專利名稱：觸控面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種觸控面板結(jié)構(gòu)及其制造方法，用以 改良傳統(tǒng)電容式觸控面板復(fù)雜的制程，且可以提升電容式觸控面板制程良率，以及減少投射電容式觸控面板的制造程序。
背景技術(shù)：
目前坊間的觸控面板(Touch Panel)的觸控輸入方式，包括有電阻式、電容式、光學(xué)式、電磁感應(yīng)式、音波感應(yīng)式等；其中，電阻式及電容式是藉由使用者以手指或感應(yīng)筆對(duì)面板表面進(jìn)行觸碰，而于受觸碰位置的面板內(nèi)部產(chǎn)生電壓及電流的變化，據(jù)以偵測(cè)出面板表面接受觸碰的位置，以達(dá)到觸控輸入的目的。且知，為了要偵測(cè)出使用者以手指或感應(yīng)筆觸碰于觸控板上的位置，業(yè)者研發(fā)出各種不同的電容式觸碰感測(cè)結(jié)構(gòu)。例如單層架橋式觸控結(jié)構(gòu)，其中架橋?qū)Ь€為金屬材質(zhì)制成，為了避免影響外觀品質(zhì)，會(huì)在架橋?qū)Ь€表面覆蓋一抗反射膜層以降低金屬的反射效果，通常是將制程中的光阻保留于架橋?qū)Ь€表面，但需要多一個(gè)步驟將金屬金手指供接FPC處的光阻去除。一般制程方式是光阻形成架橋圖案后進(jìn)行蝕刻，產(chǎn)生架橋，再去光阻。然后再形成一層光阻，經(jīng)過曝光顯影，形成圖案化光阻，在架橋?qū)Ь€上留下光阻，上述制程為繁復(fù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種觸控面板的制造方法，用以提升電容式觸控面板制程良率，以及減少投射電容式觸控面板的制造程序。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，包括提供透明基材。形成透明導(dǎo)電層于透明基材之上。形成第一金屬層于透明導(dǎo)電層之上。圖案化第一金屬層和透明導(dǎo)電層，形成具有第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串列、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊、端子線路和復(fù)數(shù)接點(diǎn)，復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線，復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊以陣列方式排列，復(fù)數(shù)第一橋接線于第一方向電性連接相鄰的每一第一感測(cè)墊，復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊以陣列方式排列，復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊相互交錯(cuò)，各接點(diǎn)透過端子線路分別與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊連接。去除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊上的第一金屬層。形成絕緣層于第一金屬層和透明導(dǎo)電層之上。圖案化絕緣層，形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊。形成第二金屬層于絕緣層之上。形成圖案化光阻層于第二金屬層之上。蝕刻第二金屬層，形成具有光阻層于其上的復(fù)數(shù)第二橋接線，和曝露出復(fù)數(shù)接點(diǎn)，其中復(fù)數(shù)第二橋接線與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列分別由復(fù)數(shù)絕緣墊電性絕緣，且復(fù)數(shù)第二橋接線與于第二方向相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列，復(fù)數(shù)接點(diǎn)透過端子線路分別與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列連接，復(fù)數(shù)接點(diǎn)供連接軟性電路板。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第一金屬層和第二金屬層材質(zhì)相異，并利用選擇性蝕刻將復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第一金屬層上的第二金屬層移除；亦或者，可搭配使用不同蝕刻液進(jìn)行選擇性蝕刻；再者，第一金屬層亦可為多層疊構(gòu)，且于第一金屬層表面形成第二金屬層前使用離子束表面改質(zhì)，再形成第二金屬層。
為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第二金屬層的厚度較第一金屬層為薄，并利用選擇性蝕刻將復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第一金屬層上的第二金屬層移除。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第一金屬層和第二金屬層為至少一層導(dǎo)電金屬層。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第一金屬層和第二金屬層可以為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中更包括于形成第二金屬層前使用離子束表面改質(zhì)。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第一金屬層可為多層疊構(gòu)，其中最上層為銅合金或鑰。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中第二金屬層為純銅。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中透明基材可為可繞卷式透明基材、透明基板、玻璃、或塑料。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中圖案化絕緣層，更包括形成絕緣層于端子線路之上。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中圖案化絕緣層，更包括形成絕緣層于復(fù)數(shù)接點(diǎn)之上，且絕緣層覆蓋保護(hù)每一接點(diǎn)的周圍，露出每一接點(diǎn)部分的中心。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，其中圖案化透明導(dǎo)電層包括形成圖案化光阻層于透明導(dǎo)電層之上；蝕刻透明導(dǎo)電層，形成復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊；以及去除該圖案化光阻層。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括于圖案化導(dǎo)電層之后形成黏著層于感測(cè)結(jié)構(gòu)之上，然后裁切覆蓋有黏著層于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)之上的可饒卷式透明基材，形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材；以及以黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于硬質(zhì)透明基板。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括形成形成黏著層于可饒卷式透明基材的下表面；然后裁切覆蓋有黏著層于下表面之下的可饒卷式透明基材，形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材；以及黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于硬質(zhì)透明基板。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括形成透明導(dǎo)電層于可饒卷式透明基材的下表面。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括形成透明絕緣保護(hù)層于感測(cè)結(jié)構(gòu)之上。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括形成抗干擾層于可饒卷式透明基材之下。為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的觸控面板的制造方法，更包括形成抗干擾層于可饒卷式透明基材和透明導(dǎo)電層之間。


圖Ia至圖11所示為本發(fā)明一實(shí)施例中觸控面板的制造方法的示意圖。圖2a至圖2b所示為本發(fā)明另一實(shí)施例中觸控面板的制造方法的示意圖。圖3a至圖3c所示為本發(fā)明再一實(shí)施例中觸控面板的制造方法的示意圖。
圖號(hào)說明
Dl第一方向 D2第二方向 100透明基材
10感測(cè)結(jié)構(gòu)
11光阻結(jié)構(gòu) 101 上表面 103邊緣 110透明導(dǎo)電層
111第一感測(cè)串列 1111第一感測(cè)墊 1112第一橋接線
112第二感測(cè)串列 1121第二感測(cè)墊
120第一金屬層
121端子線路
122接點(diǎn) 1221 開口
130絕緣層
131絕緣墊
140第二金屬層
141第二橋接線 150 黏著層
160 硬質(zhì)透明基板 170 片狀感測(cè)基材。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖Ia至圖11，為本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法。如圖Ia所示，提供透明基材100，可為可繞卷式透明基材、透明基板、玻璃、或塑料。其中透明基材100具有上表面101和邊緣103，邊緣103位于上表面101的一側(cè)。透明基材100為可饒曲的材質(zhì)所構(gòu)成，可以卷曲成滾筒狀?？绅埦硎酵该骰?00的材質(zhì)例如可為PEN、PET、PES、可饒式玻璃、PMMA、PC或PI之一，也可為上述材質(zhì)的多層復(fù)合材料，而前述材質(zhì)之上亦可形成有多層的透明堆疊結(jié)構(gòu)的基材，多層的透明堆疊結(jié)構(gòu)例如可為抗反射層。形成透明導(dǎo)電層110于上表面101，透明導(dǎo)電層110的材質(zhì)例如可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物。接著形成至少一第一金屬層120于透明導(dǎo)電層110之上，第一金屬層120的結(jié)構(gòu)可為至少一層導(dǎo)電金屬層，或者多層導(dǎo)電金屬層。其中導(dǎo)電金屬層的材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。多層?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu)，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆疊結(jié)構(gòu)，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆疊的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電金屬層多為使用物理氣相沉積(PVD)或是化學(xué)氣相沉積(CVD)，沉積速率快且制程穩(wěn)定。形成感測(cè)結(jié)構(gòu)10于透明基材100的上表面101，如圖Ib及圖Ie所示，包括進(jìn)行第一道黃光制程，圖案化該第一金屬層120和透明導(dǎo)電層110,其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(具有復(fù)數(shù)光阻結(jié)構(gòu)11)于第一金屬層120之上，其中光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進(jìn)行蝕刻步驟，蝕刻去除未受光阻結(jié)構(gòu)11保護(hù)的第一金屬層120和透明導(dǎo)電層110，以及去除該圖案化光阻層，形成具有第一金屬層120于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串列111、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊1121、端子線路121和復(fù)數(shù)接點(diǎn)122，復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列111分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊1111和復(fù)數(shù)第一橋接線1112，復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊1111以陣列方式排列，復(fù)數(shù)第一橋接線1112于第一方向Dl電性連接相鄰的復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊1111，復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊1121以陣列方式排列，復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊1121與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊1111相互交錯(cuò)且相互包圍，端子線路121和該些接點(diǎn)122形成于邊緣103，各接點(diǎn)122透過端子線路121分別與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列111與復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊1121電性連接。接著進(jìn)行第二道黃光制程，去除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列111和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊 1121上的第一金屬層120，而使端子線路121和復(fù)數(shù)接點(diǎn)122上仍保有第一金屬層120。接著如圖If所示，形成絕緣層130，均勻覆蓋于第一金屬層120和透明導(dǎo)電層110之上。進(jìn)行第三道黃光制程，將絕緣層曝光顯影，圖案化絕緣層130，如圖Ig及圖Ih所示，形成復(fù)數(shù)絕緣墊131，該些絕緣墊131分別位于該些第一橋接線1112之上。接著如圖Ii所示，形成至少一第二金屬層140于絕緣層130之上。進(jìn)行第四道黃光制程，如圖Ij至圖11所示，先形成圖案化光阻層于第二金屬層之上，其中圖案化光阻層可為黑矩陣(BM)，或不反光的材質(zhì)。第二金屬層140相對(duì)于復(fù)數(shù)絕緣墊131上方分別覆蓋有光阻結(jié)構(gòu)11 ;以及蝕刻第二金屬層140，去除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊1111、復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊1121、端子線路121和復(fù)數(shù)接點(diǎn)122上的第二金屬層140，形成具有光阻層的光阻結(jié)構(gòu)11于其上的復(fù)數(shù)第二橋接141，并曝露出復(fù)數(shù)接點(diǎn)122，其中復(fù)數(shù)第二橋接線141與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列111分別由復(fù)數(shù)絕緣墊131電性絕緣，且第二橋接線141與于第二方向D2相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊1121電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列112，各接點(diǎn)122透過端子線路121分別與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列111與復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列112連接，復(fù)數(shù)接點(diǎn)供熱壓軟性電路板，用以形成感測(cè)結(jié)構(gòu)與軟性電路板電性連接(圖未示)。本發(fā)明的另一實(shí)施例，如上所述的觸控面板的制造方法，更包括復(fù)數(shù)第二橋接線141的結(jié)構(gòu)可為至少一層導(dǎo)電金屬層，或者多層導(dǎo)電金屬層。其中導(dǎo)電金屬層的材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖稹６鄬訉?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu)，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆疊結(jié)構(gòu)，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆疊的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電金屬層多為使用物理氣相沉積(PVD)或是化學(xué)氣相沉積(CVD)，沉積速率快且制程穩(wěn)定?；蛘邚?fù)數(shù)第二橋接線141的結(jié)構(gòu)可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物；而上述所使用的光阻層可為液態(tài)光阻或是干膜光阻。本發(fā)明的再一實(shí)施例，如上所述的觸控面板的制造方法，其中，第一金屬層120和第二金屬層140為選用相異的材質(zhì)，并利用選擇性蝕刻將復(fù)數(shù)接點(diǎn)121的第一金屬層120上的第二金屬層140移除，僅留下復(fù)數(shù)接點(diǎn)121，使得復(fù)數(shù)接點(diǎn)121之間不導(dǎo)通。例如第一金屬層可為多層，其中最上面ー層可為銅合金，而第二金屬層可為純銅，此時(shí)可選擇不同蝕刻液進(jìn)行選擇性蝕刻。例如，本制程所形成的第一金屬層可為多層疊構(gòu)，其中最上層為銅合金，且于形成第二金屬層前使用離子束進(jìn)行表面改質(zhì)，再形成第二金屬層，其中第二金屬層可為純銅、銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?，以純銅為佳。再一實(shí)施例中，本制程形成第一金屬層可為多層疊構(gòu)，其中最上層為鑰，且于形成第二金屬層前使用離子束進(jìn)行表面改質(zhì)，再形成第二金屬層，其中第二金屬層可為純銅、銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、鑰等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?，以純銅為佳?；蛘叩诙饘賹?40的厚度較第一金屬層120為薄，例如第一金屬層厚度第二金屬層厚度為3 :1，再利用選擇性蝕刻將復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第一金屬層120上的第二金屬層140移除，僅留下復(fù)數(shù)接點(diǎn)121，使得復(fù)數(shù)接點(diǎn)121之間不導(dǎo)通。亦或者，可搭配使用不同蝕刻液進(jìn)行選擇性蝕刻。本發(fā)明的又ー實(shí)施例，如上所述的觸控面板的制造方法，其中，其中更包括于形成第二金屬層前使用離子束表面改質(zhì)。離子束表面改質(zhì)可提升絕緣層與第二金屬層的附著力，以及提升透明導(dǎo)電層與第二金屬層的附著力。 本發(fā)明的另ー實(shí)施例，如上所述的觸控面板的制造方法，其中圖案化絕緣層130，更包括形成絕緣層于端子線路121之上，如圖2a所示，該圖案化絕緣層的絕緣墊131則覆蓋并保護(hù)端子線路121。當(dāng)進(jìn)行第二金屬層蝕刻時(shí)，端子線路121的細(xì)線路將受到保護(hù)，而保留下來。本發(fā)明的另ー實(shí)施例，如上所述的觸控面板的制造方法，其中圖案化絕緣層13，更包括形成絕緣層于端子線路121和復(fù)數(shù)接點(diǎn)122之上，如圖2b所示，且該圖案化絕緣層的絕緣墊131覆蓋保護(hù)每ー接點(diǎn)122的周圍，形成ー開ロ 1221，露出每ー接點(diǎn)122部分的中心。由于絕緣層保護(hù)住復(fù)數(shù)接點(diǎn)的周圍，可在進(jìn)行第二金屬層蝕刻時(shí)避免復(fù)數(shù)接點(diǎn)周圍收到損傷。而且復(fù)數(shù)接點(diǎn)露出的中心可供軟性電路板熱壓連接用。上述制程步驟形成復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)10于可饒卷式透明基材100的上表面101之后，接著形成黏著層150于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)10之上，如圖3a所示，然后裁切覆蓋有黏著層150于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)10之上的透明基材100，如圖3b所示，形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材170。然后將每一片狀感測(cè)基材170以黏著層150黏貼于硬質(zhì)透明基板160，如圖3c所示。本發(fā)明的另ー實(shí)施例所提供如上述的觸控面板的制造方法，包括形成另ー透明導(dǎo)電層于可饒卷式透明基材的下表面，用以防止觸控面板的受到電磁干擾(EMI)，且另一透明導(dǎo)電層的設(shè)置可于上述制程步驟任ー時(shí)候完成，并不以此為限制。本發(fā)明的另ー實(shí)施例所提供如上述的觸控面板的制造方法，包括形成一透明絕緣保護(hù)層覆蓋復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)之上，以及不具有感測(cè)結(jié)構(gòu)的可饒式透明基板之上，僅于端子線路以及接點(diǎn)與軟性電路板電性連接的區(qū)域(無圖標(biāo))無透明絕緣保護(hù)層覆蓋。該透明絕緣保護(hù)層的材質(zhì)可為ニ氧化硅(SiO2)、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻，光阻例如可為液態(tài)光阻或干膜光阻，對(duì)于防止感測(cè)結(jié)構(gòu)的水氣入侵或氧化的保護(hù)相當(dāng)優(yōu)異。本發(fā)明的另ー實(shí)施例所提供如上述的觸控面板的制造方法，包括形成抗干擾層于可饒卷式透明基材的下表面。或者形成抗干擾層于上表面，形成透明絕緣層于抗干擾層之上。以及形成復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)于透明絕緣層之上。抗干擾層可用以防止觸控面板的受到電磁干擾(EMI)?？垢蓴_層的材質(zhì)可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻之氧化錫中之一或其混合物。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板的制造方法，其特征在于，包括 提供一透明基材； 形成一透明導(dǎo)電層于該透明基材之上； 形成一第一金屬層于該透明導(dǎo)電層之上； 圖案化該第一金屬層和該透明導(dǎo)電層，形成具有該第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串列、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊、一端子線路和復(fù)數(shù)接點(diǎn)，該些第一感測(cè)串列分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線，該些第一感測(cè)墊以陣列方式排列，該些第一橋接線于一第一方向電性連接相鄰的每一第一感測(cè)墊，該些第二感測(cè)墊以陣列方式排列，該些第二感測(cè)墊與該些第一感測(cè)墊相互交錯(cuò)，各接點(diǎn)透過該端子線路分別與該些第一感測(cè)串列和該些第二感測(cè)墊連接； 去除位于該些第一感測(cè)串列和該些第二感測(cè)墊上的該第一金屬層； 形成一絕緣層于該第一金屬層和該透明導(dǎo)電層之上； 圖案化該絕緣層，形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊； 形成一第二金屬層于該絕緣層之上； 形成一圖案化光阻層于該第二金屬層之上； 蝕刻該第二金屬層，形成具有光阻層于其上的復(fù)數(shù)第二橋接線，和曝露出該些接點(diǎn)，其中該些第二橋接線與該些第一感測(cè)串列分別由該些絕緣墊電性絕緣，且該些第二橋接線與于一第二方向相鄰的該些第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列，該些接點(diǎn)透過該端子線路分別與該些第一感測(cè)串列和該些第二感測(cè)串列連接，該些接點(diǎn)供連接一軟性電路板。
2.如權(quán)利要求I所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一金屬層和第二金屬層材質(zhì)相異，并利用選擇性蝕刻將該些接點(diǎn)的第一金屬層上的該第二金屬層移除。
3.如權(quán)利要求I所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該第二金屬層的厚度較該第一金屬層薄，并利用選擇性蝕刻將該些接點(diǎn)的第一金屬層上的該第二金屬層移除。
4.如權(quán)利要求I所述觸控面板的制造方法，其特征在于，更包括于形成該第二金屬層前使用離子束表面改質(zhì)。
5.如權(quán)利要求4所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一金屬層為多層疊構(gòu)，最上層為銅合金或鑰。
6.如權(quán)利要求4所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該第二金屬層為純銅。
7.如權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一金屬層和該第二金屬層為至少一層導(dǎo)電金屬層。
8.如權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述觸控面板的制造方法，其特征在于，該透明基材為可繞卷式透明基材、透明基板、玻璃或塑料。
9.如權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述觸控面板的制造方法，其特征在于，圖案化該絕緣層，更包括形成該絕緣層于該端子線路之上。
10.如權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述觸控面板的制造方法，其特征在于，圖案化該絕緣層，更包括形成該絕緣層于該些接點(diǎn)之上，且該絕緣層覆蓋保護(hù)每一接點(diǎn)的周圍，形成一開口，露出每一接點(diǎn)部分的中心。
全文摘要
本發(fā)明觸控面板制造方法，包括形成透明導(dǎo)電層于透明基材之上。形成第一金屬層于透明導(dǎo)電層之上。圖案化第一金屬層和透明導(dǎo)電層。去除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊上的第一金屬層。形成絕緣層于第一金屬層和透明導(dǎo)電層之上。圖案化絕緣層，形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊。形成第二金屬層于絕緣層之上。形成圖案化光阻層于第二金屬層之上。蝕刻第二金屬層，形成第二橋接線，和曝露出復(fù)數(shù)接點(diǎn)，其中復(fù)數(shù)第二橋接線與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列分別由復(fù)數(shù)絕緣墊電性絕緣，且復(fù)數(shù)第二橋接線與于第二方向相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列，復(fù)數(shù)接點(diǎn)透過端子線路分別與復(fù)數(shù)第一感測(cè)串列和復(fù)數(shù)第二感測(cè)串列連接，復(fù)數(shù)接點(diǎn)供連接軟性電路板。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102819367SQ20111028557
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者陳維釧, 郭曉文 申請(qǐng)人:杰圣科技股份有限公司