專(zhuān)利名稱(chēng)：用于提取hbt器件中基區(qū)寄生電阻的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的監(jiān)測(cè)方法，具體涉及一種用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法。
背景技術(shù)：
HBT (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。在HBT器件中，基區(qū)的鍺硅多晶硅(SiGe Poly)寄生電阻會(huì)成為影響HBT頻率特性的一個(gè)重要因素?，F(xiàn)有的用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的結(jié)構(gòu)，多為普通直條形電阻。具體來(lái)說(shuō)，是采用直條形的基區(qū)鍺硅多晶硅，通過(guò)一組長(zhǎng)度和寬度變化的結(jié)構(gòu)，提取相應(yīng)阻值。但是由于HBT中基區(qū)寄生電阻的方塊值非常小，受摻雜濃度的影響非常大，加上普通直條形電阻的尺寸和實(shí)際HBT器件中的基區(qū)鍺硅多晶硅尺寸差異很大，在測(cè)試時(shí)由外界引入的誤差也非常大，所以通過(guò)直條形電阻提取的阻值無(wú)法適應(yīng)模型的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，它可以精確地提取HBT的基區(qū)寄生電阻。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法的技術(shù)解決方案為，包括以下步驟:第一步，采用截面為矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅，通過(guò)矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的屏蔽，形成鍺硅多晶硅的連接電阻；使矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值；第二步，在矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅上開(kāi)矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口，形成鍺硅多晶硅的基區(qū)窗口電阻；使矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值。所述連接電阻的位置在發(fā)射極多晶硅的正下方。所述基區(qū)窗口電阻的位置在發(fā)射區(qū)窗口與鍺硅多晶硅的相交位置。本發(fā)明可以達(dá)到的技術(shù)效果是:本發(fā)明的結(jié)構(gòu)更接近于HBT器件的版圖結(jié)構(gòu)，因此能夠更加準(zhǔn)確地反映出HBT的寄生情況，為模型提取提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。本發(fā)明能夠精確地提取HBT器件中基區(qū)的SiGe Poly寄生電阻，有效地提高器件模型的準(zhǔn)確度，為系統(tǒng)級(jí)仿真提供更好的指導(dǎo)。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
圖1是HBT器件結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是本發(fā)明 用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法中所采用的第一版圖示意圖；圖3是采用本發(fā)明的第一版圖所形成的Link電阻所在位置的示意圖；圖4是本發(fā)明用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法中所采用的第二版圖示意圖；圖5是采用本發(fā)明的第一版圖所形成的Pinch電阻所在位置的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，包括以下步驟:第一步，如圖2所示，采用截面為矩形環(huán)狀EP (發(fā)射極多晶硅)，通過(guò)矩形環(huán)狀EP的屏蔽，形成SiGe Poly的Link電阻(連接電阻)；矩形環(huán)狀EP的條寬為W印,長(zhǎng)度為L(zhǎng)印；使矩形環(huán)狀EP的條寬W印、長(zhǎng)度Lep取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值。如圖3所示，A處為HBT的基區(qū)寄生的Link電阻，其位置在EP的正下方，由于在合金(silicide)過(guò)程中會(huì)被矩形環(huán)狀EP屏蔽，因此不能被合金；第二步，如圖4所示，在矩形環(huán)狀EP上開(kāi)矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口(EW)，形成SiGePoly的Pinch電阻(基區(qū)窗口電阻)；矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口的條寬為Wew，長(zhǎng)度為L(zhǎng)ew ；使矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口的條寬Wew、長(zhǎng)度Lew取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值。如圖5所示，B處為HBT的基區(qū)寄生的Pinch電阻，其位置在發(fā)射區(qū)窗口與SiGePoly的相交位置；一方面在刻發(fā)射區(qū)窗口時(shí)，會(huì)對(duì)其厚度產(chǎn)生影響，另一方面它也不能通過(guò)合金過(guò)程降低阻值，再一方面它直接與Emitter Poly接觸,其界面態(tài)的情況也會(huì)影響寄生阻值。以0.18um SiGe HBT 工藝為例:第一步,在Link電阻中，矩形環(huán)狀EP的條寬Wep分別做0.2um、l.2um、2.2um,得出一組寬度依存性線(xiàn)性數(shù)據(jù)；另以矩形環(huán)狀EP的長(zhǎng)度Lep分別做10Um、20Um，得出一組長(zhǎng)度依存性線(xiàn)性數(shù)據(jù)，如表I所示；
權(quán)利要求
1.種用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步，采用截面為矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅，通過(guò)矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的屏蔽，形成鍺硅多晶硅的連接電阻； 使矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值； 第二步，在矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅上開(kāi)矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口，形成鍺硅多晶硅的基區(qū)窗口電阻； 使矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值。
2.據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，其特征在于，所述連接電阻的位置在發(fā)射極多晶硅的正下方。
3.據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，其特征在于，所述基區(qū)窗口電阻的位置在發(fā)射區(qū)窗口與鍺硅多晶硅的相交位置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于提取HBT器件中基區(qū)寄生電阻的方法，包括以下步驟第一步，采用截面為矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅，通過(guò)矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的屏蔽，形成鍺硅多晶硅的連接電阻；使矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值；第二步，在矩形環(huán)狀發(fā)射極多晶硅上開(kāi)矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口，形成鍺硅多晶硅的基區(qū)窗口電阻；使矩形環(huán)狀發(fā)射區(qū)窗口的條寬、長(zhǎng)度取不同的數(shù)值，得出一組線(xiàn)性變化值，通過(guò)對(duì)器件模型上的擬合推出精確的阻值。本發(fā)明能夠精確地提取HBT器件中基區(qū)的SiGe Poly寄生電阻，有效地提高器件模型的準(zhǔn)確度，為系統(tǒng)級(jí)仿真提供更好的指導(dǎo)。
文檔編號(hào)G06F17/50GK103093018SQ20111034643
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者苗彬彬, 朱麗霞, 金鋒 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司