專(zhuān)利名稱(chēng)：一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)液晶工作單元納米材料領(lǐng)域，尤其涉及一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
納米觸控膜是一種封裝納米導(dǎo)線為主的感應(yīng)薄膜，集精準(zhǔn)感應(yīng)定位、柔性、高透明等多種功能于一體，用于10英寸以上觸控屏的精準(zhǔn)觸控定位，還應(yīng)用于精準(zhǔn)互動(dòng)投影及安防定位。目前，市場(chǎng)上還不存在能夠獨(dú)立完整規(guī)模性生產(chǎn)納米觸控膜的設(shè)備，其生產(chǎn)還處于小試規(guī)模階段，其設(shè)備器械多為實(shí)驗(yàn)性精密設(shè)備，價(jià)格昂貴，生產(chǎn)成本高，其次，由于設(shè)備的局限性，操作工序更復(fù)雜，流水線生產(chǎn)不易，浪費(fèi)人力物力，成品率不易控制。而且，國(guó)際上·現(xiàn)有的ITO導(dǎo)電膜尺寸小、透明度低，產(chǎn)品上被國(guó)外行業(yè)壟斷，嚴(yán)重影響我國(guó)觸摸屏企業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提出一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，解決高透明、大尺寸感應(yīng)薄膜的低成本量產(chǎn)技術(shù)問(wèn)題，突破國(guó)際上現(xiàn)有ITO導(dǎo)電膜尺寸小、透明度低的技術(shù)瓶頸，同時(shí)實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明的目的將通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)
一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，通過(guò)傳送帶連接實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，所述流水線生產(chǎn)包括如下步驟
步驟一，將基材放入流水線起始端，通過(guò)傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備，通過(guò)涂布設(shè)備將透明膠層均勻涂抹在基材表面，用于增強(qiáng)基材表面的粘附力；
步驟二，將處理完表面的基材通過(guò)傳送帶運(yùn)至噴印設(shè)備處，噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈X軸方向均勻打印在基材表面；
步驟三，待處理完X軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，加熱至130°C 160°C，使之形成X軸納米導(dǎo)線；
步驟四，X軸納米導(dǎo)線形成后，傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備進(jìn)行涂膠處理，通過(guò)涂布設(shè)備將透明絕緣膠層均勻涂抹在基材表面；
步驟五，將步驟四所得的基材烘干，再一次傳送至噴印設(shè)備處，通過(guò)噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈Y軸方向均勻打印在基材表面；
步驟六，處理完Y軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，加熱至130°C 160°C，使之形成Y軸納米導(dǎo)線；
步驟七，Y軸納米導(dǎo)線形成后，傳送至自動(dòng)電極化處理裝置，通過(guò)電極化處理將柔性板連接到甩尾預(yù)定區(qū)域；
步驟八，將步驟七所得的基材通過(guò)傳送帶傳送至覆膜設(shè)備，通過(guò)覆膜設(shè)備與已經(jīng)經(jīng)過(guò)涂膠處理的覆蓋基材進(jìn)行封裝處理；步驟九，封裝完畢后，傳送至裁剪設(shè)備，裁去多余的部分，得到成品；
步驟十，將步驟九所得的成品傳送至烘干室，在125°C 135°C下烘干處理30秒 120
秒；
步驟十一，經(jīng)干燥的成品傳送至納米導(dǎo)線斷線檢測(cè)裝置進(jìn)行斷線測(cè)試，若測(cè)試通過(guò)則直接運(yùn)送至倉(cāng)庫(kù)，若測(cè)試不通過(guò)則傳送至廢品區(qū)域。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述基材為改性PET膜，玻璃，亞克力板，成像膜或者超薄柔性成像設(shè)備中的任意一種。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述改性PET膜的抗熱性大于160。。。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述覆蓋基材為改性PET膜，·玻璃，亞克力板或者成像膜中的任意一種。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述噴印設(shè)備具有獨(dú)立的控制程序，所述噴印設(shè)備的出墨口徑為5 ii m 10 ii m,噴印精度誤差小于10 u m。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述燒結(jié)設(shè)備為UV燒結(jié)機(jī)，所述UV燒結(jié)機(jī)具有獨(dú)立的控制程序。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述自動(dòng)化電極裝置上設(shè)有高精度的定位焊接頭，所述定位焊接頭的定位精度小于10 U m。優(yōu)選的，上述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其中所述納米導(dǎo)電油墨中包含有粒徑小于50nm的納米銀顆粒。本發(fā)明的突出效果為本發(fā)明解決了高透明、大尺寸感應(yīng)薄膜的低成本量產(chǎn)技術(shù)問(wèn)題，突破了國(guó)際上現(xiàn)有ITO導(dǎo)電膜尺寸小、透明度低的技術(shù)瓶頸，打破國(guó)外行業(yè)壟斷，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了流水線生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，節(jié)能環(huán)保。以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳述，以使本發(fā)明技術(shù)方案更易于理解、掌握。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例的生產(chǎn)流程圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例
本實(shí)施例的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，通過(guò)傳送帶連接實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，如圖I所示，流水線生產(chǎn)包括如下步驟
步驟一，將基材放入流水線起始端，通過(guò)傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備，通過(guò)涂布設(shè)備將透明膠層均勻涂抹在基材表面，用于增強(qiáng)基材表面的粘附力；
步驟二，將處理完表面的基材通過(guò)傳送帶運(yùn)至噴印設(shè)備處，噴印設(shè)備具有獨(dú)立的控制程序，噴印設(shè)備的出墨口徑為5 ii m 10 ii m，噴印精度誤差小于10 u m。噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈X軸方向均勻打印在基材表面；
步驟三，待處理完X軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，燒結(jié)設(shè)備為UV燒結(jié)機(jī)，UV燒結(jié)機(jī)具有獨(dú)立的控制程序，加熱至130°C 160°C，使之形成X軸納米導(dǎo)線；步驟四，X軸納米導(dǎo)線形成后，傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備進(jìn)行涂膠處理，通過(guò)涂布設(shè)備將透明絕緣膠層均勻涂抹在基材表面；
步驟五，將步驟四所得的基材烘干，再一次傳送至噴印設(shè)備處，通過(guò)噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈Y軸方向均勻打印在基材表面；
步驟六，處理完Y軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，加熱至130°C 160°C，使之形成Y軸納米導(dǎo)線；
步驟七，Y軸納米導(dǎo)線形成后，傳送至自動(dòng)電極化處理裝置，通過(guò)電極化處理將柔性板連接到甩尾預(yù)定區(qū)域，自動(dòng)化電極裝置上設(shè)有高精度的定位焊接頭，定位焊接頭的定位精度小于IOiim ;
步驟八，將步驟七所得的基材通過(guò)傳送帶傳送至覆膜設(shè)備，通過(guò)覆膜設(shè)備與已經(jīng)經(jīng)過(guò)涂膠處理的覆蓋基材進(jìn)行封裝處理；· 步驟九，封裝完畢后，傳送至裁剪設(shè)備，裁去多余的部分，得到成品；
步驟十，將步驟九所得的成品傳送至烘干室，在125°C 135°C下烘干處理30秒 120
秒；
步驟十一，經(jīng)干燥的成品傳送至納米導(dǎo)線斷線檢測(cè)裝置進(jìn)行斷線測(cè)試，若測(cè)試通過(guò)則直接運(yùn)送至倉(cāng)庫(kù)，若測(cè)試不通過(guò)則傳送至廢品區(qū)域。其中，基材為改性PET膜(改性PET膜的抗熱性大于160°C )，玻璃，亞克力板，成像膜或者超薄柔性成像設(shè)備中的任意一種。覆蓋基材為改性PET膜，玻璃，亞克力板或者成像膜中的任意一種。納米導(dǎo)電油墨中包含有粒徑小于50nm的納米銀顆粒。本實(shí)施例解決了高透明、大尺寸感應(yīng)薄膜的低成本量產(chǎn)技術(shù)問(wèn)題，突破了國(guó)際上現(xiàn)有ITO導(dǎo)電膜尺寸小、透明度低的技術(shù)瓶頸，打破國(guó)外行業(yè)壟斷，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了流水線生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，節(jié)能環(huán)保。本發(fā)明尚有多種實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，通過(guò)傳送帶連接實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，其特征在于所述流水線生產(chǎn)包括如下步驟 步驟一，將基材放入流水線起始端，通過(guò)傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備，通過(guò)涂布設(shè)備將透明膠層均勻涂抹在基材表面； 步驟二，將處理完表面的基材通過(guò)傳送帶運(yùn)至噴印設(shè)備處，噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈X軸方向均勻打印在基材表面； 步驟三，待處理完X軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，加熱至130°C 160°C，使之形成X軸納米導(dǎo)線； 步驟四，X軸納米導(dǎo)線形成后，傳送帶運(yùn)至涂布設(shè)備進(jìn)行涂膠處理，通過(guò)涂布設(shè)備將透明絕緣膠層均勻涂抹在基材表面； 步驟五，將步驟四所得的基材烘干，再一次傳送至噴印設(shè)備處，通過(guò)噴印設(shè)備將納米導(dǎo)電油墨呈Y軸方向均勻打印在基材表面； 步驟六，處理完Y軸打印，傳送至燒結(jié)設(shè)備，加熱至130°C 160°C，使之形成Y軸納米導(dǎo)線； 步驟七，Y軸納米導(dǎo)線形成后，傳送至自動(dòng)電極化處理裝置，通過(guò)電極化處理將柔性板連接到甩尾預(yù)定區(qū)域； 步驟八，將步驟七所得的基材通過(guò)傳送帶傳送至覆膜設(shè)備，通過(guò)覆膜設(shè)備與已經(jīng)經(jīng)過(guò)涂膠處理的覆蓋基材進(jìn)行封裝處理； 步驟九，封裝完畢后，傳送至裁剪設(shè)備，裁去多余的部分，得到成品； 步驟十，將步驟九所得的成品傳送至烘干室，在125°C 135°C下烘干處理30秒 120秒； 步驟十一，經(jīng)干燥的成品傳送至納米導(dǎo)線斷線檢測(cè)裝置進(jìn)行斷線測(cè)試，若測(cè)試通過(guò)則直接運(yùn)送至倉(cāng)庫(kù)，若測(cè)試不通過(guò)則傳送至廢品區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述基材為改性PET膜，玻璃，亞克力板，成像膜或者超薄柔性成像設(shè)備中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述改性PET膜的抗熱性大于160°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述覆蓋基材為改性PET膜，玻璃，亞克力板或者成像膜中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述噴印設(shè)備具有獨(dú)立的控制程序，所述噴印設(shè)備的出墨口徑為5 ii m 10 ii m,噴印精度誤差小于10 u m。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述燒結(jié)設(shè)備為UV燒結(jié)機(jī)，所述UV燒結(jié)機(jī)具有獨(dú)立的控制程序。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述自動(dòng)化電極裝置上設(shè)有高精度的定位焊接頭，所述定位焊接頭的定位精度小于10 y m。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，其特征在于所述納米導(dǎo)電油墨中包含有粒徑小于50nm的納米銀顆粒。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種納米觸控膜的生產(chǎn)方法，通過(guò)傳送帶連接實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)涂布、噴印、燒結(jié)、電極化處理、封裝和檢測(cè)等步驟得到成品。本發(fā)明解決了高透明、大尺寸感應(yīng)薄膜的低成本量產(chǎn)技術(shù)問(wèn)題，突破了國(guó)際上現(xiàn)有ITO導(dǎo)電膜尺寸小、透明度低的技術(shù)瓶頸，打破國(guó)外行業(yè)壟斷，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了流水線生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，節(jié)能環(huán)保。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102789334SQ20121023671
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月10日
發(fā)明者劉澤江, 羅延廷 申請(qǐng)人:蘇州泛普納米科技有限公司