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      一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法

      文檔序號(hào):6366153閱讀:379來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,涉及抗輻射加固電路領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      應(yīng)用于空間環(huán)境的集成電路由于受到空間輻射的影響,其正常工作狀態(tài)會(huì)受到嚴(yán)重影響。造成器件失效的空間輻射效應(yīng)主要包括兩類SEU(單粒子效應(yīng))與TID(總劑量效應(yīng))。單粒子效應(yīng)是指高能粒子撞擊存儲(chǔ)器使其內(nèi)部存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)發(fā)生翻轉(zhuǎn),從而導(dǎo)致電路出現(xiàn)故障。錯(cuò)誤糾正碼是解決這一問(wèn)題很好的方法。TID (總劑量效應(yīng))是由于穿過(guò)集成電路的輻射粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)引起的。輻射產(chǎn)生的空穴能夠長(zhǎng)時(shí)間堆積在場(chǎng)氧化層中,而引起溝道載流子被Si-SiO2截面俘獲。這將對(duì)器件產(chǎn)生如下不良影響 I)閾值電壓漂移2)漏電流增加3)載流子遷移率下降漏電流增加是主要關(guān)心的問(wèn)題。在厚場(chǎng)區(qū)氧化層和薄柵氧化層之間的區(qū)域稱為“鳥(niǎo)嘴”區(qū)域。被“鳥(niǎo)嘴”區(qū)域俘獲的正電荷能夠吸引電子而形成源漏之間的寄生通路。這將使得NMOS (金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管在關(guān)斷狀態(tài)下也會(huì)出現(xiàn)大的漏電流。無(wú)邊緣器件是解決這一問(wèn)題的最有效的辦法。在無(wú)邊緣器件中最常用的是環(huán)形柵器件。目前芯片生產(chǎn)廠家已經(jīng)建立了比較精確的電學(xué)模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)者更好的完成電路設(shè)計(jì),包括驗(yàn)證版圖設(shè)計(jì)的正確性和利用器件參數(shù)模擬實(shí)際電路進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)。但是這些電學(xué)模型都是為條形柵器件而設(shè)計(jì)。其以柵的中線長(zhǎng)度作為器件的等效寬度,以源漏區(qū)的最短距離作為器件的等效長(zhǎng)度。但是對(duì)于環(huán)形柵器件來(lái)說(shuō),如果以中線長(zhǎng)度Wmidlim作為等效長(zhǎng)度是不精確的,目前比較通用的求解環(huán)形柵器件版圖中等效寬長(zhǎng)比的方法是采用黎曼映射,將器件的拐角映射成等效的條形柵器件,從而獲得拐角處的等效寬長(zhǎng)比,再將其求和即可得到器件的等效寬長(zhǎng)比。但是該方法對(duì)于不同形狀環(huán)形柵器件的參數(shù)不確定,具有一定的局限性。

      發(fā)明內(nèi)容
      一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,為解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于不同形狀環(huán)形柵器件的參數(shù)不確定,具有一定的局限性的問(wèn)題提供本發(fā)明,本發(fā)明一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法包括以下步驟步驟一在環(huán)形柵器件版圖形成的多邊形上測(cè)量一條邊的漏區(qū)側(cè)長(zhǎng)度d和源區(qū)、漏區(qū)最小距離L ;步驟二 將步驟一中的多邊形的邊進(jìn)行劃分并計(jì)算劃分后每個(gè)部分的等效寬度,具體劃分及計(jì)算方法是步驟A :判斷d_2aL是否大于0,其中a = O. 05,當(dāng)d_2aL > O時(shí),則執(zhí)行步驟B,否則執(zhí)行步驟C ;步驟B :當(dāng)d_2aL > O時(shí),在多邊形的邊距離漏區(qū)側(cè)兩端為aL處做垂線,此垂線做為分割線,將所述的多邊形的邊分為邊緣晶體管T2及拐角晶體管Tl兩部分,邊緣晶體管T2等效為條形器件進(jìn)行計(jì)算,將位于多邊形的邊距離漏區(qū)側(cè)兩端的拐角晶體管Tl等效為扇形器件進(jìn)行計(jì)算,邊緣晶體管T2的等效寬度與拐角晶體管Tl的等效寬度之和即為多邊形的邊的等效寬度;邊緣晶體管T2等效寬度Wt2計(jì)算公式為W12 = d~2aL拐角晶體管Tl等效寬度Wn計(jì)算公式為
      權(quán)利要求
      1.一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,其特征在于包括以下步驟 步驟一在環(huán)形柵器件版圖形成的多邊形上測(cè)量一條邊的漏區(qū)側(cè)長(zhǎng)度d和源區(qū)、漏區(qū)最小距離L ; 步驟二 將步驟一中的多邊形的邊進(jìn)行劃分并計(jì)算劃分后每個(gè)部分的等效寬度,具體劃分及計(jì)算方法是 步驟A :判斷d-2aL是否大于O,其中a = 0. 05,當(dāng)d_2aL > 0時(shí),則執(zhí)行步驟B,否則執(zhí)行步驟C ; 步驟B :當(dāng)d_2aL > 0時(shí),在所述多邊形的邊距離漏區(qū)側(cè)兩端為aL處做垂線,此垂線做為分割線,將所述的多邊形的邊分為邊緣晶體管T2及拐角晶體管Tl兩部分,邊緣晶體管T2等效為條形器件進(jìn)行計(jì)算,將位于所述多邊形的邊距離漏區(qū)側(cè)兩端的拐角晶體管Tl等效為扇形器件進(jìn)行計(jì)算,邊緣晶體管T2的等效寬度與拐角晶體管Tl的等效寬度之和即為所述的多邊形的邊的等效寬度; 邊緣晶體管T2等效寬度Wt2計(jì)算公式為W12 = d~2aL 拐角晶體管Tl等效寬度Wn計(jì)算公式為
      2.如權(quán)利要求I所述的環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,其特征在于所述的環(huán)形柵器件為截角正方形器件,所述多邊形的每條邊的漏區(qū)側(cè)長(zhǎng)度d相等,每條邊的L也相等,步驟A中d-2aL > 0,步驟B中n取值為4。
      3.如權(quán)利要求I所述的環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,其特征在于所述的環(huán)形柵器件為圓形器件,此時(shí)所述多邊形的每條邊的漏區(qū)側(cè)長(zhǎng)度d = 0,步驟A中d-2aL < 0,步驟C中n = 1,等效寬度We的值為公式
      全文摘要
      一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法,涉及抗輻射加固電路領(lǐng)域。為解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于不同形狀環(huán)形柵器件的參數(shù)不確定,具有一定的局限性的問(wèn)題提供本發(fā)明,本發(fā)明一種環(huán)形柵器件版圖上等效寬度測(cè)定方法為首先在環(huán)形柵器件版圖形成的多邊形上測(cè)量一條邊的漏區(qū)側(cè)長(zhǎng)度d和源區(qū)、漏區(qū)最小距離L;然后對(duì)環(huán)形柵器件版圖上的一條邊進(jìn)行分割,分別計(jì)算分割后每段的等效寬度,得出這條邊的等效寬度,最后分別計(jì)算出每條邊的等效寬度,相加獲得整個(gè)環(huán)形柵器件版圖上的等效寬度。本發(fā)明用于各種環(huán)形柵器件版圖上的等效寬度測(cè)定,進(jìn)而驗(yàn)證環(huán)形柵器件版圖設(shè)計(jì)的正確性和利用環(huán)形柵器件參數(shù)模擬實(shí)際電路進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)。
      文檔編號(hào)G06F17/50GK102708230SQ20121012097
      公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月23日
      發(fā)明者付方發(fā), 張波, 王天琦, 肖立伊 申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
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