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      外觀檢查方法及其裝置制造方法

      文檔序號:6494716閱讀:132來源:國知局
      外觀檢查方法及其裝置制造方法
      【專利摘要】為了使被檢查對象物的形狀物在外觀檢查裝置的平臺上的平臺坐標(biāo)和形狀物地址相關(guān)聯(lián)而保持,在利用外觀檢查裝置的低倍率透鏡進(jìn)行的預(yù)掃描工序中,利用所得到的攝像圖像,與平臺坐標(biāo)相關(guān)聯(lián)地賦予形狀物地址,在實(shí)際檢查工序中,利用形狀物地址削減被檢查對象物的搜索時(shí)間,由此縮短檢查準(zhǔn)備工序和實(shí)際檢查的綜合的檢查節(jié)拍時(shí)間。
      【專利說明】外觀檢查方法及其裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及在被檢查對象物上形成有細(xì)微圖案的形成物的外觀檢查方法及其裝置。尤其是,涉及將晶片(例如,半導(dǎo)體晶片或者LED晶片)進(jìn)行切割加工后,在拉伸工序中被分割成很多芯片時(shí),作為被檢查對象物的半導(dǎo)體芯片上的形成物的配置或者旋轉(zhuǎn)角度即使沒有統(tǒng)一性時(shí)也能夠高速地進(jìn)行的外觀檢查方法及裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]最近,被檢查對象物上的形成物的外觀檢查方法以及/或者裝置中,大多是在形成有預(yù)定圖案的被檢查對象物上的形成物上凝縮有各細(xì)微圖案而配置在被檢查對象物上。另外,該被檢查對象物的外觀檢查中,在切割加工后的拉伸工序中將作為該預(yù)定形狀物的根基的晶片膜進(jìn)行拉伸,然后將各個形狀物分離后進(jìn)行外觀檢查的需求不斷增大。
      [0003]進(jìn)一步,最近該形狀物的各自的尺寸越來越小,在一個被檢查對象物上配置有兩萬個甚至是十萬個形狀物。因此,不僅檢查時(shí)間增長,而且外觀檢查的節(jié)拍時(shí)間也上升。
      [0004]但是,關(guān)于本申請相關(guān)的公知技術(shù),在專利文獻(xiàn)I中記載了有關(guān)求出被檢查對象物的內(nèi)面傾斜角后根據(jù)該角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)校正的外觀檢查處理的發(fā)明。
      [0005]另外,在專利文獻(xiàn)2中記載了如下的發(fā)明,該發(fā)明是,參照圖像及被檢查圖像的聚焦像素中附近像素值的空間變化量小的像素被選擇為允許像素的同時(shí),另一像素被選擇為目標(biāo)像素,并對允許像素設(shè)定允許范圍。并且,該允許范圍內(nèi)的任意值被看做是允許像素的值,通過比較目標(biāo)像素和允許像素,計(jì)算出這些像素的差分值。根據(jù)該差分值來制作表示被檢查圖像和參照圖像之間的差異的差分映射圖。
      [0006]進(jìn)一步,在專利文獻(xiàn)3中記載了以下發(fā)明。進(jìn)行外觀檢查,該外觀檢查是用于檢查作為被檢查對象物的集合體而形成有很多個的被檢查對象物的缺陷。此時(shí),需要根據(jù)檢查處理?xiàng)l件,以照明的種類或者角度還有攝像的倍率變化的次數(shù)進(jìn)行幾次檢查。各個被檢查對象物的角度與作為基準(zhǔn)的水平角度的偏差量作為校正數(shù)據(jù)來存儲。從下一次起的重復(fù)檢查中,調(diào)用該被存儲的信息,進(jìn)行校正后,進(jìn)行外觀檢查。因此,通過回避每次的位置或旋轉(zhuǎn)角度的測量作業(yè),能夠縮短外觀檢查時(shí)間。
      [0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
      [0008]專利文獻(xiàn)
      [0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-069645號
      [0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-057019號
      [0011]專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-012971號

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0012]如所述【背景技術(shù)】中的記載,將被檢查對象物上的多個形狀物,進(jìn)行切割加工后經(jīng)過拉伸工序來分割成各個形狀物之后,對所有形狀物進(jìn)行外觀檢查時(shí),會產(chǎn)生由于形狀物的數(shù)量多而在漏了檢查形狀物的情況下就結(jié)束檢查工序等的問題,因此要求想出能夠回避該問題的對策。
      [0013]本發(fā)明為了達(dá)到這樣的目的而具備如下的構(gòu)成。
      [0014]S卩,本申請的發(fā)明是被檢查對象物的外觀檢查方法是,使用在攝像工序中對被檢查對象物進(jìn)行拍攝而獲得的攝像圖像,其中,所述被檢查對象物載置于平臺上,具有形狀物,并且在切割加工后被保持在經(jīng)過了拉伸工序的膜上,該外觀檢查方法的特征在于,該外觀檢查方法包括以下工序:
      [0015]平臺坐標(biāo)設(shè)定工序,根據(jù)針對每個形狀物事先設(shè)定的閾值對拍攝所述被檢查對象物而得到的攝像圖像進(jìn)行二值化處理,并與所述平臺的預(yù)先決定的平臺坐標(biāo)相對應(yīng)地設(shè)定使根據(jù)該結(jié)果提取的各個形狀物的位置;
      [0016]搜索工序,考慮所述形狀物之間的所述膜在所述拉伸工序中的伸張率,對于應(yīng)該在預(yù)定形狀物附近的其它形狀物的范圍,利用該預(yù)定形狀物的平臺坐標(biāo)來搜索其它形狀物;以及
      [0017]關(guān)聯(lián)工序,對于在所述搜索工序中發(fā)現(xiàn)的其它形狀物,以預(yù)定形狀物為基準(zhǔn)對其它形狀物賦予形狀物地址,并且針對每個形狀物將該形狀物地址與平臺坐標(biāo)關(guān)聯(lián)起來,
      [0018]所述形狀物的平臺坐標(biāo)和形狀物地址的關(guān)聯(lián)工序結(jié)束后,根據(jù)所述形狀物地址進(jìn)行實(shí)際檢查。
      [0019]在上述方法中,上述被檢查對象物為半導(dǎo)體晶片,形狀物為半導(dǎo)體芯片,優(yōu)選:進(jìn)行所述攝像圖像的二值化處理,并求出通過該二值圖像而提取的半導(dǎo)體芯片的重心坐標(biāo),將所述形狀物的平臺坐標(biāo)設(shè)定為從所述重心坐標(biāo)偏移了到預(yù)先決定的半導(dǎo)體芯片的角為止的相對距離后的坐標(biāo)。
      [0020]另外,在上述方法中,所述形狀物地址是通過重復(fù)進(jìn)行下述處理而得到的:利用所述平臺坐標(biāo),從設(shè)定的基準(zhǔn)形狀物起依次搜索四個方向的形狀物,對所述被檢查對象物全域的所述平臺坐標(biāo)和所述形狀物地址進(jìn)行設(shè)定和關(guān)聯(lián)。
      [0021]另外,在上述方法中,優(yōu)選在所述平臺坐標(biāo)設(shè)定工序之前具有主定位工序,該主定們工序是:搜索預(yù)先設(shè)定的在半導(dǎo)體晶片上間隔開的作為基準(zhǔn)的兩個半導(dǎo)體芯片后分別進(jìn)行拍攝,根據(jù)該半導(dǎo)體芯片的位置坐標(biāo)求出半導(dǎo)體晶片的傾斜度,并根據(jù)該結(jié)果對該半導(dǎo)體晶片進(jìn)行定位。
      [0022]進(jìn)一步,在上述方法中,優(yōu)選在所述主定位工序之前具有子定位工序,該子定位工序是:對以比主定位時(shí)低的倍率拍攝到的半導(dǎo)體晶片的多張攝像圖像進(jìn)行二值化處理后,根據(jù)該二值圖像,從連續(xù)排列的多個半導(dǎo)體芯片的排列狀態(tài)求出該半導(dǎo)體晶片的傾斜度,并根據(jù)該結(jié)果對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行定位。
      [0023]另外,本發(fā)明為了達(dá)到這樣的目的具備如下的構(gòu)成。
      [0024]本發(fā)明的外觀檢查裝置使用由拍攝單元對被檢查對象物進(jìn)行拍攝而獲得的攝像圖像來對所述被檢查對象物進(jìn)行檢查,其中,所述被檢查對象物載置于平臺上,具有形狀物,并且在切割加工后被保持在經(jīng)過了拉伸工序的膜上,該外觀檢查裝置的特征在于,該外觀檢查裝置包括:
      [0025]平臺坐標(biāo)設(shè)定單元,其根據(jù)針對每個形狀物事先設(shè)定的閾值對拍攝所述被檢查對象物而獲得的攝像圖像進(jìn)行二值化處理,并與所述平臺的預(yù)先決定的平臺坐標(biāo)相對應(yīng)地設(shè)定根據(jù)該結(jié)果提取的各個形狀物的位置;以及[0026]關(guān)聯(lián)單元,其考慮所述形狀物之間的所述膜在所述拉伸工序中的伸張率,對于應(yīng)該在預(yù)定形狀物附近的其它形狀物的范圍,利用該預(yù)定形狀物的平臺坐標(biāo)來搜索其它形狀物,對于在所述搜索工序中發(fā)現(xiàn)的其它形狀物,以預(yù)定形狀物為基準(zhǔn)對其它形狀物賦予形狀物地址,并且針對每個形狀物將該形狀物地址與平臺坐標(biāo)關(guān)聯(lián)起來,
      [0027]將所述形狀物的平臺坐標(biāo)和形狀物地址關(guān)聯(lián)起來后,根據(jù)所述形狀物地址進(jìn)行實(shí)際檢查。
      [0028]根據(jù)該構(gòu)成,能夠恰當(dāng)?shù)貙?shí)施上述第一方法發(fā)明。
      [0029]在本發(fā)明中,進(jìn)行切割加工后,尤其是,作為對經(jīng)過了拉伸工序的被檢查對象物(例如晶片)上的多個形狀物(例如半導(dǎo)體芯片)進(jìn)行實(shí)際檢查的前階段,利用基于低倍率透鏡的攝像圖像,事先測量被檢查對象物的大致位置,由此事先掌握作為多個形狀物的半導(dǎo)體芯片的位置和存在。通過本發(fā)明,能夠回避在實(shí)際檢查時(shí)由于拉伸工序時(shí)的晶片膜的拉伸所伴隨的位置偏差等而漏掉利用高倍率透鏡來拍攝的形狀物,因此能夠進(jìn)行在被檢查對象物上的全部形狀物都不會被漏掉的實(shí)際檢查。另外,也能夠判別被檢查對象物上的不存在形狀物的位置。
      [0030]另外,通過本發(fā)明,進(jìn)行切割加工后,尤其是,對經(jīng)過了拉伸工序的晶片上的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行檢查時(shí),能夠事先防止由于晶片本身擴(kuò)張而漏掉晶片內(nèi)遠(yuǎn)離的位置上的作為檢查對象的半導(dǎo)體芯片。
      [0031]在作為后工序的實(shí)際檢查工序中,由于被檢查對象物的形狀物的搜索范圍擴(kuò)大至全域,檢查節(jié)拍變慢,但是本發(fā)明中記載的預(yù)掃描工序中,事先大致掌握半導(dǎo)體芯片的位置,因此能夠?qū)⒈粰z查對象物的形狀物的搜索范圍縮小,從而能夠縮短檢查節(jié)拍。另外,也能夠有效防止漏掉形狀物。在預(yù)掃描工序中利用低倍率的透鏡,由此在拍攝時(shí)能夠分別拍攝寬范圍,因此由于實(shí)施預(yù)掃描而引起的節(jié)拍時(shí)間的增加可以通過縮小所述被檢查對象物的形狀物的搜索范圍來抑制。
      [0032]該節(jié)拍時(shí)間縮短的主要原因是:檢查晶片時(shí),在實(shí)施本發(fā)明的預(yù)掃描工序的情況下,對于晶片上的全部半導(dǎo)體芯片,事先設(shè)定與平臺坐標(biāo)相對應(yīng)的芯片地址,因此在檢查時(shí),根據(jù)登記的半導(dǎo)體芯片的芯片地址求出半導(dǎo)體芯片的實(shí)際位置所對應(yīng)的平臺坐標(biāo)而進(jìn)行定位時(shí)的平臺移動距離變短,從而能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行對全部半導(dǎo)體芯片的搜索,由此獲得能夠在總體上縮短檢查時(shí)間的效果。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0033]圖1為說明本發(fā)明的實(shí)施方式的外觀檢查裝置整體構(gòu)成的概要圖;
      [0034]圖2為說明作為本發(fā)明的被檢查對象物的基準(zhǔn)的校正角度的提取的圖;
      [0035]圖3為說明本發(fā)明的被檢查對象物及形狀物的圖;
      [0036]圖4為表示本發(fā)明的實(shí)施例1中記載的外觀檢查準(zhǔn)備工序的流程的流程圖;
      [0037]圖5為說明本發(fā)明的外觀檢查裝置的攝像視野的圖;
      [0038]圖6為說明本發(fā)明的被檢查對象物的二值化、重心測量、平臺坐標(biāo)設(shè)定過程的圖;
      [0039]圖7為根據(jù)本發(fā)明的被檢查對象物內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的平臺坐標(biāo)來說明芯片地址的分配的圖;
      [0040]圖8為表示本發(fā)明的實(shí)施例2中記載的外觀檢查準(zhǔn)備工序的流程的流程圖。[0041]附圖標(biāo)號說明
      [0042]I 被檢查對象物
      [0043]10 基準(zhǔn)線
      [0044]11 形狀物(半導(dǎo)體芯片)
      [0045]12 晶片
      [0046]13 晶片膜
      [0047]15 基準(zhǔn)芯片
      [0048]16 墊(電極)
      [0049]151 N0.1 芯片
      [0050]152 N0.2 芯片、
      [0051]122形狀物地址(芯片地址)
      [0052]2 計(jì)算機(jī)
      [0053]21 圖案提取部
      [0054]22 校正量計(jì)算部
      [0055]23 位置校正/旋轉(zhuǎn)校正部
      [0056]24 外觀檢查數(shù)據(jù)處理部
      [0057]5 外觀檢查裝置
      [0058]51 框架
      [0059]52 平臺
      [0060]521 平臺坐標(biāo)
      [0061]52X X方向相對距離
      [0062]52Y Y方向相對距離
      [0063]53 物鏡
      [0064]54 攝像裝置
      [0065]55 攝像視野
      [0066]56 攝像圖像
      [0067]57 寬范圍攝像視野
      [0068]58 基座
      [0069]6 校正角度
      【具體實(shí)施方式】
      [0070]實(shí)施例1
      [0071 ]以下,參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
      [0072][關(guān)于外觀檢查裝置]
      [0073]圖1為說明本發(fā)明的實(shí)施方式的裝置的整體概要圖。外觀檢查裝置5在基座58上具有平臺52。將在相當(dāng)于被檢查對象物I (以下的具體例中記載為晶片12)的晶片12上形成的形狀物(以下的具體例中記載為半導(dǎo)體芯片11)配置在平臺52上,并利用物鏡53捕獲圖像,然后利用設(shè)置于框架51的上部的攝像裝置54進(jìn)行拍攝。將所拍攝的攝像圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到由電纜連接的具有運(yùn)算處理功能的計(jì)算機(jī)2上,并將其作為晶片12上的各個半導(dǎo)體芯片11的信息來存儲。另一方面,該計(jì)算機(jī)2由提取部21、校正量計(jì)算部22、位置校正/旋轉(zhuǎn)校正部23以及外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24構(gòu)成,關(guān)于所述的攝像圖像數(shù)據(jù),也是經(jīng)過計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24后發(fā)送并存儲到作為存儲部的數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)文件25中。在此,計(jì)算機(jī)2作為本發(fā)明的平臺坐標(biāo)設(shè)定單元及使平臺坐標(biāo)與形狀物地址相關(guān)聯(lián)的單元來發(fā)揮功能。
      [0074][晶片12]
      [0075]接著,說明晶片12。為了具有具體性,舉例示出。例如,關(guān)于圖3 (a)所示的晶片12,圖3 (b)示出下述狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片11的示意圖,上述狀態(tài)為:通過拉伸工序拉伸晶片膜,使經(jīng)切割加工的通過晶片膜來保持的晶片12變得容易處理。
      [0076][外觀檢查準(zhǔn)備工序的開始]
      [0077]接著,關(guān)于外觀檢查裝置5和晶片12,利用圖4的流程圖說明一系列的外觀檢查準(zhǔn)
      備工序。
      [0078][準(zhǔn)備工序I]
      [0079]首先,對圖3 Ca)所示的切割加工后的晶片12實(shí)施拉伸工序之后,將其載置于外觀檢查裝置5的平臺52上。
      [0080][準(zhǔn)備工序2]
      [0081]作為最初的平臺52上的晶片12的定位,如后述那樣進(jìn)行定位。即,將如圖3 (a)所示的形狀的晶片12載置于外觀檢查裝置5的平臺52上時(shí),如圖5所示,外觀檢查裝置5的圖像的攝像視野55如通常的顯微鏡一樣,得到圓形的攝像視野55的圖像。
      [0082]但是,如圖2所示,作為電子數(shù)據(jù),利用攝像裝置54進(jìn)行拍攝時(shí)的攝像圖像56呈矩形。在依次拍攝該攝像圖像56時(shí),獲取外觀檢查裝置5的平臺52上的攝像圖像56的同時(shí)使平臺52移動來重復(fù)拍攝。例如,從圖3 (a)的上部第一層的左端的半導(dǎo)體芯片11開始拍攝,然后繼續(xù)向右橫向前進(jìn)而重復(fù)進(jìn)行拍攝。另外,該攝像圖像56的倍率使用與窄于后述的預(yù)掃描拍攝時(shí)的攝像圖像倍率的范圍相稱的攝像圖像倍率,大致相當(dāng)于后述的實(shí)際檢查工序中再次使用的攝像圖像56的倍率。
      [0083]接著,第一行的拍攝結(jié)束后下降一層,然后進(jìn)行向相反的左橫向依次檢查的半導(dǎo)體芯片11的圖像的拍攝。如上所述,在使平臺52移動而獲取半導(dǎo)體芯片11的攝像圖像56時(shí),所排列的半導(dǎo)體芯片11的排列需要將晶片12定位于大致正確的位置上,以使得在平臺52從左端向右端移動期間,晶片12上的半導(dǎo)體芯片11的由攝像裝置54得到的圖像被收納于攝像裝置54的攝像視野55內(nèi)。
      [0084][準(zhǔn)備工序3]
      [0085]作為使所述晶片12定位在大致正確的位置的方法,使用整體定位方法。另外,該整體定位相當(dāng)于本發(fā)明的主定位工序。
      [0086]S卩,通過在外觀檢查準(zhǔn)備工序之前制作的處理法來定位在整體定位中所利用的作為基準(zhǔn)的兩個半導(dǎo)體芯片11。
      [0087]如圖2所示,兩個半導(dǎo)體芯片11被設(shè)定為,在平臺52上的晶片12上排列的半導(dǎo)體芯片11的同列的中央和最右端的同列上的攝像圖像56,或者,未圖示的縱向的中央和最下層的攝像圖像56等在同行或者同列上位于盡可能遠(yuǎn)離的位置上。
      [0088]根據(jù)處理法區(qū)分每個應(yīng)有作為基準(zhǔn)的半導(dǎo)體芯片11的區(qū)域,并將攝像裝置54設(shè)定為高倍率來進(jìn)行拍攝。提取部21通過該攝像圖像和基準(zhǔn)圖像的圖案匹配來提取作為基準(zhǔn)的半導(dǎo)體芯片11 (N0.1芯片151、N0.2芯片152)。如果所獲取的圖像中看不到N0.1芯片151和N0.2芯片152時(shí),獲取相鄰區(qū)域的圖像,并通過重復(fù)的嘗試和失敗來提取兩個半導(dǎo)體芯片11。
      [0089]利用該N0.1芯片151、N0.2芯片152進(jìn)行如下的整體定位:通過旋轉(zhuǎn)平臺52來調(diào)整外觀檢查裝置5的平臺52上的晶片12的載置位置,使得在行方向上進(jìn)行拍攝的期間,由攝像裝置54得到的攝像圖像56在使平臺52向行方向移動而進(jìn)行拍攝時(shí)被收納于攝像視野55的框內(nèi)。具體而言,如圖2所示,該整體定位方法是:預(yù)先登記作為前述所選擇的兩個芯片、即N0.1芯片151、N0.2芯片152的半導(dǎo)體芯片11所共有的圖案內(nèi)的特定的點(diǎn),并在圖案處理中進(jìn)行搜索,找到基準(zhǔn)線10,然后校正量計(jì)算部22根據(jù)所述的兩個半導(dǎo)體芯片11的位置關(guān)系計(jì)算出校正角度6,然后位置校正/旋轉(zhuǎn)校正部23根據(jù)該校正角度操作平臺52,由此進(jìn)行晶片12的角度校正。
      [0090][準(zhǔn)備工序4](開始預(yù)掃描工序)
      [0091]接著,將物鏡53調(diào)整為倍率比整體定位時(shí)低的透鏡,然后開始拍攝晶片12的拉伸工序后的寬范圍攝像視野57內(nèi)的每個寬范圍的圖像,并將攝像圖像56經(jīng)計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理24后發(fā)送且存儲到數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)文件25中。該晶片12是經(jīng)過拉伸工序后的狀態(tài),因此為了拍攝晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,對因考慮拉伸工序中的晶片膜的伸張而將半導(dǎo)體芯片11有可能存在于比拉伸工序前的晶片12寬的范圍的擴(kuò)張范圍包括進(jìn)去的寬范圍攝像視野57進(jìn)行拍攝。
      [0092]實(shí)際上,利用低倍率物鏡53的寬范圍攝像視野57雖然寬,但由于無法將整個晶片12的寬范圍攝像視野57拍攝為一個圖像,因此使平臺52按照覆蓋整個晶片12的方式移動,通過攝像裝置54重復(fù)拍攝多個攝像圖像56,然后經(jīng)計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理后發(fā)送并存儲到數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)文件25中。
      [0093]例如,將事先所設(shè)定的拉伸工序的一個方向的晶片膜的伸張率設(shè)定為最小的0.8至最大的1.4時(shí),為了覆蓋整個晶片12的最大區(qū)域,當(dāng)晶片12的尺寸為3英尺時(shí),半導(dǎo)體芯片11有可能存在于為了防止漏掉半導(dǎo)體芯片11而擴(kuò)大到最大的1.4倍的范圍,因此作為該寬范圍攝像視野57的區(qū)域,需要進(jìn)行作為預(yù)掃描工序的拍攝。另外,關(guān)于所述伸張率,在切割加工后經(jīng)過拉伸工序的情況下,與加工前的晶片12的尺寸相比,切割加工時(shí)的半導(dǎo)體芯片11的尺寸變小,由此當(dāng)拉伸工序的晶片膜的伸張率很小時(shí),半導(dǎo)體芯片之間的距離有可能變得比最初的晶片12的尺寸小,因此即使是拉伸工序后,晶片膜的伸張率也可能小于 1.0。
      [0094][準(zhǔn)備工序5](二值化處理)
      [0095]晶片12的整個圖像的攝像結(jié)束后,為了提取部21對各攝像圖像56進(jìn)行二值化處理,將亮度值分化成事先設(shè)定的亮度值(O?255等級),然后利用同樣事先設(shè)定的閾值,將圖像的亮度值分成具有閾值以上的亮度值和具有閾值以下的亮度值的兩個區(qū)域,然后提取各區(qū)域的所需部分。
      [0096]用上述設(shè)定的閾值來進(jìn)行二值化處理時(shí),晶片12上的半導(dǎo)體芯片11大部分為灰色。該灰色部分變成黑區(qū)域,需要識別半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521的區(qū)域基本上是白底部分。如果只識別并提取由二值化處理得到的白底部分,則無法掌握在后述的實(shí)際檢查中所需要的部分的平臺坐標(biāo)521。
      [0097]具體而言,如果將晶片12的圖像進(jìn)行二值化處理,則亮度值為O的部分呈“黑色”,“黑色”和“白色”之間的“灰色”部分被設(shè)定有該部分的各個亮度等級所對應(yīng)的亮度值,最后亮度值為255的部分呈“白色”。一般情況下,適用于半導(dǎo)體芯片11的實(shí)際檢查的部分是墊(電極)16部分,其顏色通常是近似于白色。如圖6所述,在二值化工序中作為白色部分的墊(電極)16部分被提取。
      [0098]另外,該選擇基準(zhǔn)的亮度值受實(shí)際使用的晶片12的影響,因此由操作人員來設(shè)定。所述二值化操作是對全部的已拍攝的攝像圖像56進(jìn)行的。利用經(jīng)過所述晶片12的拉伸工序分割后進(jìn)行拍攝的攝像圖像56的各個圖像,將以像素單位(=構(gòu)成計(jì)算機(jī)所處理的數(shù)字圖像[像素]的單位)測量的像素?cái)?shù)換算成“面積”來求出所述被提取的部分的大小。具體而言,求出作為上述二值化工序中提取的各個白色部分的墊(電極)16部分的面積。相對于所述面積,事先設(shè)定有最大面積和最小面積的范圍,將該范圍內(nèi)的面積的圖像作為實(shí)際檢查對象。提取所設(shè)定的面積范圍的圖像的理由是,從經(jīng)驗(yàn)來看超出該范圍的數(shù)據(jù)屬于不適合于半導(dǎo)體芯片11的墊(電極)16的無用數(shù)據(jù)或者其它在實(shí)際檢查中不需要的圖像。
      [0099][準(zhǔn)備工序6]
      [0100]以下工序是通過外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24來進(jìn)行的。如圖6所述,在所述工序中提取的作為實(shí)際檢查對象物的半導(dǎo)體芯片的墊(電極)16成對地存在時(shí),檢查該各對,針對每一對,以所述面積單位來與兩處的墊(電極)16對應(yīng),由此測量每一對的重心,并將其作為一對墊的重心坐標(biāo)。
      [0101]各半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521設(shè)定于根據(jù)所述測量出的重心坐標(biāo),偏移了預(yù)先設(shè)定的X方向相對距離52X、Y方向相對距離52Υ的相對距離量的位置上。本實(shí)施例的相對距離是根據(jù)半導(dǎo)體芯片11的外形預(yù)先決定的角的坐標(biāo)和所求出的重心之間的距離。
      [0102]因此,將相對于所述測量的重心坐標(biāo)在X方向和Y方向上偏移了事先設(shè)定的X方向相對距離52Χ和Y方向相對距離52Υ后的坐標(biāo)設(shè)定為各半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521,重復(fù)同樣的操作,設(shè)定所測量的晶片12上的每個半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521。
      [0103][準(zhǔn)備工序7]
      [0104]在全部半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521中,將為了對所述整體定位工序中得到的晶片12進(jìn)行旋轉(zhuǎn)校正而被選擇且事先設(shè)定有平臺坐標(biāo)521和芯片地址122的N0.1芯片151作為基準(zhǔn)芯片15,將該基準(zhǔn)芯片15的平臺坐標(biāo)521 (Χ、Υ)的地址確定為基準(zhǔn)芯片地址122來進(jìn)行分配。
      [0105][準(zhǔn)備工序8]
      [0106]對用于沒有遺漏地看到作為本申請的主要內(nèi)容的晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11的步驟進(jìn)行說明。如圖7 (a)所示,將最接近于晶片12中央的N0.1芯片151作為基準(zhǔn)芯片15,并將該基準(zhǔn)芯片15的芯片地址122設(shè)定為(m,n)。接著,如圖7 (b)所示,對于所述基準(zhǔn)芯片15的周圍的半導(dǎo)體芯片11,考慮到晶片膜的拉伸的伸張率而搜索存在于應(yīng)有范圍內(nèi)的周邊的半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)。當(dāng)所述基準(zhǔn)芯片15的平臺坐標(biāo)為(X,Y)且芯片地址122為(m,η)時(shí),與該基準(zhǔn)芯片15的周圍四個方向的半導(dǎo)體芯片的平臺坐標(biāo)521相對應(yīng)的芯片地址122如下:將基準(zhǔn)芯片15的上鄰的芯片地址122設(shè)定為(m,[n_l]),左鄰的芯片地址122設(shè)定為([m-1],n),右鄰的芯片地址122設(shè)定為([m+1],n),下鄰的芯片地址122設(shè)定為(m,[n+1])。由此,能夠?qū)⒅車膫€方向的各個半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521和芯片地址122關(guān)聯(lián)起來。
      [0107]進(jìn)一步,如圖7 (C)所示,以將在圖7 (b)中所設(shè)定的周圍四個方向的芯片地址122和平臺坐標(biāo)521關(guān)聯(lián)起來的半導(dǎo)體芯片11為中心,進(jìn)一步搜索三個方向的半導(dǎo)體芯片11,從而求出新的半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521和芯片地址122而使它們相關(guān)聯(lián)。重復(fù)所述操作,求出整個晶片12上的半導(dǎo)體芯片11的芯片地址122和平臺坐標(biāo)521而使它們相關(guān)聯(lián)。同樣,對于將其它的芯片地址122和平臺坐標(biāo)521關(guān)聯(lián)起來的半導(dǎo)體芯片11,一直進(jìn)行至晶片12的整個區(qū)域的搜索結(jié)束為止。由此,對于晶片12上的全部的半導(dǎo)體芯片11,能夠確定平臺坐標(biāo)521和芯片地址122的關(guān)聯(lián),并且這些信息全部經(jīng)過計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24而存儲于數(shù)據(jù)庫文件25中。
      [0108][外觀檢查準(zhǔn)備工序結(jié)束]
      [0109]如上所述,對于晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,平臺坐標(biāo)521和與之對應(yīng)的芯片地址122相關(guān)聯(lián),然后轉(zhuǎn)到實(shí)際檢查工序。在此,在實(shí)際檢查工序中,對于作為對象的半導(dǎo)體芯片11,全部確定了芯片地址122。關(guān)于作為對象的半導(dǎo)體芯片11在何處,在所述預(yù)掃描工序中由平臺坐標(biāo)521和芯片地址122的關(guān)聯(lián)來體現(xiàn),因此通過使外觀檢查裝置5的平臺52以實(shí)際檢查對象的半導(dǎo)體芯片11所對應(yīng)的地址順序來移動,并通過將其對準(zhǔn)于與該地址相對應(yīng)的平臺坐標(biāo)521上,由此能夠高速且沒有遺漏檢查地高效地進(jìn)行實(shí)際檢查。以上是根據(jù)圖4對本發(fā)明的預(yù)掃描工序進(jìn)行的說明。
      [0110]比較例
      [0111]示出實(shí)際上作為被檢查對象物I的外觀檢查準(zhǔn)備工序而進(jìn)行預(yù)掃描時(shí)的時(shí)間縮短的實(shí)際成果。
      [0112]記載對經(jīng)過切割加工后的拉伸工序的外徑為4英寸的晶片12實(shí)施基于現(xiàn)有方法和本發(fā)明的預(yù)掃描工序時(shí)的節(jié)拍時(shí)間的差異。這里所說的現(xiàn)有方法是指實(shí)施上述整體定位后實(shí)施實(shí)際檢查的情況。
      [0113]以現(xiàn)有方法來實(shí)施檢查時(shí):7分34秒。
      [0114]實(shí)施本發(fā)明的預(yù)掃描時(shí):I分49秒(預(yù)掃描時(shí)間:9秒,實(shí)際檢查時(shí)間I分40秒)。
      [0115]因此,利用本發(fā)明的預(yù)掃描工序來對晶片12進(jìn)行檢查時(shí),得到了檢查時(shí)間縮短5分45秒的效果。該節(jié)拍時(shí)間縮短的主要原因是,檢查晶片12時(shí),當(dāng)實(shí)施該發(fā)明的預(yù)掃描工序時(shí),已對晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11設(shè)定有芯片地址122,因此搜索實(shí)際檢查時(shí)登記的相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片11的芯片地址122時(shí)的搜索范圍變窄,能夠在短時(shí)間內(nèi)得出全部的相應(yīng)半導(dǎo)體芯片11的位置,由此能夠得到綜合上縮短了檢查時(shí)間的效果。
      [0116]實(shí)施例2
      [0117]在本實(shí)施例中,利用上述實(shí)施例1的裝置,在預(yù)掃描工序的中途進(jìn)行圖4的流程圖中記載的整體定位工序中所包含的[準(zhǔn)備工序2]和[準(zhǔn)備工序3]。因此,關(guān)于相同的處理工序,簡化其說明,關(guān)于不同的部分進(jìn)行詳細(xì)說明。以下,按照圖8所示的流程圖來進(jìn)行說明。
      [0118][準(zhǔn)備工序]
      [0119]首先,對圖3 Ca)所示的經(jīng)切割加工后的晶片12實(shí)施拉伸工序后,將其載置在外觀檢查裝置5的平臺52上。[0120][開始預(yù)掃描]
      [0121]接著,將物鏡53調(diào)整為低倍率的透鏡,然后一邊使平臺52移動一邊開始拍攝晶片12的拉伸工序后的寬范圍攝像視野57內(nèi)的每個寬范圍的圖像,然后使攝像圖像56經(jīng)過計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24后發(fā)送并存儲到數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)文件25中。該晶片12處于已經(jīng)經(jīng)過拉伸工序后的狀態(tài),因此為了拍攝晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,對因考慮拉伸工序中的晶片膜的伸張而將半導(dǎo)體芯片11有可能存在于比拉伸工序前的晶片12寬的范圍的的擴(kuò)張范圍包括進(jìn)去的寬范圍攝像視野57進(jìn)行拍攝。
      [0122][二值化處理]
      [0123]晶片12的整個圖像的拍攝結(jié)束后,提取部21利用事先設(shè)定的閾值,將圖像的亮度值區(qū)分為具有閾值以上的亮度值和具有閾值以下的亮度值的兩個區(qū)域,然后提取半導(dǎo)體芯片11和墊16。
      [0124][計(jì)算重心坐標(biāo)]
      [0125]如圖6所述,所提取的半導(dǎo)體芯片的墊16成對地存在時(shí),針對每個半導(dǎo)體芯片11重復(fù)檢查該各對,然后針對每一對,以所述面積單位來與兩處的墊16對應(yīng),由此求出每一對的重心坐標(biāo)。
      [0126][基準(zhǔn)芯片的推定]
      [0127]求出各半導(dǎo)體芯片11的重心后,根據(jù)包含在所獲取的多張圖像中的重心坐標(biāo)的數(shù)量,選擇包含的半導(dǎo)體芯片11最多的圖像。在此,校正量計(jì)算部22將例如沿圖3所示的縱向或者橫向中的任意一軸的半導(dǎo)體芯片11的重心坐標(biāo)與相鄰的每個半導(dǎo)體芯片11之間進(jìn)行比較,由此根據(jù)其偏差量計(jì)算出晶片12的傾斜度。
      [0128]外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24利用通過二值化處理來求出的全攝像圖像中所包含的半導(dǎo)體芯片11的外形和晶片的傾斜度,由此推定作為通過處理法預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)芯片15的N0.1芯片151和N0.2芯片152的位置。
      [0129]N0.1芯片151和N0.2芯片152的推定結(jié)束后,使平臺52僅旋轉(zhuǎn)所計(jì)算出的傾斜度,由此計(jì)算出校正后的N0.1芯片151和N0.2芯片152的重心坐標(biāo)。另外,以上的工序相當(dāng)于本發(fā)明的子定位工序。
      [0130][整體定位]
      [0131]相比于預(yù)掃描的時(shí)候,提高物鏡53的倍率。按照所推定的N0.1芯片151和N0.2芯片152的重心坐標(biāo)分別收納于攝像視野的方式使平臺52移動。在各位置上拍攝晶片12。然后,如圖2所示,校正量計(jì)算部22在獲取的兩個圖像上設(shè)定基準(zhǔn)線10,并根據(jù)N0.1芯片151和N0.2芯片152的位置關(guān)系計(jì)算出校正角度6。位置校正/旋轉(zhuǎn)校正部25根據(jù)該校正角度使平臺52旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行晶片12的角度校正。
      [0132][校正重心坐標(biāo)]
      [0133]對于通過整體定位被旋轉(zhuǎn)校正的晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,根據(jù)旋轉(zhuǎn)量校正重心坐標(biāo)。
      [0134][計(jì)算平臺坐標(biāo)]
      [0135]以下處理由外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24來進(jìn)行。各半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521被設(shè)定于根據(jù)校正后的重心坐標(biāo)偏移了預(yù)先設(shè)定的X方向相對距離52X、Y方向相對距離52Υ的相對距離量的位置上。與上述實(shí)施例1 一樣,相對距離是指根據(jù)半導(dǎo)體芯片11的外形預(yù)先決定的角的坐標(biāo)和求出的重心之間的距離。
      [0136][設(shè)定基準(zhǔn)芯片(N0.1芯片)的地址]
      [0137]通過整體定位提取旋轉(zhuǎn)校正后的N0.1芯片151的平臺坐標(biāo),由此設(shè)定地址。即,將N0.1芯片151作為基準(zhǔn)芯片15,將該基準(zhǔn)芯片15的平臺坐標(biāo)521 (X,Y)的地址決定為基準(zhǔn)芯片地址122而進(jìn)行分配。
      [0138][向半導(dǎo)體芯片分配地址]
      [0139]與上述實(shí)施例1 一樣,按照以下方式向各半導(dǎo)體芯片11分配地址。如圖7 (a)所示,將最接近晶片12的中央的N0.1芯片151作為基準(zhǔn)芯片15,并將該基準(zhǔn)芯片15的芯片地址122設(shè)定為(m,η)。接著,如圖7 (b)所示,對于所述基準(zhǔn)芯片15的周圍的半導(dǎo)體芯片11,考慮晶片膜的拉伸的伸張率而搜索存在于應(yīng)有的范圍的周邊的半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)。所述基準(zhǔn)芯片15的平臺坐標(biāo)為(X,Y)且芯片地址122為(m,η)時(shí),與該基準(zhǔn)芯片15的周圍四個方向的半導(dǎo)體芯片的平臺坐標(biāo)521相對應(yīng)的芯片地址122如下:將基準(zhǔn)芯片15的上鄰的地址設(shè)定為(m,[n-1]),左鄰的地址設(shè)定為([m-l],n),右鄰的地址設(shè)定為([m+1], η),下鄰的地址設(shè)定為(m, [n+1])。由此,能夠?qū)⒅車膫€方向的各半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521和芯片地址122關(guān)聯(lián)起來。
      [0140]進(jìn)一步,如圖7 (C)所示,以將圖7 (b)中設(shè)定的周圍四個方向的芯片地址122和平臺坐標(biāo)521關(guān)聯(lián)起來的半導(dǎo)體芯片為中心,進(jìn)一步檢索三個方向的半導(dǎo)體芯片11,然后求出新的半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)521和芯片地址122而使它們關(guān)聯(lián)。并重復(fù)進(jìn)行該操作。
      [0141][判別未設(shè)定地址]
      [0142]向固定方向搜索半導(dǎo)體芯片11,當(dāng)芯片地址122的分配結(jié)束后,判別是否還有沒分配地址的平臺坐標(biāo)。如果不存在還沒分配地址的平臺坐標(biāo),則外觀檢查基準(zhǔn)工序結(jié)束。如果存在還沒分配地址的平臺坐標(biāo),則進(jìn)行地址的推定分配。
      [0143][地址的推定分配]
      [0144]鄰接于作為中心的半導(dǎo)體芯片11的其它半導(dǎo)體芯片11超過預(yù)定距離而存在時(shí)造成搜索失敗,不對其它的半導(dǎo)體芯片11分配芯片地址。因此,例如,按照以下方式推定并分配其它半導(dǎo)體芯片11的芯片地址。提取位于與未設(shè)定芯片地址的其它半導(dǎo)體芯片11最近的位置的已登記芯片地址的半導(dǎo)體芯片11 (以下,稱之為“基準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片11”)。距離相同時(shí)選擇任意一個。根據(jù)兩個半導(dǎo)體芯片11的平臺坐標(biāo)之間的距離和基準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片11,求出其它半導(dǎo)體芯片11存在的方向。從基準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片11起,在該方向和距離的預(yù)定范圍內(nèi),將與平臺坐標(biāo)沒有關(guān)聯(lián)的近似的芯片地址推定為該其它芯片地址并進(jìn)行分配。
      [0145]對全部未設(shè)定的半導(dǎo)體芯片I推定并分配芯片地址。求出整個晶片12上的半導(dǎo)體芯片11的芯片地址和平臺坐標(biāo)后使它們關(guān)聯(lián)起來。如果確定該關(guān)聯(lián),則這些信息全部經(jīng)過計(jì)算機(jī)2的外觀檢查數(shù)據(jù)處理部24后存儲于數(shù)據(jù)庫文件25中。
      [0146][外觀檢查準(zhǔn)備工序結(jié)束]
      [0147]如上所述,對于晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,使平臺坐標(biāo)521和與之對應(yīng)的芯片地址122相關(guān)聯(lián),然后轉(zhuǎn)到實(shí)際檢查工序。
      [0148]根據(jù)該實(shí)施例,通過預(yù)掃描以寬范圍攝像視野57拍攝晶片12上的全部半導(dǎo)體芯片11,并在子定位工序中根據(jù)該攝像圖像的半導(dǎo)體芯片11的排列狀態(tài)求出晶片12的傾斜度。通過校正該傾斜度,能夠?qū)雽?dǎo)體芯片11的外形復(fù)原到適當(dāng)?shù)奈恢蒙?。因此,根?jù)通過處理法設(shè)定的基準(zhǔn)芯片15的位置信息,通過一次拍攝能夠可靠地獲取含有基準(zhǔn)芯片15的攝像圖像。因此,如實(shí)施例1那樣,能夠省去先實(shí)施整體定位時(shí)所產(chǎn)生的通過嘗試和失敗來求出基準(zhǔn)芯片15的重復(fù)處理,因此能夠縮短節(jié)拍時(shí)間。
      [0149]另外,本發(fā)明還可以按照以下方式實(shí)施。
      [0150]在上述兩個實(shí)施例中,利用兩個作為電極的墊16來求出半導(dǎo)體芯片11的重心,但是還可以利用半導(dǎo)體芯片11的外形或其角部的坐標(biāo)等來計(jì)算。
      [0151]另外,在上述實(shí)施例中,以半導(dǎo)體晶片12為例子進(jìn)行了說明,但是本發(fā)明并不限定于該實(shí)施方式,還可以適用于例如LED的晶片。
      [0152]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
      [0153]當(dāng)利用通過檢查各種被檢查對象物的形狀物上出現(xiàn)的攝像圖像來查出該形狀物的缺陷的外觀檢查裝置來進(jìn)行檢查時(shí),最近的趨勢是如下所述的要求不斷地提高,所述要求為:將各種被檢查對象物即主晶片經(jīng)過切割加工并進(jìn)行拉伸工序之后,進(jìn)行晶片內(nèi)的形狀物(即主要是半導(dǎo)體芯片)的檢查。
      [0154]另外,近年來,由于晶片的外徑擴(kuò)大、晶片內(nèi)的各半導(dǎo)體芯片的數(shù)量增多、以及細(xì)微化或精密化,使得每一張晶片的檢查時(shí)間增長,因此需要縮短該晶片的檢查的節(jié)拍時(shí)間。另外,要求將晶片經(jīng)過切割加工并進(jìn)行拉伸工序后才進(jìn)行檢查的情況也逐漸增多。因此,在所述狀況中,當(dāng)務(wù)之急是縮短晶片檢查的節(jié)拍時(shí)間,因此關(guān)于本發(fā)明中提出的通過利用預(yù)掃描功能來縮短晶片檢查的節(jié)拍時(shí)間的方法,其利用價(jià)值高。
      【權(quán)利要求】
      1.一種被檢查對象物的外觀檢查方法,該外觀檢查方法使用在攝像工序中對被檢查對象物進(jìn)行拍攝而獲得的攝像圖像,其中,該被檢查對象物載置于平臺上,具有形狀物,并且在切割加工后被保持在經(jīng)過了拉伸工序的膜上,該外觀檢查方法的特征在于,該外觀檢查方法包括以下工序: 平臺坐標(biāo)設(shè)定工序,根據(jù)針對每個形狀物事先設(shè)定的閾值對拍攝所述被檢查對象物而得到的攝像圖像進(jìn)行二值化處理,并與所述平臺的預(yù)先決定的平臺坐標(biāo)相對應(yīng)地設(shè)定根據(jù)該結(jié)果提取的各個形狀物的位置; 搜索工序,考慮所述形狀物之間的所述膜在所述拉伸工序中的伸張率,對于應(yīng)該在預(yù)定形狀物附近的其它形狀物的范圍,利用該預(yù)定形狀物的平臺坐標(biāo)來進(jìn)行其它形狀物搜索;以及 關(guān)聯(lián)工序,對于所述搜索工序中發(fā)現(xiàn)的其它形狀物,以預(yù)定形狀物為基準(zhǔn)對其它形狀物賦予形狀物地址,并且針對每個形狀物將該形狀物地址與平臺坐標(biāo)關(guān)聯(lián)起來, 所述形狀物的平臺坐標(biāo)和形狀物地址的關(guān)聯(lián)工序結(jié)束后,根據(jù)所述形狀物地址進(jìn)行實(shí)際檢查。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外觀檢查方法,其特征在于, 所述被檢查對象物為半導(dǎo)體晶片,形狀物為半導(dǎo)體芯片, 進(jìn)行所述攝像圖像的二值化處理,并求出通過該二值圖像而提取的半導(dǎo)體芯片的重心坐標(biāo),將所述形狀物的平臺坐標(biāo)設(shè)定為從所述重心坐標(biāo)偏移了到預(yù)先決定的半導(dǎo)體芯片的角為止的相對距離后的坐標(biāo)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2 所述的外觀檢查方法,其特征在于,所述形狀物地址是通過重復(fù)進(jìn)行下述處理而得到的:利用所述平臺坐標(biāo),從設(shè)定的基準(zhǔn)形狀物起依次搜索四個方向的形狀物,對所述被檢查對象物全域的所述平臺坐標(biāo)和所述形狀物地址進(jìn)行設(shè)定和關(guān)聯(lián)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的外觀檢查方法,其特征在于,在所述平臺坐標(biāo)設(shè)定工序之前具有主定位工序,該主定位工序是:搜索預(yù)先設(shè)定的在半導(dǎo)體晶片上間隔開的作為基準(zhǔn)的兩個半導(dǎo)體芯片后分別進(jìn)行拍攝,根據(jù)該半導(dǎo)體芯片的位置坐標(biāo)求出半導(dǎo)體晶片的傾斜度,并根據(jù)該結(jié)果對該半導(dǎo)體晶片進(jìn)行定位。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外觀檢查方法,其特征在于,在所述主定位工序之前具有子定位工序,該子定位工序是:對以比主定位時(shí)低的倍率拍攝到的半導(dǎo)體晶片的多張攝像圖像進(jìn)行二值化處理后,根據(jù)該二值圖像,從連續(xù)排列的多個半導(dǎo)體芯片的排列狀態(tài)求出該半導(dǎo)體晶片的傾斜度,并根據(jù)該結(jié)果對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行定位。
      6.一種外觀檢查裝置,其使用由拍攝單元對被檢查對象物進(jìn)行拍攝而獲得的攝像圖像來對所述被檢查對象物進(jìn)行檢查,其中,所述被檢查對象物載置于平臺上,具有形狀物,并且在切割加工后被保持在經(jīng)過了拉伸工序的膜上,該外觀檢查裝置的特征在于,該外觀檢查裝置包括: 平臺坐標(biāo)設(shè)定單元,其根據(jù)針對每個形狀物事先設(shè)定的閾值對拍攝所述被檢查對象物而獲得的攝像圖像進(jìn)行二值化處理,并與所述平臺的預(yù)先決定的平臺坐標(biāo)相對應(yīng)地設(shè)定根據(jù)該結(jié)果提取的各個形狀物的位置;以及 關(guān)聯(lián)單元,其考慮所述形狀物之間的所述膜在所述拉伸工序中的伸張率,對于應(yīng)該在預(yù)定形狀物附近的其它形狀物的范圍,利用該預(yù)定形狀物的平臺坐標(biāo)來進(jìn)行其它形狀物搜索,對于在所述搜索工序中發(fā)現(xiàn)的其它形狀物,以預(yù)定形狀物為基準(zhǔn)對其它形狀物賦予形狀物地址,并且針對每個形狀物將該形狀物地址與平臺坐標(biāo)關(guān)聯(lián)起來,將所述形狀物的平臺坐標(biāo)和形狀物地址關(guān)聯(lián)起來后,根據(jù)所述形狀物地址進(jìn)行實(shí)際檢查 。
      【文檔編號】G06T1/00GK103460029SQ201280014931
      【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月25日
      【發(fā)明者】久世康之, 山本比佐史 申請人:東麗工程株式會社
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