專利名稱：一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域，特別涉及一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法。
背景技術(shù)：
電容觸摸屏可實現(xiàn)多點和準確的觸摸感應(yīng)，而且結(jié)構(gòu)簡單、透光率高，是當(dāng)前顯示觸控技術(shù)發(fā)展的主流方向。電容觸摸屏的觸摸感應(yīng)部件一般為多個行電極、列電極相互交錯形成的感應(yīng)矩陣，行電極和列電極設(shè)置在一片透明基板的同一面上。典型的金屬電極的制作方法包括第一步鍍金屬膜；第二步涂布光刻膠；第三步曝光；第四步顯影、硬化；第五步蝕刻金屬；第六步去除光刻膠；第七部手工點(蝕刻)殘留金屬點，形成設(shè)計圖形的單層的金屬電極。由于金屬電極制作過程中較易產(chǎn)生金屬殘留現(xiàn)象，從而導(dǎo)致使用人工較多，且效率低，是生產(chǎn)過程的瓶頸部分。針對上述問題進行檢索，尚未發(fā)現(xiàn)有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對現(xiàn)有的單層金屬電極存在的表面較容易產(chǎn)生金屬點從而導(dǎo)致使用人工較多，且效率低，生產(chǎn)過程的瓶頸部分，提供一種一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案
一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法，其特征在于，包括以下步驟
(1)、在基板上真空濺射ITO薄膜層，真空度0.0Γ0. 5Pa，溫度22(T35(TC，ITO薄膜層的厚度5nm 25nm ；
(2)、在ITO薄膜層上涂布光刻膠，將ITO薄膜層覆蓋，光刻膠的厚度100(T2000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度:60 100。。；
(3)、對光刻膠進行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，ITO電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米；
(4)、對光刻膠進行顯影并硬化，顯影采用有機堿，濃度廣4%，或者NaOH，濃度O. I O. 8%，溫度2(T40°C，時間20秒 300秒，硬化溫度8(Tl20°C，時間20 50分鐘；
(5)、蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，蝕刻使用材料HCL109T20%+HN032% 10%，溫度4(T60°C，時間:120 600 秒；
(6)、去除光刻膠，形成ITO電極，使用材料有機溶液，有機溶液為二甘醇丁醚8(Γ90%+已醇胺10% 20%，時間5分鐘內(nèi)，最后用純水漂洗；
(7)、在ITO薄膜層電極圖形層上鍍金屬層，真空度0.01 0.5Pa，溫度4(T250°C ；
(8)、在金屬層上涂布二次光刻膠，二次光刻膠的厚度50(T2000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度6(Tl00°C ；(9)、對二次光刻膠進行曝光，即在二次光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，金屬電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米；
(10)、對一次曝光過后的電極圖形上進行二次曝光(圖形要求把需要金屬線路部分的光刻膠遮蓋，其余部分透光)，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，金屬電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米；
(11)、對二次光刻膠進行顯影并硬化，形成電極圖形，顯影采用有機堿，濃度f4%，或者NaOH,濃度O. I O. 8%，溫度20^40°C，時間20秒 300秒，硬化溫度:80^120°C，時間20 50分鐘；
(12)、蝕刻金屬層，使金屬層形成金屬電極圖形，用弱酸蝕刻金屬層，蝕刻時間控制在10分鐘內(nèi)，在十分鐘內(nèi)，弱酸不會蝕刻ITO薄膜層，弱酸組成磷酸50°/Γ80%+醋酸5°/Γ 5% ；
(13)、去除二次光刻膠，形成金屬電極，使用材料有機溶液，有機溶液為二甘醇丁醚80% 90%+已醇胺10% 20%，時間5分鐘內(nèi)，再用純水漂洗。本發(fā)明的優(yōu)點在于
通過本發(fā)明的方法使得在制作的金屬層圖形的可視區(qū)域內(nèi)不出現(xiàn)金屬殘留的現(xiàn)象，提高生產(chǎn)效率，降低人工成本，打通流程上的瓶頸問題。


圖I是本發(fā)明的鍍ITO薄膜層的示意圖。圖2是本發(fā)明的ITO薄膜層上涂布光刻膠的示意圖。圖3是本發(fā)明對光刻膠曝光的示意圖。圖4是本發(fā)明對光刻膠顯影并硬化的示意圖。圖5是本發(fā)明蝕刻ITO層的示意圖。圖6是本發(fā)明去除ITO上光刻膠的示意圖。圖7是本發(fā)明的鍍金屬層的示意圖。圖8是本發(fā)明的金屬層上涂布二次光刻膠的示意圖。圖9是本發(fā)明對金屬層上光刻膠曝光的示意圖。圖10是本發(fā)明對一次光刻后的產(chǎn)品進行二次曝光的示意圖。圖11是本發(fā)明對金屬層上二次光刻膠顯影并硬化的示意圖。圖12是本發(fā)明蝕刻金屬層的示意圖。圖13是本發(fā)明去除金屬層上二次光刻膠的示意圖。
具體實施例方式
一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法，包括以下步驟
第一步如圖I所示，在基板I上真空濺射ITO薄膜層2，真空度0. OfO. 5Pa，溫度220^350°C, ITO 薄膜層 2 的厚度 5nm 25nm ；
第二步如圖2所示，在ITO薄膜層2上涂布光刻膠3，用輥輪或旋轉(zhuǎn)涂布，光刻膠厚度:1000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度80°C ；
第三步如圖3所示，在光刻膠3上光刻電極圖形，紫外光波長365nm，光通量IOOmj, ITO電極圖案的光罩6是菲林或鉻板，菲林或鉻板距離基板的尺寸100微米；
第四步如圖4所示，對光刻膠3進行顯影并硬化，形成電極圖形，采用有機堿，濃度2%，或者NaOH,濃度O. 4%，溫度30°C,時間200秒，硬化溫度100°C，時間40分鐘；
第五步如圖5所示，蝕刻ITO薄膜層2，形成ITO電極圖形，蝕刻使用材料HCL15%+HN03 6%，溫度50°C，時間400 秒；
第六步如圖6所示，去除光刻膠3，形成ITO電極，使用材料有機溶液(以二甘醇丁醚(85%)和已醇胺按(15%))，時間5分鐘內(nèi)，最后用純水漂洗；
第七步如圖7所示，在ITO薄膜層2上真空濺射鍍金屬層4，金屬層4是鑰，真空度O. 2Pa，溫度40°C，與ITO薄膜層3接觸的鑰的厚度15nm ;空氣面的鑰的厚度40nm ；
第八步如圖8所示，在金屬層4上涂布二次光刻膠5，用輥輪或旋轉(zhuǎn)涂布，光刻膠5厚度1000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度80°C ；
第九步如圖9所示，在二次光刻膠5上光刻電極圖形，紫外光波長365nm，光通量IOOmj，金屬電極圖案的光罩6是菲林或鉻板，菲林或鉻板距離基板的尺寸100微米，此時金屬電極圖案之間有金屬點7 ；
第十步如圖10所示，在一次曝光過后的電極圖形上用新的電極圖案光罩6進行二次曝光，紫外光波長365nm，光通量100mj，金屬電極圖案的光罩6是菲林或鉻板，菲林或鉻板距離基板的尺寸100微米；
第十一步如圖11所示，對二次光刻膠5進行顯影并硬化，形成電極圖形，采用有機堿，濃度2%，或者NaOH，濃度O. 4%，溫度30°C，時間200秒，硬化溫度100°C，時間40分鐘；第十二步如圖12所示，蝕刻金屬層4，形成金屬電極圖形，用弱酸蝕刻金屬層，蝕刻時間控制在10分鐘內(nèi)，在十分鐘內(nèi)，弱酸不會蝕刻ITO薄膜層，弱酸組成磷酸(509Γ80%)、醋酸(5% I5%)；
第十三步如圖13所示，去除二次光刻膠5，形成金屬電極，使用材料有機溶液(以二甘醇丁醚(85%)和已醇胺按(15%))，時間5分鐘內(nèi)，再用純水漂洗。
權(quán)利要求
1.一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)、在基板上真空濺射ITO薄膜層，真空度0.0Γ0. 5Pa，溫度22(T35(TC，ITO薄膜層的厚度5nm 25nm ； (2)、在ITO薄膜層上涂布光刻膠，將ITO薄膜層覆蓋，光刻膠的厚度100(T2000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度:60 100。。； (3)、對光刻膠進行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，ITO電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米； (4)、對光刻膠進行顯影并硬化，顯影采用有機堿，濃度廣4%，或者NaOH，濃度O.I O. 8%，溫度2(T40°C，時間20秒 300秒，硬化溫度8(Tl20°C，時間20 50分鐘； (5)、蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，蝕刻使用材料HCL109T20%+HN032% 10%，溫度4(T60°C，時間:120 600 秒； (6)、去除光刻膠，形成ITO電極，使用材料有機溶液，有機溶液為二甘醇丁醚80^90%+已醇胺10% 20%，時間5分鐘內(nèi)，最后用純水漂洗； (7)、在ITO薄膜層電極圖形層上鍍金屬層，真空度O.0Γ0. 5Pa，溫度4(T250°C ； (8)、在金屬層上涂布二次光刻膠，二次光刻膠的厚度50(T2000nm，均勻性10%以內(nèi)，預(yù)烘溫度6(Tl00°C ； (9)、對光刻膠進行曝光，即在二次光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，金屬電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米； (10)、對一次曝光過后的電極圖形上進行二次曝光，曝光條件為紫外光波長365nm，光通量6(Tl50mj，金屬電極圖案的光罩是菲林或者鉻板，菲林或者鉻板距離基板的尺寸20微米 200微米； (11)、對二次光刻膠進行顯影并硬化，形成電極圖形，顯影采用有機堿，濃度f4%，或者NaOH,濃度0. Γ0. 8%，溫度20^40°C，時間20秒 300秒，硬化溫度=80^120°C，時間20 50分鐘； (12)、蝕刻金屬層，使金屬層形成金屬電極圖形，用弱酸蝕刻金屬層，蝕刻時間控制在10分鐘內(nèi)，弱酸組成磷酸50% 80%+醋酸5% 15% ； (13)、去除二次光刻膠，形成金屬電極，使用材料有機溶液，有機溶液為二甘醇丁醚80% 90%+已醇胺10% 20%，時間5分鐘內(nèi)，再用純水漂洗。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬點殘留少的電容觸摸屏的金屬電極制作方法，包括以下步驟在基板上鍍ITO薄膜層；在ITO薄膜層上涂布光刻膠；對光刻膠曝光；對光刻膠顯影并硬化；蝕刻ITO薄膜層；去除光刻膠；在ITO薄膜層上濺射金屬層；涂布二次光刻膠；對二次光刻膠一次曝光；對二次光刻膠二次曝光；對二次光刻膠顯影并硬化；蝕刻金屬層，形成金屬電極圖形；去二次光刻膠，形成金屬電極。本發(fā)明的方法可以制作出金屬層和ITO薄膜層的復(fù)合電極，即使表面的金屬層被劃傷、劃斷，電極仍然可以使用，本發(fā)明提高了電極的質(zhì)量、增強電極的耐用性能。
文檔編號G06F3/044GK102929459SQ20121036147
公開日2013年2月13日 申請日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月24日
發(fā)明者周朝平, 肖新煌 申請人:晟光科技股份有限公司