專利名稱：單層ito的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種ITO的布線結(jié)構(gòu)，尤其是指一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關(guān)鍵材料，目前，其在儀器儀表、計(jì)算機(jī)、電子表、游戲機(jī)和家用電器等領(lǐng)域都有了極為廣泛的應(yīng)用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動作，而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層，其主要原理是利用人體電場，當(dāng)使用者觸摸時，表面行或列的交叉處感應(yīng)單元的互電容(也稱耦合電容)會有變化，根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點(diǎn)的具體位置。常見的雙層ITO的結(jié)構(gòu)是菱形結(jié)構(gòu)，其雙層ITO分別布設(shè)在玻璃基板的同側(cè)面上， 為了避免電極之間的相互導(dǎo)通，所以需要在玻璃基板上設(shè)置橋接點(diǎn)，這樣就可將雙層ITO 布設(shè)在玻璃基板的同一側(cè)面上。雖然上述方法實(shí)現(xiàn)了偵測觸摸的動作，但是這種采用雙層 ITO的觸摸屏結(jié)構(gòu)，不但工藝復(fù)雜，而且橋接處容易損壞，產(chǎn)品良率低，導(dǎo)致成本升高。為了克服上述缺點(diǎn)，部分廠商將ITO的結(jié)構(gòu)設(shè)置成矩形，然后雙面設(shè)置在玻璃基板的兩層，如此以來，工藝的確的簡單了很多，而且提高了產(chǎn)品良率，但是仍舊采用的是雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，ITO本身成本就較高，再加上雙層的結(jié)構(gòu)，使由此形成觸摸屏的厚度也就增加了。如果能夠克服雙層ITO布圖結(jié)構(gòu)帶來的局限性，所以無論是從成本上還是觸摸屏的結(jié)構(gòu)上考慮， 單層ITO均具有更多優(yōu)勢。因此需要為廣大用戶提供一種更加簡便的ITO的布線結(jié)構(gòu)來解決以上問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種工藝簡單，成本低廉的單層ITO 的布線結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由若干個依次順序排列的觸控電極組構(gòu)成，所述觸控電極組包括正觸控電極和負(fù)觸控電極，所述每組中的正觸控電極與負(fù)觸控電極相對排列，且兩電極的相對處呈S形曲線。本發(fā)明所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，相對雙層ITO的布線而言，制造工藝更加簡單，所以成本低廉，再者，由單層ITO組成的觸摸屏厚度較薄，易于處理偵測的數(shù)據(jù)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第一種實(shí)施例。圖2是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第二種實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。請參考圖1所示，本發(fā)明涉及單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述ITO層1由多個觸控電極10組成，所述觸控電極10具有兩個觸控電極11和12，依次交錯排列。其中，所述兩個觸控電極11和12 —個是正極，一個是負(fù)極，組成一個觸控電極組，而由若干個依次順序排列的觸控電極組就構(gòu)成了單層ΙΤ0。所述觸控電極組中的所述觸控電極11與所述觸控電極12相對排列，且相對處呈S 形曲線。所述觸控電極組中，一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。所述正、負(fù)觸控電極11和12的面積呈遞變趨勢，若一個觸控電極呈遞增趨勢，那么另一個觸控電極則呈遞減趨勢。所述每組觸控電極中的正觸控電極11和每組觸控電極中的負(fù)觸控電極12經(jīng)導(dǎo)線分別連接到觸控芯片2的相應(yīng)引腳上。所述圖1中單層ITO 1中觸控電極10由類三角形組成，其中，三角形的斜邊是曲線，呈S形。所述每組觸控電極組中的正、負(fù)觸控電極面積相等，且所述每組觸控電極的間距相等，即所述任意兩電極組的間距相等。如此以來，可以保證更加精確的偵測出觸控對象的具體位置。所述正觸控電極11和負(fù)觸控電極12交錯排列，且各個觸控電極最終通過導(dǎo)線連接到觸控芯片2的相應(yīng)引腳上。所述圖2中單層ITO 1中觸控電極10由類梯形組成，其中，梯形的斜邊是曲線，呈 S形。所述每組觸控電極組中的正、負(fù)觸控電極面積相等，且所述每組觸控電極的間距相等， 即所述任意兩電極組的間距相等。如此以來，功能匹配性好，且易于處理偵測的數(shù)據(jù)。上述詳細(xì)論述了由兩種形狀形成的觸控電極組成的單層ITO的布圖結(jié)構(gòu)，利于偵測出觸控對象的具體位置，所以不限于上述兩種形式，只要兩電極的相對處呈S形曲線，即使其它形狀一樣可以設(shè)計(jì)成上述布局結(jié)構(gòu)，由于原理相同，不一一論述，但均應(yīng)列入本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由若干個依次順序排列的觸控電極組構(gòu)成，所述觸控電極組包括正觸控電極和負(fù)觸控電極，其特征在于所述每組中的正觸控電極與負(fù)觸控電極相對排列，且兩電極的相對處呈S形曲線。
2.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述觸控電極組中，一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極的面積均呈遞變趨勢。
4.如權(quán)利要求3所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)電極的面積一個呈遞增趨勢， 另一個則呈遞減趨勢。
5.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述由正負(fù)觸控電極構(gòu)成的電極組外形類似三角形。
6.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極構(gòu)成的電極組外形類似梯形。
7.如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極面積相等。
8.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述任意兩電極組的間距相等。
9.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正觸控電極與負(fù)觸控電極均通過導(dǎo)線連接到觸控芯片的相應(yīng)引腳上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由若干個依次順序排列的觸控電極組構(gòu)成，所述觸控電極組包括正觸控電極和負(fù)觸控電極，所述每組中的正觸控電極與負(fù)觸控電極相對排列，且兩電極的相對處呈S形曲線。本發(fā)明所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，相對雙層ITO的布線而言，制造工藝更加簡單，所以成本低廉，再者，由單層ITO組成的觸摸屏厚度較薄，易于處理偵測的數(shù)據(jù)。
文檔編號G06F3/044GK102339182SQ201110172189
公開日2012年2月1日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月24日
發(fā)明者李海, 蔡立達(dá), 金莉, 陳奇 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司