專利名稱：電容式傳感陣列中提高的邊緣精度的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用戶接口裝置領(lǐng)域，確切地說，涉及電容式傳感裝置。
背景技術(shù)：
電容式傳感陣列可用于替代機(jī)械式按鈕、旋鈕或其他類似機(jī)械式用戶接口控制裝置。使用電容式傳感元件可消除復(fù)雜的機(jī)械式開關(guān)和按鈕，從而在惡劣的條件下提供可靠 的操作。此外，電容式傳感元件廣泛用于現(xiàn)代客戶應(yīng)用中，從而在現(xiàn)有產(chǎn)品中提供新的用戶接口選項(xiàng)。電容式傳感元件可采用電容式傳感陣列的形式布置成觸摸傳感表面。當(dāng)例如手指等導(dǎo)電物體接觸或靠近觸摸傳感表面時(shí)，一個(gè)或多個(gè)電容式觸摸傳感元件的電容會發(fā)生改變。電容式觸摸傳感元件的電容的改變可通過電路進(jìn)行測量。電路將所測量的電容式觸摸傳感元件的電容轉(zhuǎn)換成數(shù)字值。現(xiàn)在的工業(yè)和消費(fèi)市場中普遍存在利用電容式傳感陣列的透明觸屏。它們可應(yīng)用于手機(jī)、GPS裝置、照相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕、MP3播放器、數(shù)字化板等設(shè)備。在現(xiàn)代手機(jī)和智能手機(jī)中，由于用戶互動的可用空間較小，因此觸屏區(qū)域是制造商關(guān)注的焦點(diǎn)。因此，制造商探索一種既能最大化可用區(qū)域又能保持標(biāo)準(zhǔn)位置跟蹤精度的觸屏。但是，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的觸屏在邊緣附近存在較為嚴(yán)重的位置跟蹤錯(cuò)誤。圖I所示為具有均勻?qū)挾葪l或傳感元件的電容式傳感陣列面板100的傳統(tǒng)模型設(shè)計(jì)。電容式傳感陣列面板100包括NxM傳感元件矩陣，所述矩陣包括發(fā)射(“Tx”)傳感元件102和接收(“Rx”)傳感元件104。NxM傳感元件矩陣中的發(fā)射傳感元件和接收傳感元件可經(jīng)布置以使每個(gè)發(fā)射傳感元件與每個(gè)接收傳感元件交叉。因此，每個(gè)發(fā)射傳感元件與每個(gè)接收傳感元件電容耦合。例如，在發(fā)射傳感元件102與接收傳感元件104的交叉點(diǎn)上，發(fā)射傳感元件102與接收傳感元件104電容耦合。發(fā)射傳感元件102與接收傳感元件104的交叉部分稱為一個(gè)傳感元件。應(yīng)注意的是，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，在圖I所公開的實(shí)施例中，Tx傳感元件的軸的方向可與Rx傳感元件進(jìn)行切換。由于發(fā)射傳感元件與接收傳感元件之間電容耦合，應(yīng)用于每個(gè)發(fā)射傳感元件的Tx信號(未圖示)會因感應(yīng)而在每個(gè)接收傳感元件上產(chǎn)生電流。例如，當(dāng)Tx信號應(yīng)用于發(fā)射傳感元件102時(shí)，Tx信號會因感應(yīng)而在接收傳感元件104上產(chǎn)生Rx信號(未圖示)。當(dāng)例如手指等導(dǎo)電物體接近NxM傳感元件矩陣時(shí)，物體將通過改變連接點(diǎn)處的互電容，或Tx和Rx傳感元件之間的交叉點(diǎn)處的互電容來調(diào)制信號。由于手指一般會激活約三至五個(gè)相鄰連接點(diǎn)，因此可易于獲得信號輪廓。因此，通過此輪廓分布可使用質(zhì)心算法確定手指位置。如圖I所示，Tx傳感元件102和Rx傳感元件104具有均勻穿過面板的傳感器寬度。這些傳感元件稱為均勻?qū)挾葌鞲性?。此傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)問題在于，中心區(qū)域和邊緣區(qū)域之間的精度變化。邊緣區(qū)域通常定義為與觸摸面板的物理邊緣相距一個(gè)傳感器節(jié)距的范圍，而其他范圍則稱作中心區(qū)域。傳感器節(jié)距的尺寸通常是一個(gè)傳感元件的寬度。在觸摸面板的應(yīng)用中，精度定義為導(dǎo)電物體在觸摸面板上或附近的位置與觸摸面板感測到的位置之間的誤差。通常，中心區(qū)域內(nèi)的精度顯著高于邊緣區(qū)域內(nèi)的精度。例如，此模型沿著傳統(tǒng)電容式傳感陣列邊緣的精度通常比陣列中心區(qū)域中的精度低至少三倍。精度的這種顯著差異的主要原因在于，當(dāng)手指落在邊緣傳感器上時(shí)，會切斷面板邊緣的信號輪廓。沒有完整的信號輪廓，質(zhì)心算法中對手指質(zhì)心的確定會不可避免地出現(xiàn)一些誤差，因?yàn)樾畔⒉黄胶鈺?dǎo)致系統(tǒng)質(zhì)心沿著面板邊緣偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種電容式傳感陣列，所述陣列包括具有非均勻節(jié)距的第一組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第一縱軸上，其中所述節(jié)距包括所述傳感元件的寬度和所述傳感元件之間的間距。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種電容式傳感陣列，所述陣列包括具有非均勻第一節(jié)距的第一組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第一縱軸上；其中所述第一節(jié)距包括第·一傳感元件的第一寬度和所述第一組傳感元件之間的第一間距；以及具有非均勻第二節(jié)距的第二組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第二縱軸上，其中所述第二縱軸實(shí)質(zhì)上垂直于所述第一縱軸，其中所述第二節(jié)距包括第二傳感元件的第二寬度和所述第二組傳感元件之間的第二間距。


圖I所示為具有均勻?qū)挾葪l的互電容式傳感陣列的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)；圖2所示方框圖說明了電子系統(tǒng)的一項(xiàng)實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例，所述電子系統(tǒng)具有處理裝置，其用于檢測電容式傳感陣列上導(dǎo)電物體的存在，所述電容式傳感陣列具有傳感元件，其具有非均勻節(jié)距；圖3所示為傳感元件的電容式傳感陣列的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距和不同的傳感元件寬度；圖4所示為傳感元件的電容式傳感陣列的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距，以及傳感元件之間的不同間距；圖5A所示為傳感元件的電容式傳感陣列的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距和不同的傳感元件寬度，以及傳感元件之間的不同間距；圖5B所示為傳感元件的電容式傳感陣列的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖,所述傳感元件具有非均勻節(jié)距和不同的傳感元件寬度，以及傳感元件之間的不同間距；圖6所示為傳感元件的電容式傳感陣列的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距；圖7所示為具有傳感元件組合的互電容式傳感陣列的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有均勻節(jié)距和非均勻節(jié)距；圖8A所示為傳感元件的互電容式傳感陣列的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距和不同的傳感元件寬度；圖SB所示為根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例的具有單通路的圖8A所示互電容式傳感陣列的平面圖；圖8C所示為根據(jù)另一項(xiàng)實(shí) 施例的具有雙通路的圖8A所示互電容式傳感陣列的平面圖；圖9A至圖9C所示為互電容式傳感陣列的組合式分層結(jié)構(gòu)的實(shí)施例；圖10所示為菱形傳感元件的電容式傳感陣列的示例性平面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明描述一種電容式傳感陣列，其經(jīng)配置以提高檢測導(dǎo)電物體是否存在時(shí)的邊緣精度。在一項(xiàng)實(shí)施例中，電容式傳感陣列包括具有非均勻節(jié)距的至少一個(gè)第一組傳感元件，所述傳感元件設(shè)置在電容式傳感陣列的第一縱軸上。本發(fā)明中定義的節(jié)距包括傳感元件的寬度和傳感元件之間的間距。本文中描述的實(shí)施例經(jīng)配置以提高電容式傳感陣列的邊緣精度。如上所述，在觸摸面板的應(yīng)用中，精度定義為導(dǎo)電物體在觸摸面板上或附近的位置與觸摸面板感測到的位置之間的誤差。所感測到的或計(jì)算得出的位置基于電容式傳感電路檢測到的導(dǎo)電物體存在的整體信號幅度和輪廓。例如，單個(gè)手指觸摸生成跨傳感元件鄰域的信號，從而產(chǎn)生信號輪廓。信號衰減或變形的信號輪廓會導(dǎo)致精度問題，其中包括觸摸面板的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域之間的精度變化。如上所述，邊緣區(qū)域通常定義為與觸摸面板的物理邊緣相距一個(gè)傳感器節(jié)距的范圍，而其他范圍則稱作中心區(qū)域。中心區(qū)域內(nèi)的精度顯著高于邊緣區(qū)域，例如，與邊緣區(qū)域處約I. 5mm的精度相比，中心區(qū)域處的精度為約
O.5mm(低約至少三倍)。本文中所述的實(shí)施例提高邊緣區(qū)域內(nèi)的精度。為進(jìn)行闡釋，以下說明列出許多具體細(xì)節(jié)，以有助于深入了解本發(fā)明。但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的認(rèn)識到，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下進(jìn)行實(shí)踐。在其他實(shí)例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)并未進(jìn)行詳細(xì)說明，但在方框圖中進(jìn)行了圖示，以免不必要地模糊對本說明書的理解。說明書中對“一項(xiàng)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的參考表示本發(fā)明的至少一項(xiàng)實(shí)施例中包括結(jié)合實(shí)施例進(jìn)行說明的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。本說明書中各部分的詞組“在一項(xiàng)實(shí)施例中”并不一定指同一實(shí)施例。圖2所示方框圖說明了電子系統(tǒng)200的一項(xiàng)實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例，所述電子系統(tǒng)200具有處理裝置，其用于檢測電容式傳感陣列220上導(dǎo)電物體的存在，所述電容式傳感陣列220具有非均勻節(jié)距。電子系統(tǒng)200包括處理裝置210、具有非均勻節(jié)距的電容式傳感陣列220、觸摸傳感按鈕240、主處理器250、嵌入式控制器260和非電容式傳感元件270。處理裝置210可包括模擬和/或數(shù)字通用輸入/輸出(“GPI0”)端口 207。GPIO端口 207可進(jìn)行編程。GPIO端口 207可耦接到可編程互聯(lián)和邏輯(“PIL”)，其中PIL作為GPIO端口 207和處理裝置210的數(shù)字塊陣列(未圖示)之間的互聯(lián)裝置。在一項(xiàng)實(shí)施例中，數(shù)字塊陣列可使用可配置的用戶模塊(“UM”)進(jìn)行配置，以實(shí)施各種數(shù)字邏輯電路(例如DAC、數(shù)字濾波器或數(shù)字控制系統(tǒng))。數(shù)字塊陣列可耦接到系統(tǒng)總線。處理裝置210還可包括存儲器，例如隨機(jī)存取存儲器(“RAM”)205和程序閃存204。RAM205可為靜態(tài)RAM(“SRAM”)，且程序閃存204可為非易失性存儲器，其可用于存儲固件(例如上文所述的由處理核心202執(zhí)行以實(shí)施操作的控制算法)。處理裝置210還可包括耦接到存儲器的微控制器單元(“MCU”)203，以及處理核心202。處理裝置210還可包括模擬塊陣列(未圖示)。模擬塊陣列也耦接到系統(tǒng)總線。在一項(xiàng)實(shí)施例中，模擬塊陣列還可使用可配置的UM進(jìn)行配置，以實(shí)施各種模擬電路(例如ADC或模擬濾波器)。模擬塊陣列還可耦接到GPIO端口 207。如圖所示，電容式傳感器201可集成到處理裝置210中。電容式傳感器201可包括用于耦接到外部部件的 模擬1/0，所述外部部件例如具有非均勻節(jié)距的電容式傳感陣列220、觸摸傳感按鈕240和/或其他裝置。下文將詳細(xì)描述電容式傳感器201和處理裝置210。本文中所述的實(shí)施例可用于任何電容式傳感陣列應(yīng)用中，例如，具有非均勻節(jié)距的電容式傳感陣列220可為觸屏、觸摸傳感滑塊或觸摸傳感按鈕240 (例如電容式傳感按鈕)。在一項(xiàng)實(shí)施例中，這些傳感裝置可包括一個(gè)或多個(gè)電容式傳感元件。本文中所述的操作可包括，但不限于，筆記本計(jì)算機(jī)指針操作、光度控制(調(diào)光器)、音量控制、圖形均衡器控制、速度控制或需要進(jìn)行逐步或離散調(diào)節(jié)的其他控制操作。還應(yīng)注意的是，實(shí)施電容式傳感的這些實(shí)施例可與非電容式傳感元件270共同使用,所述非電容式傳感元件270包括但不限于拾取按鈕、滑塊(例如顯示器亮度和對比度)、滾輪、多媒體控制(例如音量、軌跡超前等)、手寫識別和數(shù)字鍵盤操作。在一項(xiàng)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)200包括具有非均勻節(jié)距的傳感元件的電容式傳感陣列220，其通過總線221耦接到處理裝置210。在一項(xiàng)實(shí)施例中，具有非均勻節(jié)距的傳感元件的電容式傳感陣列220可包括一維傳感陣列，在另一項(xiàng)實(shí)施例中，電容式傳感陣列220可包括二維傳感陣列?；蛘?，具有非均勻節(jié)距的傳感元件的電容式傳感陣列220可具有多維傳感陣列。另外，在一項(xiàng)實(shí)施例中，具有非均勻節(jié)距的傳感元件的電容式傳感陣列220可為滑塊、觸摸板、觸屏或其他傳感裝置。在另一項(xiàng)實(shí)例中，電子系統(tǒng)200包括觸摸傳感按鈕240，其通過總線241耦接到處理裝置210。觸摸傳感按鈕240可包括單維或多維傳感陣列。單維或多維傳感陣列可包括多個(gè)傳感元件。對于觸摸傳感按鈕而言，傳感元件可耦接在一起，以在傳感裝置的整個(gè)表面上檢測導(dǎo)電物體的存在?；蛘撸|摸傳感按鈕240可具有單個(gè)傳感元件，以檢測導(dǎo)電物體的存在。在一項(xiàng)實(shí)施例中,觸摸傳感按鈕240可包括電容式傳感元件。電容式傳感元件可用作非接觸式傳感元件。在有絕緣層保護(hù)的情況下，這些傳感元件可抵抗惡劣環(huán)境。電子系統(tǒng)200可包括一個(gè)或多個(gè)具有非均勻節(jié)距的電容式傳感陣列220和/或觸摸傳感按鈕240的任何組合。在另一項(xiàng)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)200還可包括非電容式傳感元件270，其通過總線271耦接到處理裝置210。非電容式傳感元件270可包括按鈕、發(fā)光二極管(“LED”)和其他用戶接口裝置，例如鼠標(biāo)、鍵盤或無需進(jìn)行電容式傳感的其他功能鍵。在一項(xiàng)實(shí)施例中，總線271、241、231和221可為單總線?；蛘撸@些總線可配置成一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)總線的任何組合。處理裝置210可包括內(nèi)部振蕩器/時(shí)鐘206和通信塊(“COM”) 208。內(nèi)部振蕩器/時(shí)鐘塊206向處理裝置210的一個(gè)或多個(gè)部件提供時(shí)鐘信號。通信塊208可用于通過主機(jī)接口(“I/F”)線251與例如主處理器250等外部部件進(jìn)行通信。或者，處理裝置210也可耦接到嵌入式控制器260，從而與例如主處理器250等外部部件進(jìn)行通信。在一項(xiàng)實(shí)施例中，處理裝置210經(jīng)配置以與嵌入式控制器260或主處理器250進(jìn)行通信，從而發(fā)送和/或接收數(shù)據(jù)。處理裝置210可位于共用載體基板上，例如集成電路(“1C”)裸片基板、多芯片模塊基板等?；蛘?，處理裝置210的部件可為一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的集成電路和/或離散部件。在一項(xiàng)示例性實(shí)施例中，處理裝置210可為加利福尼亞州圣何塞的賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corporation)所開發(fā)的芯片上可編程系統(tǒng)(“PSoC ”)處理裝置?；蛘?，處理裝置210可為所屬領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員已知的一個(gè)或多個(gè)其他處理裝置，例如微處理器或中央處理單元、控制器、專用處理器、數(shù)字信號處理器(“DSP”)、專用集成電路(“ASIC”)、現(xiàn)場可編程門陣列(“FPGA”)等。還應(yīng)注意的是，本文中所述的實(shí)施例不限于具有耦接到主機(jī)的處理裝置的配置，但可包括測量傳感裝置上的電容且發(fā)送原始數(shù)據(jù)至主計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)，其中所述原始數(shù)據(jù)在主計(jì)算機(jī)中通過應(yīng)用程序進(jìn)行分析。由處理裝置210完成的處理實(shí)際上也可在主機(jī)中完成。應(yīng)注意的是，圖2所示的處理裝置210可使用多種技術(shù)來測量電容，例如自電容傳感和互電容傳感。由于每個(gè)傳感器元件只需要一根連接線即可連接至傳感電路，因此自電容傳感模式也稱為單電極傳感模式。對于自電容傳感模式而言，因?yàn)橥ㄟ^手指觸摸而增加的電容會添加到傳感器電容中，因此觸摸傳感器元件會增加傳感器電容?；ル娙莸母淖兛稍诨ル娙輦鞲心Ｊ街羞M(jìn)行檢測。每個(gè)傳感器元件使用至少兩個(gè)電極一個(gè)是發(fā)射器(TX)電極(本文中也稱為發(fā)射器電極)，另一個(gè)是接收器(RX)電極。當(dāng)手指觸摸傳感器元件或接近傳感器元件時(shí)，傳感器元件的接收器和發(fā)射器之間的電容耦合隨著手指將部分電場分流到地面(例如底盤或大地)而減小。電容式傳感器201可集成到處理裝置210的IC中，或者集成到單獨(dú)的IC中。如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，電容式傳感器201可包括用于測量電容的張弛振蕩器(RO)電路、三角積分調(diào)制器(也稱為CSD)電路、電荷轉(zhuǎn)移電路、電荷積聚電路等?；蛘撸缮刹⒕庉媽﹄娙菔絺鞲衅?01的說明，以并入其他集成電路中。例如，說明電容式傳感器201的行為級碼或其中部分可使用硬件描述語言生成，例如使用VHDL或Verilog生成，并存儲至機(jī)器可存取的媒體(例如⑶-ROM、硬盤、軟盤等)中。此外，行為級碼可編輯成寄存器傳送級(“RTL”)碼、網(wǎng)表，甚至編輯成電路布局，并存儲至機(jī)器可存取的媒體中。行為級碼、RTL碼、網(wǎng)表和電路布局均表示說明電容式傳感器201的各種提取級。應(yīng)注意的是，電子系統(tǒng)200的部件可包括上述所有部件?；蛘撸娮酉到y(tǒng)200可只包括上述部件中的某些部件。在一項(xiàng)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)200用于筆記本計(jì)算機(jī)?；蛘撸娮友b置可用于其他應(yīng)用，例如手機(jī)、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(“PDA”)、鍵盤、電視機(jī)、遠(yuǎn)程控制、監(jiān)視器、手持式多媒體裝置、手持式視頻播放器、手持式游戲裝置或控制面板。圖3所示為傳感元件302的電容式傳感陣列300的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件302具有非均勻節(jié)距，所述傳感元件設(shè)置在電容式傳感陣列300的第一縱軸上。如上所述，本發(fā)明的節(jié)距定義為傳感元件的寬度和傳感元件之間的間距。例如，圖3中的節(jié)距304所示為從傳感元件302a的右邊緣到傳感元件302b的相同右邊緣的距離。類似地，節(jié)距306所示為從傳感元件302b的右邊緣到傳感元件302c的相同右邊緣的距離,且所示節(jié)距308為從傳感元件302c的右邊緣到傳感元件302d的相同右邊緣的距離。應(yīng)注意的是，節(jié)距304可包括從傳感元件302a的左邊緣到傳感元件302b的相同左邊緣的距離。另外，應(yīng)注意的是，節(jié)距304可包括從傳感元件302a的中心到傳感元件302b的中心的距離(包括傳感元件302a和傳感元件302b之間的間距)。具體而言，具有非均勻節(jié)距的傳感元件302位于水平軸，當(dāng)設(shè)置非均勻傳感元件302的節(jié)距時(shí)，所述節(jié)距朝電容式傳感陣列300的邊緣方向逐漸減小。沿著電容式傳感陣列300的邊緣設(shè)置的非均勻傳感元件302的節(jié)距(即傳感元件節(jié)距)較小，而靠近電容式傳感陣列300的中心區(qū)域的傳感元件的傳感元件節(jié)距相對較大。這實(shí)際上是因?yàn)榭拷吘壍膫鞲性?02的寬度小于靠近電容式傳感陣列的中心區(qū)域的傳感元件的寬度,且在圖3所示的實(shí)施例中，傳感元件之間的間距(309、311和313)保持相同。例如，設(shè)置在電容式傳感陣列300的中心區(qū)域的中心傳感元件302c的寬度307可在30至40 μ m的范圍內(nèi)，設(shè)置成靠近電容式傳感陣列300的中心區(qū)域的內(nèi)傳感元件302b的寬度305可在150至200 μ m的范圍內(nèi)，且靠近電容式傳感陣列300的邊緣設(shè)置的邊緣傳感元件302a的寬度303可在5至10 μ m的范圍內(nèi)。或者，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用其他尺寸的寬度。傳感元件302a和傳感元件302b之間的間距309與元件302b和元件302c之間的間距311以及元件302c和元件302d之間的·間距313相同。如上文所述，由于位于陣列中心的信號輪廓很強(qiáng)，因此位于中心的非均勻傳感元件302的較寬節(jié)距對信號輪廓精度的影響很小。然而，通過減小邊緣處的傳感元件節(jié)距(如圖3所示)，可使輪廓具有更精細(xì)的間隔尺寸，從而顯著提高陣列邊緣處的信號輪廓的精度。應(yīng)注意的是，傳感元件302可為發(fā)射(Tx)傳感元件或接收(Rx)傳感元件。雖然圖3所示電容式傳感陣列300只具有設(shè)置在水平軸上的一層非均勻傳感元件，但應(yīng)注意的是，電容式傳感陣列300可包括設(shè)置在其他縱軸上的具有類似配置的第二層非均勻傳感元件。另外，雖然圖3所示的每個(gè)傳感元件的節(jié)距隨著傳感元件逐漸靠近面板邊緣放置而減小，但應(yīng)注意的是，傳感元件節(jié)距的減小可采用任何形式的間隔尺寸。圖4所示為傳感元件402的電容式傳感陣列400的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件402具有非均勻節(jié)距，且設(shè)置在電容式傳感陣列400的第一縱軸上。如上所述，本發(fā)明的節(jié)距定義為傳感元件的寬度和傳感元件之間的間距。例如，圖4中的節(jié)距404所示為從傳感元件402a的右邊緣到傳感元件402b的相同右邊緣的距離。類似地,節(jié)距406所示為從傳感元件402b的右邊緣到傳感元件402c的相同右邊緣的距離,且所示節(jié)距408為從傳感元件402c的右邊緣到傳感元件402d的相同右邊緣的距離。應(yīng)注意的是，節(jié)距404可包括從傳感元件402a的左邊緣到傳感元件402b的相同左邊緣的距離。具體而言，具有非均勻節(jié)距的傳感元件402具有不變的寬度(407、409、411和413)且位于水平軸上，具有非均勻節(jié)距的傳感元件402之間的間距朝電容式傳感陣列400的邊緣方向逐漸減小。靠近電容式傳感陣列400的邊緣設(shè)置的傳感元件402之間的間距較小，而靠近電容式傳感陣列400的中心區(qū)域設(shè)置的傳感元件之間的間距相對較大。因此，圖4中的邊緣傳感元件402a經(jīng)設(shè)置以靠近電容式傳感陣列400的邊緣；第一內(nèi)傳感元件402b經(jīng)設(shè)置以比邊緣傳感元件402a更靠近陣列400的中心區(qū)域；第二內(nèi)傳感元件402c經(jīng)設(shè)置以比第一內(nèi)傳感元件402b更靠近電容式傳感陣列400的中心區(qū)域；以及中心傳感元件402d經(jīng)設(shè)置以位于電容式傳感陣列400的中心區(qū)域。如圖4所示，邊緣傳感元件402a和第一內(nèi)傳感元件402b之間的第一間距401小于第一內(nèi)傳感元件402b和第二內(nèi)傳感元件402c之間的第二間距403。另外，第二間距403小于第二內(nèi)傳感元件402c和中心傳感元件402d之間的第三間距405。例如，在圖4中，第一間距401可在10 μ m至40 μ m的范圍內(nèi)，第二間距403可在100 μ m至160 μ m的范圍內(nèi)，且第三間距405可在160 μ m至640 μ m的范圍內(nèi)?；蛘?，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用其他尺寸的間距。如上所述，由于位于陣列中心的信號輪廓很強(qiáng)，因此靠近電容式傳感陣列400的中心區(qū)域的傳感元件402之間的間距對信號輪廓的精度的影響很小。然而，通過減小靠近電容式傳感陣列400的邊緣的傳感元件402之間的間距(如圖4所示)，可顯著提高陣列面板邊緣處的信號輪廓的精度。應(yīng)注意的是，傳感元件402可為發(fā)射(Tx)傳感元件或接收(Rx)傳感元件。雖然圖4所示電容式傳感陣列400只具有一層均勻傳感元件，其以不同間距設(shè)置在水平軸上，但應(yīng)注意的是，電容式傳感陣列400可包括具有類似配置的第二層傳感元件，其以不同間距設(shè)置在其他縱軸上。另外，雖然圖4所示的每個(gè)傳感元件之間的間距隨著傳感元件朝面板邊緣放置而減小，但應(yīng)注意的是，傳感元件之間的間距可采用任何形式的間隔尺寸。圖5A所示為傳感元件502的電容式傳感陣列500的一 項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件502具有非均勻節(jié)距，且設(shè)置在電容式傳感陣列500的第一縱軸上。傳感元件502具有非均勻?qū)挾群蛡鞲性?02之間的不同間距。具體而言，傳感元件502位于水平軸上，且傳感元件502的寬度和傳感元件502之間的間距(即傳感元件節(jié)距)隨著傳感元件502朝電容式傳感陣列500的邊緣放置而逐漸減小。如圖5A所示，邊緣傳感元件502a的寬度小于第一內(nèi)傳感元件502b的寬度，且第一內(nèi)傳感元件502b的寬度小于第二內(nèi)傳感元件502c的寬度。另外，邊緣傳感兀件502a和第一內(nèi)傳感兀件502b之間的第一間距501小于第一內(nèi)傳感元件502b和第二內(nèi)傳感元件502c之間的第二間距503等。應(yīng)注意的是，傳感元件502可為發(fā)射(Tx)傳感元件或接收(Rx)傳感元件。如上所述，傳感元件的寬度和傳感元件
之間的間距可在幾十Pm到幾百ym的范圍內(nèi)......或者，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的
一般技術(shù)人員所了解，可使用其他尺寸的寬度和間距。雖然圖5A所示電容式傳感陣列500只具有一層非均勻傳感元件，其以不同間距設(shè)置在水平軸上，但應(yīng)注意的是，電容式傳感陣列500可包括具有類似配置的第二層均勻傳感元件，其以不同間距設(shè)置在其他縱軸上?；蛘撸缡芤嬗诒景l(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用兩層以上的傳感元件。還應(yīng)注意的是，無論是一維陣列還是二維陣列，傳感元件均可設(shè)置在單層中。在其他實(shí)施例中，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用層數(shù)和維數(shù)的其他組合。圖5B所示為具有傳感元件的電容式傳感陣列510的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖,所述傳感元件具有非均勻?qū)挾?，以及傳感元件之間的不同間距。如圖5B所示，傳感元件的寬度w和傳感元件502之間的間距s均可采用任何形式的間隔尺寸。或者，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用兩層以上的傳感元件。還應(yīng)注意的是，無論是一維陣列還是二維陣列，傳感元件均可設(shè)置在單層中。在其他實(shí)施例中，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，可使用層數(shù)和維數(shù)的其他組合。圖6所示為傳感元件602的電容式傳感陣列600的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，其中傳感元件602具有非均勻節(jié)距。如圖6所示，傳感元件602設(shè)置在電容式傳感陣列600的垂直軸上，且包括邊緣處的非均勻?qū)挾?。具體而言，邊緣傳感元件602a位于垂直軸上，且如圖6所示,每個(gè)邊緣傳感元件602a的寬度均經(jīng)延伸以與電容式傳感陣列600的每個(gè)邊緣對齊。邊緣傳感元件602a的寬度604大于相鄰傳感元件602b的寬度606。由于這種對齊，邊緣傳感元件602a和電容式傳感陣列600的邊緣之間的第一間距601小于邊緣傳感元件602a和相鄰傳感元件602c之間的第二間距603。因此，邊緣傳感元件602a與面板陣列邊緣的這種對齊實(shí)質(zhì)上減小邊緣處的間距，從而顯著提高陣列面板邊緣處的信號輪廓的精度。例如，傳感元件602b的寬度606可為約100 μ m，且邊緣傳感元件602a的寬度604可為約400 μ m。另外，第一間距601可在幾十μ m的范圍內(nèi)，且第二間距603可在幾百μ m的范圍內(nèi)。應(yīng)注意的是，在此實(shí)施例中，信號輪廓的間隔尺寸將保持相同；但是，如果增加信號強(qiáng)度則會使面板陣列邊緣處的精度更高。圖7所示為具有傳感元件組合的互電容式傳感陣列700的一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件組合包括具有均勻節(jié)距的傳感元件和具有非均勻節(jié)距的傳感元件。如圖7所示，互電容式傳感陣列700包括5X5矩陣，所述矩陣包括具有均勻節(jié)距的第一組發(fā)射(“Tx”)傳感元件702(即均勻Tx元件)，以及具有非均勻節(jié)距的第二組接收(“Rx”)傳感元件704 (即非均勻Rx元件)。5X5傳感元件矩陣的發(fā)射傳感元件和接收傳感元件均經(jīng)布置以使每個(gè)均勻發(fā)射傳感元件702與每個(gè)非均勻接收傳感元件704交叉。均勻發(fā)射傳感元件702與非均勻接收傳感元件704的交叉部分稱為互電容式傳感陣列中的傳感元件。在此實(shí)施例中，均勻Tx傳感元件702位于水平軸上，且每個(gè)均勻Tx傳感元件702的寬度相同。如圖7 所示，非均勻Rx傳感元件704位于垂直軸上，且邊緣非均勻Rx傳感元件704a和704a中的每者的寬度均經(jīng)延伸以與均勻Tx傳感元件702的每端對齊。邊緣非均勻Rx傳感元件704a的寬度706大于相鄰非均勻Rx傳感元件704b的寬度708。因此，邊緣Rx傳感元件和面板陣列的Tx傳感元件的這種對齊實(shí)質(zhì)上減小邊緣非均勻Rx傳感元件704a和每個(gè)均勻Tx傳感元件的一端之間的第一間距。此外，這種對齊還減小邊緣非均勻Rx傳感元件704a和每個(gè)均勻Tx傳感元件的另一端之間的第二間距，從而顯著提高陣列面板邊緣處的信號輪廓的精度。如上所述，傳感元件的寬度可在幾十Pm至幾百ym的范圍內(nèi)變動。如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，本文中所述的實(shí)施例可用于使用其他電容式傳感技術(shù)(例如自電容傳感)的任何電容式傳感陣列。圖8A所示為傳感元件的互電容式傳感陣列800的另一項(xiàng)實(shí)施例的平面圖，所述傳感元件具有非均勻節(jié)距。如圖8所示，互電容式傳感陣列800包括5X5矩陣，所述矩陣具有第一組傳感元件，即具有非均勻節(jié)距的發(fā)射(“Tx”)傳感元件802，以及第二組傳感元件，即具有節(jié)距非均勻節(jié)距的接收(“Rx”)傳感元件804。5X5傳感元件矩陣中的發(fā)射傳感元件和接收傳感元件均經(jīng)布置以使每個(gè)發(fā)射傳感元件與每個(gè)接收傳感元件交叉。因此，每個(gè)發(fā)射傳感元件與每個(gè)接收傳感元件電容耦合。如圖8所示，Tx傳感元件802設(shè)置在互電容式傳感陣列800的第一縱軸上，且包括非均勻?qū)挾?。具體而言，Tx傳感元件802位于水平軸上，Tx傳感元件802的寬度朝互電容式傳感陣列800的邊緣逐漸減小?？拷ル娙菔絺鞲嘘嚵?00的邊緣放置的Tx傳感元件802的寬度(即傳感元件節(jié)距)較小，而靠近互電容式傳感陣列800的中心區(qū)域放置的Tx傳感元件802的寬度相對較大。仍如圖8所示，“Rx”傳感元件804設(shè)置在互電容式傳感陣列800的第二縱軸上，且具有非均勻?qū)挾取＞唧w而言，Rx傳感元件804位于垂直軸上，Rx傳感元件804的寬度也朝互電容式傳感陣列800的邊緣逐漸減小。與Tx傳感元件802類似，靠近互電容式傳感陣列802的邊緣放置的Rx傳感元件804的寬度(即傳感元件節(jié)距)較小，而靠近互電容式傳感陣列800的中心區(qū)域放置的Rx傳感元件804的寬度相對較大。圖SB所示為根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例的具有單通路的圖8A所示的互電容式傳感陣列的平面圖。在單通路中，只有Tx傳感元件802通過導(dǎo)電引線803與電容式傳感器201 (未圖示)連接。Tx信號(未圖示)適用于每個(gè)Tx傳感元件802，且對關(guān)聯(lián)每個(gè)Tx傳感元件802的電容進(jìn)行感測。因此，當(dāng)例如手指等物體接近互電容式傳感800時(shí)，物體會導(dǎo)致電容減小，從而只影響Tx傳感元件802。應(yīng)注意的是，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，在圖8B所公開的實(shí)施例中，Tx傳感元件的軸的方向可與Rx傳感元件進(jìn)行切換，且單通路可只連接到Rx傳感元件。圖8C所示為根據(jù)另一項(xiàng)實(shí)施例的具有雙通路的圖8A所示互電容式傳感陣列的平面圖。如圖8B所示,通路適用于所有Tx傳感元件802,且只適用于邊緣Rx傳感元件804a和邊緣Rx傳感元件804b。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的那樣,雙通路從相同傳感元件的兩端執(zhí)行，這樣可以電氣方式將傳感元件有效地分成兩半，從而使傳感元件提供 給驅(qū)動器的總電阻和電容負(fù)載減半。但雙通路需要額外的通路空間，這在消費(fèi)電子設(shè)計(jì)方面會比較昂貴，且進(jìn)一步減小傳感元件寬度則可能會減弱信號輪廓。因此，只在邊緣傳感元件處選擇性使用雙通路則既具有成本效率又可提高靈敏度，從而提高陣列面板邊緣處的精度。如上所示，位于陣列中心的信號輪廓較強(qiáng)，因此Rx信號(未圖示)通過導(dǎo)電引線805只在Rx傳感元件804a的邊緣處和Rx傳感元件804b的邊緣處進(jìn)行測量。因此，例如，如果手指置于Tx傳感元件802和Rx傳感元件804交叉部分附近，則手指的存在將減小Tx傳感元件802和Rx傳感元件804之間的電容。電容的這種減小只在邊緣Rx傳感元件804處進(jìn)行測量。應(yīng)注意的是，在上述實(shí)施例中，附圖包括條形，但也可使用受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解的其他形狀，例如菱形、六角形、五角形以及其他方格形。圖9A至圖9C所示為互電容式傳感陣列的組合式分層結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。如圖9A所示，單層玻璃的頂部和底部噴鍍有ΙΤ0。頂部ITO可為Rx傳感元件，底部ITO可為Tx傳感元件。應(yīng)注意的是，傳感器元件并不限于ΙΤ0，也可由其他透光導(dǎo)電材料構(gòu)成。如圖9A所示，寬度在O. 05mm至O. 2mm的范圍內(nèi)的光學(xué)透明膠(OCA)只置于頂部ITO上。寬度在O. 55mm至I. Imm的范圍內(nèi)的覆蓋層，例如聚合物或玻璃，位于OCA頂部。例如IXD等顯示模塊置于底部ITO下方，且寬度在O. 3mm至O. 5mm的范圍內(nèi)的氣隙置于底部ITO和IXD之間，以減小LCD所引起的任何輻射。此外，從頂部傳感元件到底部傳感元件(包括傳感器玻璃)之間的寬度在O. 3mm至O. 7mm的范圍內(nèi)變動。在圖9B中，圖9A的傳感器玻璃以雙層膜代替，其寬度在O. Imm至O. 18mm的范圍內(nèi)。寬度在O. 05mm至O. 2mm范圍內(nèi)的OCA也置于頂部ITO上方，且寬度在O. Imm至O. 2mm范圍內(nèi)的OCA可置于膜下方。如圖9B所示，寬度在O. 55mm至I. Imm范圍內(nèi)的覆蓋層位于OCA頂部。底部ITO的寬度在O. 05mm至O. 18mm的范圍內(nèi)。例如IXD等顯示模塊置于底部ITO下方，且寬度在O. 3mm至O. 5mm的范圍內(nèi)的氣隙置于底部ITO和LCD之間，以減小LCD所引起的任何輻射。圖9C所示為玻璃膜混合模型，其使用寬度在O. Imm至O. 18mm的范圍內(nèi)的單個(gè)膜代替圖9A所示的玻璃。覆蓋層置于頂部ITO上方，且兩者的組合的寬度在O. 55mm至I. Imm的范圍內(nèi)。寬度為約O. 2mm的OCA也置于底部ITO上方。寬度在O. 3mm至O. 5mm范圍內(nèi)的氣隙置于底部ITO和IXD之間，以減小IXD所引起的任何輻射?；蛘?，如受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解，寬度可采用其他尺寸。應(yīng)注意的是，在上述實(shí)施例中，可切換的軸的方向可配置成所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其他配置。還應(yīng)注意的是，上述實(shí)施例中所公開的傳感元件包括矩形，但是，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，傳感元件可包括受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所了解的其他形狀，例如正方形、菱形、圓形或其他形狀和配置。例如，圖10所示為菱形傳感元件1002的電容式傳感陣列1000的示例性平面圖，其中傳感元件1002具有非均勻節(jié)距，且設(shè)置在電容式傳感陣列1000的第一縱軸上。例如，如實(shí)施例所述，菱形傳感元件1002的寬度1004有所變化，傳感元件之間的間距保持相同。
以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電容式傳感陣列，其特征在于，所述陣列包括 具有非均勻節(jié)距的第一組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第一縱軸上，其中所述節(jié)距包括所述傳感元件的寬度和所述傳感元件之間的間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述傳感元件的所述寬度是非均勻的。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述傳感元件之間的所述間距是非均勻的，且所述傳感元件的所述寬度是均勻的。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述傳感元件之間的所述間距是非均勻的，且所述傳感元件的所述寬度是非均勻的。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組包括至少一個(gè)第一傳感元件，其具有的節(jié)距小于所述第一組的其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件的節(jié)距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一傳感元件是邊緣傳感元件，在所述第一縱軸上，與所述第一組的其他傳感元件相比，所述第一傳感元件設(shè)置成最接近所述電容式傳感陣列的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一傳感元件是內(nèi)傳感元件，在所述第一縱軸上，與設(shè)置成最接近所述電容式傳感陣列的邊緣的邊緣傳感元件相t匕，所述第一傳感元件設(shè)置成更接近所述電容式傳感陣列的中心。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件包括至少一個(gè)邊緣傳感元件，其在所述第一縱軸上延伸至所述電容式傳感陣列的邊緣，這樣第一邊緣傳感元件和所述電容式傳感陣列的所述邊緣之間的第一間距小于所述第一邊緣傳感元件和所述第一組的其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件之間的第二間距，且其中所述其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件鄰近所述第一邊緣傳感元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式傳感陣列，其特征在于，進(jìn)一步包括第二組傳感元件，所述第二組傳感元件設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第二縱軸上，其中所述第二縱軸垂直于所述第一縱軸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述陣列耦接到處理裝置，其中所述處理裝置經(jīng)配置以檢測導(dǎo)電物體的存在，所述處理裝置經(jīng)配置以使用具有非均勻節(jié)距的所述第一組傳感元件作為發(fā)射Tx傳感元件和接收Rx傳感元件中的一個(gè)傳感元件，且使用所述第二組傳感元件作為所述Tx傳感元件和所述Rx傳感元件中的另一個(gè)傳感元件。
11.一種電容式傳感陣列，其特征在于，所述陣列包括 具有非均勻第一節(jié)距的第一組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第一縱軸上；其中所述第一節(jié)距包括第一傳感元件的第一寬度和所述第一組傳感元件之間的第一間距；以及 具有非均勻第二節(jié)距的第二組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第二縱軸上，其中所述第二縱軸實(shí)質(zhì)上垂直于所述第一縱軸，其中所述第二節(jié)距包括第二傳感元件的第二寬度和所述第二組傳感元件之間的第二間距。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件的所述第一寬度是非均勻的，且所述第二組傳感元件的所述第二寬度是非均勻的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件的所述第一寬度是非均勻的，且所述第二組傳感元件的所述第二寬度是均勻的。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件的所述第一間距是非均勻的，且所述第二組傳感元件的所述第二間距是均勻的。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件的所述第一間距是非均勻的，且所述第二組傳感元件的所述第二間距是非均勻的。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組包括至少一個(gè)第一傳感元件，其具有的所述第一寬度小于所述第一組的其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件的所述第一寬度，且其中所述第二組包括至少一個(gè)第二傳感元件，其具有的所述第二寬度小于所述第二組的其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件的所述第二寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電容式傳感陣列,其特征在于,所述第一傳感兀件是第一邊緣傳感元件，其設(shè)置在所述第一縱軸上最接近所述電容式傳感陣列的邊緣的位置，且其中所述第二傳感元件是第二邊緣傳感元件，其設(shè)置在所述第二縱軸上最接近所述電容式傳感陣列的邊緣的位置。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電容式傳感陣列,其特征在于,所述第一傳感兀件是第一內(nèi)傳感元件，在所述第一縱軸上，與設(shè)置成最接近所述電容式傳感陣列的邊緣的邊緣傳感元件相比，所述第一傳感元件設(shè)置成更接近所述電容式傳感陣列的中心，且其中所述第二傳感元件是第二內(nèi)傳感元件，在所述第二縱軸上，與設(shè)置成最接近所述電容式傳感陣列的邊緣的邊緣傳感元件相比，所述第二傳感元件設(shè)置成更接近所述電容式傳感陣列的中心。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述第一組傳感元件包括至少一個(gè)邊緣傳感元件，其在所述第一縱軸上延伸至所述電容式傳感陣列的邊緣，這樣第一邊緣傳感元件和所述電容式傳感陣列的所述邊緣之間的第一間距小于所述第一邊緣傳感元件和所述第一組的其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件之間的第二間距，且其中所述其他傳感元件中的至少一個(gè)傳感元件鄰近所述第一邊緣傳感元件。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳感陣列，其特征在于，所述陣列耦接到處理裝置，其中所述處理裝置經(jīng)配置以檢測導(dǎo)電物體的存在，所述處理裝置經(jīng)配置以使用具有非均勻節(jié)距的所述第一組傳感元件作為發(fā)射Tx傳感元件和接收Rx傳感元件中的一個(gè)傳感元件，且使用具有非均勻節(jié)距的所述第二組傳感元件作為所述Tx傳感元件和所述Rx傳感元件中的另一個(gè)傳感元件。
全文摘要
本發(fā)明描述一種電容式傳感陣列，其經(jīng)配置以提高檢測導(dǎo)電物體存在時(shí)的邊緣精度。在一項(xiàng)實(shí)施例中，電容式傳感陣列包括具有非均勻節(jié)距的至少一個(gè)第一組傳感元件，其設(shè)置在所述電容式傳感陣列的第一縱軸上。所述節(jié)距包括所述傳感元件的寬度和所述傳感元件之間的間距。
文檔編號G06F3/044GK102955630SQ201110459959
公開日2013年3月6日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月24日
發(fā)明者潘濤, 蔡明進(jìn) 申請人:賽普拉斯半導(dǎo)體公司