專利名稱：觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及觸控面板。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的觸控面板的感測電極材料較多的采用氧化銦錫(ITO)。近來由于銦礦的來源取得不易以及銦元素的日漸枯竭，使用不同的透明電極來取代氧化銦錫(ITO)成為一個熱門的課題。其中使用納米銀絲SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO為目前一種可行性的方案。然而，相較于ITO，SNW較易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附著力低，后續(xù)加工會存在良率問題。因此，如圖1所示，在基板100形成納米銀絲層110之后，會再涂布另外一層保護層120覆蓋納米銀絲層110，保護層120可隔絕部分空氣，進而提高納米銀絲層110的抗氧化能力。分散于基板100上的納米銀絲層110自身具有一定疏密度，保護層120可通過納米銀絲層110自身的間隙與基板100接觸，進而可通過保護層120與基板110較佳的附著力來提高納米銀絲層120在基板110上的附著力。然而，保護層太厚或太薄，均存在設(shè)計上的缺陷如果保護層過厚在納米銀絲層形成電極圖形時，蝕刻工藝中蝕刻液較難滲透保護層對SNW進行蝕刻。如果保護層太薄納米銀絲層的抗氧化能力下降，而且保護層與基板的接合效果亦將減弱，進而導(dǎo)致納米銀絲層在基板上的附著力下降，因此會影響制造后產(chǎn)品的良率。

實用新型內(nèi)容本實用新型的所要解決的技術(shù)問題在于提供一種觸控面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中單一保護層太厚和太薄存在的問題。本實用新型提供一種觸控面板，該觸控面板包括一基板；一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域和非導(dǎo)接區(qū)域；一第一保護層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；一第二保護層，設(shè)置于該第一保護層上，且該第二保護層具有一開孔，該開孔對應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護層上，且該導(dǎo)接線通過該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。其中，該第一保護層為厚度為50nm至500nm的保護層。其中，該第二保護層為 厚度為O. 2 μ m至5 μ m的保護層。其中，該第一保護層的材料為可透視的絕緣材料。其中，該第二保護層的材料為可透視的絕緣材料。其中，該導(dǎo)接線采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫(ΙΤ0)，或上述各材料的組
八
口 ο[0015]其中，該導(dǎo)接孔不貫穿該第一保護層。其中，該納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。其中，該納米銀絲電極層包含多個沿第一方向排列的第一電極塊，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線，以及多個沿第二方向排列的第二電極塊，且各第二電極塊分別設(shè)置于第一連接線兩側(cè)，且各第二電極塊上的第一保護層和第二保護層分別形成有導(dǎo)接孔和與導(dǎo)接孔對應(yīng)的開孔；所述第二保護層上設(shè)置有多條第二連接線，各第二連接線通過設(shè)置于第二電極塊上的導(dǎo)接孔和開孔，電性連接相鄰的第二電極塊。其中，所述第二連接線的材料采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫，或上述各材料的組合。本實用新型通過在第一保護層上設(shè)置第二保護層，第一保護層可以減薄，蝕刻工藝中蝕刻液容易滲透保護層對納米銀絲層進行蝕刻。同時，之后形成的導(dǎo)接線易于與下方的納米銀絲電極層連接。第二保護層提高了納米銀絲電極層在基板上的抗氧化能力以及附著力。另外，當(dāng)采用不完全蝕刻的工藝時，由于第一保護層上額外設(shè)置了第二保護層，則保護層整體不至很薄，可避免僅有第一保護層時，在保護層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層時可能存在的短路問題。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)納米銀絲層上一層保護層的示意圖；圖2為為本實用新型觸控面板制備方法的工藝步驟圖；圖3a至圖3g為對應(yīng)于圖2工藝步驟圖各步驟的觸控面板示意圖；圖4為完全蝕刻與不完全蝕刻工藝的示意圖；圖5a為本實用新型一觸控面板的示意圖，圖5b為沿圖5a A_A’方向的剖面圖；圖6a為本實用新型一納米銀絲電極層的示意圖，圖6b為采用圖6a納米銀絲電極層的觸控面板的剖面圖；其中，附圖標(biāo)記100、200、300、400 基板110、210a納米銀絲層210b、310b、410b納米銀絲電極層120、220、320、420 第一保護層230、330、430、第二保護層240、340、440 開孔250、350、450 導(dǎo)接孔260、360、460 導(dǎo)接線411、第一電極塊412、第一連接線413、第二電極塊470、第二連接線Ml、導(dǎo)接區(qū)域M2、非導(dǎo)接區(qū)域
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。以下文中的方位“上”及“下”僅是用來表示各元件相對的位置關(guān)系，并不用以限定本實用新型的保護范圍。請參考圖2，圖2為本實用新型觸控面板的制備方法的工藝步驟圖，本實用新型觸控面板的制備方法包括步驟1:提供一基板；請參照圖3a，提供一基板200，基板200采用可透視的材料，可以是玻璃基板或者聚對苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate, PET)基板?；?00的表面可為平面或者曲面。步驟2 :于該基板上形成納米銀絲層；請參照圖3b，于基板200上形成一整層的納米銀絲層210a。形成納米銀絲層210a可采用沉積、濺射等工藝。步驟3 :于該納米銀絲層上形成一第一保護層；請參照圖3c，于納米銀絲層210a上形成第一保護層220。第一保護層的厚度為50nm至500nm，在此厚度范圍內(nèi)，蝕刻液可滲·透保護層對納米銀絲層進行蝕刻。第一保護層220采用可透視的絕緣材料，如二氧化硅。步驟4 :對該納米銀絲層進行處理形成納米銀絲電極層。請同時參考圖3d和圖4，納米銀絲層210a進行處理，形成納米銀絲電極層210b。在一實施例中，納米銀絲電極層210b可為圖4中的條狀電極結(jié)構(gòu)。納米銀絲電極層210b亦可采用其它電極結(jié)構(gòu)。如圖4所示，在一實施例中，對納米銀絲層210a可采用完全蝕刻的工藝A。在另一實施例中，對納米銀絲層210a可采用不完全蝕刻的工藝B，即在蝕刻過程中，可不蝕刻掉非電極結(jié)構(gòu)區(qū)域的所有納米銀絲，僅將該區(qū)域蝕刻成與電極結(jié)構(gòu)區(qū)域電性隔離的區(qū)域。相較于完全蝕刻的工藝A，采用非完全蝕刻的工藝B，經(jīng)蝕刻后，蝕刻區(qū)的電極與非蝕刻區(qū)的電極色差較小，即產(chǎn)品結(jié)構(gòu)會有較好的外觀效果。納米銀絲電極層210b上需與外界導(dǎo)接以傳遞電信號的區(qū)域為導(dǎo)接區(qū)域Ml。步驟5 :于該第一保護層上形成一具有一開孔的第二保護層，該開孔對應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；請參考圖3e，在第一保護層220上形成一第二保護層230，其中第二保護層230對應(yīng)于導(dǎo)接區(qū)域Ml具有一開孔240。形成具開孔的第二保護層230可采用印刷涂布的工藝或微影蝕刻的工藝。該第二保護層230采用可透視的絕緣材料，如二氧化硅、環(huán)氧樹脂、壓克力聚合物等，或前述各材料之組合。第二保護層230的厚度為0.2 μ m(微米)至5μπι。步驟6 :于該開孔對應(yīng)處的第一保護層形成一導(dǎo)接孔。請參考圖3f，對第一保護層220進行處理，形成一導(dǎo)接孔250，該導(dǎo)接孔250對應(yīng)于開孔240的位置。在第一保護層220上形成該導(dǎo)接孔250可采用電漿蝕刻的工藝。步驟7 :形成導(dǎo)接線連接該導(dǎo)接區(qū)域的電極。請參考圖3g，形成一導(dǎo)接線260，該導(dǎo)接線260通過開孔240和導(dǎo)接孔250電性連接導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b。需說明的是，導(dǎo)接孔250可不貫穿第一保護層220，即第一保護層220減薄至可導(dǎo)通導(dǎo)接線260與導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b即可。導(dǎo)接線260可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。如圖3g所示，采用本實用新型的制備方法，形成的觸控面板，包括一基板200 ; —納米銀絲電極層210b，設(shè)置于該基板200上，該納米銀絲電極層210b上需與外界導(dǎo)接一傳遞電信號的區(qū)域為導(dǎo)接區(qū)域Ml ;—第一保護層220，設(shè)置于該納米銀電極層210b上，且該第一保護層220具有一導(dǎo)接孔250，對應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域Ml ;—第二保護層230，設(shè)置于該第一保護層220上，且該第二保護層具有一開孔240，該開孔240對應(yīng)于該導(dǎo)接孔250的位置；以及一導(dǎo)接線260，設(shè)置于該第二保護層上，且該導(dǎo)接線260通過該開孔240及該導(dǎo)接孔250電性連接該導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b。在本實施例中，納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。其中，該基板200采用可透視的材料，如玻璃基板或者聚對苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate, PET)。基板200的表面可為平面或者曲面。其中，該第一保護層220的厚度為50nm至500nm。其中，該第二保護層230的厚度為O. 2μπι至5μπι。 其中，該第一保護層220的材料為可透視的絕緣材料，如二氧化硅。其中，該第二保護層230的材料為可透視的絕緣材料，如二氧化硅或環(huán)氧樹脂、壓克力聚合物等。其中，該第一保護層220或第二保護層230的厚度可依不同的材料進行選擇。其中，導(dǎo)接線260可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。如圖5a和圖5b所示，圖5a繪示了本實用新型觸控面板的一實施例，圖5b為沿圖5a A-A’方向的剖面圖。在本實施例中，納米銀絲電極層310b包含多條條狀的電極結(jié)構(gòu)，且各條狀電極兩側(cè)都連接有導(dǎo)接線360，導(dǎo)接線360會聚一接合區(qū)S。會聚至接合區(qū)S的導(dǎo)接線360另一端通過接合一軟性電路板連接至一控制器上(圖未示)，并借由該控制器處理由導(dǎo)接線所傳遞的感測信號。在另一實施例中，導(dǎo)接線360可僅接至條狀電極的一側(cè)。在另一實施例中，接合區(qū)S的數(shù)目可為多個，即可依具體的納米銀絲電極層310b作調(diào)整。在各條狀電極兩側(cè)都連接有導(dǎo)接線360，當(dāng)觸控面板的尺寸較大時，兩側(cè)的導(dǎo)接線360通過在軟性電路板連接形成一封閉回路，可降低感測信號因受阻值影響而產(chǎn)生信號之衰減，以提升觸控面板的感測靈敏度。本實施例觸控面板的其它特性與前述實施例相同，此處不再贅述。如圖6a和圖6b所示，圖6a繪示了本實用新型另一納米銀絲電極層的圖示，圖6b為對應(yīng)于該納米銀絲電極層B — B’方向的觸控面板的剖面圖。如圖6a所示，納米銀絲電極層410b包含多個沿第一方向排列的第一電極塊411，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線412，以及多個沿第二方向排列的第二電極塊413，且各第二電極塊413分別設(shè)置于第一連接線412兩側(cè)。較佳者，第一方向與第二方向垂直。如圖6b所示，采用納米銀絲電極層410b的觸控面板，與前一實施例的不同點在于，各第二電極塊413上的第一保護層420和第二保護層430分別形成有導(dǎo)接孔450和對應(yīng)于導(dǎo)接孔450的開孔440。本實施例的觸控面板第二保護層430上，除了設(shè)置有導(dǎo)接線460，更設(shè)置有多條第二連接線470，各第二連接線470通過設(shè)置于各第二電極塊413上的導(dǎo)接孔450和開孔440，電性連接相鄰的第二電極塊413。第二連接線470可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。在一實施例中，導(dǎo)接線460與第二連接線470采用相同的材料，兩者可在同一步驟中形成。本實施例的觸控面板其它特性與前述實施例相同，此處不再贅述。本實用新型的效果I)本實用新型通過在第一保護層上設(shè)置第二保護層，第一保護層可以減薄，蝕刻工藝中蝕刻液容易滲透保護層對納米銀絲層進行蝕刻。同時，之后形成的導(dǎo)接線易于與下方的納米銀絲電極層連接。2)本實用新型于第一保護層上再設(shè)置第二保護層，起到了保護效果，提高了納米銀絲層在基板上的附著力及抗氧化能力。3)當(dāng)采用不完全蝕刻的工藝時，由于第一保護層上額外設(shè)置了第二保護層，則保護層整體不至很薄，可避免僅有第一保護層時，在保護層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層可能存在的短路問題。當(dāng)然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種觸控面板，其特征在于，包括一基板；一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域；一第一保護層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；一第二保護層，設(shè)置于該第一保護層上，且該第二保護層具有一開孔，該開孔對應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護層上，且該導(dǎo)接線通過該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第一保護層為厚度為50nm至 500nm的保護層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電觸控面板，其特征在于，該第二保護層為厚度為O.2μπι至 5 μ m的保護層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第一保護層的材料為可透視的絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第二保護層的材料為可透視的絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)接線采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫，或上述各材料的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)接孔不貫穿該第一保護層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該納米銀絲電極層包含多個沿第一方向排列的第一電極塊，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線，以及多個沿第二方向排列的第二電極塊，且各第二電極塊分別設(shè)置于第一連接線兩側(cè)，且各第二電極塊上的第一保護層和第二保護層分別形成有導(dǎo)接孔和與導(dǎo)接孔對應(yīng)的開孔；所述第二保護層上設(shè)置有多條第二連接線，各第二連接線通過設(shè)置于第二電極塊上的導(dǎo)接孔和開孔，電性連接相鄰的第二電極塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述第二連接線的材料采用銀、鋁、 銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫，或上述各材料的組合。
專利摘要本實用新型公開了一種觸控面板，該觸控面板包括一基板；一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域和非導(dǎo)接區(qū)域；一第一保護層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；一第二保護層，設(shè)置于該第一保護層上，且該第二保護層具有一開孔，該開孔對應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護層上，且該導(dǎo)接線通過該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。采用本實用新型的觸控面板，可避免單一保護過厚時蝕刻液無法滲透，以及過薄時納米銀絲層易被氧化和在基板上附著力差的問題，而且在采用不完全蝕刻的工藝時，可避免僅有第一保護層時，在保護層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層可能存在的短路問題。
文檔編號G06F3/041GK202838266SQ201220530340
公開日2013年3月27日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者劉振宇, 龔立偉, 林熙乾 申請人:宸鴻光電科技股份有限公司