專利名稱：制造便攜數(shù)據(jù)載體的數(shù)據(jù)載體主體的方法和數(shù)據(jù)載體主體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的主題的方法和產(chǎn)品。本發(fā)明尤其涉及制造具有集成IC的非接觸可讀識(shí)別文件的方法，該文件能被用作身份證或者護(hù)照冊(cè)的數(shù)據(jù)頁(yè)，還能用于相應(yīng)的識(shí)別文件。
背景技術(shù)：
諸如身份證或者護(hù)照的識(shí)別文件越來(lái)越多的設(shè)置有收發(fā)器裝置，該收發(fā)器裝置包括包含IC的芯片模塊及與其連接的天線。這些芯片-線圈裝置允許存儲(chǔ)在IC內(nèi)的數(shù)據(jù)被非接觸地讀取。這樣的識(shí)別文件的制造典型地通過(guò)層合至少一個(gè)芯子層和兩個(gè)覆蓋層來(lái)實(shí)現(xiàn)，芯片-線圈裝置集成入芯子層中。關(guān)于這種識(shí)別文件的耐用性的問(wèn)題是IC模塊和文件主體之間的結(jié)合。這兩者由不同的材料構(gòu)成，模塊材料是硬的和高熔點(diǎn)的，而用于文件主體的材料是相對(duì)軟的和容易層合的。IC模塊和文件主體的不同材料的構(gòu)成，在相應(yīng)識(shí)別文件的長(zhǎng)期使用中，有時(shí)導(dǎo)致在邊界層內(nèi)出現(xiàn)裂縫，其源于芯片模塊和文件主體之間的邊界區(qū)··域。裂縫蔓延進(jìn)入挨著設(shè)置的覆蓋層，并損壞識(shí)別文件的外觀和機(jī)械穩(wěn)定性。為了防止在用作識(shí)別文件的便攜式數(shù)據(jù)載體內(nèi)的這種裂縫，在WO 2007/089140Al中已經(jīng)提出了在模塊上側(cè)和覆蓋層之間設(shè)置進(jìn)一步的層，且在進(jìn)一步的層和覆蓋層之間設(shè)置一個(gè)非連續(xù)的輔助層嵌件，其稍大于模塊上側(cè)且由具有尤其高的膨脹系數(shù)的似橡膠的材料構(gòu)成。該輔助層嵌件確保了可能源于模塊和芯子層之間的過(guò)渡區(qū)域的裂縫在任何情況下都不會(huì)蔓延進(jìn)入覆蓋層。類似的輔助層嵌件也能提供用于模塊的較窄底側(cè)。從WO 2009/135823 Al可以推斷，同樣的為了消除裂縫的發(fā)展，一種用于識(shí)別文件的多層主體的結(jié)構(gòu)，其中各層包括由較軟材料制成的嵌件。待集成入文件主體的芯片模塊現(xiàn)在被恰好地設(shè)置在這種由較軟的材料制成的片內(nèi)。這里片的延伸大于模塊。在層合時(shí)，較軟的材料然后完全圍繞模塊流動(dòng)且形狀吻合地嵌入模塊。以這種方式，防止了導(dǎo)致裂縫的應(yīng)力區(qū)域。但是精細(xì)地實(shí)現(xiàn)拼縫物狀的層。從DE 199 21 230 Al可知一種制造芯片卡的方法，其直接使用薄的芯片而而非使用常用的芯片模塊。這種芯片制造在晶片中，且通過(guò)插入可拆除的臨時(shí)粘合劑在從后面被變薄的載體帶上而布置在部件側(cè)上。在移除了臨時(shí)粘合劑之后，變薄的芯片被插入到制備在芯片卡體中的腔內(nèi)。通過(guò)這樣做，芯片借助于為此目的施加在芯片背部上的進(jìn)一步的粘合劑而被固定于腔內(nèi)。在部件側(cè)之上，然后層合芯片卡箔，在卡箔上形成接觸變薄的芯片的部件側(cè)的導(dǎo)體通路。對(duì)于特別變薄的芯片，可能的裂縫的問(wèn)題并不存在，因?yàn)樵谕旯さ目w內(nèi)，它們以它們最小的厚度和它們小的面積占據(jù)僅僅非常小的安裝空間，由此，不會(huì)產(chǎn)生任何形成裂縫的損壞。然而，芯片的處理相比于芯片模塊的處理是非常復(fù)雜的。在書籍“VomPlastik zur Chipkarte，，by Y. Haghiri, T. Tarantino, Carl HanserVerlag, Munich, 1999中描述了制造芯片卡的方法,尤其是層合技術(shù)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是提出一種方法，其允許抗裂縫的數(shù)據(jù)載體被制造而無(wú)需在層合過(guò)程中進(jìn)行大量的干預(yù)。本目標(biāo)通過(guò)具有權(quán)利要求I的特征的方法和具有權(quán)利要求9的特征的用于便攜式數(shù)據(jù)載體的數(shù)據(jù)載體主體實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的方法具有的優(yōu)勢(shì)是本方法的過(guò)程中的變化僅需要發(fā)生在用于安裝在數(shù)據(jù)載體主體里的芯片模塊的制備中，而后續(xù)的層合過(guò)程自身能以與非特別地被設(shè)計(jì)成抗裂縫的常用數(shù)據(jù)載體的層合相同的方式進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的方法還具有的優(yōu)點(diǎn)是，它允許模塊有效地集成在實(shí)際上具有不利于層合的表面的數(shù)據(jù)載體主體內(nèi)。尤其是，可以集成具有金屬上側(cè)的模塊或具有非粘性地配置的表面的模塊到數(shù)據(jù)載體主體內(nèi)，以使得芯片模塊和所有的層形成連續(xù)的牢固的復(fù)合物。 在根據(jù)本發(fā)明的方法的有利的實(shí)施例中，在層合之前，芯片模塊被設(shè)置粘合劑嵌件，該嵌件以精確的對(duì)準(zhǔn)與芯片模塊的表面協(xié)調(diào)，在層合時(shí)，所述粘合劑建立了與邊界延續(xù)層和不利于層合的芯片模塊表面二者的緊密連接。這種粘合劑優(yōu)選是所謂的熱熔型粘合劑。有利地，用于制造粘合劑嵌件的粘合劑使得在由可剝離的處理層和實(shí)際粘合層構(gòu)成的雙層粘合劑帶成為可能。在把粘合劑帶施加于芯片模塊上之后，處理層被移除。以這種方式，粘合劑帶能有利地被制成可用的卷的形式且由此被處理。在有利的實(shí)施例中，芯片模塊首先定位在模塊載體帶內(nèi)且同樣地被制成可用的卷的形式。因此能尤其高效地實(shí)現(xiàn)將粘合劑帶和模塊載體帶弄在一起。在特別有利的使用中，根據(jù)本發(fā)明的方法適合用于制造具有集成IC的非接觸可讀識(shí)別文件，該文件能被用在身份證或護(hù)照冊(cè)的數(shù)據(jù)頁(yè)里。


本發(fā)明的實(shí)施例將在下文中參考附圖予以更詳細(xì)的說(shuō)明。示出的是圖I為弄在一起的模塊載體帶和粘合劑帶的截面圖；圖2為在與粘合劑帶連接之后，在剝離處理層時(shí)的模塊載體帶的截面圖；圖3為被沖孔工具分為單個(gè)之前，具有施加了粘合劑層的模塊載體帶的截面圖；圖4為在計(jì)量供給接觸型粘合劑到模塊背部上時(shí)，設(shè)置有粘合劑嵌件的單個(gè)芯片模塊；圖5為在凹陷插入芯片模塊時(shí)，由用于制造數(shù)據(jù)載體主體的待層合的層構(gòu)成的層堆與設(shè)置有粘合劑嵌件和接觸型粘合劑的芯片模塊的截面圖；圖6為在層合之前，待層合的用于制造具有嵌入的芯片模塊的便攜式數(shù)據(jù)載體的層的結(jié)構(gòu)的截面圖；和圖7為在層合之后塑料材質(zhì)的便攜式數(shù)據(jù)載體的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面描述的制造方法基本上分為準(zhǔn)備階段和層合過(guò)程，在準(zhǔn)備階段，芯片模塊和進(jìn)一步的層及數(shù)據(jù)載體主體的部件被準(zhǔn)備好，在層合過(guò)程中，準(zhǔn)備好的構(gòu)件通過(guò)層合，例如通過(guò)施加壓力和熱，被永久地互相連接。多層的平的便攜式塑料數(shù)據(jù)載體主體被制造，該數(shù)據(jù)載體主體或者作為準(zhǔn)備好使用的數(shù)據(jù)載體的嵌體，或者作為已經(jīng)是完工的數(shù)據(jù)載體。準(zhǔn)備好使用的數(shù)據(jù)載體用作識(shí)別文件，例如作為電子身份證或作為電子護(hù)照。圖I示出了準(zhǔn)備階段的第一步，其中兩層的粘合劑帶10和模塊載體帶20被互相連接。粘合劑帶10包括處理箔12和粘合劑層14。處理箔12僅輕微地粘在粘合劑層14上，且能夠從粘合劑層14上剝離。處理箔12使粘合劑帶10的處理更加便利；當(dāng)粘合劑層14的構(gòu)成允許時(shí)或者具有允許直接處理粘合劑層14的合適的裝置時(shí)，相應(yīng)地，處理箔是不必要的。形成粘合劑層14的粘合劑優(yōu)選是熱熔型的粘合劑，其被配合到模塊載體帶20的表面且在芯片模塊22的區(qū)域內(nèi)首先粘附到該表面。熱熔型粘合劑的熔化溫度合適地在IOO0C到150°C范圍內(nèi)，優(yōu)選在110°C到120°C范圍內(nèi)。
模塊載體帶20的表面常常不利于層合，也就是，在常見(jiàn)的卡層合的條件下，它實(shí)現(xiàn)不了與挨著的相鄰塑料層的連接或者僅僅是很弱的連接，其中在所述卡層合條件下，各塑料層被放置在一起，用于通常的卡制造連接。模塊載體帶20的表面的軟化溫度至少在特定的區(qū)域內(nèi)高于某一溫度，在所述某一溫度下，用來(lái)構(gòu)造嵌體或數(shù)據(jù)載體的進(jìn)一步的層在層合時(shí)實(shí)現(xiàn)連接。模塊載體帶20承載排列成一行或幾行的芯片模塊22，芯片模塊便利地被直接構(gòu)造在模塊載體帶20上，以便芯片模塊22的表面24是面對(duì)粘合劑帶10的模塊載體帶20的表面的一部分。芯片模塊22典型地具有T形輪廓，其具有帶表面24的寬的頭部分26和具有底側(cè)29的與頭部分相比更窄的基體部分28。表面24通常具有數(shù)量達(dá)例如幾個(gè)mm2的顯著的延伸范圍。表面24的邊緣輪廓通常由于與制造相關(guān)的原因通過(guò)以90°角的尖的-與圓形相比-斜邊形成。頭部分26典型地包括金屬結(jié)構(gòu)，其例如用作導(dǎo)體通路或者接觸區(qū)域。金屬結(jié)構(gòu)特別地也是頭部分26的表面24的部分。同樣特別地用作導(dǎo)體通路和/或接觸區(qū)域的金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)一步也定位在頭部分26的突出區(qū)域內(nèi)的底側(cè)肩部區(qū)域27上。它們后來(lái)用于芯片模塊22與線圈、天線或者任何其他導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的的電連接。在有利的制造技術(shù)中，模塊載體帶20和形成于其中的芯片模塊22是基于所謂的引線框(lead-frame)技術(shù)。此處的模塊載體帶20由金屬帶形成,其中通過(guò)結(jié)合相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)產(chǎn)生布局。在替換的制造技術(shù)中，模塊載體帶20包括纖維增強(qiáng)聚合物，例如，所謂的FR4材料，該材料能被涂敷在形成布局的具有導(dǎo)電材料的一側(cè)或者兩側(cè)上。導(dǎo)電材料可以是例如具有施加于其上的鎳/金涂層的銅箔。各芯片模塊22 —般通過(guò)穿孔或預(yù)先沖口加工或類似的預(yù)定的分離結(jié)構(gòu)21從而界定出輪廓而被從模塊載體帶20預(yù)分離，以使得有利于后續(xù)的最終分離。芯片模塊22的基部28 —般包括一個(gè)或者幾個(gè)1C，且典型地由在一個(gè)或者多個(gè)IC的周圍產(chǎn)生的塑料包囊形成。所述包囊由高熔點(diǎn)的塑料材料構(gòu)成，其在后續(xù)的層合過(guò)程中不會(huì)軟化。粘合劑帶10和模塊載體帶20有利地制造成卷，且由此開始被弄在一起以便連接，以使得粘合劑層14位于包含芯片模塊22的頭部分26的表面24的模塊載體帶20的那個(gè)偵_。在能活化粘合劑的一定壓力和溫度下，與粘合劑層14協(xié)作，實(shí)現(xiàn)粘合劑帶10和模塊載體帶20的連接。在粘合劑帶10和模塊載體帶20連接之后，處理箔12從粘合劑層14移除，如圖2所示。從此后存在的模塊載體帶20和粘合劑層14的復(fù)合物上，各芯片模塊22隨后借助單個(gè)化工具30被分離，如圖3所示。如此做，單個(gè)化工具30沿著預(yù)定的分離結(jié)構(gòu)21或，如果這種結(jié)構(gòu)不存在的話，沿著為頭部分26限定的周邊輪廓。分離芯片模塊22。如此做，粘合劑嵌件16與芯片模塊22 —起從粘合劑帶/模塊載體帶復(fù)合物上分離，該復(fù)合物覆蓋芯片模塊22的頭部分26的整個(gè)表面24，并且它的邊緣輪廓恰好與頭部分26的周邊輪廓精確地對(duì)齊。單個(gè)化工具30可以是沖切或者切割工具，如圖3所示。單個(gè)化操作也能借助激光，噴水器，或者其它合適的工具容易地實(shí)現(xiàn)。
在已經(jīng)被單個(gè)化且設(shè)置有粘合劑嵌件16的芯片模塊22的底側(cè)29上，在后面的步驟中，接觸型粘合劑17被施加，如圖4所示。這種施加有利地通過(guò)計(jì)量供給(metering)液體粘合劑實(shí)施。在此施加的粘合劑是一種常用的接觸型粘合劑。此后形成的芯片模塊22在它的表面24上承載與表面輪廓匹配的粘合劑嵌件16，并在它的底側(cè)29上承載接觸型粘合劑17。作為在芯片模塊22的底側(cè)29上的施加物的一種替代，接觸型粘合劑17也可以被計(jì)量供給到凹陷43中，芯片模塊22隨后被插入所述凹陷43中。如圖5所示，芯片模塊22隨后被插入到為層合準(zhǔn)備的層堆中。層堆的整個(gè)高度大于芯片模塊22的整個(gè)高度，以使得芯片模塊22能被完全容納在層堆內(nèi)，但不是大到使得芯片模塊22的高度能被忽略；芯片模塊22的高度典型地大小在層堆的整個(gè)高度的10%和90%之間。層堆包括多層的芯子層40和分別至少一個(gè)上覆蓋層50及一個(gè)下覆蓋層52。覆蓋層50，52是連續(xù)的，也就是，它們覆蓋數(shù)據(jù)載體主體的整個(gè)表面積，由常用的合適的塑料材料如聚碳酸酯(PC)構(gòu)成，且分別具有例如30μπι的厚度。在實(shí)施例中，芯子層40依次包括兩個(gè)子芯子層42，44構(gòu)成，其中第一子芯子層42例如相應(yīng)地由聚碳酸酯(PC)構(gòu)成且具有例如105 μ m的厚度，第二子芯子層44同樣例如由聚碳酸酯構(gòu)成且具有例如150 μ m的厚度。子芯子層42，44在此的厚度適合于芯片模塊22。替代聚碳酸酯，子芯子層42，44也能由不同的常用的塑料材料構(gòu)成。第一子芯子層42進(jìn)一步具有凹陷43，第二部分芯子層44相比之下具有更寬的凹陷45。凹陷43，45 二者一起形成與涂敷有粘合劑嵌件16的芯片模塊22的外部輪廓至少近似的相反輪廓。在第一子芯子層42上設(shè)置線圈60。其能被構(gòu)造為導(dǎo)線導(dǎo)體或印刷導(dǎo)體通路，也可以被蝕刻。線圈60具有連接接觸部62，該接觸部設(shè)置在相對(duì)于第二子芯子層44突出的表面區(qū)域上，以使得它們對(duì)于后來(lái)的接觸是敞開的，可接近的。有利地，如圖5所示，下覆蓋層52與子芯子層42，44及凹陷43，45 —起以使得凹陷43，45形成向下收窄閉合的兩階凹陷。在設(shè)置的一個(gè)位于另一個(gè)上的子芯子層42，44中，芯片模塊22被插入兩階凹陷43，45內(nèi)，以使得肩部27位于線圈60的接觸部62上且設(shè)置有粘合劑嵌件16的模塊表面24定位為面對(duì)凹陷43，45的上開口側(cè)。芯片模塊22上的粘合劑嵌件16的表面在此優(yōu)選與子芯子層44的表面齊平，或者其具有一定尺寸以使得除了由相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或者規(guī)格典型地限定的可容許的誤差之外，在隨后的層合之后在任何情況下都與子芯子層44的表面對(duì)齊。粘合劑嵌件16的表面和子芯子層44的表面因此一起形成具有設(shè)置在其上的上覆蓋層50的連貫的平面區(qū)域。因此，上覆蓋層50自身因此是完全平面的。替換地，在形成的結(jié)構(gòu)隨后被上和下覆蓋層50，52覆蓋之前，也可首先實(shí)施芯片模塊22的插入。也可在初步的層合步驟中使子芯子層42，44和下覆蓋層52互相連接，以便兩個(gè)凹陷43，45形成階式的連續(xù)凹陷，芯片模塊22插入所述凹陷中。替代兩個(gè)子芯子層42，44，也能夠設(shè)置更多數(shù)量的子芯子層。也可使用單一的預(yù)制造的芯子層40，其包含線圈60和連接接觸部62，并且例如通過(guò)銑削而將合適的凹陷43，45形成在芯子層40中。在由子芯子層42，44和下覆蓋層52形成的結(jié)構(gòu)內(nèi)安裝芯片模塊22時(shí)，模塊22在它的底側(cè)29上借助施加在其上的接觸型粘合劑17粘附到下覆蓋層52。在此之后形成的結(jié)構(gòu)可以是用于便攜式數(shù)據(jù)載體的嵌體。為了完成便攜式數(shù)據(jù)載體，在這種嵌體結(jié)構(gòu)上可以進(jìn)一步放置外覆蓋層54，56，其用于例如個(gè)性化或者用作裝飾性或保護(hù)性的最后層。進(jìn)一步的覆蓋層54，56同樣地由可層合的塑料材料如PC，PET或類似物構(gòu)成。形成的數(shù)據(jù)載體結(jié)構(gòu)然后能例如由總共10層構(gòu)成，如圖6所示，也就是兩個(gè)子芯子層42和44，上和下覆蓋層50，52，和三個(gè)進(jìn)一步的上和下覆蓋層54，56。當(dāng)進(jìn)一步的覆蓋 層54. 56被施加時(shí)，特別地當(dāng)在一步內(nèi)實(shí)現(xiàn)層合時(shí)，覆蓋層50能被省略，從而立即制造出最終的數(shù)據(jù)載體。這種準(zhǔn)備好的結(jié)構(gòu)最終被層合。層合的過(guò)程以本身已知的方式進(jìn)行，如在上述提到的書“VOM Plastik zur Chipkarte”里描述的一樣。芯片模塊22的表面24可能在此不利于層合，并且在層合條件下，在芯子層42，44和覆蓋層50實(shí)現(xiàn)好的連接條件下，它可能無(wú)法與挨著的相鄰覆蓋層50，54連接或者僅與之微弱的連接。然而，產(chǎn)生一種好的層合復(fù)合物，其也包括芯片模塊22的表面24。因?yàn)樵趯雍蠒r(shí)，位于芯片模塊22的表面24上的粘合劑嵌件16密切地與壓在上面的上覆蓋層50連接。尤其地，這種緊密連接，其不能通過(guò)表面24和上覆蓋層50的簡(jiǎn)單直接層合而獲得，實(shí)施為以使得產(chǎn)生的嵌體或者形成的數(shù)據(jù)載體對(duì)源于芯片模塊22的在覆蓋層50-56內(nèi)的裂縫發(fā)展的敏感性顯著降低。在有利的實(shí)施例中，層合能在一個(gè)單一的層合步驟內(nèi)實(shí)現(xiàn)，其中所有存在的層，如層42，44，50，52，54，56，或?qū)?2，44，50，52，或?qū)?2，44，52，54被共同連接。這里的溫度有利的在130°C _180°C之間，優(yōu)選在175°C _180°C。結(jié)果是形成一載體，該載體可選擇性地且取決于層的順序地用作嵌體，或者該載體例如已經(jīng)形成物理上完工的芯片卡。在同樣有利的替代方式中，層合在兩步內(nèi)實(shí)現(xiàn)，首先，在略微較低溫度例如，160°C -170°C下，或如果使用PVC則相應(yīng)地進(jìn)一步降低溫度，嵌體是由子芯子層42，44，下覆蓋層50和上覆蓋層52層合而成。然后在第二層合步驟中，在相同的溫度下，進(jìn)一步的覆蓋層54，56被層合以形成最終的數(shù)據(jù)載體。在這種情況下，進(jìn)一步的覆蓋層54，56僅在嵌體被層合之后被放置在其上?？梢匀菀椎靥峁┒嘤趦蓚€(gè)層合步驟，其中，層或者進(jìn)一步的層被分別層合。多步驟的層合有些更復(fù)雜，但是允許使用較低的溫度，因此保護(hù)了容納在芯片模塊22內(nèi)的1C。圖7示出了完工的數(shù)據(jù)載體的芯片模塊區(qū)域的橫截面，其由圖6示出的結(jié)構(gòu)在層合之后獲得。數(shù)據(jù)載體的特征在于這樣的事實(shí)如虛線表明的，除了如由用于數(shù)據(jù)載體的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)格典型地限定的容許的誤差之外，通過(guò)粘合劑嵌件16形成的表面和芯子層42，44的表面一起形成朝著覆蓋層50和下面的層54的平面表面。數(shù)據(jù)載體因此在由覆蓋層54形成的它的外側(cè)具有一個(gè)完全平面的表面。芯子層44或粘合劑嵌件16和覆蓋層50之間的連接在這里是一貫地好。這種數(shù)據(jù)載體可以是例如具有集成IC的可非接觸地讀取識(shí)別的文件，其獨(dú)立地用作身份證或作為數(shù)據(jù)頁(yè)集成在護(hù)照冊(cè)內(nèi)。當(dāng)保持這個(gè)基本構(gòu)思時(shí)，也就是說(shuō)，層合之前，在本身不利于層合的芯片模塊22的表面24上，預(yù)備地施加粘合劑嵌件16，從而以這種方式獲得在表面24和相鄰上覆蓋層 50之間的緊密連接，上述發(fā)明允許多種實(shí)施方式。例如，圖6和7示出的層堆能具有進(jìn)一步的層，或可在描述的程序步驟的執(zhí)行中提供中間步驟。
權(quán)利要求
1.一種用于制造數(shù)據(jù)載體主體的方法，該數(shù)據(jù)載體主體具有芯子層和至少一個(gè)覆蓋層，其中，在所述芯子層內(nèi)設(shè)置有芯片模塊，且所述覆蓋層是連續(xù)的層，該方法包括下列步驟 -準(zhǔn)備好芯片模塊(22)， -在芯片模塊(22)的表面(24)上施加粘合劑嵌件(16)， -在芯子層(42，44)內(nèi)形成凹陷(43，45)， -在凹陷(43，45)內(nèi)插入芯片模塊(22)，以使得設(shè)置有粘合劑嵌件(16)的芯片模塊的表面(24 )定位為朝著凹陷(43，45 )的開口側(cè)， -在模塊表面(24 )上施加至少一個(gè)覆蓋層(50，54 )， -層合在上述步驟之后形成的結(jié)構(gòu)(16，22，42，44，50)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，芯片模塊表面(24)的軟化溫度至少位于芯子層(42，44)和覆蓋層(50，54)在層合時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)連接的溫度之上的某一溫度區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，粘合劑嵌件(16)被施加以使得與芯片模塊表面(24)精確對(duì)準(zhǔn)地進(jìn)行協(xié)作。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，熱熔型粘合劑被用作用于粘合劑嵌件(16)的粘合劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，粘合劑被制成粘合劑帶(10)的形式，所述粘合劑帶(10)包括載體層(12)和粘合劑層(14)，所述載體層(12)在施加在芯片模塊表面(24)上后被移除。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，芯片模塊(22)被制造在模塊載體帶(20)中，芯片模塊表面(24)為模塊載體帶(20)的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，粘合劑帶(10)被施加在模塊載體帶(20),隨后芯片模塊(22)分別與粘合劑層(14)的一部分(16) —起從模塊載體帶(20)分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在插入到凹陷中之前，接觸型粘合劑(17)被計(jì)量供給到模塊底側(cè)(29)上。
9.一種數(shù)據(jù)載體主體,該數(shù)據(jù)載體主體包括至少一個(gè)芯子層(42，44)和至少一個(gè)覆蓋層(50)，其中在芯子層(42，44)中設(shè)置芯片模塊(22)且覆蓋層(50)是連續(xù)的層，以及其中芯子層(42，44)和覆蓋層(50)通過(guò)層合互相連接，其特征在于，在芯片模塊(22)的表面(24)的區(qū)域中的芯子層(42，44)被中斷，芯片模塊表面(24)完全被粘合劑嵌件(16)覆蓋，該粘合劑嵌件(16)與芯片模塊表面(24)和覆蓋層(50)緊密連接，并且除了小的可容許的差異之外，粘合劑層(16)和芯子層(42，44) 一起形成連貫的平面區(qū)域，覆蓋層(50)設(shè)置在所述平面區(qū)域上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)載體主體，其特征在于，芯片模塊表面(24)是金屬的或非粘性的。
全文摘要
本發(fā)明提出一種制造用于具有一芯子層和至少一頂層的便攜式數(shù)據(jù)載體的數(shù)據(jù)載體主體的方法，其中芯子層包含芯片模塊。本方法包括提供具有不利于層合的表面(24)的芯片模塊(22)；施加粘合劑沉積物(16)于模塊表面(24)；在芯子層(42，44)內(nèi)形成凹陷(43，45)以及插入芯片模塊(22)于所述凹陷以使得設(shè)置有粘合劑沉積物(16)的模塊表面(24)定位為朝向凹陷(43，45)的開口側(cè)；然后在模塊表面(24)上施加頂層(50)；最后層合前面形成的結(jié)構(gòu)(16，22，42，44，50)。在這種情況下，粘合劑沉積物(16)與鄰近的頂層(50)緊密結(jié)合。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102959564SQ201180030072
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月1日
發(fā)明者T.塔蘭蒂諾, W.波尼克瓦爾, T.薩爾澤, G.恩德雷斯, C.希倫伯格 申請(qǐng)人:德國(guó)捷德有限公司