專利名稱：用于半導(dǎo)體應(yīng)用的具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀的近鄰修整的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法并且，更具體地，涉及用于半導(dǎo)體應(yīng)用的具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀的近鄰修整。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體應(yīng)用中，虛填充形狀可以包括在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中以提高設(shè)計(jì)內(nèi)形狀的均勻性。在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中，多數(shù)設(shè)計(jì)特征可以包括虛填充形狀。均勻的局部形狀和密度促進(jìn)了諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的制造工藝。為了能夠穩(wěn)健(robust)光刻渲染(rendering),在形狀被重現(xiàn)在光刻掩模上并且被印刷在晶片上的光致抗蝕劑中之前，小的虛形狀要求用于光學(xué)鄰近校正(OPC)和光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)的處理。對(duì)于先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，如果周期性(S卩，特征的寬度加特征之間的間隔)要求半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的虛填充形狀小于和/或者類似于用于其它設(shè)計(jì)特征的柵距，當(dāng)在光刻掩模上的對(duì)應(yīng)特征包括簡(jiǎn)單的期望或“目標(biāo)”形狀時(shí)，在光致抗蝕劑中虛形狀不能被穩(wěn)健地渲染。例如，與其它形狀隔離(例如，被分離)的形狀傾向于與互相嵌套或者半嵌套(例如，近鄰放置)的形狀不同地印刷(例如，尺寸 更小)。此效應(yīng)可以通過(guò)OPC操作抵消，該OPC操作使用半導(dǎo)體構(gòu)圖中的光學(xué)效應(yīng)的復(fù)雜的數(shù)學(xué)模型并向虛填充形狀施加校正，以便“校正”的形狀被渲染為接近在半導(dǎo)體晶片上的光致抗蝕劑中的期望的(目標(biāo))尺寸。在先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)中的小設(shè)計(jì)形狀對(duì)OPC的需求很普遍。然而，OPC耗時(shí)并且執(zhí)行昂貴。雖然OPC對(duì)于構(gòu)成半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的功能電路的設(shè)計(jì)特征是不可避免的代價(jià)，但是對(duì)于虛填充形狀而言卻是不期望的負(fù)擔(dān)。因此，技術(shù)上存在克服上述缺點(diǎn)和限制的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面中，一種方法包括:將一個(gè)或多個(gè)孔形狀添加到包括多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局上；以及修整由所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀覆蓋的所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的鄰近設(shè)計(jì)形狀。在本發(fā)明的另一方面中，一種用于半導(dǎo)體應(yīng)用的用于產(chǎn)生具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀的功能設(shè)計(jì)模塊的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的方法，所述方法包括:產(chǎn)生多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的功能表示。所述方法包括產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)孔形狀的功能表示，所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或完全覆蓋和修整所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀中的鄰近設(shè)計(jì)形狀。在本發(fā)明的又一方面中，一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括體現(xiàn)為存儲(chǔ)介質(zhì)的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)，其具有可讀程序代碼。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括至少一部件，其操作為在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)或者測(cè)試布局的第一區(qū)域中放置至少一組設(shè)計(jì)形狀。所述至少一個(gè)部件還操作為在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)或者測(cè)試布局的第二區(qū)域中放置多組設(shè)計(jì)形狀，所述多組設(shè)計(jì)形狀是互相嵌套和半嵌套的，并且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域隔離。所述至少一個(gè)部件還操作為將一個(gè)或多個(gè)孔形狀添加到虛填充單元基元以便所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或者完全覆蓋鄰近虛填充單元基元中的形狀。所述至少一個(gè)部件還操作為輸出并且保存所述虛填充單元基元，以及在不同半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中使用所述虛填充單元基元。在本發(fā)明的另一方面中，一種制造半導(dǎo)體掩模的方法，包括:在包括第一虛填充單元基元的多個(gè)實(shí)例(instance)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局中，用包括虛填充目標(biāo)形狀和一個(gè)或多個(gè)孔形狀的第二虛填充單元基元替換包括所述虛填充目標(biāo)形狀的所述第一虛填充單元基元，以便所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或完全覆蓋所述多個(gè)實(shí)例中的鄰近的實(shí)例。所述方法還包括基于所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀的修整效果將所述多個(gè)實(shí)例印刷到所述半導(dǎo)體掩模上。在本發(fā)明的又一方面，一種制造多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的方法，包括:將一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元添加到多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局中，所述多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局中的每一個(gè)包括多個(gè)虛填充單元基元，并且所述一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元包括完全或者部分地覆蓋所述多個(gè)虛填充單元基元中的鄰近虛填充單元基元的一個(gè)或多個(gè)孔形狀。所述方法還包括將所述多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局印刷到多個(gè)半導(dǎo)體掩模上；以及基于所述多個(gè)半導(dǎo)體掩模制造所述多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其被有形物化在機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中用于設(shè)計(jì)、制造或者測(cè)試集成電路。所述設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括本發(fā)明的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)實(shí)施例中，在機(jī)器可讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上編碼的硬件描述語(yǔ)言(HDL)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括當(dāng)在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中處理時(shí)產(chǎn)生本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的機(jī)器可執(zhí)行表示的元件。在又一實(shí)施例中，提供了一種計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的方法用于產(chǎn)生本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的功能設(shè)計(jì)模型。所述方法包括產(chǎn)生本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件的功能表示。


參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例的非限制性實(shí)例的標(biāo)注的多個(gè)附圖，在隨后詳細(xì)描述中描述了本發(fā)明。圖1圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀(期望的或者“目標(biāo)”形狀)；圖2圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀；圖3圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的OPC虛填充形狀和孔形狀；圖4圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀、亞分辨率輔助特征(SRAF)和其它孔形狀；圖5圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀和修整的SRAF ；圖6示出了執(zhí)行本發(fā)明的方面的系統(tǒng)；圖7為用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方面的步驟的流程圖；圖8為在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和/或測(cè)試中使用的設(shè)計(jì)方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法并且，更具體地，涉及用于半導(dǎo)體應(yīng)用的具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀的近鄰修整。術(shù)語(yǔ)“內(nèi)建”強(qiáng)調(diào)這些特征和處理可以是虛填充形狀的單元基元(即，最小重復(fù)單元)的一部分并且不必基于每個(gè)虛填充形狀的局域環(huán)境在布局之后和/或逐形狀地計(jì)算，如常規(guī)OPC操作的情況。在實(shí)施例中，本發(fā)明包括允許具有內(nèi)建OPC的小虛填充形狀(以及本發(fā)明預(yù)期的其它形狀)以掩模上的設(shè)計(jì)形狀所允許的最小柵距或最小柵距附近的柵距在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模上穩(wěn)健印刷(例如，具有接近期望的和目標(biāo)尺寸的基本均勻的形狀)的結(jié)構(gòu)和方法。根據(jù)本發(fā)明的方面，通過(guò)在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層(例如，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)產(chǎn)生并且添加圍繞虛填充形狀的虛填充單元基元的孔形狀而實(shí)現(xiàn)?？仔螤钸€進(jìn)一步完全或者部分地覆蓋并修整近鄰虛填充單元基元的近鄰虛填充形狀。產(chǎn)生并添加孔形狀以滿足所有包含在光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)中的與虛填充形狀相關(guān)的印刷約束。有利地，本發(fā)明的方面為嵌套或者半嵌套(例如，緊密放置)在一起的元件制造更小的虛填充形狀并且為互相分離(例如，寬間隔)的元件制造更大的虛填充形狀，而這通常要求在掩模上穩(wěn)健印刷虛填充形狀。在實(shí)施例中，本發(fā)明還包括在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層(例如半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)，產(chǎn)生并且添加圍繞虛填充形狀的虛填充單元基元的孔形狀，并且其覆蓋并且修整圍繞近鄰虛填充單元基元的近鄰亞分辨率輔助特征(SRAF)。SRAF可以用于提高小、光刻挑戰(zhàn)性設(shè)計(jì)特征的印刷，例如，如在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的分離或半嵌套接觸、過(guò)孔以及虛填充形狀。然而，如果與一個(gè)設(shè)計(jì)特征相關(guān)的SRAF太緊密地接近另一個(gè)設(shè)計(jì)特征，這些SRAF對(duì)這兩個(gè)特征的渲染有負(fù)面影響，例如形成的特征可能整體放大和/或不適宜地朝彼此延伸。因此，通過(guò)修整圍繞嵌套或者半嵌套的虛填充形狀的SRAF并且保留圍繞隔離的虛填充形狀的SRAF，不適宜的SRAF可較少地不利影響虛填充形狀的印刷，并且因此更加穩(wěn)健。根據(jù)本發(fā)明的另一方面， 用于修整虛填充形狀和/或SRAF的孔形狀可以隨后用于修整在其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層中的相似虛填充形狀和/或SRAF。有利地，對(duì)于每個(gè)半導(dǎo)體虛填充層以及對(duì)每個(gè)虛填充形狀，虛填充形狀可以穩(wěn)健地印刷到半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模上而不執(zhí)行耗時(shí)并且昂貴的0PC。隨后，印刷的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩?？梢杂糜谠诎雽?dǎo)體晶片上印刷虛填充形狀。圖1圖形地示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的期望的或者“目標(biāo)”虛填充形狀。更具體地，示出了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100 (例如，隨后被印刷在用于制造半導(dǎo)體的掩模上的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100可以包括擴(kuò)散、柵極、金屬、接觸、過(guò)孔和/或其它類型的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100可以包括一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀110的第一區(qū)域105和一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀120的第二區(qū)域115。虛填充形狀110，120的每一個(gè)可以是例如方形形狀并且當(dāng)在晶片上形成時(shí)可以包括金屬。在此實(shí)例中，用于虛填充形狀110，120的單元基元包括虛填充形狀的3X3陣列。除了方形虛填充形狀110，120的3X3陣列，區(qū)域105，115可以包括一個(gè)或多個(gè)其它虛填充形狀或者特征，例如，如，條，線，多邊形等等。在實(shí)施例中，第一區(qū)域105可以包括虛填充形狀110的單個(gè)3X3組，雖然本發(fā)明還預(yù)期其它尺寸。3X3組可被認(rèn)為是虛填充單元基元125。虛填充單元基元125可以與第二區(qū)域115光刻隔離(寬間隔)，該第二區(qū)域115可以包括虛填充形狀120的多個(gè)3X3組，雖然本發(fā)明還包含其它尺寸。多個(gè)3X3組可以被認(rèn)為是虛填充單元基元130。隔離的虛填充單元基元125的邊緣與虛填充單元基元130中的一個(gè)的邊緣相隔約0.65 μ m到I μ m。在實(shí)施例中，與單個(gè)虛填充單元基元125相反，虛填充單元基元130可以互相半隔離(例如，作為可能的最小方形重復(fù)單元嵌套在一起)，并且可以通過(guò)，例如允許的最小間隔(例如，約80nm-200nm，雖然本發(fā)明還包含其它范圍)互相分離。虛填充形狀110，120的每一個(gè)可以與半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100中的過(guò)孔的尺寸相同(例如，約80nm)。在虛填充單元基元125，130的每一個(gè)中的相鄰虛填充形狀之間的間隔可以等于允許的最小間隔，例如，約80nm。圖2圖形示出了光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀。更具體地，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100(例如，隨后被印刷在用于制造半導(dǎo)體的掩模上的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)上，基于圍繞每個(gè)虛填充形狀的局域環(huán)境(例如，區(qū)域105或者115)，區(qū)域105，115的虛填充形狀被光學(xué)鄰近校正。作為結(jié)果，在區(qū)域105，115中分別形成了光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀205和210。在實(shí)施例中，光學(xué)鄰近校正(OPC)是通常補(bǔ)償源于衍射或者工藝效應(yīng)的圖像誤差的光刻增強(qiáng)技術(shù)。OPC通過(guò)基于每個(gè)形狀的局域環(huán)境對(duì)寫(xiě)入到光致抗蝕劑上的圖形移動(dòng)邊緣或者添加額外的多邊形來(lái)校正這些誤差。使用常規(guī)的0PC，與光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀205的虛填充單元基元215(例如，隔離的特征)相關(guān)的虛填充形狀205在形狀上可以不同于光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀210(的產(chǎn)生的多個(gè)3X3組或者虛填充單元基元220例如,嵌套或者部分嵌套的特征)。例如，隔離的特征(例如，虛填充單元基元215的中心虛填充形狀)在形狀上小于嵌套的特征(例如，在虛填充單元基元220的拐角處的虛填充形狀)。這是由于隔離的特征距離其它附近特征足夠遠(yuǎn)以使得在隔離的特征和嵌套的特征之間沒(méi)有光刻相互作用和/或影響可忽略。在另一個(gè)實(shí)例中，在3X3單元基元外部不具有近鄰設(shè)計(jì)特征的設(shè)計(jì)特征(例如，在虛填充單元基元220A中的虛填充形狀210A)在形狀上可以大于具有鄰近3X3單元基元中的近鄰設(shè)計(jì)特征(例如，在鄰近虛填充單元基元220B中的虛填充形狀210C)的設(shè)計(jì)特征(例如，在虛填充單元基元220A中的虛填充形狀210B)。在此實(shí)例中，相鄰設(shè)計(jì)特征相互之間在距離上足夠近以便在半導(dǎo)體晶片上的光致抗蝕劑中的印刷期間這些特征可彼此影響。由于此近鄰相互作用，對(duì)應(yīng)掩模特征的尺寸必須不同(與諸如虛填充單元基元210A的更遠(yuǎn)隔離的特征的尺寸比較)，以便在光致抗蝕劑中印刷的特征和隨后在半導(dǎo)體晶片上的形狀能夠適當(dāng)分辨，例如，具有大概均勻的形狀，接近期望的或目標(biāo)尺寸。當(dāng)用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100的特征的尺寸約束(例如，特征之間的間隔)緊密或者很小并且印刷到半導(dǎo)體掩模上時(shí)，分離的虛特征可以關(guān)于嵌套的虛特征改變。例如，當(dāng)虛填充形狀205、210被定尺寸為與用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100的最小設(shè)計(jì)特征一樣小或者近似一樣小時(shí)，虛填充形狀205在形狀上可以不同于在單元基元215中的其它虛填充形狀，并且不同于在單元基元220中的虛填充形狀210和其它虛填充形狀。在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的虛填充形狀被期望在形狀上近似均勻，因此通過(guò)OPC處理獲得的益處是有價(jià)值的。然而，OPC是昂貴且耗時(shí)的過(guò)程。圖3圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀和孔形狀。更具體地，示出了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100 (例如，隨后被印刷在用于制造半導(dǎo)體的掩模上的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)。為了能夠在具有緊密尺寸約束的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100中基本均勻地印刷虛填充形狀，一個(gè)或多個(gè)孔形狀305被包括在虛填充單元基元215中并且添加到半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100和/或諸如中間半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層的其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層。在實(shí)施例中，孔形狀305可以被添加或者構(gòu)建為圍繞在第一區(qū)域105中的光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀205的虛填充單元基元215。例如，虛填充單元基元215的每個(gè)邊緣和每個(gè)孔形狀305之間的間隔約為160nm，雖然其它距離也包含在本發(fā)明中。在實(shí)施例中，孔形狀305可以是靜態(tài)或者固定的、附加OPC組。即，孔形狀305可以添加到虛填充單元基元215，以便孔形狀305用作覆蓋和修整(例如，除去部分)作為被孔形狀305圍繞的虛填充單元基元215的最鄰近鄰居(和/或次鄰近鄰居)的虛填充單元基元，但是不與更遠(yuǎn)的虛填充實(shí)例相互作用。在此情況下，因?yàn)樘撎畛鋯卧?15與其它虛填充單元基元(例如，虛填充單元基元220)隔離,所以孔形狀305沒(méi)有足夠地鄰近其它虛填充單元基元，因而不影響這樣的虛填充單元基元。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)或多個(gè)孔形狀310可被產(chǎn)生并添加到半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100和/或其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層上。更具體地，孔形狀310可以添加或者放置為圍繞在第二區(qū)域115中的光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀210的虛填充單元基元220。例如，虛填充單元基元220的每個(gè)邊緣和每個(gè)孔形狀310之間的間隔約為160nm，雖然其它距離也包含在本發(fā)明中?？仔螤?10可以是虛填充單元基元220的靜態(tài)的或者固定的、附加的OPC組。S卩，可以添加孔形狀310以覆蓋和修整(例如，除去部分)作為被孔形狀310圍繞的虛填充單元基元的最鄰近鄰居(和/或次鄰近鄰居)的虛填充單元基元。孔形狀310的添加可以包括為給定的虛填充形狀210確定虛填充形狀210的尺寸以及確定多少虛填充形狀210需要被修整并且在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100中放置孔形狀310以便為了例如形狀的均勻而適當(dāng)修整虛填充形狀210?？仔螤?10被產(chǎn)生并添加以滿足所有包含在光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)中的與虛填充形狀210相關(guān)的印刷約束。例如，孔形狀310A圍繞虛填充單元基元220A并且覆蓋并且修整作為虛填充單元基元220A的鄰居的虛填充單元基元(例如，在虛填充形狀210C處的虛填充單元基元220B)?？仔螤?10允許在鄰近一個(gè)或多個(gè)近鄰設(shè)計(jì)特征(例如，虛填充形狀210)并被孔形狀310覆蓋的每一側(cè)上修整每個(gè)虛填充單元基元220。該修整要求用于制造半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的掩模的方法，能夠在除了虛填充形狀210的被孔形狀310覆蓋的區(qū)域之外的掩模上印刷虛填充形狀210。在可選地或者附加的實(shí)施例中，可以在該設(shè)計(jì)提供給掩模制造設(shè)備之前，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局中的被孔形狀310覆蓋的區(qū)域處修整虛填充形狀210。有利地，孔形狀310的靜態(tài)組還可以在半導(dǎo)體層100和/或掩模上形成在嵌套或者中度嵌套的局域環(huán)境中和隔離的局域環(huán)境中更接近虛填充形狀210的理想形狀的虛填充形狀210的0PC。即， 修整的虛填充形狀210互相之間以及與隔離的虛填充形狀205之間在形狀上可以更均勻。因此，虛填充形狀(或者其它特征)可以更穩(wěn)健地印刷到具有緊密尺寸約束(例如，在虛填充形狀之間的小柵距)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模上，其為不要求現(xiàn)有技術(shù)中的逐形狀OPC處理的對(duì)限制更嚴(yán)格、大虛填充結(jié)構(gòu)的改善。具有近似均勻的虛填充形狀的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模隨后可以被用于制造半導(dǎo)體產(chǎn)品，例如，將半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模印刷到半導(dǎo)體晶片上。另外，分別與虛填充形狀205，210匹配的孔形狀305，310的靜態(tài)組隨后可以被用于具有類似制造要求的其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層和/或半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模。如此，本發(fā)明的方面允許在許多半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中用已經(jīng)產(chǎn)生的單組虛填充和孔形狀迭代(iteratively)并自動(dòng)修整虛填充形狀，而替代用于每個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的耗時(shí)并且昂貴的傳統(tǒng)OPC的計(jì)算。圖4圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀、亞分辨率輔助特征(SRAF)和孔形狀。更具體地，示出了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400 (例如，隨后被印刷在用于制造半導(dǎo)體的掩模上的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局)。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400可以包括擴(kuò)散、柵極、金屬、接觸、過(guò)孔、深溝槽電容器和/或其它類型的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400可以包括一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀410的第一區(qū)域405和一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀420的第二區(qū)域415。虛填充形狀410，420的每一個(gè)可以是例如方形形狀并且當(dāng)在晶片上形成時(shí)可以包括金屬。替代方形虛填充形狀410，420，第一區(qū)域405和第二區(qū)域415可以包括一個(gè)或多個(gè)其它設(shè)計(jì)形狀或者特征，例如，如，擴(kuò)展(extension),線等等。在實(shí)施例中，第一區(qū)域405可以包括虛填充形狀410的單個(gè)3 X 3組，雖然本發(fā)明還包含其它特征和尺寸。3X3組可以被認(rèn)為是虛填充單元基元425。虛填充單元基元425可以與第二區(qū)域415隔離，該第二區(qū)域415包括虛填充形狀420的多個(gè)3X3組，雖然本發(fā)明還包含其它尺寸。多個(gè)3X3組可以被認(rèn)為是虛填充單元基元430。虛填充單元基元425的邊緣與虛填充單元基元430中的一個(gè)的邊緣相隔約0.65 μ m到I μ m。在實(shí)施例中，與單個(gè)虛填充單元基元425相反，虛填充單元基元430可以互相半隔離(例如，作為可能的最小方形重復(fù)單元嵌套在一起)，并且可以通過(guò)，例如允許的最小間隔(例如，約160nm-200nm，雖然本發(fā)明還包含其它范圍)互相分離。虛填充形狀410，420中的每一個(gè)可以與半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400中的過(guò)孔的尺寸相同(例如，約80nm)。在虛填充單元基元425，430的每一個(gè)中的鄰近虛填充形狀之間的間隔可以等于允許的最小間隔，例如，約80nm。根據(jù)本發(fā)明的另一些方面，第一區(qū)域405還包括圍繞虛填充單元基元425的一個(gè)或多個(gè)SRAF435，虛填充單元基元425沿其邊緣被充分隔離以容納SRAF435。在實(shí)施例中，使用具有或者不具有光學(xué)鄰近校正(OPC)(例如，圖2中描述的)的SRAF435以改善小的、光刻挑戰(zhàn)性設(shè)計(jì)特征，例如，在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的接觸、過(guò)孔和虛填充形狀，到晶片上的印刷。例如，虛填充單元基元425可以 被十六個(gè)SRAF435圍繞以改善虛填充形狀410到晶片上的印刷。更具體地，在用于制造半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400的掩模的光刻方法期間，SRAF435可以在掩模中形成開(kāi)口，其中光可以穿過(guò)。雖然這些開(kāi)口太小而不能在晶片上印刷并顯影，SRAF435對(duì)將在晶片上的虛填充形狀410形成到期望的尺寸具有積極影響。然而，如果SRAF (例如，SRAF435)太靠近，這些SRAF允許太多的光在制造半導(dǎo)體設(shè)計(jì)級(jí)的晶片的光刻工藝期間穿過(guò)掩模。在此情況中，SRAF對(duì)晶片上的虛填充形狀(例如，虛填充形狀410)的形成有不利影響。例如，形成的虛填充形狀可因SRAF而過(guò)長(zhǎng)或者延伸，或者SRAF本身可以不恰當(dāng)?shù)卦诠庵驴刮g劑中被分辨并被不恰當(dāng)?shù)匦纬稍诎雽?dǎo)體晶片中。在實(shí)施例中，為了能夠在具有緊密尺寸約束的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層中基本均勻地形成虛填充形狀，一個(gè)或多個(gè)孔形狀440可被產(chǎn)生并添加到在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400和/或如中間半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層的其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層?？梢試@虛填充單元基元425和SRAF435添加或者放置孔形狀440。例如，虛填充單元基元425的每個(gè)邊緣和每個(gè)孔形狀440之間的間隔約為160nm，雖然其它距離也包含在本發(fā)明中?？仔螤?40可以是靜態(tài)的或者固定的、附加OPC組。即，可以添加孔形狀440以覆蓋和修整(例如，除去)圍繞其它虛填充單元基元(例如，虛填充單元基元430)的SRAF。在此情況中，因?yàn)樘撎畛鋯卧?25與其它虛填充單元基元隔離，孔形狀440沒(méi)有足夠地鄰近圍繞其它虛填充單元基元的SRAF，因而不影響這樣的SRAF0根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，第二區(qū)域415還包括圍繞虛填充單元基元430的一個(gè)或多個(gè)SRAF445，虛填充單元基元430沿其邊緣充分隔離以容納SRAF445。在實(shí)施例中，使用具有或者不具有光學(xué)鄰近校正(OPC)(例如，圖2中描述的)的SRAF445以改善小的、光刻挑戰(zhàn)性設(shè)計(jì)特征，例如，在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的接觸、過(guò)孔和虛填充形狀，到晶片上的印刷。例如，虛填充單元基元430可以被SRAF445圍繞以改善虛填充形狀420的形成。另外，第二區(qū)域415可以包括一個(gè)或多個(gè)孔形狀450，其產(chǎn)生并且添加到半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400和/或另一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層。更具體地，孔形狀450被添加或放置為圍繞虛填充單元基元430和SRAF445。例如,虛填充單元基元430的每個(gè)邊緣和每個(gè)孔形狀450之間的間隔約為160nm,雖然其它距離也包含在本發(fā)明中。在實(shí)施例中，孔形狀450可以是SRAF445的靜態(tài)的或者固定的、附加OPC組。即，可以添加孔形狀450以覆蓋和修整(例如，除去)作為另一虛填充單元基元的另一 SRAF的最近鄰鄰居(和/或次近鄰鄰居)的虛填充單元基元的SRAF?？仔螤?50的添加可以包括為給定的SRAF445確定SRAF445的尺寸以及確定哪一個(gè)SRAF445需要被修整，并且在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層中放置孔形狀450以便適宜地修整SRAF445以避免在光刻工藝中的不利影響。例如，孔形狀450A圍繞虛填充單元基元430A并且覆蓋和修整圍繞虛填充單元基元430B且作為虛填充單元基元430A的SRAF445A的鄰居的SRAF445B。孔形狀450B圍繞虛填充單元基元430B并且覆蓋和修整圍繞虛填充單元基元430A且作為虛填充單元基元430B的SRAF445B的鄰居的SRAF445A。還根據(jù)本發(fā)明的方面，可以制造并且添加孔形狀450以滿足所有包含在光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)中的與虛填充形狀420相關(guān)的印刷約束。因此，每個(gè)孔形狀450可以修整鄰近諸如其它虛填充單元基元的其它SRAF的一個(gè)或多個(gè)近鄰設(shè)計(jì)特征并且被孔形狀450中的一個(gè)所覆蓋的虛填充單元基元的SRAF。該修整要求用于制造半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的掩模的工藝，能夠印刷除了被孔形狀450覆蓋的SRAF445之外的SRAF445。孔形狀450可以結(jié)合圖3中的孔形狀310以覆蓋并且修整不僅SRAF445而且虛填充形狀420，同時(shí)，最大化虛填充形狀420的均勻性。圖5圖形示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀和修整的SRAF。更具體地，示出了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400，其中在第二區(qū)域415中的一些SRAF445被諸如圖4中的孔形狀450的孔形狀修整或去除。例如，在虛填充單元基元430A和在虛填充單元基元430B之間的嵌套SRAF (例如，圖4中的SRAF445A、SRAF445B)可以通過(guò)孔形狀(例如，圖4中的形狀450A、450B)修整。該修整去除了在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層400的掩模上形成虛填充形狀420時(shí)這樣的嵌套SRAF的負(fù)面影響。當(dāng)虛填充形狀410 (例如，隔離的特征)可以被十六個(gè)SRAF435圍繞時(shí)，虛填充形狀420的每一個(gè)(例如，嵌套的特征)因SRAF445的修整而被更少的SRAF445圍繞。有利地，包括在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局上的SRAF特征的孔形狀和虛填充形狀的靜態(tài)組可以用于印刷半導(dǎo)體掩模。虛填充形狀和SRAF可以更接近在嵌套或者中間嵌套局域環(huán)境中以及在隔離局域環(huán)境中的虛填充形狀的理想形狀，例如那些可以從虛填充形狀的耗時(shí)并且昂貴的常規(guī)OPC處理獲得的那些。另外，具有SRAF和匹配的孔形狀的虛填充形狀的單元基元隨后可以被用于構(gòu)建具有類似的制造要求的其它半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局。因此，本發(fā)明的方面允許在具有預(yù)先產(chǎn)生的單虛填充單元基元的許多半導(dǎo)體設(shè)計(jì)迭代并自動(dòng)地利用具有包括內(nèi)建SRAF修整的內(nèi)建OPC處理的虛填充形狀。如此，本發(fā)明的方面允許在任意局域環(huán)境(例如，嵌套、半嵌套或者隔離的)中以任何精細(xì)柵距穩(wěn)健印刷近似均勻虛填充形狀。根據(jù)本發(fā)明的另外的方面，這樣是有利的，在不同于用于虛填充形狀的設(shè)計(jì)層的設(shè)計(jì)層上放置SRAF，和/或放置這樣的孔形狀，其旨在修整在不同于用于旨在修整虛填充形狀的孔形狀的設(shè)計(jì)層的設(shè)計(jì)層上的SRAF。在此方法中，設(shè)置在虛填充單元基元中的孔形狀以用于SRAF和填充特征的獨(dú)立修整。通過(guò)允許孔和SRAF形狀的設(shè)置的更多靈活性，此獨(dú)立修整是有利的。系統(tǒng)環(huán)境所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本公開(kāi)可以具體實(shí)現(xiàn)為以下形式，即:可以是完全的硬件、也可以是完全的軟件(包括固件、駐留軟件、微代碼等)，還可以是硬件和軟件結(jié)合的形式，本文一般稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。此外，在一些實(shí)施例中，本發(fā)明還可以實(shí)現(xiàn)為在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中包含計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼?？梢圆捎靡粋€(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀的介質(zhì)的任意組合。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)可讀信號(hào)介質(zhì)或者計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)例如可以是一但不限于——電、磁、光、電磁、紅外線、或半導(dǎo)體的系統(tǒng)、裝置或器件，或者任意以上的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的更具體的例子(非窮舉的列表)包括:具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線的電連接、便攜式計(jì)算機(jī)磁盤(pán)、硬盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(EPR0M或閃存)、光纖、便攜式緊湊磁盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、光存儲(chǔ)器件、磁存儲(chǔ)器件、或者上述的任意合適的組合。在本文件中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是任何包含或存儲(chǔ)程序的有形介質(zhì)，該程序可以被指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用。計(jì)算機(jī)可讀的信號(hào)介質(zhì)可以包括在基帶中或者作為載波一部分傳播的數(shù)據(jù)信號(hào)，其中承載了計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼。這種傳播的數(shù)據(jù)信號(hào)可以采用多種形式，包括——但不限于——電磁信號(hào)、光信號(hào)或上述的任意合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀的信號(hào)介質(zhì)還可以是計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)以外的任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以發(fā)送、傳播或者傳輸用于由指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用的程序。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上包含的程序代碼可以用任何適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)傳輸，包括一但不限于一無(wú)線、電線、光纜、RF等等，或者上述的任意合適的組合。可以以一種或多種程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言或其組合來(lái)編寫(xiě)用于執(zhí)行本發(fā)明操作的計(jì)算機(jī)程序代碼，所述程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言包括面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì)語(yǔ)言一諸如Java、Smalltalk、C++，還包括常規(guī)的過(guò)程式程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言一諸如”C”語(yǔ)言或類似的程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言。程序代碼可以完全地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、部分地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、作為一個(gè)獨(dú)立的軟件包執(zhí)行、部分在用戶計(jì)算機(jī)上部分在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、或者完全在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)或服務(wù)器上執(zhí)行。在涉及遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的情形中，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以通過(guò)任意種類的網(wǎng)絡(luò)一包括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN)—連接到用戶計(jì)算機(jī)，或者，可以連接到外部計(jì)算機(jī)(例如利用因特網(wǎng)服務(wù)提供商來(lái)通過(guò)因特網(wǎng)連接)。下面將參照本發(fā)明實(shí)施例的方法、裝置(系統(tǒng))和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或框圖描述本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，流程圖和/或框圖的每個(gè)方框以及流程圖和/或框圖中各方框的組合，都可以由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)。這些計(jì)算機(jī)程序指令可以提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器，從而生產(chǎn)出一種機(jī)器，這些計(jì)算機(jī)程序指令通過(guò)計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行，產(chǎn)生了實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的方框中規(guī)定的功能/操作的裝置。也可以把這些計(jì)算機(jī)程序指令存儲(chǔ)在能使得計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，這樣，存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的指令就產(chǎn)生出一個(gè)包括實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的方框中規(guī)定的功能/操作的指令裝置(instructionmeans)的制造品(manufacture)。也可以把計(jì)算機(jī)程序指令加載到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置或其它設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟，以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的過(guò)程，從而使得在計(jì)算機(jī)或其它可編程裝置上執(zhí)行的指令能夠提供實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的方框中規(guī)定的功能/操作的過(guò)程。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于管理過(guò)程的示意性環(huán)境10。對(duì)此程度，環(huán)境10包括服務(wù)器或者可以執(zhí)行這里描述的處理的其它計(jì)算系統(tǒng)12。在實(shí)施例中，服務(wù)器12可以包括任意移動(dòng)計(jì)算裝置，例如手機(jī)、電話、筆記本電腦、攝像機(jī)等等。具體地，服務(wù)器12包括計(jì)算裝置14。計(jì)算裝置14可以存在于網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)或者第三方服務(wù)提供者的計(jì)算裝置(其任意一個(gè)在圖6中示出)。計(jì)算裝置14還包括處理器20、存儲(chǔ)器22A和I/O接口 24以及總線26。存儲(chǔ)器22A可以包括在程序代碼的實(shí)際執(zhí)行期間使用的本地存儲(chǔ)器、體存儲(chǔ)和提供至少一些程序代碼的臨時(shí)存儲(chǔ)的高速緩沖存儲(chǔ)，以減少在執(zhí)行期間代碼必須從體存儲(chǔ)檢索的次數(shù)。另外，計(jì)算裝置包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和操作系統(tǒng)(0/S)。計(jì)算裝置14與外部I/O裝置/資源28和存儲(chǔ)系統(tǒng)22B通信。例如，I/O裝置28可以包括能夠使個(gè)體(例如，用戶16)與計(jì)算裝置14交互的任意裝置(例如用戶接口)或者能夠使用任意類型的通信連接使計(jì)算裝置14與(例如，用戶16的)一個(gè)或多個(gè)其它計(jì)算裝置通信的任意裝置。外部I/O裝置/資源28可以是例如手機(jī)或者鍵盤(pán)等等。一般地，處理器20執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序代碼(例如，程序控制44)，其可以儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器22A中和/或存儲(chǔ)系統(tǒng)22B中。另外，根據(jù)本發(fā)明的方面，程序控制44控制管理系統(tǒng)30，例如這里描述的過(guò)程?？梢詫⒐芾硐到y(tǒng)30實(shí)施為在作為單獨(dú)或組合的模塊儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器22A中的程序控制44中的一個(gè)或多個(gè)程序代碼。另外，可以作為單獨(dú)的專用處理器或者單個(gè)或者幾個(gè)處理器執(zhí)行管理系統(tǒng)30以提供此工具的功能。另外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，管理系統(tǒng)30用作一般地描述術(shù)語(yǔ)用于提供本發(fā)明的特征和/或功能。在實(shí)施例中，管理系統(tǒng)30產(chǎn)生半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層，例如隨后被印刷到掩模上的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)掩模的計(jì)算機(jī)模擬布局。印刷的掩?？梢杂糜谥圃彀雽?dǎo)體產(chǎn)品，例如，通過(guò)常規(guī)光刻工藝印刷到半導(dǎo)體晶片上。管理系統(tǒng)30可以允許具有光學(xué)鄰近校正(OPC)的更小的虛填充形狀(以及本發(fā)明預(yù)期的其它形狀)以掩模上的形狀所允許的最小柵距或最小柵距附近的柵距穩(wěn)健印刷(例如，具有基本均勻的形狀)到掩模。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，管理系統(tǒng)30可以在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層(例如，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)層100)上產(chǎn)生并且添加包括虛填充形狀、孔形狀和/或亞分辨率輔助特征(SRAF)的虛填充單元基元?？仔螤钸€覆蓋并且修整近鄰虛填充形狀和/或近鄰虛填充單元基元的SRAFS。有利地，管理系統(tǒng)30允許為嵌套或者半嵌套(例如，靠近放置)在一起的那些制造更小的虛填充形狀并且為互相隔離的(分離的)那些制造更大的虛填充形狀，這通常是在掩模上穩(wěn)健印刷虛填充形狀所要求的。當(dāng)執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序代碼時(shí)，處理器20可以讀取和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)到/從存儲(chǔ)區(qū)22A、存儲(chǔ)系統(tǒng)22B和/或I/O接口 24。程序代碼執(zhí)行本發(fā)明的過(guò)程，例如，管理系統(tǒng)30的功能，例如管理一個(gè)或多個(gè)在設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的處理電路上放置的虛填充形狀?？偩€26提供在計(jì)算裝置14中的每個(gè)部件之間的通信連接。計(jì)算裝置14可以包括能夠執(zhí)行在其上安裝的計(jì)算機(jī)程序代碼的任意通用計(jì)算制品(例如，個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，等)。然而，應(yīng)該明白計(jì)算裝置14僅表示能夠執(zhí)行這里描述的處理的等價(jià)計(jì)算裝置的不同可能。到此程度，在實(shí)施例中，可以通過(guò)包括任意通用和/或?qū)Ｓ糜布?或計(jì)算機(jī)程序代碼的任意組合的計(jì)算制品執(zhí)行由計(jì)算裝置14提供的功能。在每個(gè)實(shí)施例中，可以分別使用標(biāo)準(zhǔn)編程和工程技術(shù)創(chuàng)建程序代碼和硬件。類似地，計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12僅示出了用于執(zhí)行本發(fā)明的計(jì)算機(jī)指令的不同類型。例如，在實(shí)施例中，服務(wù)器12包括通過(guò)如網(wǎng)絡(luò)的任意類型的通信連接通信的兩個(gè)或更多計(jì)算裝置(例如，服務(wù)器集群)，共享存儲(chǔ)器等等，以執(zhí)行這里描述的處理。另外，當(dāng)執(zhí)行這里描述的處理時(shí)，服務(wù)器12上的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算裝置可以使用任意類型的通信連接與在服務(wù)器12外部的一個(gè)或多個(gè)其它計(jì)算裝置(例如，用戶16)通信。通信連接可以包括有線和/或無(wú)線連接的任意組合；一個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)類型的任意組合(例如，互聯(lián)網(wǎng)、廣域網(wǎng)、局域網(wǎng)和虛擬私人網(wǎng)絡(luò)等)；和/或利用傳送技術(shù)和協(xié)議的任意結(jié)合。圖7示出了用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方面的示范性流程圖。例如，圖7的步驟可以在圖6的環(huán)境中執(zhí)行。附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上，流程圖或框圖中的每個(gè)方框可以代表一個(gè)模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應(yīng)當(dāng)注意，在一些備選實(shí)現(xiàn)中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個(gè)連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時(shí)也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個(gè)方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或操作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，本發(fā)明可以采取容易從提供程序代碼的計(jì)算機(jī)可用或者計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，用于通過(guò)或者結(jié)合計(jì)算機(jī)或者任意指令執(zhí)行系統(tǒng)使用。軟件和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以在圖6的環(huán)境執(zhí)行。為了描述目的，計(jì)算機(jī)可用或者計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是能夠包含、存儲(chǔ)、通信、傳送或者傳輸程序的任意裝置用于通過(guò)或者結(jié)合指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者裝置使用。介質(zhì)可以使電子、磁性、光學(xué)、電磁、紅外或者半導(dǎo)體系統(tǒng)(或者裝置或器件)或者傳送介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的實(shí)例包括半導(dǎo)體或者固態(tài)存儲(chǔ)、磁帶、可擦寫(xiě)計(jì)算機(jī)磁盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、硬盤(pán)和光盤(pán)。當(dāng)前的光盤(pán)實(shí)例包括光盤(pán)一只讀存儲(chǔ)器(⑶一 R0M)，光盤(pán)一讀/寫(xiě)(⑶一 R/W)和DVD。圖7使出了用于產(chǎn)生一組孔形狀的處理700的示范性流程，其完成根據(jù)本發(fā)明的方面的虛填充形狀和/或SRAF的近鄰修整。處理700產(chǎn)生等價(jià)或者主要類似于可通過(guò)將光學(xué)鄰近校正(OPC)的常規(guī)應(yīng)用于半導(dǎo)體應(yīng)用中的虛填充目標(biāo)形狀而獲得的結(jié)果。在實(shí)施例中，可以通過(guò)圖6的管理系統(tǒng)30執(zhí)行處理700。在步驟705處，處理開(kāi)始。在步驟710處管理系統(tǒng)放置虛填充目標(biāo)形狀的虛填充單元基元到半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局或者測(cè)試布局中。虛填充目標(biāo)單元基元必須以這樣的方式放置，到鄰近和附近的虛填充單元基元的間隔和鄰近和附近的虛填充單元基元的取向固定并且可重復(fù)。在實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元必須與其它單元基元隔離；一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元必須處于嵌套位置中(即，完全由在最近鄰位置中的其它虛填充單元基元圍繞)；并且一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元必須處于半嵌套位置中(即，在一個(gè)或者兩個(gè)方向上而不是所有方向上由在最近鄰位置中的其它虛填充單元基元圍繞)。在步驟715處，在可選實(shí)施例中，管理系統(tǒng)可以使用傳統(tǒng)的OPC過(guò)程光學(xué)鄰近校正虛填充形狀，導(dǎo)致每一個(gè)都是基于其局域環(huán)境調(diào)整的虛填充形狀。根據(jù)用于掩模層的光刻要求，步驟715的結(jié)果可以包括與虛填充形狀相關(guān)的SRAF。在步驟720處，管理系統(tǒng)添加用于虛填充單元基元的隔離實(shí)例的OPC結(jié)果，后文指隔離的OPC虛形狀，并且添加(例如，獲得)一個(gè)或多個(gè)孔形狀到隔離的虛填充單元基元。隔離的OPC虛形狀可以完全與來(lái)自用于隔離的虛填充單元基元的步驟715的結(jié)果相同，或者可以類似于但是不完全與來(lái)自步驟715的結(jié)果相同。另外，隔離的OPC虛形狀可以包括與來(lái)自用于隔離的虛填充單元基元的步驟715的SRAF形狀完全相同的SRAF形狀，或者可以類似于但是不完全與來(lái)自步驟715的SRAF相同。在實(shí)施例中，向隔離的虛填充單元基元添加形狀包括放置孔形狀以便修整鄰近(最近鄰鄰居)和/或靠近(次或次次近鄰鄰居)的虛填充單元基元中的隔離的OPC虛形狀(可能包括SRAF)。在隔離的虛填充單元基元中設(shè)置孔形狀以便在鄰近和/或靠近的虛填充單元基元中的虛形狀的修整導(dǎo)致接近或者完全類似于步驟715的結(jié)果的一組掩模形狀。步驟725處，管理系統(tǒng)輸出并且保存包括隔離的OPC虛形狀(可能包括SRAF)和一個(gè)或多個(gè)添加的孔形狀的虛填充單元基元。步驟725的結(jié)果是包括虛填充目標(biāo)形狀、隔離的OPC虛形狀(可能包括SRAF)以及一個(gè)或多個(gè)孔形狀的虛填充單元基元。然后，此虛填充單元基元可以用于在利用類似虛填充形狀的任意其它半導(dǎo)體布局中替代來(lái)自步驟710的虛填充單元基元。另外，從在此其它半導(dǎo)體布局中的隔離的OPC虛形狀和孔形狀的結(jié)合導(dǎo)致的掩模形狀類似于虛填充的逐形狀常規(guī)OPC的結(jié)果，但是避免了與虛填充的常規(guī)OPC相關(guān)的時(shí)間和費(fèi)用。在步驟730處，處理結(jié)束。在實(shí)施例中，添加到虛填充單元基元的孔形狀不用作修整功能設(shè)計(jì)形狀(如與虛填充形狀相對(duì))，并且不用作修整將在相同掩模上出現(xiàn)的可能包括與功能設(shè)計(jì)形狀相關(guān)的SRAF的功能設(shè)計(jì)形狀的OPC結(jié)果。通過(guò)確保虛填充單元基元沒(méi)有設(shè)置為靠近功能設(shè)計(jì)形狀，可以禁止在虛填充單元基元中的孔形狀修整這樣的功能設(shè)計(jì)形狀的OPC結(jié)果?？蛇x地，這可以通過(guò)在設(shè)計(jì)層上放置孔形狀完成，該設(shè)計(jì)層被限定為不影響包含這樣的OPC結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)層。本發(fā)明還包括用于確保孔形狀不會(huì)不利地影響功能設(shè)計(jì)形狀的印刷的其它方法。圖8是在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和/或測(cè)試工藝中使用的設(shè)計(jì)過(guò)程的流程圖。圖8示出了例如在半導(dǎo)體IC邏輯設(shè)計(jì)、模擬、測(cè)試、布局以及制造中使用的示范性設(shè)計(jì)流程900的框圖。設(shè)計(jì)流程900包括過(guò)程、機(jī)器和/或用于處理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)或器件的機(jī)制以產(chǎn)生上述并且在圖1-5中示出的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和/或裝置的邏輯或者功能等價(jià)的表示。通過(guò)設(shè)計(jì)流程900處理和/或產(chǎn)生的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)可以編碼到機(jī)器可讀傳輸或者存儲(chǔ)介質(zhì)上以包括在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)上執(zhí)行或者處理時(shí)產(chǎn)生硬件部件、電路、器件或者系統(tǒng)的邏輯、結(jié)構(gòu)、機(jī)械或者其它等價(jià)表示的數(shù)據(jù)和/或命令。機(jī)器包括但不限于在IC設(shè)計(jì)過(guò)程(例如設(shè)計(jì)、制造或者模擬電路、部件、器件或者系統(tǒng))中使用的任意機(jī)器。例如，機(jī)器包括:光刻機(jī)、用于制造掩模的機(jī)器和/或設(shè)備(例如，e-束寫(xiě)入機(jī))、用于模擬設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)或設(shè)備、在制造或者測(cè)試過(guò)程中使用的任意設(shè)備或者用于將設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的功能等價(jià)表示編程到任意介質(zhì)中的任意機(jī)器(例如，用于編程可編程門(mén)陣列的機(jī)器)。設(shè)計(jì)流程900可以根據(jù)設(shè)計(jì)的表示類型變化。例如，用于建立專用IC (ASIC)的設(shè)計(jì)流程900可以不同于用于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)部件的設(shè)計(jì)流程900或者不同于用于將設(shè)計(jì)配置到可編程陣列(例如可編程門(mén)陣列(PGA)或者Altera Inc或者Xllinx _ Inc提供的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA))的設(shè)計(jì)流程900。圖8示出了多個(gè)這樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，包括優(yōu)選通過(guò)設(shè)計(jì)過(guò)程910處理的輸入設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920可以是通過(guò)設(shè)計(jì)過(guò)程910產(chǎn)生并處理的邏輯模擬設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)以制造硬件裝置的邏輯等價(jià)功能表示。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920還可以或者可選地包括當(dāng)通過(guò)設(shè)計(jì)工藝910處理時(shí)產(chǎn)生硬件裝置的物理結(jié)構(gòu)的功能表示的數(shù)據(jù)和/或程序指令。表示功能和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特征，可以使用例如通過(guò)核心開(kāi)發(fā)/設(shè)計(jì)者執(zhí)行的電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(ECAD)產(chǎn)生設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920。當(dāng)編碼在機(jī)器可讀數(shù)據(jù)傳輸、門(mén)陣列或者存儲(chǔ)介質(zhì)上時(shí)，可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)在設(shè)計(jì)過(guò)程910中的硬件和/或軟件模塊訪問(wèn)和處理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920以模擬或者功能表示電子部件。電路、電子或者邏輯模塊、裝置、器件或者系統(tǒng)，如在圖1-5中所示。如此，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920可以包括文件或者其它數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，包括人和/或機(jī)器可讀源代碼、編譯結(jié)構(gòu)和當(dāng)通過(guò)設(shè)計(jì)或者模擬數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)處理時(shí)功能模擬或者表示其它硬件邏輯設(shè)計(jì)的電路或?qū)拥挠?jì)算機(jī)執(zhí)行代碼結(jié)構(gòu)。這樣的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以包括硬件描述語(yǔ)言(HDL)設(shè)計(jì)實(shí)體或者遵循和/或兼容諸如Verilog和VHDL的低級(jí)HDL設(shè)計(jì)語(yǔ)言和/或諸如C或者C++的更高級(jí)的設(shè)計(jì)語(yǔ)言的其它數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選設(shè)計(jì)過(guò)程910使用并且并入硬件和/或軟件模塊用于綜合、轉(zhuǎn)譯或者處理圖1-5中示出的部件、電路、裝置或者邏輯結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)/模擬功能等價(jià)物以產(chǎn)生包括諸如設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的網(wǎng)表980。網(wǎng)表980可以包括，例如，表示布線、分立部件、邏輯門(mén)、控制電路、I/O裝置、模塊等的編譯或者處理的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，其描述到集成電路設(shè)計(jì)中的其它元件和電路的連接?？梢允褂玫幚砭C合網(wǎng)表980，其中根據(jù)裝置的設(shè)計(jì)規(guī)范和參數(shù)，網(wǎng)表980被綜合一個(gè)或多個(gè)次。如這里描述的其它設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)類型，網(wǎng)表980可以記錄在機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上或者編程到可編程門(mén)陣列中。介質(zhì)可以是如磁盤(pán)或者光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，可編程門(mén)陣列、標(biāo)準(zhǔn)閃存卡或者其它閃存存儲(chǔ)。另外，或者可選地，介質(zhì)可以是系統(tǒng)或者高速緩沖存儲(chǔ)器、緩沖空間或者導(dǎo)電或?qū)Ч庋b置和材料，在其上可以傳輸或者通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)或者其他網(wǎng)絡(luò)適宜的方式中間存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)分組。設(shè)計(jì)過(guò)程910可以包括硬件和軟件模塊用于處理包括網(wǎng)表980的各種的輸入數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型。對(duì)于給定的制造技術(shù)(例如，不同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，32nm、45nm、90nm等等),這樣的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型可以存在于，例如，庫(kù)元件930中并且包括一組通用的元件、電路和器件，包括模塊、布局和符號(hào)表示。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型還包括設(shè)計(jì)規(guī)范940、特征數(shù)據(jù)950、驗(yàn)證數(shù)據(jù)960、設(shè)計(jì)規(guī)則970以及包括輸入測(cè)試圖形、輸出測(cè)試結(jié)果以及其它測(cè)試信息的測(cè)試數(shù)據(jù)文件985。設(shè)計(jì)過(guò)程910還包括，例如標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械設(shè)計(jì)過(guò)程，如應(yīng)力分析、熱分析、機(jī)器事件模擬、用于諸如澆鑄、鑄模和沖壓成型等的操作的工藝模擬。在不脫離本發(fā)明的精神范圍內(nèi)，機(jī)械設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明白在設(shè)計(jì)過(guò)程910中使用的可能的機(jī)械設(shè)計(jì)工具和應(yīng)用的范圍。設(shè)計(jì)過(guò)程910還包括用于執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)過(guò)程(例如，時(shí)序分析、驗(yàn)證、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、放置以及定線操作等)的模塊。
設(shè)計(jì)過(guò)程910使用并且并入有邏輯和物理設(shè)計(jì)工具，例如HDL編譯器和模擬模型創(chuàng)建工具以與一些或者所有描述的支撐數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)一起處理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920，連同任意附加機(jī)械設(shè)計(jì)或者數(shù)據(jù)(如果可用)，以產(chǎn)生第二設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990以用于機(jī)械裝置和結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)交換的數(shù)據(jù)格式位于存儲(chǔ)介質(zhì)或者可編程門(mén)陣列上(例如，以IGES、DXF、Parasolid XT、JT、DRG或者用于存儲(chǔ)或者翻譯這樣的機(jī)械設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的任意其它合適的格式存儲(chǔ)的信息)。類似于設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)920，優(yōu)選地設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990包括一個(gè)或多個(gè)文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)或者位于在傳輸或者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上并且當(dāng)通關(guān)過(guò)ECAD系統(tǒng)處理時(shí)產(chǎn)生圖1-5中示出的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的邏輯或者功能等價(jià)物形式的其它計(jì)算機(jī)編碼數(shù)據(jù)或者指令。在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990可以包括用于功能模擬圖1-5中示出的裝置的編譯的、可執(zhí)行HDL模擬模塊。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990還可以使用用于交換集成電路的布局?jǐn)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)格式和/或符號(hào)數(shù)據(jù)格式(例如，以⑶SII (⑶S2)、GL1、0ASIS、圖文件或者任意其它用于儲(chǔ)存這樣的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的合適格式存儲(chǔ)的信息)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990可以包括信息，例如，如符號(hào)數(shù)據(jù)、圖文件、測(cè)試數(shù)據(jù)文件、設(shè)計(jì)內(nèi)容文件、制造數(shù)據(jù)、布局參數(shù)、布線、金屬層、過(guò)孔、形狀，用于通過(guò)制造線的定線數(shù)據(jù)以及通過(guò)制造者或者其它設(shè)計(jì)者/開(kāi)發(fā)者要求的任意其它數(shù)據(jù)以制造上面描述并且圖1-5中示出的裝置或者結(jié)構(gòu)。然后，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990進(jìn)入階段995，其中，例如設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)990:進(jìn)入流片、流出到制造、流出到掩模室、發(fā)送到另一個(gè)設(shè)計(jì)室、發(fā)送回消費(fèi)者等。在制造集成電路芯片時(shí)使用上述方法。產(chǎn)生的集成電路芯片可以被制造者作為裸管芯的原料晶片(即，作為具有多個(gè)未封裝芯片的單個(gè)晶片)或者封裝形式分配。在后一種情況中，芯片安裝在單芯片封裝(例如，具有附著到主板或者其它更高級(jí)載體的引線的塑料載體)中或者安裝在多芯片封裝(例如，具有一個(gè)或者兩個(gè)表面互連或者掩埋互連的陶瓷載體)中。在任意情況中，隨后芯片與其它芯片、分立電路元件和/或其它信號(hào)處理裝置集成作為(a)如主板的中間產(chǎn)品或者(b)最終產(chǎn)品的一部分。最終產(chǎn)品可以是任意產(chǎn)品，包括集成電路芯片，包括從玩具和其它低端應(yīng)用到具有顯示器、鍵盤(pán)或其它輸入器件以及中央處理器的先進(jìn)的計(jì)算機(jī)產(chǎn)品。示出的本發(fā)明的各種實(shí)施例的描述用于說(shuō)明目的，但是沒(méi)有旨在窮盡并且限制公開(kāi)的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離描述的實(shí)施例的范圍和精神內(nèi)進(jìn)行許多修改和變化。選擇這里使用的術(shù)語(yǔ)以最好的解釋實(shí)施例的原理，優(yōu)于市場(chǎng)技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用或技術(shù)改善或者使得其它領(lǐng)域的技術(shù)人員明白這里公開(kāi)的實(shí)施例。在不脫離本發(fā)明的范圍和精神下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行許多修改和變化。在權(quán)利要求中的對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)、材料、作用、和所有裝置或步驟加功能元件的等價(jià)物，如果適用，旨在包括用于結(jié)合具體主張的其它主張的元件而執(zhí)行功能的結(jié)構(gòu)、材料或者作用。因此，雖然關(guān)于實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可以具有修改并且在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括: 將一個(gè)或多個(gè)孔形狀添加到包括多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局上；以及 修整由所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀覆蓋的所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的鄰近設(shè)計(jì)形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)亞分辨率輔助特征(SRAF)0
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括多個(gè)虛填充單元基元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括修整所述多個(gè)虛填充單元基元中的這樣的一個(gè)虛填充單元基元，所述這樣的一個(gè)虛填充單元基元鄰近所述多個(gè)虛填充單元基元中的另一虛填充單元基元并且部分或者完全被圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元中的所述另一虛填充單元基元的所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中: 所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)亞分辨率輔助特征(SRAF);以及 所述修整包括修整所述一個(gè)或多個(gè)SRAF，所述一個(gè)或多個(gè)SRAF圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元中的鄰近所述多個(gè)虛填充單元基元中的另一虛填充單元基元的一個(gè)虛填充單元基元并且被圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元中的所述另一虛填充單元基元的所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括將所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀印刷到半導(dǎo)體掩模上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括基于印刷的半導(dǎo)體掩模制造半導(dǎo)體產(chǎn)品。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀的所述添加之前光學(xué)鄰近校正所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中添加所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀以滿足光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)中的所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀到半導(dǎo)體掩模上的一個(gè)或多個(gè)印刷約束。
11.一種用于半導(dǎo)體應(yīng)用的用于產(chǎn)生具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀的功能設(shè)計(jì)模塊的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的方法，所述方法包括: 產(chǎn)生多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的功能表示；以及 產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)孔形狀的功能表示，所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或完全覆蓋和修整所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀中的鄰近設(shè)計(jì)形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)亞分辨率輔助特征(SRAF)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括多個(gè)虛填充單元基元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元中的一個(gè)虛填充單元基元，并且進(jìn)一步覆蓋和修整鄰近所述多個(gè)虛填充單元基元中的所述一個(gè)虛填充單元基元的所述多個(gè)虛填充單元基元中的另一虛填充單元基元。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中: 所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀包括一個(gè)或多個(gè)亞分辨率輔助特征(SRAF);并且 所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元中的一個(gè)虛填充單元基元和圍繞所述多個(gè)虛填充單元基元的所述一個(gè)虛填充單元基元的所述一個(gè)或多個(gè)SRAF,并且進(jìn)一步覆蓋和修整圍繞鄰近所述多個(gè)虛填充單元基元中的所述一個(gè)虛填充單元基元的所述多個(gè)虛填充單元基元中的另一虛填充單元基元的所述一個(gè)或多個(gè)SRAF。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中， 所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀被光學(xué)鄰近校正。
18.—種系統(tǒng),包括: 裝置，被配置為在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)或者測(cè)試布局的第一區(qū)域中放置至少一組設(shè)計(jì)形狀； 裝置，被配置為在所述半導(dǎo)體設(shè)計(jì)或者測(cè)試布局的第二區(qū)域中放置多組設(shè)計(jì)形狀，所述多組設(shè)計(jì)形狀是互相嵌套和半嵌套的，以及所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域隔離； 裝置，被配置為將一個(gè)或多個(gè)孔形狀添加到虛填充單元基元以便所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或者完全覆蓋鄰近虛填充單元基元中的形狀；以及 裝置，被配置為輸出并保存所述虛填充單元基元；以及 裝置，被配置為在不同半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中使用所述虛填充單元基元。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述虛填充單元基元包括一個(gè)或多個(gè)虛填充形狀和一個(gè)或多個(gè)隔離的光學(xué)鄰近校正(OPC)虛形狀中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述虛填充單元基元包括一個(gè)或多個(gè)亞分辨率輔助特征(SRAF)中的至少一個(gè)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述多組設(shè)計(jì)形狀包括多個(gè)虛填充單元基元。
22.一種制造半導(dǎo)體掩模的方法，包括: 在包括第一虛填充單元基元的多個(gè)實(shí)例的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局中，用包括虛填充目標(biāo)形狀和一個(gè)或多個(gè)孔形狀的第二虛填充單元基元替換包括所述虛填充目標(biāo)形狀的所述第一虛填充單元基元，以便所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀部分或完全覆蓋所述多個(gè)實(shí)例中的鄰近實(shí)例；以及 基于所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀的修整效果將所述多個(gè)實(shí)例印刷到所述半導(dǎo)體掩模上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述印刷還包括將所述多個(gè)實(shí)例的曝光區(qū)域印刷到所述半導(dǎo)體掩模上。
24.一種制造多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的方法，包括: 將一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元添加到多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局上，所述多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局中的每一個(gè)包括多個(gè)虛填充單元基元，并且所述一個(gè)或多個(gè)虛填充單元基元包括完全或者部分地覆蓋所述多個(gè)虛填充單元基元中的鄰近虛填充單元基元的一個(gè)或多個(gè)孔形狀； 將所述多個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局印刷到多個(gè)半導(dǎo)體掩模上；以及 基于所述多個(gè)半導(dǎo)體掩模制造所述多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中所述印刷還包括將所述多個(gè)虛填充單元基元的曝光區(qū)域印刷到所述多個(gè)半導(dǎo)體掩模上。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體應(yīng)用的具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正(OPC)的虛填充形狀的近鄰修整。提供了用于半導(dǎo)體應(yīng)用的具有內(nèi)建光學(xué)鄰近校正的虛填充形狀的近鄰修整。用于近鄰修整的方法包括將一個(gè)或多個(gè)孔形狀添加到包括多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局上。所述方法還包括修整由所述一個(gè)或多個(gè)孔形狀覆蓋的所述多個(gè)設(shè)計(jì)形狀的鄰近設(shè)計(jì)形狀。
文檔編號(hào)G06F17/50GK103218470SQ20131001775
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者H·S·蘭迪斯 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司