專利名稱：一種ito的布線結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種ITO的布線結構，特別是涉及一種觸摸屏的ITO的布線結構。
背景技術：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關鍵材料，目前，其在儀器儀表、計算機、電子表、游戲機和家用電器等領域都有了極為廣泛的應用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動作?，F(xiàn)有的觸摸屏，包括基板和雙層ΙΤ0，雙層ITO的鋪設方式有兩種，一種是ITO層鋪設在基板的雙側，其中一 ITO層為X軸檢測層，另一 ITO層為Y軸檢測層；另一種為兩層ITO層均鋪設在基板的同一側，為了避免電極之間的相互導通，在基板上設置橋接點，從而有效地避免了電極之間的短路。無論哪種方式，現(xiàn)有ITO的布線結構一般為菱形，雖然其結構簡單，能夠完成觸摸偵測的動作，但由于采用菱形結構，難免會帶來多指觸控偵測不穩(wěn)定、電源噪聲干擾較大、畫線效果不佳的問題，影響用戶的使用效果。因此需要為廣大用戶提供一種全新的ITO布線結構來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種ITO的布線結構，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題，抗干擾能力更強，線性度更高。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供一種ITO的布線結構，包括兩層Ι ，均布設在基板上，所述ITO的布線結構包括若干個電極塊，所述電極塊由X電極和Y電極組成井字形，且在所述X電極與所述Y電極之間的空隙內(nèi)填充有若干個懸浮塊。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明雖然結構簡單，但信號強度明顯增強，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題和懸浮問題，明顯提高了 ITO層的靈敏度、線性度、通信速度和防水性能。在電極之間的空隙內(nèi)填充懸浮塊，增加了電容耦合，從而增強了整個ITO層的抗干擾能力。


圖I是本發(fā)明ITO布線結構的結構示意圖2是本發(fā)明ITO布線結構的一個電極塊的結構示意圖3是本發(fā)明ITO布線結構的一個電極塊的分解結構示意附圖中各部件的標記如下1、IT0布線結構，10、電極塊，11、懸浮塊，12、Y電極，13、Χ電極，100、電極單元。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
請參閱圖I，本發(fā)明實施例包括
一種ITO的布線結構1，包括兩層ΙΤ0,均布設在基板同側，一層ITO上布設有X電極13，另一層ITO上布設有Y電極12。所述ITO的布線結構包括若干個電極塊10，所述電極±夾10由X電極13和Y電極12組成井字形，所述X電極13和Y電極12均由若干個電極單元100組成,若在X方向上所述電極單元100相互連接,那么在Y方向上所述電極單元100通過橋接的方式相互連接，從而有效地避免了電極之間的短路。請參閱圖2，一個電極塊10包括兩列X電極13和Y電極12，相鄰兩列電極之間形成空隙。每列X電極13包括兩個電極單元100,每列Y電極12包括兩個電極單元100。所述電極單元100的形狀為六邊形，其中六邊形的對角線較其它邊長，而六邊形較長邊的邊長根據(jù)觸摸屏的ITO感應層的設計需求而定，但整個電極塊10呈中心對稱結構，以使ITO層具有均勻的感應能力。每個電極塊I的電容負載相對于傳統(tǒng)電容式觸控結構的電容負載明顯降低，從而使整個ITO層的信號強度明顯增強，提高了 ITO層的通信速度。在所述X電極13與所述Y電極12之間的空隙內(nèi)填充有若干個懸浮塊11，所述懸浮塊11也是ΙΤ0，如此以來可以增加電容耦合，增強了所述整個ITO層的抗干擾能力，同時也明顯提高了 ITO層的靈敏度、線性度及防水性能。為了清楚地表示出相鄰電極之間的空隙內(nèi)填充的懸浮塊11的個數(shù)，請參閱圖3，將一個電極塊I內(nèi)X電極13和Y電極12組成的空隙分別標號，位于電極塊10中心處的空隙為a區(qū)，在a區(qū)內(nèi)填充有偶數(shù)個懸浮塊11，至少填充有四個懸浮塊11，以此遞增形成一懸浮塊矩陣；位于電極塊10邊緣處的空隙b區(qū)內(nèi)填充懸浮塊11的個數(shù)是a區(qū)懸浮塊11個數(shù)的一半；位于電極塊I四角處的c區(qū)內(nèi)填充懸浮塊11的個數(shù)是b區(qū)懸浮塊11個數(shù)的一半，以此若干個電極塊I形成對稱結構的整個ITO 層。位于ITO邊緣處的電極塊10中，相鄰兩個X電極13或Y電極12的引線相互連接至觸控芯片的一個引腳，所以一個電極塊10各有一條X引線和Y引線連接至觸控芯片對應的引腳上。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種ITO的布線結構，包括兩層ΙΤ0，均布設在基板上，其特征在于，所述ITO的布線結構包括若干個電極塊，所述電極塊由X電極和Y電極組成井字形，且所述X電極與所述Y電極之間的空隙內(nèi)填充有若干個懸浮塊。
2.根據(jù)權利要求I所述的ITO的布線結構，其特征在于，所述X電極和所述Y電極均包括若干個電極單元。
3.根據(jù)權利要求2所述的ITO的布線結構，其特征在于，所述電極單元的形狀為六邊形，其中六邊形的兩個對角邊較其它邊長。
4.根據(jù)權利要求2所述的ITO的布線結構，其特征在于，若在X方向上所述電極單元相互連接，那么在Y方向上所述電極單元通過橋接的方式相互連接。
5.根據(jù)權利要求I所述的ITO的布線結構，其特征在于，所述電極塊中心處的空隙內(nèi)至少填充有四個懸浮塊。
6.根據(jù)權利要求5所述的ITO的布線結構，其特征在于，所述電極塊邊緣處的空隙內(nèi)填充懸浮塊的個數(shù)是中心處空隙內(nèi)懸浮塊的個數(shù)的一半。
7.根據(jù)權利要求6所述的ITO的布線結構，其特征在于，所述電極塊四角處的空隙內(nèi)填充懸浮塊的個數(shù)是邊緣處空隙內(nèi)懸浮塊的個數(shù)的一半。
8.根據(jù)權利要求I所述的ITO的布線結構，其特征在于，位于ITO邊緣處的所述電極塊中，相鄰的兩個X或Y電極的引線相互連接至觸控芯片的一個引腳。
9.根據(jù)權利要求I所述的ITO的布線結構，其特征在于，兩層ITO布設在基板的同側。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種ITO的布線結構，包括兩層ITO，均布設在基板上，所述ITO的布線結構包括若干個電極塊，所述電極塊由X電極和Y電極組成井字形，且所述X電極與所述Y電極之間的空隙內(nèi)填充有若干個懸浮塊。本發(fā)明雖然結構簡單，但信號強度明顯增強，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題和懸浮問題，明顯提高了ITO層的靈敏度、線性度、通信速度和防水性能，增加了電容耦合，從而增強了整個ITO層的抗干擾能力。
文檔編號G06F3/044GK102915166SQ20121037100
公開日2013年2月6日 申請日期2012年9月29日 優(yōu)先權日2011年11月25日
發(fā)明者雷奧納·波特曼, 張開立 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司