專利名稱：一種塊存儲保護電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及塊存儲技術領域，尤其是涉及一種塊存儲保護電路。
背景技術：
如今，ARM(AdvancedRISC Machines), MIPS (Million Instructions PerSecond), X86等越來越多的嵌入式系統(tǒng)，其內部基本都不含只讀存儲器(ROM，Read-OnlyMemory)，需要外加非易失設備來保存啟動代碼。目前的操作系統(tǒng)越來越復雜，代碼量越來
越大。與之對應，所需的存貯設備，其容量要求也越來越高。其中，電可擦可編程只讀存儲器(EEPR0M, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),是一種掉電后數據不丟失的存儲芯片，單純的EEPROM比較難做到大容量，而且寫速度太慢，不適合批量使用。于是非易失閃存FLASH漸漸成為一個主流，NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。但是大容量的NOR FLASH價格昂貴，不適合目前的市場竟爭；NAND FLASH容量大，價格便宜，并且使用廣泛，但是NAND FLASH有一個缺點，程序易丟失。很多廠家對此深感煩腦。為此NAND FLASH廠商，在制造NAND FLASH時，就預留了一個PIN腳，寫保護腳WP (Write Protect)，當此PIN腳為低電平時，不可以對NAND FLASH進行寫操作，從而保護內部的內容不被破壞。為了使NAND FLASH程序不丟失，同時要對NAND FLASH可寫，目前通常都會由中央處理器(CPU, Central Processing Unit)對NAND FLASH的寫保護腳進行控制，以達到在不希望更改NAND FLASH內容時，對其內容進行保護，具體使用如圖I :采用如I所示的方案，一般情況下，可以對NAND FLASH進行保護，但是至少有兩種情況，無法保護NAND FLASH。I、Vccl突然掉電，此時WP引腳上的電壓會由高慢慢變低，在變低的過程中，如果數據線上有數據，就會造成NAND FLASH數據的損壞。2、復位RESET信號發(fā)生作用時，CPU處于不可控狀態(tài)，此時WP有可能為高電平，數據線同樣有可能會造成內部數據的損壞。

實用新型內容本實用新型實施例提供了一種塊存儲保護電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內部的內容不被損壞。一種塊存儲保護電路，包括復位模塊和電壓檢測模塊；復位模塊將控制器的復位引腳與塊存儲器件的寫保護引腳相連接，用于當控制器復位時，控制塊存儲器件的寫保護引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲器件的寫保護引腳之間，用于當檢測到控制器的電源引腳電壓低于預設閥值時，控制塊存儲器件的寫保護引腳為低電平。從以上技術方案可以看出，本實用新型實施例提供的一種塊存儲保護電路具有以下優(yōu)點在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，控制塊存儲器件的寫保護引腳一直為低電平，保證了其內部的內容不被損壞。

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術方案，下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術中的一種塊存儲保護電路； 圖2為本實用新型實施例提供的一種塊存儲保護電路。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種塊存儲保護電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內部的內容不被損壞。下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。以下分別進行詳細說明。本實用新型實施例提供了一種塊存儲保護電路，請參見圖2，包括 復位模塊10和電壓檢測模塊20 ；復位模塊10將控制器30的復位引腳與塊存儲器件40的寫保護引腳相連接，用于當控制器30復位時，控制塊存儲器件40的寫保護引腳為低電平；電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護引腳之間，用于當檢測到控制器30的電源引腳電壓低于預設閾值時，控制塊存儲器件40的寫保護引腳為低電平。具體地說，本實施例中的塊存儲器件40可以為NAND FLASH塊存儲器件。其中，塊存儲器件NAND FLASH的寫保護引腳，即WP引腳與控制器30的復位引腳相連，以組成復位模塊，用于當控制器30復位時，NAND FLASH也處于寫保護狀態(tài)，即無法對NAND FLASH進行寫操作，保證其內部的內容不被損壞。復位模塊10用于避免了當復位RESET信號發(fā)生作用，CPU處于不可控狀態(tài)時，WP引腳有可能是高電平而導致數據線有可能會造成NAND FLASH內部數據的損壞的問題。另外，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護引腳之間。在某些實施方式中，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護引腳之間，如圖2所示，即電壓檢測模塊20連接于電源Vccl與存儲器件40的寫保護引腳之間。其中，電壓檢測模塊20中可以包括一電壓監(jiān)測芯片，用于監(jiān)控電源Vccl電壓的變化，也可以說是，監(jiān)控WP引腳的電壓，當電源Vccl斷電時，由于電壓不會馬上消失，而是一個從有到無的過渡過程。因此當電壓低到一定程度時，在本實施例中，可以說是低于一預設閾值時，電壓監(jiān)測芯片輸出低電平，使NAND FLASH處于寫保護狀態(tài)。電壓檢測模塊20用于避免當Vccl突然掉電時，電壓會有一個從有到無變低的過程，即WP引腳上的電壓也是會從高到低，如果數據線上有數據，就會造成NAND FLASH數據損壞的問題?？梢岳斫獾氖牵话愕?，控制器對NAND FLASH進行正常的讀操作和寫操作，以及其它控制；NAND FLASH是一種塊存儲設備，用來保存數據或代碼，由控制器對其進行控制，如對其寫保護引腳進行控制，以達到在不希望更改NAND FLASH內容時，對其內容進行保護。本實用新型實施例提供的一種塊存儲保護電路，在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，控制塊存儲器件的寫保護引腳一直為低電平，保證了其內部的內容不被損壞。以上對本實用新型所提供的一種塊存儲保護電路進行了詳細介紹，對于本領域的 一般技術人員，依據本實用新型實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
權利要求1.一種塊存儲保護電路，其特征在于，包括 復位模塊和電壓檢測模塊； 所述復位模塊將控制器的復位引腳與塊存儲器件的寫保護引腳相連接，用于當控制器復位時，控制所述塊存儲器件的寫保護引腳為低電平； 所述電壓檢測模塊連接于所述控制器的電源引腳與所述塊存儲器件的寫保護引腳之間，用于當檢測到所述控制器的電源引腳電壓低于預設閥值時，控制所述塊存儲器件的寫保護引腳為低電平。
2.根據權利要求I所述電路，其特征在于 所述塊存儲器件為NAND FLASH塊存儲器件。
3.根據權利要求I所述電路，其特征在于 所述電壓檢測模塊包括電壓監(jiān)測芯片，所述電壓監(jiān)測芯片用于監(jiān)控電源電壓的變化。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種塊存儲保護電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內部的內容不被損壞。本實用新型實施例包括復位模塊和電壓檢測模塊；復位模塊將控制器的復位引腳與塊存儲器件的寫保護引腳相連接，用于當控制器復位時，控制塊存儲器件的寫保護引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲器件的寫保護引腳之間，用于當檢測到控制器的電源引腳電壓低于預設閥值時，控制塊存儲器件的寫保護引腳為低電平。
文檔編號G06F12/16GK202486769SQ20112057314
公開日2012年10月10日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權日2011年12月31日
發(fā)明者蔡曉峰 申請人:深圳市凌啟電子有限公司