專利名稱：一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種移動終端設備，特別是涉及一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，帶有電容式觸摸屏的電子設備，對應于提高電容式觸摸屏的抗靜電能力；電容式觸摸屏目前單體的防靜電能力可以達到15KV及以上，但是一旦裝到電子設備中使用，特別是將電子設備帶有電容式觸摸屏的一面扣在桌面或者其他物體上，其防靜電能力卻成倍的下降。現(xiàn)有的電子設備在處理防靜電中，均在電子設備中增加相應的防靜電器件，如ESD (英文Electro-Static discharge的縮寫，中文為靜電釋放)期間以達到相應的保護電子設備中電容式觸摸屏的作用，但此舉卻為生產(chǎn)商帶來了增加成本，特別是社會資源越來越短缺的情況下，如何降低物料成本，且能有效的改善電容式觸摸屏抗靜電能力，為本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，能有效改善電容式觸摸屏抗靜電性能，且降低了成本。為了達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，所述的電容式觸摸屏設置于電子設備上，且電子設備設置有抗靜電處理電路，所述的電路包括主芯片、及與主芯片相互連接的傳感器和觸摸屏控制IC模塊，所述的方法步驟如下
步驟I、設置電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移量XMAX ；
步驟2、傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)，觸摸屏向下；否，則循環(huán)檢測；是，則執(zhí)行步驟3 ;
步驟3、計算電容式觸摸屏基準電容量中心值相對于正常值R的偏移量BIAS ；
步驟4、將XMAX與BIAS進行比較，若XMAX彡BIAS,則返回步驟3 ;若XMAX < BIAS,貝丨J執(zhí)行步驟5 ；
步驟5、主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行處理。進一步的，電子設備設置有一種或者多種能夠檢測電子設備電容式觸摸屏方向的傳感器。進一步的，所述的傳感器為重力傳感器。進一步的，電容中心值R為靜止電容值，為電容式觸摸屏連接觸摸屏控制IC模塊且同時上電后輸出的相對電容量。進一步的，步驟I所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量為電容屏相對靜止電容值的變化量，當手指或者靜電接觸電容屏的時候，電容值發(fā)生相應的變化。進一步的，所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量由觸摸屏控制IC模塊檢測。進一步的，所述的最大偏移量XMAX為電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移電容量，最大偏移量XMAX的設置由出廠時設定，并根據(jù)用戶使用情況調(diào)整。進一步的，步驟2所述的傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)通過重力傳感器測量實現(xiàn)，重力傳感器測量在電容式觸摸屏翻轉(zhuǎn)時由于重力引起的加速度，計算出電容式觸摸屏相對于水平面的傾斜角度。進一步的，步驟5所述的主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行處理包括通知電容屏控制IC模塊進行處理包括電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度或者將電容式觸摸屏IC斷電。 進一步的，所述的電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度調(diào)整包括
讀取電容式觸摸屏靜止電容值R ；
并將觸摸電容式觸摸屏時的電容值相對靜止電容值R的最大偏移量XMAX調(diào)整為大于BIAS ；
則當XMAX > BIAS時，觸摸屏靈敏度降低。進一步的，所述的電子設備為手機、MP3、MP4、電子書閱讀器或掌上電腦等電容式觸摸屏的設備。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是在不添加相應的ESD器件的情況下，通過對電容式觸摸屏的電容值進行檢測判斷，根據(jù)判斷結(jié)果對電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度或者將電容式觸摸屏IC斷電，防止被靜電損傷或者誤觸發(fā)導致的不良現(xiàn)象，降低了整機成本，提高了安全性能。


圖I為本發(fā)明的抗靜電處理電路；
圖2為本發(fā)明的方法流程 圖3為觸摸屏翻轉(zhuǎn)到桌面示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例參照附圖進行詳細說明，以便對本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點進行更深入的詮釋。本發(fā)明的抗靜電處理電路如圖I所示，一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，所述的電容式觸摸屏設置于電子設備上，且電子設備設置有抗靜電處理電路，所述的電路包括主芯片、及與主芯片相互連接的傳感器和觸摸屏控制IC模塊。主芯片的作用是整個電子設備的數(shù)據(jù)處理中心；傳感器的作用是檢測整機相對于水平方向所具有的偏轉(zhuǎn)速度狀態(tài)；觸摸屏控制IC的作用是檢測觸摸屏上各個點的電容的變化量并將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字量；整個過程中，電容式觸摸屏控制IC檢測到觸摸屏上電容的變化量并轉(zhuǎn)化為數(shù)字量，傳輸給主芯片，然后進行相應的數(shù)據(jù)處理。本發(fā)明的方法流程圖如圖2所示，所述的方法步驟如下
步驟I、設置電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移量XMAX ；
步驟2、傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)，觸摸屏向下；否，則循環(huán)檢測；是，則執(zhí)行步驟3 ;
步驟3、計算電容式觸摸屏基準電容量中心值相對于正常值R的偏移量BIAS ；
步驟4、將XMAX與BIAS進行比較，若XMAX彡BIAS，則返回步驟3 ;若XMAX < BIAS，則執(zhí)行步驟5 ；
步驟5、主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行處理。 進一步的，電子設備設置有一種或者多種能夠檢測電子設備電容式觸摸屏方向的傳感器。進一步的，所述的傳感器為重力傳感器。進一步的，電容中心值R為靜止電容值，為電容式觸摸屏連接觸摸屏控制IC模塊且同時上電后輸出的相對電容量。進一步的，步驟I所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量為電容屏相對靜止電容值的變化量，當手指或者靜電接觸電容屏的時候， 電容值發(fā)生相應的變化。進一步的，所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量由觸摸屏控制IC模塊檢測。進一步的，所述的最大偏移量XMAX為電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移電容量，最大偏移量XMAX的設置由出廠時設定，并根據(jù)用戶使用情況調(diào)整。則RiXMAX為電容式觸摸屏的靈敏度閥值，當超過R+XMAX或R-XMAX的電容值，就認為觸摸屏有動作或翻轉(zhuǎn)。進一步的，步驟2所述的傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)通過重力傳感器測量實現(xiàn)，重力傳感器測量在電容式觸摸屏翻轉(zhuǎn)時由于重力引起的加速度，計算出電容式觸摸屏相對于水平面的傾斜角度。進一步的，步驟5所述的主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行處理包括通知電容屏控制IC模塊進行處理包括電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度或者將電容式觸摸屏IC斷電。進一步的，所述的電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度調(diào)整包括
讀取電容式觸摸屏靜止電容值R ；
并將觸摸電容式觸摸屏時的電容值相對靜止電容值R的最大偏移量XMAX調(diào)整為大于BIAS,此處的BIAS為多次實驗獲得的最大值，且XMAX調(diào)整為XMAX > BIAS ；
則當XMAX > BIAS時，觸摸屏靈敏度降低。進一步的，所述的電子設備為手機、MP3、MP4、電子書閱讀器或掌上電腦等電容式觸摸屏的設備。假設手機的電容中心值R為8000，且閥值為8200，當觸摸屏翻轉(zhuǎn)靠近桌面時，電容式觸摸屏的每個點就會因為生產(chǎn)的不一致靜止電容就會在8000加減200的范圍內(nèi)變化，200為最大偏移量XMAX，只要手指觸摸使電容量變化超過8200或者低于7800，就認為有動作；因為靜電的原因，當檢測判定為機器扣在桌面上時，現(xiàn)在設置XMAX為8400，即閥值設置為8400，靜電打在屏上很容易使屏上的點超過8200，但是不容易超過8400。如圖3所示，當帶有電容式觸摸屏及相應的檢測方向的傳感器的電子設備放在桌面或其他放置電子設備的物體，此時通過傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)，通過重力傳感器測量實現(xiàn)，重力傳感器測量在電容式觸摸屏翻轉(zhuǎn)時由于重力引起的加速度，計算出電容式觸摸屏相對于水平面的傾斜角度。當檢測到用戶的手持設備的電容式觸摸屏面靠近桌面時，此時計算電容式觸摸屏基準電容量中心值相對于正常值8000的偏移量BIAS ;只要手指觸摸使電容量變化超過8200或者低于7800，就認為有動作；假設用戶將閥值設置為8400，靜電打在屏上很容易使屏上的點超過8200，但是不容易超過8400，則在接觸桌面或物體時，不容易誤判，安全可靠。改善了很多用戶因為個人喜好，總愛把手機扣在桌子上，衣服產(chǎn)生靜電，當衣服接觸手機放電導致未觸摸而撥出電話等問題。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬領域技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā) 明構(gòu)思的前提下，做出簡單的更改或優(yōu)化，都應當視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，所述的電容式觸摸屏設置于電子設備上，且電子設備設置有抗靜電處理電路，所述的電路包括主芯片、及與主芯片相互連接的傳感器和觸摸屏控制IC模塊，其特征在于，所述的方法步驟如下 步驟I、設置電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移量XMAX ； 步驟2、傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)，觸摸屏正面向下；否，則循環(huán)檢測；是，則執(zhí)行步驟3 ； 步驟3、計算電容式觸摸屏基準電容量中心值相對于正常值R的偏移量BIAS ； 步驟4 JfXMAX與BIAS進行比較，若XMAX彡BIAS，則返回步驟3 ;gXMAX < BIAS，則執(zhí)行步驟5 ； 步驟5、主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行掉電或者提高XMAX值處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于電子設備設置有一種或者多種能夠檢測電子設備電容式觸摸屏方向的傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于所述的傳感器為重力傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于電容中心值R為靜止電容值，為電容式觸摸屏連接觸摸屏控制IC模塊且同時上電后輸出的相對電容量。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于步驟I所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量為電容屏相對靜止電容值的變化量，當手指或者靜電接觸電容屏的時候，電容值發(fā)生相應的變化。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于所述的電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的偏移量由觸摸屏控制IC模塊檢測。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于所述的最大偏移量XMAX為電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移電容量，最大偏移量XMAX的設置由出廠時設定，并根據(jù)具體實驗情況調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于步驟2所述的傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)通過重力傳感器測量實現(xiàn)，重力傳感器測量在電容式觸摸屏翻轉(zhuǎn)時由于重力引起的加速度，計算出電容式觸摸屏相對于水平面的傾斜角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于，步驟5所述的主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行處理包括通知電容屏控制IC模塊進行處理包括電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度或者將電容式觸摸屏IC斷電。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，其特征在于，所述的電容式觸摸屏IC降低電容式觸摸屏靈敏度調(diào)整包括 讀取電容式觸摸屏靜止電容值R ； 并將觸摸電容式觸摸屏時的電容值相對靜止電容值R的最大偏移量XMAX調(diào)整為大于BIAS ； 則當XMAX > BIAS時，觸摸屏靈敏度降低。
全文摘要
一種改善電容式觸摸屏抗靜電性能的方法，所述的電容式觸摸屏設置于電子設備上，所述的電路包括主芯片、及與主芯片相互連接的傳感器和觸摸屏控制IC模塊，所述的方法步驟如下1、設置電容式觸摸屏扣在物體上引起電容式觸摸屏相對電容中心值R的最大偏移量XMAX；2、傳感器檢測電容式觸摸屏是否翻轉(zhuǎn)，觸摸屏正面向下；否，則循環(huán)檢測；是，則執(zhí)行步驟3；3、計算電容式觸摸屏基準電容量中心值相對于正常值R的偏移量BIAS；4、將XMAX與BIAS進行比較，若XMAX≥BIAS，則返回步驟3；若XMAX＜BIAS，則執(zhí)行步驟5；5、主芯片對觸摸屏控制IC模塊進行斷電或者提高XMAX值處理。本發(fā)明能有效改善電容式觸摸屏抗靜電性能，且降低了成本。
文檔編號G06F3/044GK102830874SQ20121028386
公開日2012年12月19日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者袁幸偉 申請人:廣東歐珀移動通信有限公司