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      一種透光電容屏的制作方法

      文檔序號:6389115閱讀:389來源:國知局
      專利名稱:一種透光電容屏的制作方法
      技術領域
      本實用新型屬于電子技術領域,涉及ー種透光電容屏。
      背景技術
      隨著電子技術的發(fā)展,目前對于各種顯示設備的要求也越來越高,這里主要是包括電阻式屏、壓電式屏以及電容式屏,由于電阻式屏需要依靠物理力使之產(chǎn)生信號,在長時間使用后性能較差,而壓電式屏成本較大,電容式屏是依靠人體的電場、手指以及工作面形
      成耦合電容產(chǎn)出可偵測信號,現(xiàn)在的應用面也越來越廣,但是現(xiàn)有的電容屏由于各層之間存在著液態(tài)高分子材料或間隔顆粒之間含有空氣,大大降低了透光率。
      發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的現(xiàn)狀,而提供一種結構簡單,屏幕輕薄,透光率高的透光電容屏。本實用新型解決上述技術問題所采用的技術方案為一種透光電容屏,其特征是包括由上至下依次疊加而成的基板層、第一導電層、隔離層、第二導電層、屏蔽層以及金屬層,所述的第一導電層和第二導電層上蝕刻有多條上下相錯X跡線和Y跡線,其中X跡線組成第一電容,Y跡線組成第二電容,所述的金屬層將上述的X跡線或Y跡線連接起來后并連接到控制電路上,所述的屏蔽層屏蔽第一導電層和第二導電層對金屬層的電壓干擾。為優(yōu)化上述方案采取的措施具體包括在上述的一種透光電容屏中,所述的隔離層為ニ氧化硅層,且隔離層的厚度為150 300埃米。在上述的一種透光電容屏中,所述的第一導電層和第二導電層為氧化銦錫層。與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的優(yōu)點在于克服了原有各層存在著液態(tài)高分子材料或間隔顆粒造成的屏幕透光率不佳等問題,整個電容屏不僅結構簡単,而且輕薄,這里通過屏蔽層能夠屏蔽電壓信號的干擾。

      圖I是本實用新型的整體結構示意圖。
      具體實施方式
      以下是本實用新型的具體實施例并結合附圖,對本實用新型的技術方案作進ー步的描述,但本實用新型并不限于這些實施例。圖中,基板層I ;第一導電層2 ;隔離層3 ;第二導電層4 ;金屬層5 ;X跡線6 ;Y跡線7 ;屏蔽層8。如圖I所示,本透光電容屏,包括由上至下依次疊加而成的基板層I、第一導電層
      2、隔離層3、第二導電層4、屏蔽層8以及金屬層5,這里第一導電層2和第二導電層4為氧化銦錫層,隔離層3為ニ氧化硅層,且隔離層3的厚度為150 300埃米,這樣克服了屏幕透光率不佳等問題,屏蔽層8屏蔽第一導電層2和第二導電層4對金屬層5的電壓干擾。第一導電層2和第二導電層4上蝕刻有多條上下相錯X跡線6和Y跡線7,其中X跡線6組成第一電容,Y跡線7組成第二電容,金屬層5將上述的X跡線6或Y跡線7連接起來后并連接到控制電路上,制作時首先將第一導電層2和第二導電層4覆蓋在基板層I上,然后對基板層I進行清潔后再鍍上透明導電物質(即氧化銦錫),完成X跡線6制作,然后再鍍上ー層絕緣透明物質即ニ氧化硅,然后再次鍍上透明導電物質(即氧化銦錫),完成Y跡線7制作,即可完成電容屏的制作?!?br> 權利要求1.一種透光電容屏,其特征是包括由上至下依次疊加而成的基板層(I)、第一導電層⑵、隔離層(3)、第二導電層(4)、屏蔽層⑶以及金屬層(5),所述的第一導電層⑵和第ニ導電層(4)上蝕刻有多條上下相錯X跡線(6)和Y跡線(7),其中X跡線(6)組成第一電容,Y跡線(7)組成第二電容,所述的金屬層(5)將上述的X跡線(6)或Y跡線(7)連接起來后并連接到控制電路上,所述的屏蔽層(8)屏蔽第一導電層(2)和第二導電層(4)對金屬層(5)的電壓干擾。
      2.根據(jù)權利要求I所述的ー種透光電容屏,其特征是所述的隔離層(3)為ニ氧化硅層,且隔尚層(3)的厚度為150 300nm。
      3.根據(jù)權利要求I所述的ー種透光電容屏,其特征是所述的第一導電層(2)和第二導電層(4)為氧化銦錫層。
      專利摘要本實用新型屬于電子技術領域,提供一種透光電容屏,包括由上至下依次疊加而成的基板層、第一導電層、隔離層、第二導電層、屏蔽層以及金屬層,所述的第一導電層和第二導電層上蝕刻有多條上下相錯X跡線和Y跡線,其中X跡線組成第一電容,Y跡線組成第二電容,金屬層將上述的X跡線或Y跡線連接起來后并連接到控制電路上。本實用新型的優(yōu)點在于克服了原有各層存在著液態(tài)高分子材料或間隔顆粒造成的屏幕透光率不佳等問題,整個電容屏不僅結構簡單,而且輕薄。
      文檔編號G06F3/044GK202523047SQ20122016283
      公開日2012年11月7日 申請日期2012年4月6日 優(yōu)先權日2012年4月6日
      發(fā)明者陳法林 申請人:陳法林
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