單層觸摸屏及其制作方法和觸摸屏顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單層觸摸屏，包括：基板，屏蔽銦錫氧化物層，設(shè)置于基板上的黑矩陣邊框，設(shè)置于黑矩陣邊框上方的金屬布線，形成于觸摸感應(yīng)區(qū)內(nèi)的金屬橋，形成于所述金屬橋上的絕緣層，設(shè)置于所述金屬布線、金屬橋和絕緣層上的銦錫氧化物電極層以及設(shè)置于銦錫氧化物電極層上的鈍化層；至少在所述黑矩陣邊框的上方且在所述金屬布線的下方，設(shè)有絕緣保護層。本發(fā)明還同時公開了一種單層觸摸屏的制作方法和觸摸屏顯示器，本發(fā)明可在觸摸屏的制作過程中，在其他各層和金屬布線進行對位制作時，防止金屬對BM的濺射，保證腔室的潔凈。
【專利說明】單層觸摸屏及其制作方法和觸摸屏顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】中的觸摸屏技術(shù)，尤其涉及一種單層觸摸屏(OneGlass Solution Touch Panel)及其制作方法和觸摸屏顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于觸摸屏顯示器的迅速發(fā)展，其已經(jīng)逐漸發(fā)展成為主流平板顯示器。從出現(xiàn)至今，觸摸屏顯示器按照結(jié)構(gòu)劃分主要分為如下三種類型:外掛式觸摸屏(Out CellTouch Panel)、外嵌式觸摸屏(On Cell Touch Panel)以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell TouchPanel)。當前主流觸摸屏大部分都采用外掛式結(jié)構(gòu)設(shè)計。隨著觸摸屏顯示器所要求的光學特性和電學特性不斷提高，以及消費者對薄化顯示器的不斷需求，在有限的空間里，且在顯示效果不變的情況下，設(shè)計出具有高性能、低成本、超薄的薄膜晶體管逐漸成為各大廠商的主要目標。
[0003]圖1為現(xiàn)有外掛式單層觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，包括:基板1、設(shè)置于基板I上的BM(黑矩陣)邊框2和ITO (銦錫氧化物)橋5，設(shè)置于ITO橋5上的絕緣層4，設(shè)置于基板1、BM邊框2、ITO橋5以及絕緣層4上的ITO電極層3、設(shè)置于ITO電極層3上的金屬布線6、設(shè)置于ITO電極層3、金屬布線6以及絕緣層4上的鈍化層(PVX) 7，以及設(shè)置于金屬布線6上的柔性印刷電路(FPC)8，所述屏蔽ITO層9設(shè)置于基板I的背面。
[0004]在上述現(xiàn)有的單層觸摸屏的制作過程中，由于觸摸屏中橫縱向感應(yīng)電極交錯位置處采用的ITO橋5對位比較困難。如果將ITO橋5換成金屬橋，則可以使對位比較容易，但是如果在現(xiàn)有技術(shù)上直接將ITO橋5替換成金屬橋，則在制備時，會存在如下問題:需要先制作金屬布線6，而后其他各層和金屬布線6進行對位制作，這種工藝將導(dǎo)致金屬轟擊BM邊框2，進而造成腔室污染。
[0005]而且，現(xiàn)有的單層觸摸屏的制作過程中，由于屏蔽ITO層9需在基板I的背面制作，需要翻轉(zhuǎn)工藝，實現(xiàn)較復(fù)雜。
[0006]另外，現(xiàn)有所述單層觸摸屏的整個制作過程中需要五塊掩膜板:形成所述BM邊框2的掩膜板1、形成所述ITO橋5的掩膜板2、形成所述絕緣層4的掩膜板3、形成所述ITO電極層3的掩膜板4，以及形成所述保護層7的掩膜板5，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種單層觸摸屏及其制作方法和觸摸屏顯示器，可在觸摸屏的制作過程中，在其他各層和金屬布線進行對位制作時，防止金屬對BM的濺射，保證腔室的潔凈。
[0008]為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0009]本發(fā)明提供了一種單層觸摸屏，包括:基板，屏蔽銦錫氧化物層，設(shè)置于基板上的黑矩陣邊框，設(shè)置于黑矩陣邊框上方的金屬布線，形成于觸摸感應(yīng)區(qū)內(nèi)的金屬橋，形成于所述金屬橋上的絕緣層，設(shè)置于所述金屬布線、金屬橋和絕緣層上的銦錫氧化物電極層以及設(shè)置于銦錫氧化物電極層上的鈍化層；至少在所述黑矩陣邊框的上方且在所述金屬布線的下方，設(shè)有絕緣保護層。
[0010]優(yōu)選地，所述屏蔽銦錫氧化物層與黑矩陣邊框設(shè)置在基板的同一側(cè)。
[0011]優(yōu)選地，在黑矩陣邊框上方至少設(shè)有所述銦錫氧化物電極層與所述屏蔽銦錫氧化物層中的一種。
[0012]優(yōu)選地，所述銦錫氧化物電極層和所述金屬布線隔著所述絕緣保護層而設(shè)置于所述黑矩陣邊框上方。
[0013]優(yōu)選地，所述黑矩陣邊框與屏蔽銦錫氧化物層的圖案形狀相同。
[0014]優(yōu)選地，所述鈍化層與黑矩陣邊框的圖案形狀互補，或所述鈍化層與屏蔽銦錫氧化物層的圖案形狀互補。
[0015]優(yōu)選地，所述鈍化層上形成有與該鈍化層圖案形狀相同的屏蔽銦錫氧化物層。
[0016]優(yōu)選地，所述單層觸摸屏還包括:設(shè)置于銦錫氧化物電極層上的柔性印刷電路。
[0017]本發(fā)明還提供了一種觸摸屏顯示器，所述觸摸屏顯示器包括上述的單層觸摸屏。
[0018]本發(fā)明還提供了一種單層觸摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩陣邊框；該方法還包括:在形成有黑矩陣邊框的基板上形成屏蔽銦錫氧化物層；在形成有屏蔽銦錫氧化物層的基板上形成絕緣保護層；在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋；在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層；在形成有金屬布線、絕緣保護層、金屬橋和絕緣層上的基板上形成銦錫氧化物電極層；在形成有絕緣層和銦錫氧化物電極層上的基板上形成鈍化層。
[0019]優(yōu)選地，所述黑矩陣邊框和屏蔽銦錫氧化物層的形成采用第一掩膜板，所選光刻膠為正膠；所述金屬布線和金屬橋的形成采用第二掩膜板；所述絕緣層的形成采用第三掩膜板；所述銦錫氧化物電極層的形成采用第四掩膜板；所述鈍化層的形成選用第一掩膜板，所選光刻膠為負膠。
[0020]本發(fā)明還提供了一種單層觸摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩陣邊框；該方法還包括:在形成有黑矩陣邊框的基板上形成絕緣保護層；在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋；在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層；在形成有金屬橋、絕緣層、絕緣保護層以及金屬布線的基板上形成銦錫氧化物電極層；在形成有絕緣層和銦錫氧化物電極層上的基板上形成鈍化層；在形成有鈍化層的基板上形成屏蔽銦錫氧化物層。
[0021]優(yōu)選地，所述黑矩陣邊框和絕緣保護層的形成采用第一掩膜板，所選光刻膠為正膠；所述述金屬布線和金屬橋的形成采用第二掩膜板；所述絕緣層的形成采用第三掩膜板；所述銦錫氧化物電極層的形成采用第四掩膜板；所述鈍化層和屏蔽銦錫氧化物層的形成米用第一掩膜板，所選光刻膠為負膠。
[0022]本發(fā)明提供的單層觸摸屏及其制作方法和觸摸屏顯示器，所述單層觸摸屏至少在黑矩陣邊框的上方且在所述金屬布線的下方，設(shè)有絕緣保護層。因此，本發(fā)明在觸摸屏的制作過程中，在其他各層和金屬布線進行對位制作時，可防止金屬對黑矩陣邊框的濺射，保證腔室的潔凈。
[0023]此外，所述單層觸摸屏的屏蔽ITO層與其它層共同設(shè)置于基板的正面(同一側(cè))，因此不需翻轉(zhuǎn)工藝，工藝相對簡單。
[0024]另外，本發(fā)明的觸摸屏的制作過程中僅需要四塊掩膜板，相對現(xiàn)有技術(shù)中的五塊掩膜板，可節(jié)省掩膜板的成本。
[0025]此外，本發(fā)明所述BM上設(shè)置的屏蔽ITO層，可防止液晶顯示器(IXD)對觸摸屏周邊金屬走線進行信號干擾。
[0026]另外，本發(fā)明所述PVX上設(shè)置的屏蔽ITO層，可防止IXD對觸摸屏的可顯示區(qū)域進行信號干擾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為現(xiàn)有外掛式單層觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明第一實施例單層觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明第一實施例單層觸摸屏的制作方法流程示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明第二實施例單層觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明第二實施例單層觸摸屏的制作方法流程示意圖。
[0032]附圖標記說明:
[0033]1、基板;2、BM邊框;3、IT0電極層；4、絕緣層;5、ΙΤ0橋;6、金屬布線；7、PVX(鈍化層);8、FPC(柔性印刷電路);9、屏蔽ITO層；10、絕緣保護層；11、金屬橋。
【具體實施方式】
[0034]本發(fā)明的基本思想是:為了防止金屬對黑矩陣邊框的濺射，保證腔室的潔凈，在單層觸摸屏的制作過程中，至少在所述黑矩陣邊框的上方且在所述金屬布線的下方，設(shè)置絕緣保護層。
[0035]優(yōu)選的，所述屏蔽銦錫氧化物層與黑矩陣邊框設(shè)置在基板的同一側(cè)。
[0036]優(yōu)選的，在所述黑矩陣邊框上方至少設(shè)有所述銦錫氧化物電極層與所述屏蔽銦錫氧化物層中的一種。
[0037]進一步地，所述銦錫氧化物電極層和所述金屬布線隔著所述絕緣保護層而設(shè)置于所述黑矩陣邊框上方。
[0038]下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0039]圖2為本發(fā)明單層觸摸屏第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，包括:設(shè)置于基板I上的BM邊框2、設(shè)置于BM邊框2上的屏蔽ITO層9、設(shè)置于屏蔽ITO層9和基板I上的絕緣保護層10、設(shè)置于絕緣保護層10上的金屬布線6、金屬橋11，設(shè)置于金屬橋11上的絕緣層4、設(shè)置于金屬布線6、絕緣保護層10、金屬橋11和絕緣層4上的ITO電極層3，設(shè)置于ITO電極層3上的FPC8，以及設(shè)置于絕緣層4和ITO電極層3上的PVX7。
[0040]其中，所述BM邊框2與屏蔽ITO層9的圖案形狀相同；所述PVX7與BM邊框2的圖案形狀互補、或所述PVX7與屏蔽ITO層9的圖案形狀互補。
[0041]優(yōu)選地，PVX7上還形成有與PVX7形狀相同的屏蔽ITO層(未圖示)。
[0042]下面對圖2所述單層觸摸屏的制作過程進行詳細描述，如圖3所示，包括如下流程:
[0043]步驟301:在基板上形成BM ；
[0044]具體為:可在基板I上采用現(xiàn)有技術(shù)沉積一層BM材料，并通過掩膜工藝形成BM邊框2，如圖2所示；所述BM邊框2主要用于遮擋屏幕周邊的光線、以及金屬線的排布。[0045]這里，所述BM邊框2的形成采用第一掩膜板，所述第一掩膜板可采用現(xiàn)有的掩膜板；所選光刻膠為正膠(正性光刻膠)。
[0046]步驟302:在形成有BM的基板上形成屏蔽ITO層；
[0047]具體為:在形成有BM邊框2的基板I上沉積一層ΙΤ0，可選地，通過掩膜工藝形成屏蔽ITO層9，如圖2所示。
[0048]這里，所述屏蔽ITO層9的形成同樣采用第一掩膜板，與形成BM邊框2的掩膜板相同；所選光刻膠同樣為正膠。
[0049]通常，當液晶顯示器(IXD)顯示畫面時，需要從IXD周邊輸入信號(所述信號通常比顯示區(qū)中的信號要大)，這個信號會對IXD上層設(shè)置的觸控器件產(chǎn)生寄生電容，將可能引起誤觸控或者其他干擾。因此，本發(fā)明中設(shè)置的所述屏蔽ITO層9可用于防止LCD對觸摸屏周邊金屬走線進行信號干擾。
[0050]這里，優(yōu)選地，所述屏蔽ITO層9設(shè)置于基板I的正面，與其它層位于基板I的同偵牝因此不需翻轉(zhuǎn)工藝，工藝相對簡單；而且，可選地，所述屏蔽ITO層9只保留周邊圖案形狀(與BM邊框2圖案形狀相同)，可有效起到對觸摸屏周邊信號，如:交流信號的屏蔽作用。
[0051]步驟303:在形成有屏蔽ITO層的基板上形成絕緣保護層；
[0052]具體為:在基板I以及屏蔽ITO層9上沉積一層絕緣材料，如=SiNx或者SiO2,形成絕緣保護層10，如圖2所示；所述絕緣保護層10主要用于防止周邊BM邊框2被金屬濺射，采用整面沉積方式，不需采用掩膜板。
[0053]通常情況下，BM邊框2可承受的溫度較低，本發(fā)明所述屏蔽ITO層9可以有效保護BM邊框2，整面制作絕緣保護層10后，再進行后續(xù)金屬布線6的制作，即可避免金屬刻蝕BM邊框2的風險。
[0054]此外，如果不設(shè)置屏蔽ITO層9，絕緣保護層10 (SiNx等)需在低溫條件下制作，否則會出現(xiàn)表面不平坦，氣泡等現(xiàn)象。因此，本發(fā)明屏蔽ITO層9的設(shè)置同樣降低了絕緣保護層10的制作難度，即，可在高溫條件下進行，進而從整體上降低了本發(fā)明的工藝難度。
[0055]步驟304:在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋；
[0056]具體為:在形成有絕緣保護層10的基板I上沉積一層金屬材料，可采用現(xiàn)有金屬布線所用的材料，例如:金屬鑰(Mo)等，并通過掩膜工藝形成金屬布線6和金屬橋11，如圖2所示。
[0057]這里，所述金屬布線6和金屬橋11的形成采用第二掩膜板。
[0058]步驟305:在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層；
[0059]具體為:在形成有金屬橋11的基板I上沉積一層絕緣材料，可采用SiNx或者SiO2等，并通過掩膜工藝形成絕緣層4，如圖2所示。
[0060]這里，所述絕緣層4的形成采用第三掩膜板。
[0061]步驟306:在形成有金屬布線、絕緣保護層、金屬橋和絕緣層上的基板上形成ITO層；
[0062]具體為:在形成有金屬布線6、絕緣保護層10、金屬橋11和絕緣層4上的ITO層的基板I上沉積一層ΙΤ0，并通過掩膜工藝形成ITO電極層3，如圖2所示。
[0063]這里，所述ITO電極層3的形成采用第四掩膜板。
[0064]步驟307:在形成有絕緣層和ITO層上的基板上形成PVX ；[0065]具體為:在形成有絕緣層4和ITO電極層3上的基板I上沉積一層PVX薄膜，并通過掩膜工藝形成PVX7，如圖2所示。
[0066]優(yōu)選的，所述PVX7的形成選用第一掩膜板，所選光刻膠則為負膠(負性光刻膠)，因此可相應(yīng)減少掩膜板的費用。
[0067]優(yōu)選地，還包括下述步驟:通過使用第一掩膜板和負性光刻膠，在PVX7上進一步形成與PVX7形狀相同的屏蔽ITO層(未圖示)。這樣有助于進一步屏蔽顯示器對顯示區(qū)的觸摸電極的信號干擾。
[0068]進一步地，本發(fā)明方法還包括:在所述ITO電極層3上設(shè)置FPC8。
[0069]上述方案中，本發(fā)明只需采用四塊掩膜板即可，而現(xiàn)有技術(shù)采用五塊掩膜板，顯然，本發(fā)明可節(jié)省掩膜板的成本。
[0070]本發(fā)明還提供了一種觸摸屏顯示器，所述觸摸屏顯示器包括上文所述的單層觸摸屏。
[0071]圖4為本發(fā)明單層觸摸屏第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，包括:設(shè)置于基板I上的BM邊框2和金屬橋11，設(shè)置于BM邊框2上的絕緣保護層10，設(shè)置于絕緣保護層10上的金屬布線6，設(shè)置于金屬橋11上的絕緣層4，設(shè)置于基板1、金屬橋11、絕緣層4、絕緣保護層10以及金屬布線6上的ITO電極層3，設(shè)置于ITO電極層3、絕緣層4和絕緣保護層10上的PVX7，設(shè)置于PVX7的屏蔽ITO層9，以及設(shè)置于ITO電極層3上的FPC8。
[0072]其中，所述BM邊框2與絕緣保護層10的圖案形狀相同；所述PVX7與BM邊框2、或絕緣保護層10的圖案形狀互補；所述屏蔽ITO層9與BM邊框2、或絕緣保護層10的圖案形狀互補。
[0073]下面對圖4所述單層觸摸屏的制作過程進行詳細描述，如圖5所示，包括如下流程:
[0074]步驟501:在基板上形成BM ；
[0075]具體為:在基板I上可采用現(xiàn)有技術(shù)沉積一層BM材料，并通過掩膜工藝形成BM邊框2，如圖4所示；所述BM邊框2主要用于遮擋屏幕周邊的光線以及金屬線的排布。
[0076]這里，所述BM邊框2的形成采用第一掩膜板，可采用現(xiàn)有的掩膜板；所選光刻膠為正膠。
[0077]步驟502:在形成有BM的基板上形成絕緣保護層；
[0078]具體為:在形成有BM邊框2的基板I上沉積一層絕緣材料，如:SiNx或者SiO2,并通過掩膜工藝形成絕緣保護層10，如圖4所示；所述絕緣保護層10主要用于防止周邊BM邊框2被金屬濺射。
[0079]這里，所述絕緣保護層10的形成同樣采用第一掩膜板，所選光刻膠同樣為正膠。
[0080]步驟503:在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋；
[0081]具體為:在形成有絕緣保護層10的基板I上沉積一層金屬材料，可采用現(xiàn)有金屬布線所用的材料，并通過掩膜工藝形成金屬布線6和金屬橋11，如圖4所示。
[0082]這里，所述金屬布線6和金屬橋11的形成采用第二掩膜板。
[0083]步驟504:在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層；
[0084]具體為:在形成有金屬橋11的基板I上沉積一層絕緣材料，可采用SiNx或者SiO2等，并通過掩膜工藝形成絕緣層4，如圖4所示。[0085]這里，所述絕緣層4的形成采用第三掩膜板。
[0086]步驟505:在形成有金屬橋、絕緣層、絕緣保護層以及金屬布線的基板上形成ITO層；
[0087]具體為:在形成有金屬橋11、絕緣層4、絕緣保護層10以及金屬布線6的基板上沉積一層ΙΤ0，并通過掩膜工藝形成ITO電極層3，如圖4所示。
[0088]這里，所述ITO電極層3的形成采用第四掩膜板。
[0089]步驟506:在形成有絕緣層和ITO層上的基板上形成PVX ；
[0090]具體為:在形成有絕緣層4和ITO電極層3上的基板I上沉積一層PVX薄膜，并通過掩膜工藝形成PVX7，如圖4所示。
[0091]優(yōu)選的，所述PVX7的形成仍選用第一掩膜板，但所選光刻膠為負膠，如此，可相應(yīng)減少掩膜板的費用。
[0092]進一步地，還包括步驟507:在形成有PVX的基板上形成屏蔽ITO層；
[0093]具體為:在形成有PVX7的基板上沉積一層ΙΤ0，并通過掩膜工藝形成屏蔽ITO層9，如圖4所示。
[0094]這里，所述屏蔽ITO層9的設(shè)置主要用于防止液晶顯示器(LCD)對觸摸屏的可顯示區(qū)域進行信號干擾，原因為:所述屏蔽ITO層可以隔離LCD信號對觸控器件的干擾，即屏蔽ITO層可屏蔽IXD器件所產(chǎn)生的信號。
[0095]這里，所述屏蔽ITO層9的形成同樣采用第一掩膜板，所選光刻膠為負膠。
[0096]進一步地，本發(fā)明方法還包括:在所述ITO電極層3上設(shè)置FPC8。
[0097]上述方案同樣只需采用四塊掩膜板即可，而現(xiàn)有技術(shù)采用五塊掩膜板，因此，本發(fā)明可節(jié)省掩膜板的成本。
[0098]本發(fā)明還提供了一種觸摸屏顯示器，所述觸摸屏顯示器包括上文所述的單層觸摸屏。
[0099]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種單層觸摸屏，包括:基板，屏蔽銦錫氧化物層，設(shè)置于基板上的黑矩陣邊框，設(shè)置于黑矩陣邊框上方的金屬布線，形成于觸摸感應(yīng)區(qū)內(nèi)的金屬橋，形成于所述金屬橋上的絕緣層，設(shè)置于所述金屬布線、金屬橋和絕緣層上的銦錫氧化物電極層以及設(shè)置于銦錫氧化物電極層上的鈍化層；其特征在于，至少在所述黑矩陣邊框的上方且在所述金屬布線的下方，設(shè)有絕緣保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述屏蔽銦錫氧化物層與黑矩陣邊框設(shè)置在基板的同一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單層觸摸屏，其特征在于，在黑矩陣邊框上方至少設(shè)有所述銦錫氧化物電極層與所述屏蔽銦錫氧化物層中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述銦錫氧化物電極層和所述金屬布線隔著所述絕緣保護層而設(shè)置于所述黑矩陣邊框上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述黑矩陣邊框與屏蔽銦錫氧化物層的圖案形狀相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述鈍化層與黑矩陣邊框的圖案形狀互補，或所述鈍化層與屏蔽銦錫氧化物層的圖案形狀互補。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述鈍化層上形成有與該鈍化層圖案形狀相同的屏 蔽銦錫氧化物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層觸摸屏，其特征在于，所述單層觸摸屏還包括:設(shè)置于銦錫氧化物電極層上的柔性印刷電路。
9.一種觸摸屏顯示器，其特征在于，所述觸摸屏顯示器包括權(quán)利要求1至8中任一項所述的單層觸摸屏。
10.一種單層觸摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩陣邊框；其特征在于，該方法還包括: 在形成有黑矩陣邊框的基板上形成屏蔽銦錫氧化物層； 在形成有屏蔽銦錫氧化物層的基板上形成絕緣保護層； 在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋； 在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層； 在形成有金屬布線、絕緣保護層、金屬橋和絕緣層上的基板上形成銦錫氧化物電極層； 在形成有絕緣層和銦錫氧化物電極層上的基板上形成鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單層觸摸屏的制作方法，其特征在于， 所述黑矩陣邊框和屏蔽銦錫氧化物層的形成采用第一掩膜板，所選光刻膠為正膠；所述金屬布線和金屬橋的形成采用第二掩膜板；所述絕緣層的形成采用第三掩膜板；所述銦錫氧化物電極層的形成采用第四掩膜板；所述鈍化層的形成選用第一掩膜板，所選光刻膠為負膠。
12.—種單層觸摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩陣邊框；其特征在于，該方法還包括: 在形成有黑矩陣邊框的基板上形成絕緣保護層； 在形成有絕緣保護層的基板上形成金屬布線和金屬橋；在形成有金屬橋的基板上形成絕緣層； 在形成有金屬橋、絕緣層、絕緣保護層以及金屬布線的基板上形成銦錫氧化物電極層； 在形成有絕緣層和銦錫氧化物電極層上的基板上形成鈍化層； 在形成有鈍化層的基板上形成屏蔽銦錫氧化物層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的單層觸摸屏的制作方法，其特征在于， 所述黑矩陣邊框和絕緣保護層的形成采用第一掩膜板，所選光刻膠為正膠；所述述金屬布線和金屬橋的形成采用第二掩膜板；所述絕緣層的形成采用第三掩膜板；所述銦錫氧化物電極層 的形成采用第四掩膜板；所述鈍化層和屏蔽銦錫氧化物層的形成采用第一掩膜板，所選光刻膠為負膠。
【文檔編號】G06F3/041GK104007863SQ201310060525
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】劉英明, 王海生, 楊盛際, 鄧立廣, 段亞鋒 申請人:北京京東方光電科技有限公司