用于隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生器的具有磁阻元件的熵源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示熵源和隨機(jī)數(shù)RN產(chǎn)生器。在一個方面中，低能量熵源包含磁阻MR元件和感測電路。所述MR元件被施加靜態(tài)電流并且具有基于所述MR元件的磁化而確定的可變電阻。感測電路感測所述MR元件的電阻，并且基于所述MR元件的感測到的電阻提供隨機(jī)值。在另一方面中，RN產(chǎn)生器包含熵源和后處理模塊。熵源包含至少一個MR元件，并且基于所述至少一個MR元件提供第一隨機(jī)值。所述后處理模塊接收和處理所述第一隨機(jī)值(例如，基于密碼散列函數(shù)、錯誤檢測碼、流密碼算法等)，并且提供具有改善的隨機(jī)性特性的第二隨機(jī)值。
【專利說明】用于隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生器的具有磁阻元件的熵源
[0001]本申請案要求2011年9月20日申請的名稱為“用于隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生器的具有STT-MTJ半導(dǎo)體裝置的熵源(ENTROPY SOURCE WITH STT-MTJ SEMICONDUCTOR DEVICE FOR RANDOMNUMBER GENERATOR) ”的第61/536，769號美國臨時申請案的優(yōu)先權(quán)，該申請案以全文引用的方式并入本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明大體上涉及電子電路，且更具體來說涉及用于產(chǎn)生隨機(jī)值的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0003]隨機(jī)數(shù)(RN)產(chǎn)生器廣泛用于針對多種應(yīng)用產(chǎn)生隨機(jī)值。舉例來說，實施密碼安全算法的計算機(jī)類裝置通常需要隨機(jī)值(通常是隨機(jī)二進(jìn)制位)的源。RN產(chǎn)生器可用于向計算機(jī)類裝置提供隨機(jī)值以便用于密碼安全算法。RN產(chǎn)生器通常也被稱作RNG或隨機(jī)位產(chǎn)生器(RBG)。
[0004]RN產(chǎn)生器可以用熵源來實施，所述熵源可以提供一序列的隨機(jī)位。熵源可以用一個物理裝置來實施，所述物理裝置具有在最大程度上可以通過簡單的一階馬爾可夫過程建模的狀態(tài)轉(zhuǎn)移，使得熵質(zhì)量和相關(guān)安全強(qiáng)度可以更容易定量以便確保充足的安全強(qiáng)度。隨機(jī)位可以從物理裝置的一序列的狀態(tài)轉(zhuǎn)移導(dǎo)出。但是，大多數(shù)可以用于熵源的物理裝置昂貴、需要高功率并且產(chǎn)生數(shù)據(jù)較慢。另外，可能將這些物理裝置的狀態(tài)轉(zhuǎn)移建模成簡單的馬爾可夫過程很難或者不切實際，這可能會使得物理裝置的性能更難定量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本文中描述可以基于一個或一個以上磁阻(MR)元件產(chǎn)生隨機(jī)值的熵源和RN產(chǎn)生器。在一個方面中，低能量熵源可包含MR元件和感測電路?？梢韵騇R元件施加靜態(tài)電流(并且不施加電流脈沖)，并且MR元件可以具有基于MR元件的磁化而確定的可變電阻。靜態(tài)電流是具有恒定振幅和極性的電流，例如，沒有電流脈沖。MR元件可以自發(fā)地并且隨機(jī)地在不同磁化狀態(tài)之間轉(zhuǎn)移，并且這些轉(zhuǎn)移可能會影響MR元件的電阻。感測電路可以感測MR元件的電阻，并且基于MR元件的感測到的電阻提供隨機(jī)值。
[0006]在另一方面中，RN產(chǎn)生器可包含熵源和后處理模塊。熵源可包含至少一個MR元件，并且可以基于至少一個MR元件提供第一隨機(jī)值。所述后處理模塊可以接收和處理所述第一隨機(jī)值(例如，基于密碼散列函數(shù)、錯誤檢測碼、流密碼算法等)，并且提供具有改善的隨機(jī)性特性的第二隨機(jī)值。
[0007]在又一方面中，熵源可包含MR單元的陣列和感測電路。MR單元的陣列可以布置成多個行和多個列。每一 MR單元可包括至少一個MR元件。多個字線可以耦合到MR單元的所述多個行。多個選擇線可以耦合到MR單元的所述多個列。多個位線也可耦合到MR單元的所述多個列。所述感測電路可以耦合到所述多個選擇線，并且可以感測所述陣列中的MR單元的電阻?？梢杂玫谝凰俾蔬x擇(例如，以交錯方式)和感測陣列中的MR單元，以便用第二速率產(chǎn)生隨機(jī)值，第二速率可能高于第一速率。
[0008]在又一方面中，篡改檢測模塊可包含熵源和檢測模塊。熵源可包含至少一個MR元件，并且可以基于至少一個MR元件提供第一值。檢測模塊可以接收和處理第一值，并且提供對于熵源的竄改的指示。檢測模塊可以基于多種準(zhǔn)則檢測對于熵源的竄改，所述準(zhǔn)則例如是:第一值中的“O”的百分比和“ I ”的百分比，或第一值中的“O”游程和“ I ”游程，或第一值中的“O”和“I”的預(yù)定模式的出現(xiàn)次數(shù)，或第一值的壓縮的輸出速率等。
[0009]下文更詳細(xì)地描述本發(fā)明的各種方面和特征。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1展示RN產(chǎn)生器的框圖。
[0011]圖2A和2B展示低能量熵源的兩個設(shè)計。
[0012]圖3展示高能量熵源的設(shè)計。
[0013]圖4展示圖3中的控制電路執(zhí)行的過程。
[0014]圖5展示具有MR單元陣列的熵源的設(shè)計。
[0015]圖6A、6B和6C展示MR單元的三個設(shè)計。
[0016]圖7A到12展示RN產(chǎn)生器的多種設(shè)計。
[0017]圖13展示篡改檢測電路。
[0018]圖14展示用于產(chǎn)生隨機(jī)值的過程。
[0019]圖15展示無線裝置的框圖。
【具體實施方式】
[0020]本文中揭示可以基于一個或一個以上MR元件產(chǎn)生隨機(jī)值的熵源和RN產(chǎn)生器。MR元件是具有隨其磁化而變化的電阻的元件。MR元件可以是磁性隧道結(jié)(MTJ)半導(dǎo)體裝置、自旋力矩轉(zhuǎn)移磁性隧道結(jié)(STT-MTJ)半導(dǎo)體裝置或其它某種具有相對于磁化可變的電阻的裝置。STT-MTJ是一種MTJ裝置，其通過使電流通過裝置而被編程/寫入(而不是像其它MTJ裝置一樣用磁場編程)。對熵源使用MR元件(例如，STT-MTJ裝置)可以提供某些優(yōu)點，例如制造起來容易、成本低、性能良好，并且能夠?qū)睾桶踩珡?qiáng)度進(jìn)行定量。
[0021]熵源和RN產(chǎn)生器可以用于多種電子裝置，例如無線裝置、蜂窩式電話、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、膝上型計算機(jī)、桌上型計算機(jī)、迷你筆記本、智能筆記本等。熵源和RN產(chǎn)生器還可用于多種應(yīng)用，例如密碼術(shù)、噪聲源(例如，用于測試設(shè)備)、用于概率邏輯的序列產(chǎn)生(例如，表示隨機(jī)變量的序列)、蒙特卡洛仿真、優(yōu)化問題、基因算法等。
[0022]圖1展示RN產(chǎn)生器100的設(shè)計的框圖。在這個設(shè)計中，RN產(chǎn)生器100包含熵源110和后處理模塊120。熵源110包含一個或一個以上MR元件(例如，一個或一個以上STT-MTJ裝置)并且產(chǎn)生第一隨機(jī)值，所述第一隨機(jī)值可以是“I”或“O”的隨機(jī)位。術(shù)語“隨機(jī)”和“不可預(yù)測”可以互換使用。在圖1中展示的設(shè)計中，后處理模塊120從熵源110接收第一隨機(jī)值，并且產(chǎn)生與來自真實隨機(jī)源的隨機(jī)值(在統(tǒng)計上)更接近地匹配的第二隨機(jī)值。模塊120進(jìn)行的后處理可以改善隨機(jī)性特性。第二隨機(jī)值可以是二進(jìn)制值或非二進(jìn)制值。在圖1中未展示的另一設(shè)計中，第一隨機(jī)值可以不加任何后處理直接被提供作為第二隨機(jī)值。在這個設(shè)計中，RN產(chǎn)生器將僅包含熵源110。[0023]在一個方面中，低能量熵源可包含一個或一個以上MR元件，其基于靜態(tài)電流(例如低DC電流)操作。靜態(tài)電流也可被稱作感測電流，并且可能小于切換MR元件的狀態(tài)通常需要的電流量。不是將電流脈沖施加到所述一個或一個以上MR元件以誘發(fā)電阻變化。而是，由于熱噪聲和/或其它現(xiàn)象引起的MR元件的電阻變化被檢測并且用于產(chǎn)生隨機(jī)值。對MR元件使用靜態(tài)電流可以提供多種優(yōu)點，例如低功耗、簡化的電路設(shè)計等。低能量熵源使用低能量現(xiàn)象(例如，熱噪聲)產(chǎn)生熵，而高能量熵源使用較高能量刺激(例如，電流脈沖)產(chǎn)生熵。低能量熵源可以產(chǎn)生合適的數(shù)量和質(zhì)量的熵，所述熵可以與來自高能量熵源的熵相當(dāng)。
[0024]圖2A展示低能量熵源IlOx的示意圖，低能量熵源IlOx是圖1中的熵源110的一種設(shè)計。熵源IlOx包含電阻器210、MR元件220和感測電路230。電阻器210的一個末端耦合到第一參考電壓(VKEF1)，并且第二末端耦合到節(jié)點X。電阻器210還可耦合到供電電壓(Vdd)而不是Vkefi電壓。MR元件220的一個末端耦合到節(jié)點X，并且另一末端耦合到接地電路。感測電路230包含讀出放大器240 (例如，比較器)和D觸發(fā)器250。讀出放大器240的非反相輸入耦合到節(jié)點X，其反相輸入接收第二參考電壓(Vkef2)，并且其輸出耦合到觸發(fā)器250的D輸入。觸發(fā)器250還在其時鐘輸入處接收時鐘，并且在其Q輸出處提供第一隨機(jī)值(例如，隨機(jī)位)。使用觸發(fā)器250的優(yōu)點是觸發(fā)器的輸出的所有轉(zhuǎn)移都與時鐘同步。
[0025]MR元件220可包括STT-MTJ裝置或其它某種類型的MR元件。STT-MTJ裝置是由兩個磁性材料層與中間的磁性隧穿層的夾層形成的。兩個電導(dǎo)體連接到所述兩個磁性材料層。STT-MTJ裝置的電阻是可變的，并且取決于所述兩個層的相對磁化。所述兩個磁性材料層中的一者通常具有固定磁化(自旋極化)并且可被稱為固定層。所述兩個磁性材料層中的另一者可以切換并且可被稱為自由層。即使當(dāng)沒有施加驅(qū)動電流時，所述兩個層的相對磁化也可以自發(fā)地切換(例如，由于熱噪聲/能量)。STT-MTJ裝置的電阻取決于所述兩個層的相對磁化。
[0026]在圖2A中展示的設(shè)計中，使用電阻性分壓器來感測MR元件220的電阻。具體來說，節(jié)點X處的電壓(Vx)取決于電阻器210的固定電阻RpMR元件220的可變電阻R2和施加到電阻性分壓器的VKEn電壓。Vx電壓可以表達(dá)為:
[0027]
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，其包括: 磁阻MR元件，其被施加靜態(tài)電流，并且具有基于所述MR元件的磁化而確定的可變電阻；以及 感測電路，其經(jīng)配置以感測所述MR元件的所述電阻，并且基于所述MR元件的所述感測到的電阻提供隨機(jī)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述MR元件包括自旋力矩轉(zhuǎn)移STT磁性隧道結(jié)MTJ裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述感測電路包括: 讀出放大器，其具有耦合到所述MR元件的第一輸入、接收參考電壓的第二輸入和提供用于產(chǎn)生第一隨機(jī)值的感測到的值的輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 電阻器，其與所述MR元件串聯(lián)耦合，并且電阻器與所述MR元件形成電阻性分壓器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其 進(jìn)一步包括: 第二 MR元件，其耦合到所述讀出放大器的所述第二輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述MR元件和所述第二MR元件具有不同形狀或不同大小或不同厚度或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 電流源，其耦合到所述MR元件并且經(jīng)配置以提供用于測量所述MR元件的所述電阻的所述靜態(tài)電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，所述感測電路進(jìn)一步包括: 觸發(fā)器，其耦合到所述讀出放大器并且經(jīng)配置以接收所述感測到的值且提供所述隨機(jī)值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 至少一個額外MR元件，其與所述MR元件串聯(lián)或并聯(lián)耦合。
10.一種設(shè)備，其包括: 熵源，其包括至少一個磁阻MR元件，并且經(jīng)配置以基于所述至少一個MR元件提供第一隨機(jī)值；以及 后處理模塊，其經(jīng)配置以接收和處理所述第一隨機(jī)值，并且提供第二隨機(jī)值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述后處理模塊經(jīng)配置以使所述第一隨機(jī)值成為散列并且提供所述第二隨機(jī)值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述后處理模塊經(jīng)配置以基于密碼散列函數(shù)使所述第一隨機(jī)值成為散列。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中每一第二隨機(jī)值的位的總數(shù)大于用于產(chǎn)生所述第二隨機(jī)值的所有第一隨機(jī)值的位的總數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 多個移位寄存器，其經(jīng)配置以從包含所述熵源在內(nèi)的多個熵源接收多個第一隨機(jī)值序列；以及 散列模塊，其經(jīng)配置以從所述多個移位寄存器接收多個中間值序列，使所述中間值成為散列，并且提供所述第二隨機(jī)值。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中每一第一隨機(jī)值包括一I位值，每一中間值包括一 Q位值，并且每一第二隨機(jī)值包括一 N位值，其中Q和N各自大于一。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述后處理模塊經(jīng)配置以基于所述第一隨機(jī)值和錯誤檢測碼產(chǎn)生所述第二隨機(jī)值。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述錯誤檢測碼包括循環(huán)冗余檢查CRC。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 線性反饋移位寄存器LFSR，其實施產(chǎn)生器多頂式并且經(jīng)配置以接收所述第一隨機(jī)值和提供所述第二隨機(jī)值。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 多個寄存器，其串聯(lián)耦合；以及 至少兩個組合器，其耦合到所述多個寄存器中的至少兩個寄存器，并且經(jīng)配置以從至少兩個熵源接收至少兩個第一隨機(jī)值序列，所述多個寄存器和所述至少兩個組合器用至少兩個反饋位實施產(chǎn)生器多頂式，并且所述至少兩個熵源包含所述熵源。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 熵累加器，其經(jīng)配置以接收所述第一隨機(jī)值并且提供中間隨機(jī)值；以及 密碼模塊，其經(jīng)配置以接收所述中間隨機(jī)值并且提供第二隨機(jī)值。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所 述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 組合器，其經(jīng)配置以從多個熵源接收多個第一隨機(jī)值序列且對其進(jìn)行處理，并且提供所述第二隨機(jī)值，所述多個熵源包含所述熵源。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，所述組合器包括異或XOR電路。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述組合器經(jīng)配置以對所述多個第一隨機(jī)值序列中的多個第一隨機(jī)值執(zhí)行模M求和，以便獲得相應(yīng)的第二隨機(jī)值，其中M是大于一的整數(shù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述后處理模塊包括: 流密碼產(chǎn)生器，其經(jīng)配置以產(chǎn)生所述第二隨機(jī)值，所述第一隨機(jī)值更改所述流密碼產(chǎn)生器的操作或內(nèi)部狀態(tài)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中所述流密碼產(chǎn)生器經(jīng)配置以基于流密碼算法產(chǎn)生所述第二隨機(jī)值，所述第一隨機(jī)值選擇所述流密碼算法的系數(shù)。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中所述流密碼產(chǎn)生器經(jīng)配置以基于流密碼算法產(chǎn)生所述第二隨機(jī)值，所述第一隨機(jī)值改變所述流密碼產(chǎn)生器的所述內(nèi)部狀態(tài)。
27.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述第一隨機(jī)值包括I位隨機(jī)值，并且所述第二隨機(jī)值包括多位隨機(jī)值。
28.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述熵源包括: 偏置電路，其經(jīng)配置以為所述至少一個MR元件提供靜態(tài)電流；以及 感測電路，其經(jīng)配置以感測所述至少一個MR元件的電阻，并且基于所述感測到的電阻提供隨機(jī)值。
29.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，所述熵源包括: 電路，其經(jīng)配置以產(chǎn)生電流或電壓脈沖以改變所述至少一個MR元件的狀態(tài)；以及 感測電路，其經(jīng)配置以感測所述至少一個MR元件的電阻，并且基于所述感測到的電阻提供隨機(jī)值。
30.一種設(shè)備,其包括: 磁阻MR單元陣列，其布置成多個行和多個列，每一 MR單元包括至少一個MR元件； 多個字線，其耦合到MR單元的所述多個行； 多個選擇線，其耦合到MR單元的所述多個列； 感測電路，其耦合到所述多個選擇線，并且經(jīng)配置以感測所述陣列中的所選MR單元的電阻且提供隨機(jī)值；以及 多個編程源，其耦合到所述多個選擇線，并且經(jīng)配置以提供脈沖以改變所述陣列中的所述MR單元的狀態(tài)，所述多個編程源包含 第一編程源，當(dāng)所述所選MR單元要在第一方向上切換時，所述第一編程源耦合到所述所選MR單元；以及 第二編程源，當(dāng)所述所選MR單元要在第二方向上切換時，所述第二編程源耦合到所述所選MR單元。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述多個編程源經(jīng)配置以提供電流脈沖或電壓脈沖以改變所述陣列中的所述MR單元的所述狀態(tài)。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述第一和第二編程源中的至少一者經(jīng)配置以提供基于所述所選MR單元的目標(biāo)切換概率而確定的可變振幅或可變脈沖持續(xù)時間或可變振幅和可變脈沖持續(xù)時間兩者的脈沖。`
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述多個編程源具有單獨地配置的脈沖振幅或脈沖持續(xù)時間或脈沖振幅和脈沖持續(xù)時間兩者。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述所選MR單元在單個操作中進(jìn)行編程，并且在所述單個操作中所述所選MR單元被施加來自所述第一或第二編程源的電流脈沖或電壓脈沖。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述所選MR單元在多個操作中進(jìn)行編程，并且在所述多個操作中的每一者中所述所選MR單元被施加來自所述第一或第二編程源的電流脈沖或電壓脈沖。
36.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中以第一速率選擇和感測所述陣列中的所述MR單元以便以高于所述第一速率的第二速率產(chǎn)生隨機(jī)值。
37.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中每一MR單元包含串聯(lián)耦合的多個MR元件。
38.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中每一MR單元包含并聯(lián)耦合的多個MR元件。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的設(shè)備，其中每一MR單元中的所述多個MR元件具有耦合在一起的自由層和也耦合在一起的固定層。
40.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 至少一個MR單元，其用于為所述感測電路提供參考電壓。
41.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中所述陣列中的所述MR單元包括不同形狀或不同大小或不同厚度或其組合的MR元件。
42.—種設(shè)備,其包括: 熵源，其包括至少一個磁阻MR元件，并且經(jīng)配置以基于所述至少一個MR元件提供第一值；以及檢測模塊，其經(jīng)配置以接收和處理所述第一值，并且提供對于所述熵源的竄改的指示。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述檢測模塊經(jīng)配置以基于所述第一值中的“零”的百分比和“I”的百分比檢測對于所述熵源的竄改。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述檢測模塊經(jīng)配置以基于所述第一值中的“零”游程和“ I ”游程檢測對于所述熵源的竄改。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述檢測模塊經(jīng)配置以基于“零”和“I”的預(yù)定模式的出現(xiàn)次數(shù)檢測對于所述熵源的竄改。
46.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述檢測模塊經(jīng)配置以執(zhí)行所述第一值的壓縮和基于所述壓縮的輸出速率檢測對于所述熵源的竄改。
47.—種產(chǎn)生隨機(jī)值的方法,其包括: 向磁阻MR元件施加靜態(tài)電流，所述MR元件具有基于所述MR元件的磁化而確定的可變電阻； 用施加于所述MR元件的所述靜態(tài)電流感測所述MR元件的所述電阻；以及 基于所述MR元件的所述感測到的電阻產(chǎn)生第一隨機(jī)值。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述感測所述MR元件的所述電阻包括將所述MR元件的所述電阻與參考值比較以獲得感測到的值，并且其中所述產(chǎn)生所述第一隨機(jī)值包括鎖存所述感測到的值以獲得所述第一隨機(jī)值。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其進(jìn)一步包括: 處理所述第一隨機(jī)值以獲得第二隨機(jī)值。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述處理所述第一隨機(jī)值包括基于密碼散列函數(shù)、錯誤檢測碼或流密碼算法中的至少一者處理所述第一隨機(jī)值。
51.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其進(jìn)一步包括: 通過感測包含所述MR元件在內(nèi)的多個MR元件的電阻而產(chǎn)生多個第一隨機(jī)值序列；以及 處理所述多個第一隨機(jī)值序列以獲得第二隨機(jī)值。
52.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其進(jìn)一步包括: 檢測對于所述MR元件的竄改。
53.—種設(shè)備,其包括: 用于向磁阻MR元件施加靜態(tài)電流的裝置,所述MR元件具有基于所述MR元件的磁化而確定的可變電阻； 用于用施加于所述MR元件的所述靜態(tài)電流感測所述MR元件的所述電阻的裝置；以及 用于基于所述MR元件的所述感測到的電阻產(chǎn)生第一隨機(jī)值的裝置。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 用于處理所述第一隨機(jī)值以獲得第二隨機(jī)值的裝置。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 用于通過感測包含所述MR元件在內(nèi)的多個MR元件的電阻而產(chǎn)生多個第一隨機(jī)值序列的裝置；以及 用于處理所述多個第一隨機(jī)值序列以獲得第二隨機(jī)值的裝置。
56.一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，其包括:計算機(jī)可讀媒體，其包括: 用于致使至少一個處理器向磁阻MR元件直接施加靜態(tài)電流的代碼，所述MR元件具有基于所述MR元件的磁化而確定的可變電阻； 用于致使所述至少一個處理器用施加于所述MR元件的所述靜態(tài)電流直接感測所述MR元件的所述電阻的代碼；以及 用于致使所述至少一個處理器基于所述MR元件的所述感測到的電阻直接產(chǎn)生第一隨機(jī)值的代碼。`
【文檔編號】G06F7/58GK103890712SQ201280051736
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月20日
【發(fā)明者】戴維·M·雅各布森, 朱曉春, 吳文清, 肯德里克·?！ち肌ぴ? 升·H·康 申請人:高通股份有限公司