數(shù)量。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，該至少一條件包含一事件是否發(fā)生的一條件；以及依據(jù)該至少一條件調(diào)整該動態(tài)門檻的步驟另包含當被該事件觸發(fā)時，調(diào)整該動態(tài)門檻。
12.—種存儲裝置，其特征是，包含有一快閃存儲器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊；以及一控制器，用來存取該快閃存儲器以及管理該多個區(qū)塊，其中該控制器依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻，并且比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其特征是，該控制器依據(jù)該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量調(diào)整該動態(tài)門檻。
14.如權(quán)利要求13所述的存儲裝置，其特征是，該控制器依據(jù)所述空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量對該多個區(qū)塊的數(shù)量的比率來調(diào)整該動態(tài)門檻。
15.如權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其特征是，該控制器依據(jù)關(guān)于該控制器/快閃存儲器的一檢測值是否落入多個范圍當中的一特定范圍來調(diào)整該動態(tài)門檻。
16.如權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其特征是，該控制器依據(jù)該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量來調(diào)整該動態(tài)門檻。
17.如權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其特征是，該至少一條件包含一事件是否發(fā)生的一條件；以及當該控制器被該事件觸發(fā)時，該控制器調(diào)整該動態(tài)門檻。
18.一種存儲裝置的控制器，該控制器用來存取一快閃存儲器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊，其特征是，該控制器包含有一只讀存儲器，用來儲存一程序碼；以及一微處理器，用來執(zhí)行該程序碼以控制對該快閃存儲器的存取以及管理該多個區(qū)塊， 其中在該微處理器的控制下，該控制器依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻，并且比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。
19.如權(quán)利要求18所述的控制器，其特征是，該控制器依據(jù)關(guān)于該控制器/快閃存儲器的一檢測值是否落入多個范圍當中的一特定范圍來調(diào)整該動態(tài)門檻。
20.如權(quán)利要求18所述的控制器，其特征是，該控制器依據(jù)該多個區(qū)塊當中空白/已使用的區(qū)塊的數(shù)量調(diào)整該動態(tài)門檻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用來進行區(qū)塊管理的方法，該方法應(yīng)用于一快閃存儲器的控制器，該快閃存儲器包含多個區(qū)塊，該方法包含依據(jù)至少一條件調(diào)整一動態(tài)門檻；以及比較該多個區(qū)塊中的一特定區(qū)塊的一有效/無效頁數(shù)以及該動態(tài)門檻，以判斷是否擦除該特定區(qū)塊。本發(fā)明另提供相關(guān)的存儲裝置及其控制器，其中該存儲裝置包含該快閃存儲器及該控制器。該控制器包含一只讀存儲器，用來儲存一程序碼；以及一微處理器，用來執(zhí)行該程序碼以控制對該快閃存儲器的存取以及管理該多個區(qū)塊；在該微處理器的控制下，該控制器依據(jù)該方法來運作。本發(fā)明通過調(diào)整該動態(tài)門檻，可妥善地進行區(qū)塊管理，增進該存儲裝置的效能。
文檔編號G06F12/02GK102262594SQ20111012618
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月24日
發(fā)明者林建成, 王啟龍, 陳家新 申請人:慧榮科技股份有限公司