專利名稱：一種超高頻rfid讀寫(xiě)器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種非接觸式信息識(shí)別系統(tǒng)，特別涉及一種工作于840 960的超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)是利用無(wú)線射頻方式進(jìn)行非接觸雙向通信，以達(dá)到識(shí)別目的并交換數(shù)據(jù)的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。根據(jù)所使用的電磁波頻段，該技術(shù)可分為低頻、高頻、超高頻三類，其中超高頻技術(shù)，具有識(shí)別距離遠(yuǎn)，識(shí)別速度快，可識(shí)別高速運(yùn)動(dòng)目標(biāo)、數(shù)據(jù)容量大的優(yōu)點(diǎn)。超高頻段的RFID系統(tǒng)主要包括RFID讀寫(xiě)器和RFID標(biāo)簽兩個(gè)部分RFID讀寫(xiě)器將待發(fā)射的基帶信號(hào)調(diào)制到載波上，發(fā)送給RFID標(biāo)簽，然后連續(xù)發(fā)射無(wú)調(diào)制的載波用以提供標(biāo)簽持續(xù)工作的能量和標(biāo)簽發(fā)射調(diào)制需要的載波；標(biāo)簽從讀寫(xiě)器的載波中獲取能量，根據(jù)接收到的讀寫(xiě)器的指令內(nèi)容，將標(biāo)簽的返回信息反射調(diào)制加載到讀寫(xiě)器的連續(xù)載波上， 讀寫(xiě)器從連續(xù)載波中識(shí)別出標(biāo)簽的返回信號(hào)?，F(xiàn)有RFID讀寫(xiě)器體積大，結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，集成度較低，功耗高，適應(yīng)性差。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種體積小、集成度高，適應(yīng)性強(qiáng)的超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為一種超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片，超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片主要包括微處理單元MCU、 射頻收發(fā)模塊、調(diào)制解調(diào)模塊，所述射頻收發(fā)模塊通過(guò)調(diào)制解調(diào)模塊與微處理單元MCU連接，所述微處理單元MCU還通過(guò)數(shù)據(jù)總線與閃存fash memory、高速緩存SRAM、復(fù)位控制電路Reset control、看門(mén)狗定時(shí)電路WDT、定時(shí)器Timers、通用異步接收/發(fā)送裝置UART、串行外圍接口電路SPI、端口控制器Port controller、串行總線I2C、中斷控制器hterupt controller 禾口電源管理器 power management 連接。本實(shí)用新型的超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片主要包括微處理單元MCU、射頻收發(fā)模塊、 調(diào)制解調(diào)模塊，超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片通過(guò)通射頻收發(fā)模塊接收外界標(biāo)簽反射回來(lái)的信號(hào)和發(fā)送信號(hào)，射頻收發(fā)模塊包括RX通道、TX通道、頻率合成器，RX通道即接收通道，RFID 標(biāo)簽的反向散射通過(guò)RX通道被傳送到調(diào)制解調(diào)模塊；TX通道即發(fā)射通道，調(diào)制解調(diào)模塊通過(guò)TX通道傳送已調(diào)制信號(hào)到RFID標(biāo)簽。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置集成度高的硬件單元，大大減小了讀寫(xiě)器芯片的體積，使得讀寫(xiě)器芯片小型化和模塊化，功耗也得到相應(yīng)降低，方便嵌入其它設(shè)備當(dāng)中。

圖1為本實(shí)用新型RFID讀寫(xiě)器芯片架構(gòu)圖。圖中標(biāo)記圖1中，101-RFID讀寫(xiě)器芯片，102-調(diào)制解調(diào)模塊，103-射頻收發(fā)模塊，104-耦合器，105-外部天線，106-微處理單元(MCU)，107-功放。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。實(shí)施例1如附圖1所示本實(shí)施例的超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片中，所述RFID讀寫(xiě)器芯片101 主要包括微處理單元(MCU) 106、射頻收發(fā)模塊103、調(diào)制解調(diào)模塊102，所述射頻收發(fā)模塊 103通過(guò)調(diào)制解調(diào)模塊102與微處理單元(MCU) 106連接，所述微處理單元(MCU) 106還通過(guò)數(shù)據(jù)總線與閃存(fash memory )、高速緩存(SRAM)、復(fù)位控制電路(Reset control)、 看門(mén)狗定時(shí)電路(WDT)、定時(shí)器(Timers)、通用異步接收/發(fā)送裝置(UART)、串行外圍接口電路(SPI)、端口控制器(Port controller)、串行總線(I2C)、中斷控制器Qnterupt controller)和電源管理器(power management)連接。射頻收發(fā)模塊103分別設(shè)置有發(fā)射端口和接收端口，所述發(fā)射端口通過(guò)功放107與耦合器104連接，耦合器104再與外部天線 105連接；所述接收端口通過(guò)耦合器104與外部天線105連接。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片，其特征在于所述超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片主要包括微處理單元MCU、射頻收發(fā)模塊、調(diào)制解調(diào)模塊，所述射頻收發(fā)模塊通過(guò)調(diào)制解調(diào)模塊與微處理單元MCU連接，所述微處理單元MCU還通過(guò)數(shù)據(jù)總線與閃存fash memory、高速緩存SRAM、復(fù)位控制電路Reset control、看門(mén)狗定時(shí)電路WDT、定時(shí)器Timers、通用異步接收/發(fā)送裝置UART、串行外圍接口電路SPI、端口控制器Port controller,串行總線I2C、中斷控制器 Interupt controller 禾口電源管理器 power management 連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種非接觸式信息識(shí)別系統(tǒng)，特別涉及一種工作于840～960的超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片。超高頻RFID讀寫(xiě)器芯片主要包括微處理單元MCU、射頻收發(fā)模塊、調(diào)制解調(diào)模塊，所述射頻收發(fā)模塊通過(guò)調(diào)制解調(diào)模塊與微處理單元MCU連接，所述微處理單元MCU還通過(guò)數(shù)據(jù)總線與閃存fashmemory、高速緩存SRAM、復(fù)位控制電路Reset control、看門(mén)狗定時(shí)電路WDT、定時(shí)器Timers、通用異步接收/發(fā)送裝置UART、串行外圍接口電路SPI、端口控制器Port controller、串行總線I2C、中斷控制器Interupt controller和電源管理器powermanagement連接。本實(shí)用新型體積小、集成度高，適應(yīng)性強(qiáng)。
文檔編號(hào)G06K17/00GK202331509SQ20112044699
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月12日
發(fā)明者關(guān)亮中, 陳亞平 申請(qǐng)人:成都雷電微力科技有限公司