專利名稱：透明導(dǎo)電元件、輸入裝置以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電元件、輸入裝置以及顯示裝置。具體而言，本發(fā)明涉及具有防反射功能的透明導(dǎo)電元件。
背景技術(shù)：
諸如電子紙的顯示裝置以及諸如觸摸面板的輸入裝置使用透明導(dǎo)電材料，其中，透明導(dǎo)電層形成在基體的平面上。折射率較高的材料(例如，ITO (銦錫氧化物))用作透明導(dǎo)電元件內(nèi)所使用的透明導(dǎo)電層的材料，其中折射率大約為2. O。為此，反射率隨著透明導(dǎo)電層的厚度而增大，因此，這會(huì)給顯示裝置和輸入裝置的質(zhì)量帶來麻煩。通常，為了提高透明導(dǎo)電元件的透射特性，使用形成光學(xué)多層膜的技術(shù)。例如，日本未審查專利申請(qǐng)公開第2003-136625號(hào)提出了用于觸摸面板的透明元件，其中，光學(xué)多 層膜位于基板和透明導(dǎo)電層之間。通過依次層壓多個(gè)電介質(zhì)膜而形成光學(xué)多層膜，每個(gè)電介質(zhì)膜具有不同的折射率。然而，在該技術(shù)中，波長依賴性產(chǎn)生光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本文中，光學(xué)調(diào)節(jié)功能表示透射特性和/或反射特性的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因此，本發(fā)明的目的在于提供具有波長依賴性較小并且可視性較好的光學(xué)調(diào)節(jié)功能的透明導(dǎo)電元件、輸入裝置以及顯示裝置。技術(shù)方案本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電元件，包括光學(xué)層，該光學(xué)層上配置有平均波長等于或小于可見光的波長的波面；以及透明導(dǎo)電層，形成在波面上，從而跟隨相應(yīng)的波面，其中，假設(shè)波面的平均波長為Am，并且波面振蕩的平均振幅為Am，那么比率(Am/入m)為0. 2以上且I. 0以下，其中，波面的平均波長Xm為140nm以上且300nm以下，其中，在波面的高度最大化的位置，透明導(dǎo)電層的膜厚為IOOnm以下，其中，波面的平坦部分的面積為50%以下，并且波面?zhèn)壬显贚W色彩系統(tǒng)中的反射色調(diào)為|a1 ( 10以及|b*| ( 10。根據(jù)本發(fā)明的透明導(dǎo)電元件非常適用于輸入裝置、顯示裝置等。在本發(fā)明中，橢圓、圓形(正圓形)、球形、橢圓體等的形狀不僅包括數(shù)學(xué)上限定的完全的橢圓、圓形、球形以及橢圓體的形狀，而且包括略微變形的橢圓、圓形、球形、橢圓體等的形狀。在本發(fā)明中，優(yōu)選應(yīng)通過將多個(gè)結(jié)構(gòu)體配置在基體的表面上，從而形成光學(xué)層的波面。這些結(jié)構(gòu)體優(yōu)選應(yīng)具有凸形或凹形并且應(yīng)配置為規(guī)定的點(diǎn)陣形狀。優(yōu)選將四方點(diǎn)陣形狀、準(zhǔn)四方點(diǎn)陣形狀、六方點(diǎn)陣形狀或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣形狀用作點(diǎn)陣形狀。
在本發(fā)明中，優(yōu)選同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的排列間距Pl應(yīng)比彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體的排列間距P2長。這樣，能夠提高橢圓錐體形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本發(fā)明中，在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體可形成為六方點(diǎn)陣形狀或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣形狀。在這種情況下，優(yōu)選地，假設(shè)同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的排列間距為P1，并且在彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體的排列間距為P2，那么比率P1/P2應(yīng)滿足關(guān)系I. 00 ( P1/P2 < I. I或
I.00<P1/P2 ( I. I。通過設(shè)置這種數(shù)值范圍，能夠提高橢圓錐體形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本發(fā)明中，在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體可形成為六方點(diǎn)陣形狀或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣形狀。在這種情況下，優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體的主軸方向應(yīng)為軌道延伸的軌道延伸方向，并且優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體應(yīng)具有橢圓錐體或橢圓錐臺(tái)形，其中，其中心部分的傾斜度應(yīng)比其末端部分和底部部分的傾斜度大。這種形狀能夠提高反射和透射特性的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。
在本發(fā)明中，在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體可形成為六方點(diǎn)陣形狀或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣形狀。在這種情況下，優(yōu)選軌道延伸方向上的每個(gè)結(jié)構(gòu)體的高度或深度應(yīng)小于軌道的列方向上的每個(gè)結(jié)構(gòu)體的高度或深度。不滿足該關(guān)系時(shí)，需要在軌道延伸方向上延長排列間距。因此，軌道延伸方向上結(jié)構(gòu)體的填充率減小。如上所述，填充率減小時(shí)，反射特性變差。在本發(fā)明中，在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體可形成為六方點(diǎn)陣圖案或四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案。在這種情況下，優(yōu)選同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的排列間距Pl應(yīng)比彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體的排列間距P2長。這樣，能夠提高橢圓錐體形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。當(dāng)在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體形成為六方點(diǎn)陣圖案或四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案時(shí)，優(yōu)選地，假設(shè)同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的排列間距為P1，并且在彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體的排列間距為P2，那么比率P1/P2應(yīng)滿足關(guān)系I. 4<P1/P2 ( I. 5。通過設(shè)置這種數(shù)值范圍，能夠提高橢圓錐體形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。當(dāng)在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體形成為六方點(diǎn)陣圖案或四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案時(shí)，優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體的主軸方向應(yīng)為軌道延伸方向，并且優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體應(yīng)具有橢圓錐體或橢圓錐臺(tái)形，其中，其中心部分的傾斜度應(yīng)比其末端部分和底部部分的傾斜度大。通過這種形狀，具有反射和透射特性的光能夠提高調(diào)節(jié)功能。當(dāng)在基體表面上，各個(gè)結(jié)構(gòu)體形成為六方點(diǎn)陣圖案或四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案時(shí)，優(yōu)選地在相對(duì)于軌道構(gòu)成45度的方向或者大約45度的方向上的每個(gè)結(jié)構(gòu)體的高度或深度應(yīng)小于軌道的列方向上的每個(gè)結(jié)構(gòu)體的高度或深度。當(dāng)不滿足該關(guān)系時(shí)，需要在相對(duì)于軌道構(gòu)成45度的方向或者大約45度的方向上延長排列間距。因此，在相對(duì)于軌道構(gòu)成45度的方向或者大約45度的方向上，結(jié)構(gòu)體的填充率減小。如上所述，當(dāng)填充率減小時(shí)，反射特性變差。在本發(fā)明中，優(yōu)選以微小間距配置在基體表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體應(yīng)構(gòu)成多列軌道，并且在彼此相鄰的三列軌道中，應(yīng)形成為六方點(diǎn)陣形狀、準(zhǔn)六方點(diǎn)陣形狀、四方點(diǎn)陣形狀或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣形狀。因此，能夠增大表面上的結(jié)構(gòu)體的填充密度，從而能夠獲得可見光的反射和透射特性的光學(xué)調(diào)節(jié)功能得以提高的光學(xué)元件。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用這樣的方法來制造光學(xué)元件，在該方法中，結(jié)合制造光盤的主模(master mold)的工序和蝕刻工序。能夠有效地制造主模，以較短時(shí)間地制造光學(xué)元件，并且能夠處理基體尺寸的增大。因此，能夠提高光學(xué)元件的生產(chǎn)力。在本發(fā)明中，具有規(guī)定的圖案的透明導(dǎo)電層形成在光學(xué)層上，該光學(xué)層上設(shè)置有平均波長等于或小于可見光的波長的波面，從而透明導(dǎo)電層跟隨(仿效)相應(yīng)的波面。因此，能夠獲得波長依賴性較小并且可視性較好的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。
有利效應(yīng)如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)波長依賴性較小并且可視性較好的光學(xué)調(diào)節(jié)功倉泛。


圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖IB是以放大的方式示出了圖IA中所示的第一區(qū)域Rl的放大截面圖；圖IC是以放大的方式示出了圖IA中所示的第二區(qū)域R2的放大截面圖；圖2A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖2B是以放大的方式示出了圖2A中所示的第一區(qū)域Rl的放大截面圖；圖2C是以放大的方式示出了圖2A中所示的第二區(qū)域R2的放大截面圖；圖3A是示出了光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖，多個(gè)結(jié)構(gòu)體形成在該光學(xué)層表面上；圖3B是以放大的方式示出了圖3A中所示的光學(xué)層表面的一部分的俯視平面圖；圖3C是以放大的方式示出了圖3A中所示的光學(xué)層表面的一部分的透視圖；圖4是示出了當(dāng)結(jié)構(gòu)體的邊界不清晰時(shí)設(shè)置結(jié)構(gòu)體底面的方法的示意圖；圖5A是示出了透明導(dǎo)電層的表面形狀的實(shí)例的放大截面圖；圖5B是示出了透明導(dǎo)電層的膜厚的放大截面圖，該透明導(dǎo)電層形成在凸形的結(jié)構(gòu)體上；圖6A是示出了輥型主模的構(gòu)造實(shí)例的透視圖；圖6B是以放大的方式示出了圖6A中所示的輥型主模的一部分的俯視平面圖；圖6C是圖6B的軌道T的截面圖；圖7是將輥型主模盤曝光的設(shè)備的構(gòu)造實(shí)例的示意圖；圖8A到圖8D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的工序圖；圖9A到圖9D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的工序圖；圖IOA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖；圖IOB是以放大的方式示出了圖IOA中所示的部分光學(xué)層表面的俯視平面圖；圖IlA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖IlB是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖；圖IlC是以放大的方式示出了圖IlB中所示的光學(xué)層表面的一部分的俯視平面圖；圖12A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖12B是以放大的方式示出了圖12A中所示的光學(xué)層表面的一部分的放大截面圖；圖12C是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的另一實(shí)例的截面圖； 圖12D是以放大的方式示出了圖12C中所示的光學(xué)層表面的一部分的放大截面圖；圖13A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖13B是以放大的方式示出了圖13A中所示的區(qū)域Al和區(qū)域A2的放大截面圖；圖14A是以進(jìn)一步放大的方式示出了圖13A中所示的區(qū)域Al的放大截面圖；圖14B是以進(jìn)一步放大的方式示出了圖13A中所示的區(qū)域A2的放大截面圖；圖15A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的分解透視圖；圖15B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的第一透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的分解透視圖；圖16A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖16B是以放大的方式示出了圖16A中所示的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖；圖17A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖17B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層；圖17C是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成有透明導(dǎo)電層并且該波面露出；圖18A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的分解透視圖；圖18B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的分解透視圖；圖19A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖19B是以放大的方式示出了圖19A中所示的部分信息輸入裝置的放大截面圖20是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；圖21A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的透視圖；圖21B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層；圖21C時(shí)以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成有透明導(dǎo)電層并且該波面露出；圖22A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖；
圖22B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層；圖22C時(shí)以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成有透明導(dǎo)電層并且該波面露出；圖23A是示出了配置在樣本1-1到1-3的基體表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體的俯視平面圖；圖23B是示出了樣本1-1到1-3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖24是示出了樣本2-1到2-3的透明導(dǎo)電元件的透射光譜的測(cè)量結(jié)果的示圖；圖25A是示出了樣本3-1到3_3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖25B是示出了樣本3-1到3_3的透明導(dǎo)電元件的透射光譜的示圖；圖26是示出了樣本4-1到4-4的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖27是示出了樣本6-1和6-2以及樣本6_3和6_4的透明導(dǎo)電元件之間的反射率差A(yù) R的不圖；圖28A是示出了樣本7-1的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖28B是示出了樣本7-2的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖28C是示出了樣本7-3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的示圖；圖29A是示出了樣本7-2的透明導(dǎo)電層的厚度Dl、D2和D3的截面圖；圖29B是示出了樣本7-3的透明導(dǎo)電層的厚度Dl、D2和D3的截面圖；圖30是示出了樣本9-1到10-5的透明導(dǎo)電片的表面電阻值的測(cè)量結(jié)果的示圖。
具體實(shí)施例方式將參考附圖，以如下條目的順序描述本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，在以下實(shí)施方式的全部圖中，在存在共同的或相應(yīng)的元件的情況下，這些元件由相同的參考數(shù)字和符號(hào)表示。I.第一實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體配置為六方點(diǎn)陣形狀的透明導(dǎo)電元件的實(shí)例)2.第二實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體配置為四方點(diǎn)陣形狀的透明導(dǎo)電元件的實(shí)例)3.第三實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體隨意配置的透明導(dǎo)電元件的實(shí)例)4.第四實(shí)施方式(透明導(dǎo)電層在整個(gè)波面上連續(xù)地形成的透明導(dǎo)電元件的實(shí)例)5.第五實(shí)施方式(應(yīng)用于信息輸入裝置的透明導(dǎo)電元件的第一應(yīng)用例)6.第六實(shí)施方式(應(yīng)用于信息輸入裝置的透明導(dǎo)電元件的第二應(yīng)用例)
7.第七實(shí)施方式(應(yīng)用于信息輸入裝置的透明導(dǎo)電元件的第三應(yīng)用例)8.第八實(shí)施方式(應(yīng)用于信息輸入裝置的透明導(dǎo)電元件的第四應(yīng)用例)9.第九實(shí)施方式(應(yīng)用于信息顯示裝置的透明導(dǎo)電元件的第一應(yīng)用例)10.第十實(shí)施方式(應(yīng)用于信息顯示裝置的透明導(dǎo)電元件的第二應(yīng)用例)11.第十一實(shí)施方式(應(yīng)用于信息顯示裝置的透明導(dǎo)電元件的第三應(yīng)用例)〈I 第一實(shí)施方式〉本發(fā)明人等進(jìn)行了深入的研究，以解決上述問題。結(jié)果，發(fā)明人發(fā)明了一種透明導(dǎo) 電元件，其中，透明導(dǎo)電層形成在光學(xué)層上，在該光學(xué)層上形成平均波長等于或小于可見光的波長的波面，從而透明導(dǎo)電層跟隨相應(yīng)的波面。然而，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，即使在透明導(dǎo)電元件中以規(guī)定圖案形成透明導(dǎo)電層時(shí)，由于形成透明導(dǎo)電層的部分和未形成透明導(dǎo)電層的部分之間的反射率差A(yù)R，也會(huì)使具有規(guī)定圖案的透明導(dǎo)電層可見。為此，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入的研究，以防止具有規(guī)定圖案的透明導(dǎo)電層可見。通過深入的試驗(yàn)，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過將振蕩振幅A與波面波長\的比率(A/入)設(shè)定在0. 2以上且I. 0以下的范圍內(nèi)，能夠抑制反射率差A(yù) R0[透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造]圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖IB是以放大的方式示出了圖IA中所示的第一區(qū)域R1的放大截面圖。圖IC是以放大的方式示出了圖IA中所示的第二區(qū)域R2的放大截面圖。透明導(dǎo)電元件I包括光學(xué)層(第一光學(xué)層)2和透明導(dǎo)電層6，該光學(xué)層在一個(gè)主表面上具有波面Sw，該透明導(dǎo)電層形成在波面Sw上，從而跟隨(仿效)波面Sw。形成有透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1和未形成有透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域R2交替地配置在光學(xué)層2的波面Sw上，其中透明導(dǎo)電層6具有規(guī)定的圖案。而且，根據(jù)需要，如圖2A到圖2C中所示，進(jìn)一步設(shè)置有光學(xué)層(第一光學(xué)層)7，其形成在透明導(dǎo)電層6上，由此，透明導(dǎo)電層6的兩個(gè)主表面可被配置為分別由光學(xué)層2和光學(xué)層7覆蓋。優(yōu)選透明導(dǎo)電元件I應(yīng)具有柔性。(光學(xué)層)光學(xué)層2包括例如基體3和形成在基體3的表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體4。通過在基體3的表面上形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體4，形成了波面Sw。例如，獨(dú)立地或一體地形成結(jié)構(gòu)體4和基體
3。在獨(dú)立形成結(jié)構(gòu)體4和基體3的情況下，根據(jù)需要，將基底層5進(jìn)一步設(shè)置于結(jié)構(gòu)體4和基體3之間?；讓?為與結(jié)構(gòu)體4 一起一體形成在結(jié)構(gòu)體4的底面?zhèn)壬系膶樱⑶胰缤Y(jié)構(gòu)體4那樣，通過能量射線固化樹脂組合物，形成該基底層。光學(xué)層7包括例如基體3以及設(shè)置于基體3和透明導(dǎo)電層6之間的粘合層8，并且通過粘合層8將基體3粘合在透明導(dǎo)電層6上，從而組裝該光學(xué)層。光學(xué)層7不限于該實(shí)例，并且可為SiO2的陶瓷涂層(覆層)等。波面Sw的振蕩的平均振幅Am與波面Sw的平均波長X m之間的比率(Am/ A m)的范圍優(yōu)選地為0.2以上且1.0以下，更優(yōu)選地為0.3以上且0.8以下。如果該比率(Am/入m)小于0. 2,那么使用波面Sw的光學(xué)調(diào)節(jié)功能容易劣化。相反，如果該比率(Am/ X m)大于1.0，那么電可靠性容易劣化。波面Sw的平均波長Am優(yōu)選應(yīng)等于或小于用于光學(xué)調(diào)節(jié)功能的光的波長帶。例如，用于光學(xué)調(diào)節(jié)功能的光的波長帶為紫外波長帶、可見光波長帶、或者紅外波長帶。在本文中，將波長帶限定為=IOnm到360nm的波長帶作為紫外波長帶，360nm到830nm的波長帶作為可見光的波長帶，并且830nm到Imm的波長帶作為紅外波長帶。具體而言，波面Sw的平均波長Am的范圍優(yōu)選地為140nm以上且300nm以下，更優(yōu)選地為150nm以上且270nm以下。如果波面Sw的振蕩的平均振幅Am小于140nm，那么電特性容易劣化。相反，如果波面Sw的振蕩的平均振幅Am大于300nm，那么可視性容易劣化。波面Sw的振蕩的平均振幅Am的范圍優(yōu)選地為28nm以上且300nm以下，更優(yōu)選地為50nm以上且240nm以下，并且進(jìn)一步更優(yōu)選地為80nm以上且240nm以下。如果波面Sw的振蕩的平均振幅Am小于28nm，那么光學(xué)調(diào)節(jié)功能容易劣化。相反，如果波面Sw的振蕩的平均振幅Am大于300nm，那么電特性容易劣化。在本文中，以如下方式獲得波面Sw的平均波長\ m、振蕩的平均振幅Am以及比率(Am/Am)。首先，將透明導(dǎo)電元件I在單個(gè)方向上切割，以包括波面Sw的振蕩振幅最大化的位置，然后，由透射電子顯微鏡(TEM)拍攝其截面。隨后，通過所拍攝的TEM圖片，獲得波 面Sw的波長\以及振蕩振幅A。在從透明導(dǎo)電元件I中隨意選擇的10個(gè)位置中，重復(fù)進(jìn)行測(cè)量，并且簡單平均(算術(shù)平均)該測(cè)量值，從而獲得波面Sw的平均波長Am以及振蕩的平均振幅Am。然后，通過使用平均波長Am以及振蕩的平均振幅Am，計(jì)算比率(Am/Am)。波面Sw中斜面的平均角度的范圍優(yōu)選地為60°以下，更優(yōu)選地為30°以上且60°以下。如果平均角度小于30°，那么基于波面Sw的電可靠性容易劣化。相反，如果平均角度大于60°，那么電可靠性容易劣化。而且，如果平均角度大于60°，那么透明導(dǎo)電層6的耐蝕刻性容易劣化。如圖2A到圖2C中所示，在光學(xué)層7進(jìn)一步形成在透明導(dǎo)電層6上時(shí)，形成透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1的反射率Rl和未形成透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域R2的反射率R2之間的反射率差A(yù)R (=R2-R1)的范圍優(yōu)選地為5%以下，更優(yōu)選地為3%以下，進(jìn)一步更優(yōu)選地為1%以下。通過將反射率差A(yù) R設(shè)為5%以下，能夠防止具有規(guī)定圖案的透明導(dǎo)電層6可見。如圖IA到圖IC中所示，將透明導(dǎo)電層6露出時(shí)，在透明導(dǎo)電元件I的兩個(gè)主表面中的光學(xué)層2側(cè)的主表面上在Cb*色彩系統(tǒng)中的透射色調(diào)優(yōu)選地為|a*| ( 10和
b*彡10，更優(yōu)選地為a*彡5和b*彡5，進(jìn)一步更優(yōu)選地為a*彡3和b*彡3。通過將透射色調(diào)設(shè)為Ial ( 10和|b1 ( 10，能夠提高可視性。如圖2A到圖2C中所示，在光學(xué)層7進(jìn)一步形成在透明導(dǎo)電層6上時(shí)，在透明導(dǎo)電元件I的兩個(gè)主表面中的光學(xué)層2側(cè)的主表面上在LWn色彩系統(tǒng)中的透射色調(diào)優(yōu)選地為a*彡5和b*彡5，更優(yōu)選地為a*彡3和b*彡3，進(jìn)一步更優(yōu)選地為a*彡2和|b*| (I。通過將透射色調(diào)設(shè)為a*|彡5和|b*|彡5，能夠提高可視性。如圖IA到圖IC中所示，在將透明導(dǎo)電層6露出時(shí)，在透明導(dǎo)電元件I的兩個(gè)主表面中的透明導(dǎo)電層6側(cè)的主表面上在LWn色彩系統(tǒng)中的反射色調(diào)優(yōu)選地為|a1 ( 10和|b*| ( 10。通過將反射色調(diào)設(shè)為a*| ( 10和|b*| ( 10，能夠提高可視性。如圖2A到圖2C中所示，在光學(xué)層7進(jìn)一步形成在透明導(dǎo)電層6上時(shí)，在透明導(dǎo)電元件I的兩個(gè)主表面中的透明導(dǎo)電層6側(cè)的主表面上在LWn色彩系統(tǒng)中的反射色調(diào)優(yōu)選地為a* <10和b*彡10，更優(yōu)選地為a*彡5和b*彡5，進(jìn)一步更優(yōu)選地為a*彡3和Ibl ( 3。通過將透射色調(diào)設(shè)為|a*| ( 10和|b1 ( 10，能夠提高可視性。
(基體)基體3和8例如為具有透明性的透明基體?；w3和8的材料的實(shí)例包括具有透明性的塑料材料，并且這些材料主要由玻璃等組成，但是該材料并不特別限于這些實(shí)例。例如，鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質(zhì)玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(參考"chemistryhandbook"basic edition, P. 1-537，The Chemical Society of Japan)用作玻璃。從諸如透明性、折射率以及擴(kuò)散性的光學(xué)特性和諸如抗沖擊性、耐熱性以及耐久性的各種特性的角度來看，塑料材料的實(shí)例包括(甲基)丙烯酸樹脂，諸如聚甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯與(甲基)丙烯酸烷基酯或苯乙烯的乙烯基單體之間的共聚物；聚碳酸酯樹脂，諸如聚碳酸酯或二甘醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39);熱固性(甲基)丙烯酸樹脂，諸如(溴化)雙酚-A-型二(甲基)丙烯酸酯的共聚物或均聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性單體的共聚物和聚合物；聚酯，具體地，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不飽和聚酯、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯烴聚合物(商品名Arton,Zeonor)、環(huán)烯烴共聚物等。而且,考慮到耐熱性,也能夠使用芳族聚酰胺樹脂。 在將塑料材料用作基體3和8時(shí)，可通過表面處理提供第一涂層，從而進(jìn)一步提高塑料表面的表面能量、涂覆性能、滑動(dòng)性能、平坦性等。第一涂層的實(shí)例例如包括有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚氨酯等。而且，為了獲得與通過提供第一涂層所獲得的效應(yīng)相同的效應(yīng)，即，在基體3和8的表面上可進(jìn)行電暈放電、UV照射處理。當(dāng)基體3和8為塑料薄膜時(shí)，例如通過以下方法來獲得基體3和8 :延伸上述樹脂或者在溶劑中稀釋樹脂，然后在膜上形成樹脂并將其干燥。而且，優(yōu)選地，通過根據(jù)導(dǎo)電元件211的應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇基體3和8的厚度，并且該厚度例如為大約25 ii m到500 u m。基體3和8的形狀的實(shí)例包括片狀、板狀以及塊狀，但是這些形狀不特別限于這些實(shí)例。在本文中，將片限定為包括月吳。(結(jié)構(gòu)體)圖3A是示出了光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖，在該光學(xué)層表面上形成了多個(gè)結(jié)構(gòu)體。圖3B是以放大的方式示出了圖3A中所示的光學(xué)層表面的一部分的俯視平面圖。圖3C是以放大的方式示出了圖3A中所示的光學(xué)層表面的一部分的透視圖。在后文中，假設(shè)在透明導(dǎo)電元件I的主表面的平面內(nèi)彼此正交的兩個(gè)方向分別為X軸方向和Y軸方向，與主表面垂直的方向稱為Z軸方向。結(jié)構(gòu)體4在基體3的表面上具有例如凸形或凹形，并且二維配置在基體3的表面上。優(yōu)選地，應(yīng)以等于或小于光的波長帶的較短的平均排列間距周期性地二維配置結(jié)構(gòu)體4，從而減少反射。多個(gè)結(jié)構(gòu)體4的配置形式為在基體3的表面上構(gòu)成多列軌道Tl、T2、T3、…(后文中統(tǒng)稱為“軌道T”)。在本發(fā)明中，軌道表示連接結(jié)構(gòu)體4以排成一列的部分。作為軌道T的形狀，可使用線性形狀、弧形等，從而具有這種形狀的軌道T可擺動(dòng)(蜿蜒)。如上所述，通過擺動(dòng)軌道T，能夠抑制外觀上發(fā)生不均勻。在擺動(dòng)軌道T時(shí)，優(yōu)選軌道T在基體3上進(jìn)行的擺動(dòng)應(yīng)彼此同步。即，優(yōu)選這些擺動(dòng)應(yīng)為同步的擺動(dòng)。這樣，通過將這些擺動(dòng)同步，能夠保持六方點(diǎn)陣或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣的單位點(diǎn)陣形狀，并且能夠保持較高的填充率。擺動(dòng)的軌道T的波形的實(shí)例包括正弦波、三角波等。擺動(dòng)的軌道T的波形不限于周期性波形，并且可為非周期性波形。將擺動(dòng)的軌道T的擺幅選擇為例如大約±10nm。在彼此相鄰的兩個(gè)軌道T間的結(jié)構(gòu)體4配置成偏離例如半個(gè)間距。具體而言，在彼此相鄰的兩個(gè)軌道T中的一個(gè)軌道(例如Tl)中配置的結(jié)構(gòu)體4的中間位置(偏離半個(gè)間距的位置)處，配置另一個(gè)軌道(例如T2)的結(jié)構(gòu)體4。結(jié)果，如圖3B中所示，結(jié)構(gòu)體4配置成形成六方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案，其中，結(jié)構(gòu)體4的中心位于彼此相鄰的三列軌道(Tl到T3)中的各個(gè)點(diǎn)al到a7處。在本文中，六方點(diǎn)陣被定義為具有正六邊形的點(diǎn)陣。準(zhǔn)六方點(diǎn)陣與具有正六邊形的點(diǎn)陣不同，并且被定義為具有變形的正六邊形的點(diǎn)陣。例如，當(dāng)結(jié)構(gòu)體4直線配置時(shí)，準(zhǔn)六方點(diǎn)陣被定義為通過在線性排列方向(軌道方向)上拉伸具有正六邊形的點(diǎn)陣而變形的六方點(diǎn)陣。當(dāng)以蜿蜒方式配置結(jié)構(gòu)體4時(shí)，準(zhǔn)六方點(diǎn)陣被定義為通過結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列而變形的六方點(diǎn)陣，或者被定義為通過在線性排列方向(軌道方向)上拉伸具有正六邊形的點(diǎn)陣而變形、并且通過結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列而變形的六方點(diǎn)陣。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4被配置成形成準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案時(shí)，如圖3B中所示，優(yōu)選同一軌道(例如 Tl)內(nèi)的結(jié)構(gòu)體4的排列間距Pl (例如，al與a2之間的距離)應(yīng)比彼此相鄰的兩個(gè)軌道(例如Tl和T2)間的結(jié)構(gòu)體4的排列間距長，即，比在相對(duì)于軌道延伸方向的土 0方向商的結(jié)構(gòu)體4的排列間距P2 (例如，al與a7之間以及a2與a7之間的距離)長。通過這樣配置結(jié)構(gòu)體4，能夠進(jìn)一步提高結(jié)構(gòu)體4的填充密度。結(jié)構(gòu)體4的具體形狀的實(shí)例包括錐形、柱形、針形、半球形、半橢圓形、多邊形等，但不限于這些形狀，并且可包括其他形狀。錐形的實(shí)例包括具有尖銳的頂部的錐形、具有平坦的頂部的錐形、頂部為具有凸形或凹形的曲面的錐形。由此，從電可靠性的角度來看，優(yōu)選頂部為具有凸形的曲面的錐形，但是錐形不限于這些實(shí)例。頂部為具有凸形的曲面的錐形的實(shí)例包括二次曲面形狀，諸如拋物線形等。而且，錐形的錐面可彎曲成凹形或凸形。當(dāng)使用后面要描述的用于曝光輥型主模盤(參考圖7)的設(shè)備制造輥型主模時(shí)，優(yōu)選地，通過將頂部為具有凸形的曲面的橢圓錐形和頂部為平面狀的橢圓錐臺(tái)形用作結(jié)構(gòu)體4的形狀，形成底面的橢圓形的長軸方向應(yīng)與軌道延伸方向T 一致。在提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能的方面，優(yōu)選頂部處的傾斜度較緩和并且從中心部分到底部傾斜度逐漸變大的錐形。而且，在提高反射和透射特性的光學(xué)調(diào)節(jié)功能方面，優(yōu)選中心部分的傾斜度比底部和頂部的傾斜度大的錐形或頂部為平面狀的錐形。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4為橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形時(shí)，優(yōu)選底面的長軸方向應(yīng)與軌道延伸方向平行。優(yōu)選在底部的周緣部中，結(jié)構(gòu)體4應(yīng)具有曲面部4b，其中，在從頂部到下部的方向上，高度平緩地減小。這是因?yàn)椋谥圃焱该鲗?dǎo)電元件I的過程中，使透明導(dǎo)電元件I能夠容易地從主模中脫落。此外，曲面部4b可僅設(shè)置于結(jié)構(gòu)體4的周緣部的一部分上。然而，在提高脫落特性方面，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體4的整個(gè)周緣部上設(shè)置曲面部。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體4的部分或整個(gè)周緣部上設(shè)置突起部4a。這是因?yàn)椋赃@種方式，即使在結(jié)構(gòu)體4的填充率較低時(shí)，也能夠保持較低的反射率。在易于形成方面，優(yōu)選突起部4a應(yīng)設(shè)置于彼此相鄰的結(jié)構(gòu)體4之間。而且，通過將結(jié)構(gòu)體4的周圍的部分或整個(gè)表面粗糙化，可形成細(xì)微的凹凸性。具體而言，例如，通過將彼此相鄰的結(jié)構(gòu)體4之間的表面粗糙化，可形成細(xì)微的凹凸性。而且，在結(jié)構(gòu)體4的表面(例如，其頂部)上可形成微孔。此外，在圖3B和圖3C中，每個(gè)結(jié)構(gòu)體4具有相同的尺寸、形狀和高度，但是結(jié)構(gòu)體4的形狀不限于此，并且在基體表面上可形成具有兩個(gè)以上不同尺寸、形狀和高度的結(jié)構(gòu)體4。優(yōu)選軌道延伸方向上的結(jié)構(gòu)體4的高度Hl應(yīng)小于列方向上的結(jié)構(gòu)體4的高度H2。SP，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體4的高度Hl和H2應(yīng)滿足關(guān)系H1〈H2。這是因?yàn)椋?dāng)結(jié)構(gòu)體4配置成滿足關(guān)系Hl 3H2時(shí)，需要在軌道延伸方向上延長排列間距Pl，并且軌道延伸方向上的結(jié)構(gòu)體4的填充率減小。如上所述，當(dāng)填充率減小時(shí)，光學(xué)調(diào)節(jié)功能劣化。此外，結(jié)構(gòu)體4的縱橫比不限于它們均相同的情況，并且可設(shè)置成各個(gè)結(jié)構(gòu)體4具有規(guī)則的高度分布。通過提供具有高度分布的結(jié)構(gòu)體4，能夠減小光學(xué)調(diào)節(jié)功能的波長依賴性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)調(diào)節(jié)功能良好的透明導(dǎo)電元件I。在本文中，高度分布表示在基體3的表面上設(shè)置具有兩個(gè)以上不同高度的結(jié)構(gòu)體 4。例如，可以在基體3的表面上設(shè)置具有基準(zhǔn)高度的結(jié)構(gòu)體4以及其高度與結(jié)構(gòu)體4的基準(zhǔn)高度不同的結(jié)構(gòu)體4。在這種情況下，例如，在基體3的表面上周期性或非周期性地(隨機(jī)地)設(shè)置其高度與基準(zhǔn)不同的結(jié)構(gòu)體4。周期性的方向的實(shí)例包括軌道延伸方向、列方向
坐寸o結(jié)構(gòu)體4的平均排列間距Pm、平均高度Hm以及縱橫比(平均高度或平均深度Hm/平均排列間距Pm)分別與波面Sw的平均波長Am、振蕩的平均振幅Am以及比率(振蕩的平均振幅Am/平均波長X m)相同。優(yōu)選地，假設(shè)同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體4的排列間距為Pl并且兩個(gè)相鄰的軌道間的結(jié)構(gòu)體4的排列間距為P2，P1/P2的比率應(yīng)滿足關(guān)系1.00 ( P1/P2彡I. I或1.00〈P1/P2 ( I. I。通過設(shè)置這種數(shù)值范圍，能夠提高具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體4的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。平坦部分的面積S2與波面Sw的面積SI之間的比率Rs ( (S2/S1) X 100)范圍優(yōu)選地為0%以上且50%以下，更優(yōu)選地為0%以上且45%以下，并且進(jìn)一步更優(yōu)選地為0%以上且30%以下。通過將該面積比Rs設(shè)為50%以下，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本文中，平坦部分的面積S2與波面Sw的面積S I之間的比率Rs( (S2/S1) X100)為通過以下方式獲得的值。首先，從頂部看，使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝透明導(dǎo)電元件I的表面。隨后，通過所拍攝的SEM圖片，隨機(jī)選擇單位點(diǎn)陣Uc，并且測(cè)量單位點(diǎn)陣Uc的排列間距Pl和軌道間距Tp (參考圖3B)。而且，通過圖像處理，測(cè)量位于單位點(diǎn)陣Uc處的結(jié)構(gòu)體4的底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)。接下來，通過使用所測(cè)量的排列間距P1、軌道間距Tp以及底面的面積S(結(jié)構(gòu)體)，通過以下表達(dá)式計(jì)算出比率R。比率R= [ (S (點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100單位點(diǎn)陣面積S (點(diǎn)陣)=Pl X 2Tp單位點(diǎn)陣內(nèi)存在的結(jié)構(gòu)體的底面面積S(結(jié)構(gòu)體)=2S在單位點(diǎn)陣Uc上在從所拍攝的SEM圖片中隨機(jī)選擇的10個(gè)位置處，進(jìn)行上述比率R的計(jì)算處理。然后，通過簡單平均(算術(shù)平均)所測(cè)量的值，計(jì)算這些比率R的平均比率，并且將平均比率稱為比率Rs。對(duì)于結(jié)構(gòu)體4重疊時(shí)或突起部4等亞結(jié)構(gòu)體存在于結(jié)構(gòu)體4之間時(shí)的填充率而言，通過將與結(jié)構(gòu)體4高度的5%高度相應(yīng)的部分設(shè)為閾值來確定面積比，通過該方法來計(jì)算比率Rs。圖4是示出了結(jié)構(gòu)體4的邊界不清晰時(shí)計(jì)算比率Rs的方法的示圖。在結(jié)構(gòu)體4的邊界不清晰時(shí)，如圖4中所示，通過截面SEM觀察，將與結(jié)構(gòu)體4的高度h的5% ( = (d/h) X 100)相應(yīng)的部分設(shè)為閾值，并且結(jié)構(gòu)體4的徑長由高度d進(jìn)行換算，從而獲得比率Rs。當(dāng)每個(gè)結(jié)構(gòu)體4的底面為橢圓形時(shí)，對(duì)長軸和短軸進(jìn)行相同的處理。優(yōu)選地，應(yīng)連接結(jié)構(gòu)體4，使得它們的下部彼此重疊。具體而言，優(yōu)選部分或整個(gè)結(jié)構(gòu)體4的下部應(yīng)彼此重疊，并且優(yōu)選下部應(yīng)在軌道方向、0方向或這兩個(gè)方向上彼此重疊。如上所述，通過將結(jié)構(gòu)體4的下部彼此重疊，能夠提高結(jié)構(gòu)體4的填充率。優(yōu)選地，在考慮折射率的光路長度的使用環(huán)境下，這些結(jié)構(gòu)體應(yīng)在與光的波長帶的最大值的1/4以下相應(yīng)的部分彼此重疊。這是因?yàn)?，這樣能夠獲得良好的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。徑長2r與排列間距Pl的比率((2r/Pl) X 100)范圍優(yōu)選地為85%以上，更優(yōu)選地為90%以上，進(jìn)一步更優(yōu)選地為95%以上。通過設(shè)定這種范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體4的填充率， 并且能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。將比率((2r/Pl) X 100)設(shè)為較大并且結(jié)構(gòu)體4的重疊部分過大時(shí)，光學(xué)調(diào)節(jié)功能容易劣化。因此，優(yōu)選將比率((2r/Pl)X100)的上限設(shè)置為使得在考慮折射率的光路長度的使用環(huán)境下，這些結(jié)構(gòu)體在與光的波長帶的最大值的1/4以下相應(yīng)的部分彼此結(jié)合。在本文中，如圖3B中所示，排列間距Pl為軌道方向上的結(jié)構(gòu)體4的排列間距，并且如圖3B中所示，徑長2r為軌道方向上的結(jié)構(gòu)體底面的徑長。此外，當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為圓形時(shí)，徑長2r為直徑，并且結(jié)構(gòu)體底面為橢圓形時(shí)，徑長2r為長軸的長度。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4形成準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案時(shí)，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體底面的橢圓形e應(yīng)為100%〈e〈150%以下。通過設(shè)定該范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且能夠獲得良好的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。(透明導(dǎo)電層)圖5A是示出了透明導(dǎo)電層的表面形狀的實(shí)例的放大截面圖。透明導(dǎo)電層6具有彼此同步的第一波面Swl和第二波面Sw2。優(yōu)選第一波面Swl和第二波面Sw2之間的振蕩的平均振幅應(yīng)不同。優(yōu)選第一波面Swl的振蕩的平均振幅Al應(yīng)比第二波面Sw2的振蕩的平均振幅A2小。在一個(gè)方向上切割以包括振蕩的振幅最大化的位置的第一波面Swl或第二波面Sw2的截面形狀的實(shí)例包括三角波形、正弦波形、二次曲線或二次曲線的一部分重復(fù)的形狀、與其接近的形狀等。二次曲線的實(shí)例包括圓、橢圓和拋物線。透明導(dǎo)電層6例如為有機(jī)透明導(dǎo)電層或無機(jī)透明導(dǎo)電層。優(yōu)選有機(jī)透明導(dǎo)電層應(yīng)主要由導(dǎo)電高分子或碳納米管構(gòu)成。導(dǎo)電高分子材料，如聚噻吩類、聚苯胺類以及聚吡咯類可用作導(dǎo)電高分子，并且優(yōu)選使用聚噻吩類的導(dǎo)電高分子材料。作為聚噻吩類的導(dǎo)電高分子材料，優(yōu)選使用PED0T/PSS類材料，其中，將PSS (聚苯乙烯磺酸)摻雜到PEDOT (聚乙烯二氧噻吩)中。優(yōu)選無機(jī)透明導(dǎo)電層應(yīng)主要由透明氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。例如，二元化合物(例如SnO2, InO2, ZnO以及CdO)和包括作為二元化合物的構(gòu)成元素的Sn、In、Zn以及Cd中的至少一種元素的三元化合物、或多元類(復(fù)合)氧化物可用作透明氧化物半導(dǎo)體。透明氧化物半導(dǎo)體的具體實(shí)例包括銦錫氧化物(IT0)、氧化鋅(ZnO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO(Al2O3, ZnO))、SZ0、氟摻雜氧化錫(FT0)、氧化錫(Sn02)、鎵摻雜氧化鋅(GZ0)、銦鋅氧化物(IZ0(In203，ZnO))等。特別地，從可靠性高以及電阻率低的角度來看，優(yōu)選銦錫氧化物(IT0)。優(yōu)選構(gòu)成無機(jī)透明導(dǎo)電層的材料應(yīng)處于非晶和多晶之間的混合物的狀態(tài)。
從生產(chǎn)率的角度來看，優(yōu)選構(gòu)成透明導(dǎo)電層6的材料應(yīng)主要由選自由導(dǎo)電高分子、金屬納米顆粒以及碳納米管構(gòu)成的組中的至少一種構(gòu)成。通過將這種材料用作主要成分，能夠通過濕法涂覆，容易地形成透明導(dǎo)電層6，而無需使用昂貴的真空設(shè)備等。圖5B是示出了透明導(dǎo)電層的膜厚的放大截面圖。如圖5B中所示，假設(shè)結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的膜厚為D1，結(jié)構(gòu)體4的斜面上的透明導(dǎo)電層6的膜厚為D2，并且結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的膜厚為D3，那么膜厚Dl、D2和D3優(yōu)選地滿足關(guān)系D1>D3，更優(yōu)選地滿足關(guān)系D1>D3>D2。結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的膜厚D3與結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的膜厚Dl之間的比率(D3/D1)的范圍優(yōu)選地為0. 8以下，更優(yōu)選地為0. 7以下。與將該比率(D3/D1)設(shè)為I的情況相比，通過將該比率(D3/D1)設(shè)為0. 8以下，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。因此，能夠減小形成透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1和未形成透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域民之間的反射率差A(yù)R。S卩，能夠防止具有規(guī)定圖案的透明導(dǎo)電層6可見。此外，結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的膜厚D1、結(jié)構(gòu)體4的斜面上的透明導(dǎo)電層6的膜厚D2、以及結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的膜厚D3，分別與波面Sw最高的位置處的透明導(dǎo)電層6的膜厚D1、波面Sw的斜面上的透明導(dǎo)電層6的膜厚D2、以及波面Sw最低的位 置處的透明導(dǎo)電層6的膜厚D3相同。結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的膜厚Dl的范圍優(yōu)選地為IOOnm以下，更優(yōu)選地為IOnm以上且IOOnm以下，進(jìn)一步更優(yōu)選地為IOnm以上且80nm以下。如果該厚度大于10nm，那么可視性容易劣化。相反，如果該厚度小于10nm，那么電特性容易劣化。按照以下方式獲得透明導(dǎo)電層6的上述膜厚D1、D2以及D3。首先，在軌道延伸方向上切割透明導(dǎo)電元件1，以包括結(jié)構(gòu)體4的頂部，從而通過TEM拍攝其截面。接下來，通過所拍攝的TEM圖片，測(cè)量在結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的膜厚D1。隨后，測(cè)量結(jié)構(gòu)體4的斜面上的位置中在結(jié)構(gòu)體4的一半高度(H/2)的位置處的膜厚D2。然后，測(cè)量在結(jié)構(gòu)體之間的凹部上的位置中凹部的深度最大的位置處的膜厚D3。此外，能夠基于這樣獲得透明導(dǎo)電層的膜厚DI、D2以及D3，檢查透明導(dǎo)電層6的膜厚Dl、D2以及D3是否具有上述關(guān)系。透明導(dǎo)電層6的表面電阻的范圍優(yōu)選地為50 Q / □以上且4000 Q / □以下，更優(yōu)選地為50Q/ □以上且500Q/ □以下。這是因?yàn)?，通過將表面電阻設(shè)置在這些范圍內(nèi)，透明導(dǎo)電元件I可用作電容式觸摸面板的上部電極或下部電極。在本文中，通過四點(diǎn)探針法(JIS K 7194)獲得透明導(dǎo)電層6的表面電阻。透明導(dǎo)電層6的比電阻優(yōu)選應(yīng)為I X IO^3 Q .cm以下。這是因?yàn)?，如果比電阻?X10_3Q cm以下，那么能夠?qū)崿F(xiàn)上述表面電阻范圍。(粘合層)粘合層8可使用例如丙烯酸類、橡膠類、硅類等粘合劑。從透明性的角度來看，優(yōu)選丙烯酸類的粘合劑。[輥型主模的構(gòu)造]圖6A是示出了輥型主模的構(gòu)造實(shí)例的透視圖。圖6B是以放大的方式示出的圖6A中所示的輥型主模的一部分的俯視平面圖。圖6C是圖6B的軌道T1、T3…的截面圖。輥型主模11是制造具有上述構(gòu)造的透明導(dǎo)電元件I的主模，并且更具體地為用于在上述基體表面上模制多個(gè)結(jié)構(gòu)體4的主模。輥型主模11具有例如圓柱形或圓筒形，該圓柱形表面或圓筒形表面用作在基體表面上模制多個(gè)結(jié)構(gòu)體4的模制表面。將多個(gè)結(jié)構(gòu)體12 二維配置在模制表面上。每個(gè)結(jié)構(gòu)體12在模制表面上具有例如凹形。例如，玻璃可用作輥型主模11的材料，但是該材料不限于此。配置在輥型主模11的模制表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體12以及配置在基體3的上述表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體4具有相反的凹凸關(guān)系。即，輥型主模11的結(jié)構(gòu)體12的形狀、排列、排列間距等與基體3上的結(jié)構(gòu)體4相同。[曝光設(shè)備的構(gòu)造]圖7是示出了用于將輥型主模盤曝光的設(shè)備的構(gòu)造實(shí)例的示意圖。用于曝光輥型主模盤的設(shè)備通過使用于記錄光盤的設(shè)備作為基底而形成。
激光源21為光源，用于將作為記錄介質(zhì)的輥型主模11的表面上涂覆的抗蝕劑曝光，并且產(chǎn)生用于使用例如266nm的波長\進(jìn)行記錄的激光14。從激光源21出射的激光14作為平行光束以直線傳播，并且入射到電光元件(E0M :電光調(diào)制器)22上。透過電光元 件22的激光14由鏡23反射，并且被導(dǎo)至調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。鏡23形成為偏振光束分離器,從而具有反射在一個(gè)方向上的偏振光分量并且透射在另一個(gè)方向上的偏振光分量的功能。透過鏡23的偏振光分量由光電二極管24接收，并且基于所接收的光信號(hào)，控制電光元件22，從而對(duì)激光14進(jìn)行相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25內(nèi)，通過聚光透鏡26將激光14集中在玻璃(SiO2)等制成的聲光元件(A0M :聲光調(diào)制器)27上。激光14由聲光元件27強(qiáng)度調(diào)制和發(fā)散，并且通過透鏡28轉(zhuǎn)換成平行的光束。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25出射的激光14由鏡31反射，并且水平地且平行地導(dǎo)向可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32?？梢苿?dòng)光學(xué)臺(tái)32具有擴(kuò)束器33和物鏡34。被導(dǎo)入可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光14通過擴(kuò)束器33形成為所需要的光束形狀，然后，通過物鏡34照射在輥型主模11上的抗蝕層。輥型主模11位于轉(zhuǎn)盤36上，該轉(zhuǎn)盤連接到主軸電機(jī)35。然后，使用激光14間歇地照射抗蝕層，同時(shí)旋轉(zhuǎn)輥型主模11并且在輥型主模11的高度方向上移動(dòng)激光14，進(jìn)行曝光抗蝕層的工序。所形成的潛像為大致橢圓形，具有在圓周方向的長軸。激光14通過可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32在箭頭R方向上的移動(dòng)而移動(dòng)。曝光設(shè)備具有控制機(jī)構(gòu)37，以在抗蝕層上形成對(duì)應(yīng)于圖3B中所示的六方點(diǎn)陣或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣的二維圖案的潛像?？刂茩C(jī)構(gòu)37具有格式器29和驅(qū)動(dòng)器30。格式器29具有極性反轉(zhuǎn)部，并且控制使用激光14照射抗蝕層的定時(shí)。驅(qū)動(dòng)器30接收極性反轉(zhuǎn)部的輸出，并且控制聲光元件27。在用于將輥型主模盤曝光的設(shè)備中，對(duì)于每一個(gè)軌道使極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)語旋轉(zhuǎn)控制器同步，使得空間地連接二維圖案，從而產(chǎn)生信號(hào)并且通過聲光元件27強(qiáng)度調(diào)制該信號(hào)。具有恒定的角速度(CAV)時(shí)，通過以合適的調(diào)制頻率以及以合適的進(jìn)給間距進(jìn)行圖案化，能夠記錄六方點(diǎn)陣或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案。[制造透明導(dǎo)電元件的方法]接下來，將參考圖8A到9D，描述制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I的方法。(抗蝕膜形成工序)首先，如圖8A中所示，提供圓柱形或圓筒形的輥型主模11。輥型主模11例如為玻璃主模。接下來，如圖8B中所示，在輥型主模11的表面上形成抗蝕層13。例如，可將有機(jī)抗蝕劑和無機(jī)抗蝕劑中的任一種用作抗蝕層13的材料。例如，可將酚醛類抗蝕劑或化學(xué)增幅抗蝕劑用作有機(jī)抗蝕劑。而且，例如，可將包括一種或兩種以上的金屬化合物用作無機(jī)抗蝕劑。(曝光工序)接下來，如圖SC中所示，在抗蝕層13上照射激光(曝光光束)14，該抗蝕層形成在輥型主模11的表面上。具體而言，位于用于將圖7中所示的輥型主盤曝光的設(shè)備的轉(zhuǎn)盤36上的輥型主模11旋轉(zhuǎn)，并且激光(曝光光束)14照射在抗蝕層13上。此時(shí)，通過間歇地照射激光14，同時(shí)在輥型主模11的高度方向(與圓柱形或圓筒形輥型主模11的中心軸平行的方向)上移動(dòng)激光14，在整個(gè)表面上將抗蝕層13曝光。因此，在抗蝕層13的整個(gè)表面上以大致等于例如可見光波長的間距形成與激光14的軌跡相對(duì)應(yīng)的潛像15。潛像15例如設(shè)置成在輥型主模表面上形成多列軌道，并且形成六方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案。潛像15具有例如橢圓形，其長軸方向?yàn)檐壍姥由旆较颉?(顯影工序)接下來，例如，通過在抗蝕層13上滴加顯影液，同時(shí)旋轉(zhuǎn)輥型主模11，從而對(duì)抗蝕層13進(jìn)行顯影處理。從而，如圖8D所示，在抗蝕層13上形成多個(gè)開口部。當(dāng)抗蝕層13由正型抗蝕劑形成時(shí)，由激光14曝光的部分中顯影液的溶解速率要高于未曝光部分中顯影液的溶解速率。因此，如圖8D中所示，在抗蝕層13上形成與潛像(曝光部分)16對(duì)應(yīng)的圖案。開口部的圖案例如為規(guī)定的點(diǎn)陣圖案，例如六方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案。(蝕刻工序)接下來，將輥型主模11上形成的抗蝕層13的圖案(蝕刻圖案)用作掩模，對(duì)輥型主模11的表面進(jìn)行蝕刻處理。因此，如圖9A中所示，能夠獲得凹部(即結(jié)構(gòu)體12)，每個(gè)凹部具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形，其長軸方向?yàn)檐壍姥由旆较颉Ｗ鳛槲g刻，例如，可使用干法蝕刻或濕法蝕刻。此時(shí)，通過交替地進(jìn)行蝕刻工序和灰化工序，能夠形成結(jié)構(gòu)體12的圖案，每個(gè)結(jié)構(gòu)體均具有例如錐形。如上所述，能夠獲得所需要的輥型主模11。(轉(zhuǎn)印工序)接下來，如圖9B中所示，使輥型主模11與轉(zhuǎn)印材料16緊密接觸，基體3涂覆有這種轉(zhuǎn)印材料，隨后，從能量射線源17將諸如紫外線的能量射線照射在轉(zhuǎn)印材料16上，從而固化轉(zhuǎn)印材料16，然后，與固化的轉(zhuǎn)印材料16 —體化的基體3從其中脫落。從而，如圖9C中所示，制造了光學(xué)層2，該光學(xué)層在基體表面上設(shè)置有多個(gè)結(jié)構(gòu)體4。只要能夠發(fā)射電子束、紫外線、紅外線、激光束、可見光線、電離輻射(X射線、a射線、P射線、Y射線等)、微波或高頻波等能量射線，那么能量射線源17沒有特別限制。優(yōu)選將能量射線固化樹脂組合物用作轉(zhuǎn)印材料16。優(yōu)選將紫外線固化樹脂組合物用作能量射線固化樹脂組合物。根據(jù)需要，能量射線固化樹脂組合物可包括填料或功能性添加劑。紫外線固化樹脂組合物包括例如丙烯酸酯和引發(fā)劑。紫外線固化樹脂組合物包括例如單官能單體、雙官能單體、多官能單體等，并且是下面所示的一種材料或者多種材料的混合物。
單官能單體的實(shí)例包括羧酸類(丙烯酸)；羥基類(2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯)；烷基、脂環(huán)族類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環(huán)己酯)；其他官能單體(2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、聯(lián)苯酰丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N- 二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥基丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2_(2，4，6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、2_乙基己基丙烯酸酯等。雙官能單體的實(shí)例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、尿烷丙烯酸酯等。多官能單體的實(shí)例包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二(三羥甲基)丙烷四丙烯酸酯等。 引發(fā)劑的實(shí)例包括2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯基乙烷-I-酮、I-羥基-環(huán)己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-I-苯基丙烷-I-酮等。作為填料，可使用無機(jī)微粒和有機(jī)微粒中的任何一種。無機(jī)微粒的實(shí)例包括金屬氧化物的微粒，諸如SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2或Al2O3。功能性添加劑的實(shí)例包括均化劑、表面調(diào)節(jié)劑、除泡劑等?；w3的材料的實(shí)例包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二醋酸纖維素、三醋酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚醚酮、聚氨酯、玻璃等。模制基體3的方法沒有特別限制，并且可采用注射成型、擠出成型以及鑄造成型。根據(jù)需要，對(duì)基體表面進(jìn)行表面處理，如電暈處理。(形成透明導(dǎo)電層的工序)接下來，如圖9D中所示，在光學(xué)層2的波面Sw上形成透明導(dǎo)電層6，在該光學(xué)層上形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體4。在形成透明導(dǎo)電層6時(shí)，在將光學(xué)層2加熱的同時(shí)進(jìn)行膜形成。以下方法可用作形成透明導(dǎo)電層6的方法，例如CVD方法(化學(xué)氣相沉積通過使用化學(xué)反應(yīng)，從氣相沉淀薄膜的技術(shù))，如熱CVD和等離子體CVD以及光學(xué)CVD ；以及PVD方法(物理氣相沉積在真空中，在基板上凝聚物理氣化材料，從而形成薄膜的技術(shù))，例如真空沉積、等離子體輔助沉積、濺射以及離子鍍。接下來，根據(jù)需要，對(duì)透明導(dǎo)電層6進(jìn)行退火處理。因此，透明導(dǎo)電層6實(shí)現(xiàn)例如肖_晶和多晶間的混合狀態(tài)。(將透明導(dǎo)電層圖案化的工序)接下來，例如，通過光蝕刻，將透明導(dǎo)電層6圖案化，從而形成具有規(guī)定圖案的透明導(dǎo)電層6。以上述方式，能夠獲得所需要的透明導(dǎo)電元件I?！?.第二實(shí)施方式〉[透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造]圖IOA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖。圖IOB是以放大的方式示出了圖IOA中所示的光學(xué)層表面的一部分的俯視平面圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I與根據(jù)第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的不同之處在于，多個(gè)結(jié)構(gòu)體4在三列相鄰的軌道T間形成四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案。在本文中，四方點(diǎn)陣為具有正方形的點(diǎn)陣。準(zhǔn)四方點(diǎn)陣與具有正方形的點(diǎn)陣不同，并且被定義為具有變形的正方形的點(diǎn)陣。例如，在結(jié)構(gòu)體4直線配置時(shí)，準(zhǔn)四方點(diǎn)陣被定義為通過在線性排列方向(軌道方向)上拉伸具有正方形的點(diǎn)陣而變形的四方點(diǎn)陣。當(dāng)以蜿蜒方式配置結(jié)構(gòu)體4時(shí)，準(zhǔn)四方點(diǎn)陣被定義為通過結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列而變形的四方點(diǎn)陣?？蛇x地，準(zhǔn)四方點(diǎn)陣被定義為通過在線性排列方向(軌道方向)上拉伸具有正方形的點(diǎn)陣而變形、并且通過結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列而變形的四方點(diǎn)陣。優(yōu)選同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體4的排列間距Pl應(yīng)比彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體4的排列間距P2長。而且，優(yōu)選地，假設(shè)同一軌道內(nèi)的結(jié)構(gòu)體4的排列間距為P1，并且彼此相鄰的兩個(gè)軌道間的結(jié)構(gòu)體4的排列間距為P2，那么比率P1/P2應(yīng)滿足關(guān)系I. 4<P1/P2 ( I. 5。通過設(shè)定這種數(shù)值范圍，能夠提高橢圓錐體形或橢圓錐臺(tái)形的結(jié)構(gòu)體4的填充率。因此，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。而且，優(yōu)選在相對(duì)于軌道構(gòu)成45度的方向或者大約45 度的方向上的結(jié)構(gòu)體4的高度或深度應(yīng)小于軌道延伸方向上的結(jié)構(gòu)體4的高度或深度。優(yōu)選在與軌道延伸方向傾斜的排列方向(0方向)上的結(jié)構(gòu)體4的高度H2應(yīng)小于軌道延伸方向上的結(jié)構(gòu)體4的高度Hl。即，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體4的高度Hl和H2應(yīng)滿足關(guān)系H1>H2。結(jié)構(gòu)體4形成四方點(diǎn)陣或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案時(shí)，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e應(yīng)為150%〈e〈180%。通過設(shè)置該范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且能夠獲得良好的光學(xué)調(diào)節(jié)功能。平坦部分的面積S2與波面Sw的面積SI之間的比率Rs ( (S2/S1) X 100)的范圍優(yōu)選地為0%以上且50%以下，更優(yōu)選地為0%以上且45%以下，并且進(jìn)一步更優(yōu)選地為0%以上且30%以下。通過將該面積比Rs設(shè)為50%以下，能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本文中，平坦部分的面積S2與波面Sw的面積SI之間的比率Rs( (S2/S1) X 100)為通過以下方式獲得的值。首先，從頂部觀看，使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝透明導(dǎo)電元件I的表面。隨后，通過所拍攝的SEM圖片，隨機(jī)選擇單位點(diǎn)陣Uc，并且測(cè)量單位點(diǎn)陣Uc的排列間距Pl和軌道間距Tp (參考圖10B)。而且，通過圖像處理，測(cè)量單位點(diǎn)陣Uc內(nèi)所包括的四個(gè)結(jié)構(gòu)體4中的任一個(gè)結(jié)構(gòu)體的底面的面積S(結(jié)構(gòu)體)。接下來，通過使用所測(cè)量的排列間距P1、軌道間距Tp以及底面的面積S(結(jié)構(gòu)體)，通過以下表達(dá)式計(jì)算比率R。比率R= [ (S (點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100單位點(diǎn)陣面積S(點(diǎn)陣)=2X((PlXTp) X (1/2)) =Pl XTp單位點(diǎn)陣中存在的結(jié)構(gòu)體的底面的面積S(結(jié)構(gòu)體)=S在從所拍攝的SEM圖片中隨機(jī)選擇的10個(gè)位置處對(duì)單位點(diǎn)陣Uc進(jìn)行上述比率R的計(jì)算處理。然后，通過簡單平均(算術(shù)平均)所測(cè)量的值，計(jì)算比率R的平均比率，并且將該平均比率稱為比率Rs。徑長2r與排列間距Pl的比率((2r/Pl) X 100)為64%以上，優(yōu)選地為69%以上，更優(yōu)選地為73%以上。通過設(shè)定這種范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且能夠提高光學(xué)調(diào)節(jié)功能。在本文中，排列間距Pl為軌道方向上的結(jié)構(gòu)體4的排列間距，并且徑長2r為軌道方向上的結(jié)構(gòu)體底面的徑長。此外，當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為圓形時(shí)，徑長2r為直徑，并且當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為橢圓形時(shí)，半徑2r為長軸的長度。根據(jù)第二實(shí)施方式，能夠獲得與第一實(shí)施方式相同的效果。<3.第三實(shí)施方式>圖IlA是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖IlB是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的實(shí)例的俯視平面圖。圖IlC是以放大的方式示出了圖IlB中所示的光學(xué)層表面的一部分的俯視平面圖。根據(jù)第三實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I與第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的不同之處在于，多個(gè)結(jié)構(gòu)體4以二維陣列隨機(jī)地(不規(guī)則地)配置。而且，可進(jìn)一步隨機(jī)地改變結(jié)構(gòu)體21的形狀、尺寸和高度中的至少一個(gè)。
除了上述差異以外，第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相同。制造透明導(dǎo)電元件I的主?？墒褂美鐚X類材料的表面進(jìn)行陽極氧化的方法，但不限于該方法。在第三實(shí)施方式中，多個(gè)結(jié)構(gòu)體4以二維陣列隨機(jī)地配置，從而能夠抑制外觀上發(fā)生不均勻?！?.第四實(shí)施方式〉圖12A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖12B是以放大的方式示出了圖12A中所示的光學(xué)層表面的一部分的放大截面圖。圖12C是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的另一實(shí)例的截面圖。圖12D是以放大的方式示出了圖12C中所示的光學(xué)層表面的一部分的放大截面圖。如圖12A和圖12B中所示，根據(jù)第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I與第一實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件的不同之處在于，透明導(dǎo)電層6通過光學(xué)層(第一光學(xué)層)2的大致整個(gè)波面Sw連續(xù)地形成。而且，根據(jù)需要，如圖12C和圖12D中所示，通過進(jìn)一步提供形成在透明導(dǎo)電層6上的光學(xué)層(第二光學(xué)層)7，將透明導(dǎo)電層6的兩個(gè)主表面配置成分別由光學(xué)層2和光學(xué)層7覆蓋。此外，可反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)體4的凹凸方向。除了上述差異以外，第四實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相同。<5.第五實(shí)施方式>圖13A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。如圖13A中所示，信息輸入裝置101設(shè)置于顯示裝置102的顯示屏上。例如，信息輸入裝置101通過粘合層111接合到顯示裝置102的顯示屏。使用信息輸入裝置101的顯示裝置102沒有特別限制。然而，顯示裝置的實(shí)例包括各種顯示裝置，例如液晶顯示器、CRT (陰極射線管)顯示器、等離子體顯示器(等離子顯示板PDP)、電致發(fā)光(EL)顯示器以及表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器(SED)。信息輸入裝置101為所謂的投影電容式觸摸面板，并且包括第一透明導(dǎo)電元件1:、設(shè)置于第一透明導(dǎo)電元件I1上的第二透明導(dǎo)電元件I2、以及設(shè)置于第二透明導(dǎo)電元件12上的光學(xué)層7。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2通過粘合層112彼此接合，從而使得第一透明導(dǎo)電元件I1在透明導(dǎo)電層側(cè)的表面與第二透明導(dǎo)電元件I2在基體3側(cè)的表面相對(duì)。通過粘合層8將基體3接合到第二透明導(dǎo)電元件I2在透明導(dǎo)電層8側(cè)的表面，從而形成光學(xué)層7。圖13B是以放大的方式示出了圖13A中所示的區(qū)域A1和區(qū)域A2的放大截面圖。圖14A是以進(jìn)一步放大的方式示出圖13A中所示的區(qū)域A1的放大截面圖。圖14B示以進(jìn)一步放大的方式示出圖13A中所示的區(qū)域A2的放大截面圖。如圖13B中所示，優(yōu)選地，在信息輸入裝置101的厚度方向上，第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62應(yīng)設(shè)置為彼此不重疊。即，優(yōu)選地，在信息輸入裝置101的厚度方向上，第一透明導(dǎo)電元件I1的第一區(qū)域R1和第二透明導(dǎo)電元件I2的第二區(qū)域R2應(yīng)彼此重疊。此外，優(yōu)選地，在信息輸入裝置101的厚度方向上，第二透明導(dǎo)電元件I1的第二區(qū)域R2和第二透明導(dǎo)電元件I2的第一區(qū)域R1應(yīng)彼此重疊。這 樣，能夠減小由重疊造成的第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2之間的透射率差異。此外，在圖13A和圖13B中，作為實(shí)例，示出了以下情況第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的方向被設(shè)置為使得第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62形成為輸入表面?zhèn)?。然而，第一透明?dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的方向沒有特別限制，并且可根據(jù)信息輸入裝置101的設(shè)計(jì)而適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。如圖14A中所示，在區(qū)域么工內(nèi)，在第一透明導(dǎo)電元件I1的波面Sw上未形成透明導(dǎo)電層6lt)相反，優(yōu)選應(yīng)在第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上形成透明導(dǎo)電層62。而且，如圖14B中所示，在區(qū)域A2內(nèi)，在第一透明導(dǎo)電元件I1的波面Sw上形成透明導(dǎo)電層6”相反，優(yōu)選應(yīng)在第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上不形成透明導(dǎo)電層62。根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的任一個(gè)透明導(dǎo)電元件I可用作第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件12。即，第一透明導(dǎo)電元件I1的光學(xué)層、基體S1、結(jié)構(gòu)體I、基底層5:以及透明導(dǎo)電層分別與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的一個(gè)元件的光學(xué)層2、基體3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。而且，第二透明導(dǎo)電元件I2的光學(xué)層22、基體32、結(jié)構(gòu)體42、基底層52以及透明導(dǎo)電層62分別與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的一個(gè)元件的光學(xué)層
2、基體3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。圖15A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的分解透視圖。信息輸入裝置101為具有ITO網(wǎng)格(ITO Grid)系統(tǒng)的投影電容式觸摸面板。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如為具有規(guī)定圖案的X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如為具有規(guī)定圖案的Y電極(第二電極)。X電極和Y電極例如彼此正交。圖15B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的第一透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的分解透視圖。此外，由于除了形成由透明導(dǎo)電層62制成的Y電極的方向以外，第二透明導(dǎo)電元件I2與第一透明導(dǎo)電元件I1相同，所以省略了分解透視圖。在光學(xué)層的波面Sw的區(qū)域R1內(nèi)，配置了由透明導(dǎo)電層制成的多個(gè)X電極。在光學(xué)層22的波面Sw的區(qū)域R2內(nèi)，配置了由透明導(dǎo)電層制成的多個(gè)Y電極。通過在X軸方向上重復(fù)連接單位形狀C1，從而形成了在X軸方向上延伸的X電極。通過在Y軸方向上重復(fù)連接單位形狀C2,從而連接了在Y軸方向上延伸的X電極。單位形狀C1和單位形狀C2的實(shí)例包括菱形(鉆石形)、三角形、四邊形等，但是該形狀不限于這些實(shí)例。在第一透明導(dǎo)電元件11和第二透明導(dǎo)電元件I2彼此重疊的狀態(tài)下，第一透明導(dǎo)電元件I1的第一區(qū)域R1和第二透明導(dǎo)電元件I2的第二區(qū)域R2彼此重疊，并且第一透明導(dǎo)電元件I1的第二區(qū)域R2和第二透明導(dǎo)電元件I2的第一區(qū)域R1彼此重疊。因此，在從輸入表面?zhèn)扔^看信息輸入裝置101時(shí)，單位形狀C1和單位形狀C2彼此不重疊，并且配置在一個(gè)主表面的整個(gè)表面上，因此，看上去完全填充了該裝置。<6.第六實(shí)施方式>圖16A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖16B是以放大的方式示出了圖16A中所示的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。信息輸入裝置101為所謂的表面電容式觸摸面板，并且具有透明導(dǎo)電元件I。根據(jù)第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I用作透明導(dǎo)電元件1，并且在透明導(dǎo)電層6上設(shè)置光學(xué)層(第二光學(xué)層)7o除了上述差異以外，第六實(shí)施方式與第五實(shí)施方式相同。
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<7.第七實(shí)施方式>圖17A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖17B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層。圖17C是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成透明導(dǎo)電層并且該波面被露出。如圖17A中所示，信息輸入裝置101為所謂的矩陣膜對(duì)膜觸摸面板，并且包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及粘合劑121。第一透明導(dǎo)電元件I和第二透明導(dǎo)電元件I2配置成與彼此相對(duì)，其中，各個(gè)元件的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相隔預(yù)定的空間，以彼此相對(duì)。粘合層121設(shè)置在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的周緣部之間，并且通過粘合層121接合第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的相對(duì)表面的周緣部。例如，漿糊、膠帶等用作粘合層121。信息輸入裝置101的兩個(gè)主表面之間的第二透明導(dǎo)電元件I2側(cè)的主表面為觸摸表面(信息輸入表面)，用于輸入信息。優(yōu)選在觸摸表面上進(jìn)一步設(shè)置硬涂層122。這是因?yàn)槟軌蛟黾佑|摸面板50的觸摸表面的耐磨性。如圖17B和圖17C中所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw被配置成以預(yù)定的距離彼此相對(duì)。在作為矩陣膜對(duì)膜觸摸面板的信息輸入裝置101中，具有規(guī)定的圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。因此，在信息輸入裝置101中，存在以下區(qū)域形成有透明導(dǎo)電層的波面Sw與形成有透明導(dǎo)電層62的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖17B);未形成透明導(dǎo)電層并且露出的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖17C)；以及形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖中未示出)。圖18A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的分解透視圖。圖18B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的分解透視圖。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如為帶狀X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如為帶狀Y電極(第二電極)。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2配置成彼此相對(duì)，使得X電極和Y電極彼此相對(duì)并且彼此正交。
除了上述差異以外，第七實(shí)施方式與第五實(shí)施方式相同。〈8.第八實(shí)施方式〉圖19A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖19B是以放大的方式示出了圖19A中所示的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。如圖19A中所示，根據(jù)第八實(shí)施方式的信息輸入裝置101與根據(jù)第七實(shí)施方式的信息輸入裝置101的不同之處在于，將根據(jù)第四實(shí)施方式的透明導(dǎo)電元件I用作第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件12。如圖19B中所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw配置成彼此相對(duì)，并且透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在配置成彼此相對(duì)的波面上。除了上述差異以外，第八實(shí)施方式與第七實(shí)施方式相同。 <9.第九實(shí)施方式>圖20是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。如圖20中所示,根據(jù)第九實(shí)施方式的液晶顯示裝置包括液晶面板(液晶層)131,具有第一主表面和第二主表面；第一偏光鏡132,形成在第一主表面上；第二偏光鏡133,形成在第二主表面上；以及信息輸入裝置101,設(shè)置在液晶面板131和第二偏光鏡133之間。信息輸入裝置101為內(nèi)置液晶顯示觸摸面板(所謂的內(nèi)部觸摸面板)。通過省略光學(xué)層22，可在第二偏光鏡133的表面上直接形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體4。當(dāng)在第二偏光鏡133的表面上設(shè)置諸如TAC (三醋酸纖維素)膜的保護(hù)層時(shí)，優(yōu)選應(yīng)在保護(hù)層上直接形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體4。如上所述，在第二偏光鏡133上形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體4，并且在結(jié)構(gòu)體4上形成透明導(dǎo)電層62，從而能夠進(jìn)一步減小液晶顯示裝置的厚度。(液晶面板)作為液晶面板131，例如，可使用以下顯示方式扭轉(zhuǎn)向列型(TN)模式、超扭轉(zhuǎn)向列型(STN)模式、垂直取向(VA)模式、平面內(nèi)切換(IPS)模式、光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)模式、鐵電液晶(FLC)模式、高分子分散液晶(PDLC)模式、相變賓主(PCGH)模式等。(偏光鏡)第一偏光鏡132和第二偏光鏡133分別通過粘合層134和粘合層136接合到液晶面板131的第一主表面和第二主表面上，以使得這兩個(gè)偏光鏡的透射軸彼此正交。第一偏光鏡132和第二偏光鏡133透過入射線中與其正交的一個(gè)偏光分量,而吸收另一偏光分量，從而遮蔽該分量。作為第一偏光鏡132和第二偏光鏡133,例如可使用在基于聚乙烯醇(PVA)的膜上沿一個(gè)軸向配置碘復(fù)合物或二色性燃料的偏光鏡。優(yōu)選應(yīng)在第一偏光鏡132和第二偏光鏡133的兩個(gè)表面上設(shè)置諸如三醋酸纖維素(TAC)膜的保護(hù)層。(觸摸面板)可使用根據(jù)第五到第八實(shí)施方式的任何一個(gè)信息輸入裝置101。在第九實(shí)施方式中，將液晶面板135和信息輸入裝置101配置成共用第二偏光鏡133，從而能夠提高光學(xué)特性。<10.第十實(shí)施方式>圖21A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的透視圖。圖21B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層。圖21C是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成透明導(dǎo)電層并且該波面被露出。如圖21A中所示，該信息顯示裝置是無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式(也稱為簡單矩陣驅(qū)動(dòng)模式)的液晶顯示裝置，并且包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及液晶層141。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2被配置成以預(yù)定的距離彼此相對(duì)，以使得各個(gè)元件的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相對(duì)。在配置成彼此相隔預(yù)定的距離的第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2之間，設(shè)置液晶層141。根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的一個(gè)透明導(dǎo)電元件I可用作第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件12。即，第一透明導(dǎo)電兀件I1的光學(xué)層、基體、結(jié)構(gòu)體I、基底層S1以及透明導(dǎo)電層G1分別與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的一個(gè)兀件的光學(xué)層2、基體3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。而且，第二透明導(dǎo)電元件I2的光學(xué)層22、基體32、結(jié)構(gòu)體42、基底層52以及透明導(dǎo)電層62分別與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的一個(gè)元件的光學(xué)層2、基體3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。在本文中，描述將本發(fā)明應(yīng)用于無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式的液晶顯示裝置的實(shí)例。然而，信息顯示裝置不限于該實(shí)例，并且如果信息顯示裝置具有無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式等的規(guī)定的電極圖案，那么本發(fā)明就可應(yīng)用于該信息顯示裝置。例如，本發(fā)明可應(yīng)用于無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式的EL顯示裝置等。 如圖21B和圖21C中所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw配置成以預(yù)定的距離彼此相對(duì)。在無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式的液晶顯示裝置內(nèi)，具有規(guī)定的圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。因此，存在以下區(qū)域形成有透明導(dǎo)電層的波面Sw與形成有透明導(dǎo)電層62的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖21B);未形成透明導(dǎo)電層并且露出的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖21C)；以及形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖中未示出)。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如為帶狀X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如為帶狀Y電極(第二電極)。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2配置成彼此相對(duì)，以使得X電極和Y電極彼此相對(duì)并且彼此正交?！磍l 第^^一實(shí)施方式〉圖22A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖22B是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上形成有透明導(dǎo)電層。圖22C是以放大的方式示出了面向波面的區(qū)域的截面圖，在該波面上未形成透明導(dǎo)電層并且該波面被露出。如圖22A中所示，信息顯示裝置為所謂的微膠囊電泳型電子紙，并且包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及微膠囊層(媒質(zhì)層)151。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2配置成以預(yù)定的距離彼此相對(duì)，以使得各個(gè)元件的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相對(duì)。在配置成彼此相隔預(yù)定的距離的第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2之間，設(shè)置微膠囊層151。而且，根據(jù)需要，第二透明導(dǎo)電元件I2可通過粘合層153 (如粘合劑)接合到支撐體154，如玻璃。在本文中，描述了將本發(fā)明應(yīng)用于微膠囊電泳型電子紙中的實(shí)例。然而，電子紙不限于該實(shí)例，并且如果配置成在彼此相對(duì)配置的導(dǎo)電元件之間設(shè)置媒質(zhì)層，那么本發(fā)明就可應(yīng)用于該實(shí)例中。此處，媒質(zhì)被定義為不僅包括液體和固體，而且包括諸如空氣的氣體。而且，媒質(zhì)可包括諸如膠囊、顏料和微粒的構(gòu)件。本發(fā)明可應(yīng)用的電子紙的實(shí)例除了微膠囊電泳型以外海包括扭轉(zhuǎn)球型、熱可重寫型、色粉顯示型、平面內(nèi)電泳型、電子顆粒型等的電子紙。微膠囊層151包括多個(gè)微膠囊152。例如，透明液體(分散媒質(zhì))封裝在微膠囊內(nèi)，其中黑色顆粒和白色顆粒分布在該透明液體中。根據(jù)作為電子紙的信息顯示裝置的驅(qū)動(dòng)模式，第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層0!和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62形成為規(guī)定的電極圖案形狀。驅(qū)動(dòng)模式的實(shí)例包括簡單的矩陣驅(qū)動(dòng)模式、有源矩陣驅(qū)動(dòng)模式、分段驅(qū)動(dòng)模式等。如圖22B和圖22C中所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw配置成彼此以預(yù)定的距離相對(duì)。在無源矩陣驅(qū)動(dòng)模式的電子紙內(nèi)，具有規(guī)定的圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。因此，存在以下區(qū)域形成有透明導(dǎo)電層的波面Sw與形成有透明導(dǎo)電層62的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖22B);未形成透明導(dǎo)電層并且露出的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層 62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖22C);以及形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與未形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62并且露出的波面Sw相對(duì)的區(qū)域(圖中未示出)。除了上述差異以外，第十一實(shí)施方式與第十實(shí)施方式相同。[實(shí)施例]在后文中，將通過樣本具體描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些樣本。(平均高度Hm、平均排列間距Pm、縱橫比(Hm/Pm))在后文中，以如下方式獲得透明導(dǎo)電片等的結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm、平均排列間距Pm以及縱橫比(Hm/Pm)。首先，切割透明導(dǎo)電片，從而截去這些結(jié)構(gòu)體的頂部，由透射電子顯微鏡(TEM)拍攝其截面。隨后，通過所拍攝的TEM圖片，獲得這些結(jié)構(gòu)體的排列間距P以及這些結(jié)構(gòu)體的高度H。在從透明導(dǎo)電片中隨意選擇的10個(gè)位置重復(fù)進(jìn)行測(cè)量，并且簡單平均(算術(shù)平均)該測(cè)量值，從而獲得平均排列間距Pm以及平均高度Hm。然后，通過使用平均排列間距Pm以及平均高度Hm，計(jì)算縱橫比(Hm/Pm)。此外，這些結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm、平均排列間距Pm以及縱橫比(Hm/Pm)分別對(duì)應(yīng)于波面的振蕩的平均振幅Am、波面的平均波長Am以及比率(Am/λ m)。(ITO膜的膜厚)下文中，以如下方式獲得ITO膜的膜厚。首先，切割透明導(dǎo)電片，從而截去這些結(jié)構(gòu)體的頂部，由透射電子顯微鏡(TEM)拍攝其截面，并且通過所拍攝的TEM圖片，測(cè)量結(jié)構(gòu)體的頂部處的ITO膜的膜厚。(結(jié)構(gòu)體的斜面的平均角度)下文中，以如下方式獲得結(jié)構(gòu)體的斜面的平均角度。首先，切割透明導(dǎo)電片，從而截去這些結(jié)構(gòu)體的頂部，由透射電子顯微鏡(TEM)拍攝其截面。接下來，通過所拍攝的TEM圖片，獲得從底部到頂部的斜面的角度的平均值(單個(gè)結(jié)構(gòu)體的斜面角度的平均值)。在從透明導(dǎo)電片中隨意選擇的10個(gè)位置重復(fù)計(jì)算這些平均值的處理，并且簡單平均(算術(shù)平均)這10個(gè)結(jié)構(gòu)體的斜面角度的平均值，從而獲得結(jié)構(gòu)體的斜面的平均角度。將以如下條目的順序描述樣本1-1到10-5。I.平坦部分的面積比(樣本1-1到1-3)2.色調(diào)(樣本 2-1 到 2-3)3.透明導(dǎo)電層的膜厚比(樣本3-1到3-3)4.縱橫比(樣本4-1到4-4)5.電可靠性(樣本5-1到5-6)6.反射率差A(yù)R (樣本6-1到6-4) 7.結(jié)構(gòu)體形狀(樣本7-1到7-3)8.圖案變形(樣本8-1和8-2)9.耐蝕刻性(樣本9-1到10-5)〈I.平坦部分的面積比〉在樣本1-1到1-3中，通過基于RCWA (嚴(yán)格耦合波分析)的光學(xué)模擬，研究平坦部分的面積比和反射率之間的關(guān)系。(樣本1-1)通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的反射光譜。圖23B中示出了結(jié)果的示圖。在后文中，將描述光學(xué)模擬的條件。(透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造)透明導(dǎo)電元件由以下層壓結(jié)構(gòu)形成。(入射側(cè))基體/結(jié)構(gòu)體/透明導(dǎo)電層/光學(xué)層(出射側(cè))圖23A是示出了配置在基體表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體的俯視平面圖。在圖23A中，圓形表示結(jié)構(gòu)體底面,Uc表示單位點(diǎn)陣,并且;^表示結(jié)構(gòu)體底面的半徑。如圖23A中所示,多個(gè)結(jié)構(gòu)體配置在基體表面上。(基體)折射率n :1.52(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體排列六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)體形狀鐘形結(jié)構(gòu)體底面圓形排列間距(波長λ ) P 250nm結(jié)構(gòu)體高度(振幅A) H 150nm縱橫比(Η/Ρ):0·6單位點(diǎn)陣Uc的面積S (點(diǎn)陣)2X 2 V 3結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 9結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X rs2=2 X π X0. 92平坦部分的面積比Rs [ (S (點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100=26. 54%(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的折射率n :2. O
透明導(dǎo)電層的厚度t 60到75nm結(jié)構(gòu)體的頂部處透明導(dǎo)電層的厚度Dl 75nm結(jié)構(gòu)體之間透明導(dǎo)電層的厚度D3 60nm膜厚比D3/D1:0.8(光學(xué)層)折射率n :L 52(入射光)偏光無偏光 入射角5度(相對(duì)于透明導(dǎo)電元件的法線)(樣本1-2)除了以下條件的改變以外，與樣本1-1 一樣，通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的反射光譜。圖23B中示出了這些結(jié)果的示圖。(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 8結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X rs2=2 X π X0. 82平坦部分的面積比[(S (點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100=41. 96%(樣本1-3)除了以下條件的改變以外，與樣本1-1 一樣，通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的反射光譜。圖23B中示出了這些結(jié)果的示圖。(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 7結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X rs2=2 X π X0. 72平坦部分的面積比[(S(點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100=55. 56%從圖23B中，可看出以下方面。通過將透明導(dǎo)電元件的表面上的平坦部分的面積比設(shè)為50%以下，能夠?qū)⒐夥瓷渎?波長為550nm時(shí)的反射率)設(shè)為2%以下。通過將光反射率設(shè)為2%以下，能夠提高可視性。此外，當(dāng)如下設(shè)置結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs、結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)以及平坦部分的面積比Rs時(shí)，與樣本1-1相比，能夠進(jìn)一步減小反射率。結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs :1. O結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X rs2=2 X π X I. O2平坦部分的面積比Rs [(S(點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100=9. 31%<2.色調(diào) >關(guān)于樣本2-1到2-3，通過實(shí)際制造透明導(dǎo)電片，來研究色調(diào)。(樣本2-1)首先，提供玻璃輥型主模，其外徑為126mm，并且以如下方式在玻璃輥型主模的表面上形成抗蝕層。即，使用稀釋劑將光致抗蝕劑稀釋到1/10，并且以浸潰方法在玻璃輥型主模的圓柱表面上涂覆稀釋過的抗蝕劑，以具有大約70nm的厚度，從而形成抗蝕層。接下來，將玻璃輥型主模作為記錄介質(zhì)輸送給圖7中所示的曝光輥型主模盤的設(shè)備，并且將抗蝕層曝光。在抗蝕層上圖案化潛像，潛像連續(xù)地形成為一個(gè)螺旋形并且在三列相鄰軌道間形成六方點(diǎn)陣圖案。具體而言，使用激光照射作為形成具有六方點(diǎn)陣形狀的曝光圖案的目標(biāo)的區(qū)域，該激光的功率為O. 50mff/m,以便一直曝光到玻璃棍型主模表面,從而形成具有六方點(diǎn)陣形狀的曝光圖案。此外，軌道線的列方向上的抗蝕層的厚度大約為60nm，并且軌道延伸方向上的抗蝕劑厚度大約為50nm。隨后，對(duì)玻璃輥型主模上的抗蝕層進(jìn)行顯影處理，從而溶解與曝光部分相應(yīng)的抗蝕層，從而進(jìn)行顯影。具體而言，未顯影的玻璃輥型主模位于未示出的顯影機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，并且將顯影液滴至玻璃輥型主模的表面上，同時(shí)模具與轉(zhuǎn)盤一起旋轉(zhuǎn)，從而將表面上的抗蝕層顯影。因此，能夠獲得抗蝕玻璃主模，其抗蝕層以六方點(diǎn)陣圖案開口。接下來，使用輥型蝕刻裝置，在CHF3氣氛中進(jìn)行等離子刻蝕。因此，僅在從玻璃 輥型主模的表面上的抗蝕層中露出的六方點(diǎn)陣圖案的部分中進(jìn)行蝕刻，由于抗蝕層用作掩模，所以其他區(qū)域未蝕刻，并且在玻璃輥型主模上形成具有橢圓錐形的凹部。此時(shí)，由蝕刻時(shí)間調(diào)整蝕刻的量(深度)。最后，通過O2灰化完全去除抗蝕層，能夠獲得具有凹形的六方點(diǎn)陣圖案的蛾眼玻璃輥型主模。列方向上的凹部的深度比軌道延伸方向上的凹部的深度大。隨后，通過使用蛾眼玻璃輥型主模，通過UV壓印，在厚度為125μπι的PET片上形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體。具體而言，使涂有紫外線固化樹脂的PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)片與蛾眼玻璃輥型主模緊密接觸，然后在使用紫外線進(jìn)行照射的同時(shí)脫落。因此，能夠獲得這樣光學(xué)片，其中，以下多個(gè)結(jié)構(gòu)體配置在一個(gè)主表面上。結(jié)構(gòu)體排列六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)體形狀鐘形結(jié)構(gòu)體的排列間距(波長入)Pm 250nm結(jié)構(gòu)體的平均高度(振幅A) Hm 125nm結(jié)構(gòu)體的縱橫比(Hm/Pm) :0. 5接下來，通過濺射法在形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體的PET片表面上形成ITO層，從而制造透明導(dǎo)電片。在后文中，將描述ITO層的膜形成條件。氣體類型Ar氣體和O2氣體間的混合氣體混合氣體的混合比(體積比)=Ar: 02=200:10ITO 層的膜厚75nm在本文中，ITO層的膜厚為結(jié)構(gòu)體的頂部處的膜厚。接下來，透明導(dǎo)電片通過粘合片接合到折射率為I. 5的玻璃基板上，以使得其ITO層側(cè)上的表面靠近玻璃基板的表面。通過以上方式，制造了所需要的透明導(dǎo)電片。(樣本2-2)除了以下的多個(gè)結(jié)構(gòu)體配置在PET片的一個(gè)主表面上以外，與樣本2-1類似地制造光學(xué)片。結(jié)構(gòu)體排列六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)體形狀鐘形
結(jié)構(gòu)體的排列間距Pm 250nm結(jié)構(gòu)體的平均結(jié)構(gòu)體高度Hm 150nm縱橫比(Hm/Pm):0. 6接下來，通過濺射法在形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體的PET片表面上形成ITO層，從而制造透明導(dǎo)電片。在后文中，將描述ITO層的膜形成條件。氣體類型Ar氣體和O2氣體間的混合氣體混合氣體的混合比(體積比)Ar: 02=200:10 ITO 層的膜厚IOOnm在本文中，ITO層的膜厚為結(jié)構(gòu)體的頂部處的膜厚。接下來，透明導(dǎo)電片通過粘合片接合到折射率為I. 5的玻璃基板上，以使得其ITO層側(cè)上的表面靠近玻璃基板的表面。通過以上方式，制造了所需要的透明導(dǎo)電片。(樣本2-3)除了省略ITO層形成以外，與樣本2-1類似地制造光學(xué)片。接下來，透明導(dǎo)電片通過粘合片連接到折射率為I. 5玻璃基板上，以使得其上形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體的表面靠近玻璃基板的表面。通過以上方式，制造了所需要的透明導(dǎo)電片。(透射色調(diào))將如上所述制造的透明導(dǎo)電片和光學(xué)片用作測(cè)量樣本，由分光光度計(jì)測(cè)量可見波長帶附近的波長帶(350nm到800nm)內(nèi)的透射光譜，并且通過該透射光譜計(jì)算透射色調(diào)a*和b'在圖24中示出了透射光譜的測(cè)量結(jié)果。在表I中示出了透射色調(diào)a*和b*的計(jì)算結(jié)果O表I示出了樣本2-1到2-3的透射色調(diào)的計(jì)算結(jié)果。[表 I]
樣本2-1 ~樣本2-2 縱橫比576
a*(透射) -O. 35-O. 12
b*(透射) 1748L29從表I中，可看出以下方面。在樣本2-1和2-2的透明導(dǎo)電片中，a*和b*小于3，因此，可以看到，可見片無色透明，并且具有良好的特性。<3.透明導(dǎo)電層的膜厚比〉關(guān)于樣本3-1到3-3，通過基于RCWA的光學(xué)模擬，研究透明導(dǎo)電層的膜厚比(D3/Dl)與反射率之間的關(guān)系。(樣本3-1)
通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的反射光譜，并且通過該反射光譜，獲得反射色調(diào)a*和b*以及反射Y值。圖25A和表2中示出了這些結(jié)果的示圖。類似地，通過光學(xué)模擬，獲得了透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且通過該透射光譜，獲得透射色調(diào)a*和b'圖25B和表3中示出了這些結(jié)果的示圖。在后文中，將描述光學(xué)模擬的條件。(透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造)透明導(dǎo)電元件由以下層壓結(jié)構(gòu)形成。(入射側(cè))基體/結(jié)構(gòu)體/透明導(dǎo)電層/光學(xué)層(出射側(cè))(基體)
折射率n :1.52(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體排列六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)體形狀鐘形結(jié)構(gòu)體底面圓形排列間距(波長λ ) P 250nm結(jié)構(gòu)體高度(振幅A) H 150nm縱橫比(Η/Ρ):0·6單位點(diǎn)陣Uc的面積S (點(diǎn)陣):2X 2 V 3平坦部分的面積比Rs [(S(點(diǎn)陣)-S (結(jié)構(gòu)體))/S (點(diǎn)陣)]X 100=42%(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的折射率n :2. O透明導(dǎo)電層的厚度t 50nm結(jié)構(gòu)體的頂部處透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm結(jié)構(gòu)體之間透明導(dǎo)電層的厚度D3 50nm膜厚比D3/D1:1(光學(xué)層)折射率n :1.52(入射光)偏光無偏光入射角5度(相對(duì)于透明導(dǎo)電元件的法線)(樣本3-2)除了以下條件的改變以外，與樣本3-1類似地進(jìn)行光學(xué)模擬，并且獲得反射光譜。然后，通過該反射光譜，獲得反射色調(diào)a*和b*以及反射Y值。圖25A和表2中示出了這些結(jié)果的示圖。類似地，通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且通過該透射光譜，獲得透射色調(diào)a*和b'圖25B和表3中示出了這些結(jié)果的示圖。(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的厚度t 40到50nm結(jié)構(gòu)體的頂部處透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm
結(jié)構(gòu)體之間透明導(dǎo)電層的厚度D3 40nm膜厚比D3/D1:0.8(樣本3-3)除了以下條件的改變以外，與樣本3-1類似地進(jìn)行光學(xué)模擬，并且獲得反射光譜。然后，通過該反射光譜，獲得反射色調(diào)a*和b*以及反射Y值。圖25A和表2中示出了這些結(jié)果的示圖。類似地，通過光學(xué)模擬，獲得透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且通過該透射光譜，獲得透射色調(diào)a*和b'圖25B和表3中示出了這些結(jié)果的示圖。(透明導(dǎo)電層) 透明導(dǎo)電層的厚度t 30到50nm結(jié)構(gòu)體的頂部處透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm結(jié)構(gòu)體之間透明導(dǎo)電層的厚度D3 30nm膜厚比D3/D1:0.6[表2]
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電元件，包括 光學(xué)層，其上設(shè)置有平均波長等于或小于可見光的波長的波面；以及 透明導(dǎo)電層，形成在所述波面上，從而跟隨相應(yīng)的波面， 其中，假設(shè)所述波面的平均波長為λ m，并且所述波面的振蕩的平均振幅為Am，那么比率(Am/ λ m)為O. 2以上且I. O以下， 其中，所述波面的平均波長Am為140nm以上且300nm以下， 其中，在所述波面的高度最大化的位置處，所述透明導(dǎo)電層的膜厚為IOOnm以下， 其中，所述波面的平坦部分的面積為50%以下，并且 所述波面?zhèn)壬显贚U*色彩系統(tǒng)中的反射色調(diào)為|a*| ≤ 10且|b*| ≤ 10。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述透明導(dǎo)電層具有規(guī)定的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，在所述光學(xué)層的波面上，在形成有所述透明導(dǎo)電層的部分和未形成所述透明導(dǎo)電層的部分之間的反射率差A(yù)R為5%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，在與所述波面相反的表面上在LW色彩系統(tǒng)中的透射色調(diào)為|a*|≤10且|b*| ≤ 10。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，還包括設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層上的光學(xué)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電元件，其中，在與所述波面相反的表面上在CaVi色彩系統(tǒng)中的透射色調(diào)為|a*|≤5且|b*|≤5。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述波面的振蕩的平均振幅Am為28nm以上且300nm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件， 其中，所述光學(xué)層包括 基體，具有表面，以及 多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以等于或小于可見光的波長的微小間距配置在所述基體的表面上，以及 其中，所述波面由所述多個(gè)結(jié)構(gòu)體的排列形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導(dǎo)電元件，其中，假設(shè)這些結(jié)構(gòu)體的頂部處的所述透明導(dǎo)電層的膜厚為D1，并且這些結(jié)構(gòu)體之間的所述透明導(dǎo)電層的膜厚為D3，那么比率(D3/Dl)為O. 8以下。
10.一種輸入裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求I到9中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電元件。
11.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求I到9中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電元件。
12.—種主模，用于制造根據(jù)權(quán)利要求I到9中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電元件。
全文摘要
一種透明導(dǎo)電元件，包括光學(xué)層，其上設(shè)置有平均波長等于或小于可見光的波長的波面；以及透明導(dǎo)電層，形成在波面上，從而跟隨相應(yīng)的波面。將波面的平均波長指定為λm，并且將波面的振蕩的平均振幅指定為Am，那么比率(Am/λm)為0.2以上且1.0以下，波面的平均波長λm為140nm以上且300nm以下，在波面的最高的位置處透明導(dǎo)電層的膜厚為100nm以下，波面的平坦部分的面積為50%以下，并且波面?zhèn)壬显贚*a*b*色彩系統(tǒng)中的反射色調(diào)為|a*|≤10且|b*|≤10。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102804110SQ201180013630
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者林部和彌, 梶谷俊一, 村本穣 申請(qǐng)人:索尼公司