專利名稱：一種增強(qiáng)型Flash芯片和一種芯片封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種增強(qiáng)型Flash芯片和一種芯片封裝方法。
背景技術(shù)：
含有應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)算器(ReplayProtection Monotonic Counter, RPMC)的增強(qiáng)型Flash是Intel將主推的基本輸入輸出系統(tǒng)(Basic Input-Output System, BIOS)芯片。它包含一個(gè)大容量的Flash芯片和RPMC電路。其中，F(xiàn)LASH芯片的容量可以為8M、16皿、321、641、1281、25611或者更高，用來存儲(chǔ)CPU BIOS的代碼和數(shù)據(jù)；RPMC電路保證讀寫數(shù)據(jù)的機(jī)密性和完整性。RPMC電路與其集成的FLASH —起構(gòu)成了個(gè)人計(jì)算機(jī)(PersonalComputer, PC)系統(tǒng)中BIOS的硬件平臺(tái)。目前，在設(shè)計(jì)具有RPMC功能的Flash芯片時(shí)，設(shè)計(jì)者通常會(huì)把大容量Flash和RPMC集成在一個(gè)芯片上，即RPMC電路和FLASH —起設(shè)計(jì)。但是，這種設(shè)計(jì)方法存在以下缺點(diǎn):由于需要將FLASH和RPMC集成在一個(gè)芯片上，因此單片芯片的面積大、·封裝面積大，導(dǎo)致設(shè)計(jì)成本較高；并且RPMC電路和FLASH —起設(shè)計(jì)，導(dǎo)致芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度高、設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種增強(qiáng)型Flash芯片和一種芯片封裝方法，以解決設(shè)計(jì)復(fù)雜度高、設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)、設(shè)計(jì)成本高的問題。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種增強(qiáng)型Flash芯片，包括:封裝在一起的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC ;其中，所述FLASH和所述RPMC分別包括各自獨(dú)立的控制器；所述FLASH與所述RPMC中的相同10引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上；外部指令通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)剿鯢LASH與所述RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令；所述FLASH和所述RPMC各自還包括第一內(nèi)部10引腳和/或第二內(nèi)部10引腳；所述FLASH上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述FLASH的第一內(nèi)部10引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述RPMC的第一內(nèi)部10引腳互聯(lián)，和/或，所述RPMC上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述RPMC的第一內(nèi)部10引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述FLASH的第一內(nèi)部10引腳互聯(lián)；所述FLASH的第二內(nèi)部10引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部10引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的所述第一內(nèi)部10引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部10引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。優(yōu)選的，
所述FLASH還包括與FLASH相連的實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳上；所述RPMC還包括與RPMC相連的實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳，所述與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的另外的外部獨(dú)立引腳上；其中，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳和與所述RPMC相連的獨(dú)立IO引腳互不相連。優(yōu)選的，所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上，包括:所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的相同IO引腳b_y互連，并且所述FLASH的IO引腳a_x連接到所述增強(qiáng)型Flash芯片的同一外部共享引腳PAD_z±，或者，所述RPMC中的相同IO引腳b_y連接到所述芯片的同一外部共享引腳PAD_z上；其中，所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述b表示RPMC的IO引腳，所述y表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述PAD表示芯片封裝的IO引腳，所述ζ表示芯片封裝的IO引腳標(biāo)識(shí)。優(yōu)選的，當(dāng)所述芯片通過外部共享引腳接收到第一外部指令時(shí)，若FLASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷為所述第一外部指令均需要FLASH和RPMC執(zhí)行，則所述FLASH和所述RPMC各自按照所述第一 外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作；若僅需要FLASH和RPMC中的任意一個(gè)執(zhí)行所述第一外部指令，則在所述FLASH或所述RPMC按照所述第一外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作的過程中，若所述芯片通過外部共享引腳接收到第二外部指令，并且僅需要所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)執(zhí)行，則所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)按照所述第二外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作。優(yōu)選的，當(dāng)所述FLASH正在執(zhí)行外部指令，并且所述RPMC空閑時(shí)，若所述芯片通過外部共享引腳接收到掛起指令，則所述FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，所述RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令；所述FLASH按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作后，通過所述第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述RPMC發(fā)送FLASH已掛起的通知消息，所述RPMC收到所述通知消息后，通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述FLASH的同步。優(yōu)選的，在所述芯片中，所述FLASH與所述RPMC并排封裝，或者，所述FLASH與所述RPMC垂直疊加封裝。優(yōu)選的，當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊加封裝時(shí):若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積,則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上；若所述RPMC的面積大于所述FLASH的面積,則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還公開了一種芯片封裝方法，包括:將需要封裝的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC放置在芯片載體上，所述FLASH與所述RPMC相互獨(dú)立；將所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳采用金屬引線互連；將所述互連后的相同IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳上；將所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在所述FLASH上的跳線窗口與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連,和/或，將所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在所述RPMC上的跳線窗口與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連；將所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳采用金屬引線
互連；將所述FLASH、所述RPMC和所述芯片載體塑封為增強(qiáng)型Flash芯片。優(yōu)選的，所述方法還包括:將所述FLASH中實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的外部獨(dú)立引腳上；將所述RPMC中實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的另外的外部獨(dú)立引腳上； 其中，所述FLASH中的獨(dú)立IO引腳與所述RPMC中的獨(dú)立IO引腳互不相連。優(yōu)選的，將所述互連后的相同IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳上，包括:將所述FLASH的IO引腳a_x采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上，或者，將所述RPMC中的相同IO引腳b_y采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上；其中，所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的IO引腳b_y為互連的相同IO引腳；所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述b表示RPMC的IO引腳，所述y表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述PAD表示芯片封裝的IO引腳，所述ζ表示芯片封裝的IO引腳標(biāo)識(shí)。優(yōu)選的，所述將需要封裝的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC放置在芯片載體上，包括:將所述FLASH與所述RPMC并排放置在芯片載體上，或者，所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上；當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上時(shí):若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積，則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上；若所述RPMC的面積大于所述FLASH的面積，則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明實(shí)施例所提出的增強(qiáng)型Flash芯片是將FLASH和RPMC封裝在一起；其中，所述FLASH電路和所述RPMC電路分別包括各自獨(dú)立的控制器；所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上；外部指令通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)紽LASH與RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令；所述FLASH和所述RPMC各自還包括第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳；所述FLASH上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，和/或，所述RPMC上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)；所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的第一內(nèi)部IO弓丨腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信本發(fā)明實(shí)施例中，由于將FLASH和RPMC封裝在一起，從而可以減小封裝面積，降低設(shè)計(jì)成本；并且，F(xiàn)LASH電路模塊可以重復(fù)利用現(xiàn)有的FLASH芯片，設(shè)計(jì)者只需設(shè)計(jì)RPMC電路模塊即可，因此，芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度低、設(shè)計(jì)周期短、成本低。2,FLASH的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在FLASH上的跳線窗口與RPMC的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連，和/或，RPMC的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在RPMC上的跳線窗口與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連，避免了金屬引線之間的交叉問題，降低了芯片制造工藝復(fù)雜度，提聞了芯片制造的良率。3、FLASH與RPMC之間可以通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。因此，當(dāng)FLASH和RPMC中的任意一個(gè)正在執(zhí)行外部指令，并且另外一個(gè)空閑時(shí)，如果通過外部共享引腳接收到掛起指令，則正在執(zhí)行外部指令的任意一個(gè)執(zhí)行所述掛起指令，并可以通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)向空閑的另外一個(gè)發(fā)送已掛起的通知，使空閑的另外一個(gè)也執(zhí)行所述掛起指令，從而可以保證FLASH和RPMC的同步。4、FLASH和RPMC還可以同時(shí)執(zhí)行不同的指令，即FLASH和RPMC可以并行工作，因此，提聞了芯片的性能。5、多芯 片封裝可以把不同工藝的FLASH和RPMC封裝的一起，從而可以復(fù)用現(xiàn)有的資源，降低開發(fā)成本。6,FLASH的容量可以擴(kuò)展，例如，可以增加單片F(xiàn)LASH的容量，或者將多個(gè)FLASH封
裝在一起。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例二所述的一種增強(qiáng)型Flash芯片的邏輯連接示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例二所述的一種增強(qiáng)型Flash芯片的封裝原理圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例三所述的一種芯片封裝方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例提出了一種利用多芯片封裝方法實(shí)現(xiàn)RPMC功能的芯片，通過在FLASH芯片的基礎(chǔ)上，將RPMC與FLASH芯片一起封裝，從而形成一個(gè)具有RPMC功能的增強(qiáng)型Flash芯片，RPMC和FLASH可以共享統(tǒng)一的引腳。本發(fā)明實(shí)施例降低了芯片的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和設(shè)計(jì)成本，并且，RPMC和FLASH之間可以通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信，從而保證RPMC和FLASH的同步性。實(shí)施例一:本發(fā)明實(shí)施例一提出了一種增強(qiáng)型Flash芯片，所述芯片可以包括:封裝在一起的 FLASH 和 RPMC。本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH和RPMC可以是各自獨(dú)立的芯片。FLASH可以選擇不同的容量來滿足不同系統(tǒng)的需求，該FLASH可以復(fù)用已設(shè)計(jì)好的FLASH芯片，因此不必重新設(shè)計(jì)，大大減少了開發(fā)周期；RPMC具備了應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)的功能，也可以單獨(dú)使用。在本發(fā)明實(shí)施例提出的增強(qiáng)型Flash芯片中，所述FLASH和所述RPMC可以分別包括各自獨(dú)立的控制器。對(duì)于外部發(fā)來的指令，F(xiàn)LASH和RPMC會(huì)通過各自獨(dú)立的控制器控制FLASH和RPMC分別接收、譯碼，當(dāng)譯碼成功后，執(zhí)行相應(yīng)的操作。另外，F(xiàn)LASH和RPMC中可以具有相同的IO引腳，對(duì)于這些相同的IO引腳可以將其互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上。本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH和RPMC中的相同的IO引腳可以指功能相同的IO引腳，例如，F(xiàn)LASH中的IO引腳CE可以實(shí)現(xiàn)串行外設(shè)接口(Serial Peripheral Interface, SPI)接口的功能，RPMC 中的 IO 引腳 CSE 也可以實(shí)現(xiàn)SPI接口的功能，此時(shí)，F(xiàn)LASH中的IO引腳CE和RPMC中的IO引腳CSE即可為相同的IO引腳，因此，可以將這兩個(gè)引腳CE和CSE互連。 外部指令可以通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)剿鯢LASH與所述RPMC中，然后通過FLASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令，并根據(jù)判斷的結(jié)果控制FLASH和RPMC執(zhí)行相應(yīng)操作。本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH和所述RPM`C還可以包括各自的第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳，所述FLASH上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，和/或，所述RPMC上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)；所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間可以通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信，從而可以保證FLASH與RPMC的同步性。其中，對(duì)于通過跳線窗口將FALSH和/或RPMC的第一內(nèi)部IO引腳與RPMC和/或FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，或者，F(xiàn)LASH和RPMC的第二內(nèi)部IO引腳的互連，可以是將FLASH和RPMC中表示同一個(gè)狀態(tài)位的內(nèi)部IO引腳互連。例如，F(xiàn)LASH中的第一內(nèi)部IO引腳10_0用于狀態(tài)位busy的輸出，RPMC中的第一內(nèi)部IO引腳10_2用于狀態(tài)位busy的輸入，因此，可以將FLASH中的第一內(nèi)部IO引腳10_0通過設(shè)置在FALSH上的跳線窗口和RPMC中的第一內(nèi)部IO引腳10_2互連，10_0和10_2即為互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)。互連后FLASH即可將自身的狀態(tài)位busy通過其第一內(nèi)部IO引腳10_0輸出至RPMC的第一內(nèi)部IO引腳10_2，RPMC即可獲知FLASH當(dāng)前的狀態(tài)。再例如，F(xiàn)LASH中的第二內(nèi)部IO引腳10_1用于狀態(tài)位busy的輸入，RPMC中的第二內(nèi)部IO引腳10_3用于狀態(tài)位busy的輸出，因此，可以將FLASH中的第二內(nèi)部IO引腳10_1和RPMC中的第二內(nèi)部IO引腳10_3互連，10_1和10_3即為互連的第二內(nèi)部IO引腳對(duì)。互連后RPMC即可將自身的狀態(tài)位busy通過其內(nèi)部IO引腳10_3輸出至FLASH的內(nèi)部IO引腳10_1，F(xiàn)LASH即可獲知RPMC當(dāng)前的狀態(tài)。一般而言，芯片中的引線是兩端連接而中部懸空的金屬線，當(dāng)兩根引線出現(xiàn)交叉時(shí)，交叉位置需要采用橋接的方式以保證兩根引線不會(huì)接觸，這樣一來，就需要提高上層引線曲度以避免接觸，而這也導(dǎo)致工藝復(fù)雜度的提高，降低了芯片封裝的良率。本發(fā)明實(shí)施例中，通過在FLASH和/或RPMC上設(shè)置焊盤PAD窗口作為跳線窗口，并以所述PAD窗口建立跳線通道來避免出現(xiàn)引線交叉，降低工藝復(fù)雜度，從而達(dá)到提高芯片封裝良率的目的。這是由于，兩個(gè)PAD窗口之間使用芯片內(nèi)部的金屬線互聯(lián)，而PAD窗口與IO引腳的連接則是通過在所述PAD窗口上打上金屬球，從所述金屬球上引出金屬線再連接到另一端的IO引腳，所述連接PAD窗口與IO引腳的金屬線是一條兩端連接而中部懸空的金屬引線，該金屬引線與連接兩個(gè)PAD窗口之間的芯片內(nèi)部連線屬于不同的空間層次，因此，避免了金屬引線之間的交叉，降低了工藝復(fù)雜度，大大提高了芯片封裝的良率。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，在FLASH和/或RPMC上設(shè)置的跳線窗口采用焊盤PAD窗口，當(dāng)然在具體實(shí)施本發(fā)明時(shí)，亦可采用其它方式建立跳線通道，本發(fā)明對(duì)此不作限制。對(duì)于所述增強(qiáng)型Flash芯片，將在下面的實(shí)施例中詳細(xì)介紹。本發(fā)明實(shí)施例中，由于將FLASH和RPMC封裝在一起，從而可以減小封裝面積，降低設(shè)計(jì)成本；FLASH電路模塊可以重復(fù)利用現(xiàn)有的FLASH芯片，設(shè)計(jì)者只需設(shè)計(jì)RPMC電路模塊即可，因此，芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度低、設(shè)計(jì)周期短、成本低。并且，RPMC和FLASH之間可以通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信，從而保證RPMC和FLASH的同步性。實(shí)施例二:下面，通過本發(fā)明實(shí)施例二對(duì)所述增強(qiáng)型Flash芯片進(jìn)行詳細(xì)介紹。
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參照?qǐng)DΙ-a、圖l_b，示出了本發(fā)明實(shí)施例二所述的一種增強(qiáng)型Flash芯片的邏輯連接示意圖。從圖Ι-a、圖Ι-b可以看出，本發(fā)明實(shí)施例所述的增強(qiáng)型Flash芯片可以包括封裝在一起的FLASH和RPMC。其中，F(xiàn)LASH和RPMC中都分別包括多個(gè)弓丨腳，可以將RPMC和FLASH中的相同IO引腳連接到同一套外部共享引腳上，外部發(fā)送的指令會(huì)被RPMC和FLASH同時(shí)接收到，RPMC和FLASH可以作出相應(yīng)的響應(yīng)；FLASH和RPMC各自還包括第一內(nèi)部IO引腳和第二內(nèi)部IO引腳，F(xiàn)ASH和/或RPMC通過設(shè)置的PAD窗口將第一 IO內(nèi)部引腳連接到對(duì)應(yīng)的RPMC和/或FLAS上的第一內(nèi)部IO引腳，F(xiàn)LASH的第二內(nèi)部IO引腳與RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連；RPMC和FLASH也會(huì)具有各自獨(dú)立的IO引腳。兩個(gè)芯片封裝在一起，實(shí)現(xiàn)了具有RPMC功能的 FLASH。本發(fā)明實(shí)施例中，所述芯片的引腳可以包括以下四種:1、外部共享引腳本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH和RPMC中包括相同的IO引腳，所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上，所述外部共享引腳可以為多個(gè)。例如，圖Ι-a、圖Ι-b中的10_0，10_1，…，Ι0_η即為所述的芯片的外部共享接口，F(xiàn)LASH 中與 10_0，10_1，…，IO_n 連接的 IO 接口、以及 RPMC 中與 10_0，10_1，…，10_11連接的IO接口，即為FLASH和RPMC中相同的IO接口。其中，10_x, 10_y也是所述芯片的外部共享接口之一，所述X大于O且X小于η,所述y大于O且y小于η。需要說明的是，由于圖1為芯片的邏輯連接示意圖，因此其中的10_0，10_1，…，Ι0_η均稱為接口，該邏輯連接圖中的這些接口在芯片的物理連接上即稱為引腳。本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH和所述RPMC分別包括各自獨(dú)立的控制器，外部指令可以通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)剿鯢LASH與所述RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令。優(yōu)選地，當(dāng)所述芯片通過外部共享引腳接收到外部指令時(shí)，可以執(zhí)行以下過程:當(dāng)所述芯片通過外部共享引腳接收到第一外部指令時(shí)，若FLASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷為所述第一外部指令均需要FLASH和RPMC執(zhí)行，則所述FLASH和所述RPMC各自按照所述第一外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作；若僅需要FLASH和RPMC中的任意一個(gè)執(zhí)行所述第一外部指令，則在所述FLASH或所述RPMC按照所述第一外部指令執(zhí)行相應(yīng)操作的過程中，若所述芯片通過外部共享引腳接收到第二外部指令，并且僅需要所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)執(zhí)行，則所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)按照所述第二外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作。例如，如果芯片接收到外部指令a，此時(shí)外部指令a會(huì)通過外部共享引腳分別傳輸至IJ所述FLASH與所述RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器都會(huì)判斷各自是否執(zhí)行所述外部指令。若通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行外部指令a，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行外部指令a，則FLASH和RPMC可以同時(shí)按照所述外部指令a執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令a的操作； 如果芯片接收到外部指令b (例如，程序PROGRAM或者擦除ERASE )，此時(shí)通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行外部指令b，通過RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行外部指令b，則由FLASH按照所述外部指令b執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令b的操作。在FLASH執(zhí)行所述外部指令b的過程中，如果芯片又接收到外部指令C，通過FLASH的控制器判斷為不需要FLASH執(zhí)行外部指令c，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行外部指令C，則可以由RPMC按照所述外部指令c執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令c的操作。同樣的，如果芯片接收到外部指令d，此時(shí)通過FLASH的控制器判斷為不需要FLASH執(zhí)行外部指令d，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行外部指令d，則可以由RPMC按照所述外部指令d執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令d的操作。在RPMC執(zhí)行所述外部指令d的過程中，如果芯片又接收到外部指令e，通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行外部指令e，通過RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行外部指令e，則可以由FLASH按照所述外部指令e執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令e的操作。因此，通過上述過程，F(xiàn)LASH和RPMC可以同時(shí)執(zhí)行相同的指令或不同的指令，從而實(shí)現(xiàn)FLASH和RPMC并行執(zhí)行指令的過程。例如，F(xiàn)LASH在執(zhí)行程序(PROGRAM)或擦除(ERASE)的過程中，RPMC可以執(zhí)行指令。2、互聯(lián)的第一內(nèi)部引腳對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH和所述RPMC各自還包括第一內(nèi)部IO引腳，所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在FLASH上的跳線窗口 PAD與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互連，和/或所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在RPMC上的跳線窗口 PAD與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。例如，圖ι-a、圖1-b中FLASH中的第一內(nèi)部IO接口(即引腳)Ι0_χ和與其互連的RPMC中的第一內(nèi)部IO接口 10_x即組成所述的芯片上互連的第一內(nèi)部IO接口對(duì)(即互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì))，所述互連的第一內(nèi)部IO接口對(duì)為多個(gè)。所述FLASH與所述RPMC之間可以通過FLASH中的第一內(nèi)部IO接口 10_x、10_y和與其互連的RPMC中的第一內(nèi)部IO接口 10_x、10_y進(jìn)行內(nèi)部相互通信。3、互連的第二內(nèi)部IO引腳對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH和所述RPMC各自還包括第二內(nèi)部IO引腳，所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。例如，圖Ι-a、圖Ι-b中FLASH中的第二內(nèi)部IO接口(即引腳)10_#和與其互連的RPMC中的第二內(nèi)部IO接口 10_#即組成所述的芯片上互連的第二內(nèi)部IO接口對(duì)(即互連的第二內(nèi)部IO引腳對(duì))，所述互連的第二內(nèi)部IO接口對(duì)為多個(gè)。所述FLASH與所述RPMC之間可以通過FLASH中的第二內(nèi)部IO接口 10_#和與其互連的RPMC中的第二內(nèi)部IO接口10_#進(jìn)行內(nèi)部相互通信。本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH與RPMC之間可以通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。例如，可以將FLASH中用于狀態(tài)位busy的輸出的第一或第二內(nèi)部IO引腳10_0和RPMC中用于狀態(tài)位busy的輸入的第一或第二內(nèi)部IO引腳10_2互連；并將FLASH中用于狀態(tài)位busy的輸入的第一或第二內(nèi)部IO引腳10_1和RPMC中用于狀態(tài)位busy的輸出的第一或第二內(nèi)部IO引腳10_3互連。10_0和10_2、以及10_1和10_3分別為互連的第一 或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)。因此，F(xiàn)LASH與RPMC之間可以通過上述互連的第一或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)10_0和10_2、以及10_1和10_3進(jìn)行內(nèi)部相互通信，將自身的狀態(tài)位busy的值通知對(duì)方。因此，當(dāng)FLASH和RPMC中的任意一個(gè)正在執(zhí)行外部指令，并且另外一個(gè)空閑時(shí)，如果通過外部共享引腳接收到掛起指令，則正在執(zhí)行外部指令的所述任意一個(gè)執(zhí)行所述掛起指令，并可以通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向空閑的另外一個(gè)發(fā)送已掛起的通知消息，使空閑的另外一個(gè)也執(zhí)行所述掛起指令，從而可以保證FLASH和RPMC的同步。優(yōu)選地，F(xiàn)LASH和RPMC的同步過程可以包括:當(dāng)所述FLASH正在執(zhí)行外部指令，并且所述RPMC空閑時(shí)，若所述芯片通過外部共享引腳接收到掛起指令，則所述FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，所述RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令；所述FLASH按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作后，通過所述互連的第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述RPMC發(fā)送FLASH已掛起的通知消息，所述RPMC收到所述通知消息后，通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述FLASH的同步?；蛘撸?dāng)所述RPMC正在執(zhí)行外部指令，并且所述FLASH空閑時(shí)，若所述芯片通過外部共享引腳接收到掛起指令，則所述FLASH的控制器判斷為不需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，所述RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令；所述RPMC按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作后，通過所述互連的第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述FLASH發(fā)送RPMC已掛起的通知消息，所述FLASH收到所述通知消息后，通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述RPMC的同步。例如，F(xiàn)LASH處于忙碌(busy)狀態(tài)，RPMC處于空閑(idle)狀態(tài):當(dāng)芯片通過外部共享引腳接收到外部指令A(yù)時(shí)，通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行外部指令A(yù)，通過RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行外部指令A(yù)，則由FLASH按照所述外部指令A(yù)執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令A(yù)的操作，并且FLASH執(zhí)行A的過程中，置狀態(tài)位busy=l，RPMC處于空閑狀態(tài)，置狀態(tài)位busy=0。此時(shí)，如果芯片通過所述外部共享引腳接收到掛起指令，由于此時(shí)FLASH處于忙碌狀態(tài)，RPMC處于空閑狀態(tài)，因此，通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，通過RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令，則所述FLASH按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作。FLASH按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作之后，F(xiàn)LASH通過所述互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述RPMC發(fā)送FLASH已掛起的通知消息，RPMC收到所述通知消息后 ，了解到處于busy=l狀態(tài)的FLASH已掛起，因此RPMC也要通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述FLASH的同步。FLASH處于空閑(idle)狀態(tài)，RPMC處于忙碌(busy)狀態(tài):當(dāng)芯片通過外部共享引腳接收到外部指令B時(shí)，通過FLASH的控制器判斷為不需要FLASH執(zhí)行外部指令B，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行外部指令B，則由RPMC按照所述外部指令B執(zhí)行對(duì)應(yīng)指令B的操作，并且RPMC執(zhí)行B的過程中，置狀態(tài)位busy=l，F(xiàn)LASH處于空閑狀態(tài)，置狀態(tài)位busy=0。此時(shí)，如果芯片通過所述外部共享引腳接收到掛起指令，由于此時(shí)FLASH處于空閑狀態(tài)，RPMC處于忙碌狀態(tài)，因此，通過FLASH的控制器判斷為不需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令，則所述RPMC按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作。RPMC按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作之后，RPMC通過所述互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述FLASH發(fā)送RPMC已掛起的通知消息，F(xiàn)LASH收到所述通知消息后，了解到處于busy=l狀態(tài)的RPMC已掛起，因此FLASH也要通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述RPMC的同步。但是，如果芯片上不存在互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)，則FLASH掛起后無法通知RPMC(或者RPMC掛起后無法通知FLASH)，因此，空閑狀態(tài)的RPMC(或者FLASH)接收到掛起指令后，會(huì)忽略該掛起指令，從而導(dǎo)致RPMC還會(huì)繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)接收到的指令，但是FLASH (或者RPMC)由于掛起而不能執(zhí)行后續(xù)接收到的指令，進(jìn)而導(dǎo)致FLASH與RPMC不同步的問題。另外，如果FLASH和RPMC均處于忙碌狀態(tài)卿FLASH和RPMC均為正在按照外部指令執(zhí)行相應(yīng)操作)。此時(shí)，如果芯片通過外部共享引腳接收到掛起指令，則通過FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，通過RPMC的控制器判斷為需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令，所述FLASH和RPMC均可以按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作，并且通過所述互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)分別向?qū)Ψ桨l(fā)送方已掛起的通知消息。4、外部獨(dú)立引腳本發(fā)明實(shí)施例中，所述芯片上的外部獨(dú)立引腳可以包括以下兩種:(I)與FLASH相關(guān)的外部獨(dú)立引腳本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH中還包括與FLASH相連的實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳(即與FLASH相關(guān)的外部獨(dú)立引腳)上。例如，圖1中的10_F_0，…，10_F_0即為所述芯片上與FLASH相關(guān)的外部獨(dú)立接口(即引腳)，F(xiàn)LASH中與10_F_0，…，10_F_0連接的IO接口即為所述與FLASH相連的獨(dú)立IO 接口。本發(fā)明實(shí)施例中，外部指令可以通過所述芯片上與FLASH相關(guān)的外部獨(dú)立引腳傳輸?shù)剿鯢LASH中，F(xiàn)LASH的控制器可以判斷是否需要FLASH執(zhí)行所述外部指令，如果需要，則由FLASH按照所述外部指令執(zhí)行相應(yīng)操作。(2)與RPMC相關(guān)的外部獨(dú)立引腳本發(fā)明實(shí)施例中，所述RPMC中還包括與RPMC相連的實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO弓丨腳，所述與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的另外的外部獨(dú)立引腳(即與RPMC相關(guān)的外部獨(dú)立引腳)上。例如，圖1中的10_R_0，…，10_R_0即為所述芯片上與的RPMC相關(guān)的外部獨(dú)立接口(即引腳)，RPMC中與10_R_0，…，10_R_0連接的IO接口即為所述與RPMC相連的獨(dú)立IO接口。本發(fā)明實(shí)施例中，外部指令可以通過所述芯片上與RPMC相關(guān)的外部獨(dú)立引腳傳輸?shù)剿鯮PMC中，RPMC的控制器可以判斷是否需要RPMC執(zhí)行所述外部指令，如果需要，則由RPMC按照所述外部指令執(zhí)行相應(yīng)操作。在上述(I)和(2)中，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳和與所述RPMC相連的獨(dú)立IO引腳互不相連。下面，結(jié)合圖2介紹一下各個(gè)引腳之間是如何連接的，圖2是本發(fā)明實(shí)施例二所述的一種增強(qiáng)型Flash芯片的封裝原理圖。圖2 中，Package 為封裝包，Die_a 為 FLASH，Die_b 為 RPMC，F(xiàn)LASH 的面積大于 RPMC的面積。圖2中，PAD_0，…，PAD_#，…，PAD_nS芯片的IO引腳，其中包括了外部共享引腳和外部獨(dú)立引腳；Pin_a_0, Pin_a_x, Pin_a_y,..., Pin_a_#,..., Pin_a_n 為 FLASH 的 IO引腳，其中包括了與RPMC相同的IO引腳、與FLASH相連的實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳、以及 FLASH 的第一內(nèi)部 IO 引腳和第二內(nèi)部 IO 引腳；Pin_b_0, Pin_b_x, Pin_b_y,..., Pin_b_#, -,Pin_b_n為RPMC的IO引腳，其中包括了與FLASH相同的IO引腳、與RPMC相連的實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳、以及RPMC的第一內(nèi)部IO引腳和第二內(nèi)部IO引腳。其中，#代表O到η之間的任意一個(gè)數(shù)。1、外部共享引腳的連接本發(fā)明實(shí) 施例中，所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上，可以包括:
所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的相同IO引腳b_y互連(FLASH的IO引腳a_x與RPMC的IO引腳b_y的功能相同)，并且所述FLASH的IO引腳a_x連接到所述芯片的同一外部共享引腳PAD_z上；例如，圖2 中右上角處，Pin_a_0 (即 a_x，x=0)與 Pin_b_0 (即 b_y, y=0)互連，Pin_a_0連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_0 (即PAD_z，z=0)上；以及圖2左上角處，上側(cè)Pin_a_x (即a_x，x=x)通過FLASH內(nèi)部引線與下側(cè)的跳線窗口 Pin_a_x (即a_x，x=x)互聯(lián)，上側(cè)Pin_a_x連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_x (即PAD_z,z=x)上；以及圖2中右下角處，Pin_a_# (即a_x，X=#)與RPMC中的相同IO引腳互連,Pin_a_#連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_# (即PAD_z，z=#)上。以上均屬于該種外部共享引腳連接的情況?；蛘撸?所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的相同IO引腳b_y互連，所述RPMC中的相同IO引腳b_y連接到所述芯片的同一外部共享引腳PAD_z上。例如，圖2中，上側(cè)Pin_b_y (即b_y，y=y)通過RPMC內(nèi)部引線與下側(cè)的跳線窗口Pin_b_y (即b_y,y=y)互聯(lián),上側(cè)Pin_b_y連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_y (即PAD_z, z=y)上，即屬于該種外部共享引腳連接的情況。其中，所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)，x=0，I，…，η;所述b表示RPMC的IO引腳，所述y表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)，y=0，l，…，η;所述PAD表示芯片封裝的IO引腳，所述ζ表示芯片封裝的IO引腳標(biāo)識(shí)，ζ=0,1，…，η。I1、內(nèi)部IO引腳對(duì)的連接所述FLASH的內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的內(nèi)部IO引腳互連，可以包括:所述FLASH的第一或第二內(nèi)部IO引腳a_x連接到所述RPMC的第一或第二內(nèi)部IO引腳b_y。其中，F(xiàn)LASH的內(nèi)部IO引腳a_x和RPMC的內(nèi)部IO引腳b_y可以表示同一個(gè)狀態(tài)位。例如圖2, RPMC中上側(cè)Pin_b_y (即b_y, y=y)通過下側(cè)的跳線窗口 Pin_b_y (即b_y, y=y)與 FLASH 中的 Pin_a_y(即 a_x,x=y)互聯(lián)；以及 FLASH 中上側(cè) Pin_a_x (即 a_x,x=x)通過下側(cè)的跳線窗口 Pin_a_x (即a_x,x=x)與RPMC中的Pin_b_y(即b_y,y=y)互聯(lián)，以上兩種均屬于FLASH中的第一內(nèi)部IO引腳與RPMC中的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)的情況；圖2中Pin_a_#(即a_x，x=#)與RPMC中的內(nèi)部IO引腳互連，以及RPMC中的Pin_b_0 (即b_y, y=0)與FLASH中的Pin_a_0 (即a_x, x=0)互連,上述兩種均屬于FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連的情況。II 1、外部獨(dú)立引腳的連接(i)所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳上，可以包括:所述FLASH的IO引腳a_x連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_z上。例如，圖2中左下角處,與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳Pin_a_n (a_x, x=n)連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_n (即PAD_z, z=n)上。(ii)所述與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的另外的外部獨(dú)立引腳上，可以包括:所述RPMC的IO引腳b_y連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_z上。例如，圖2中，與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳Pin_b_n (即b_y, y=n)連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_# (即PAD_z，ζ=#)上。

對(duì)于圖2中其它引腳的連接，本發(fā)明實(shí)施例在此不再詳細(xì)論述。
最后，需要說明的是，圖2中FLASH與RPMC是垂直疊加封裝的，在所述芯片中，所述FLASH與所述RPMC也可以并排封裝，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此并不加以限制。并且，當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊加封裝時(shí):若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積，則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上；若所述RPMC的面積大于所述FLASH的面積，則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上，即圖2中也可以是Die_a為RPMC，Die_b為FLASH。本發(fā)明實(shí)施例提出了一種利用多芯片封裝方法實(shí)現(xiàn)RPMC功能的芯片，通過在FLASH芯片的基礎(chǔ)上，將RPMC與FLASH芯片一起封裝，從而形成一個(gè)具有RPMC功能的增強(qiáng)型Flash芯片，RPMC和FLASH可以共享統(tǒng)一的引腳。本發(fā)明實(shí)施例降低了芯片的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和設(shè)計(jì)成本，并且，RPMC和FLASH之間可以通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信，從而保證RPMC和FLASH的同步性。另外，本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH和RPMC還可以同時(shí)執(zhí)行不同的指令，即FLASH和RPMC可以并行工作，因此，提高了芯片的性能。實(shí)施例三:下面，通過本發(fā)明實(shí)施例三介紹上述芯片的具體封裝方法。參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明實(shí)施例三所述的一種芯片封裝方法的流程圖，所述封裝方法可以包括:步驟300，將需要封裝的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC放置在芯片載體上，所述FLASH與所述RPMC相互獨(dú)立。本發(fā)明實(shí)施例中，主要是將FLASH和RPMC封裝在一起，從而得到具有RPMC功能的增強(qiáng)型Flash芯片，并且芯片中所述FLASH與所述RPMC相互獨(dú)立。首先，可以將需要封裝的FLASH和RPMC放置在芯片載體上，本發(fā)明實(shí)施例所述的芯片載體可以對(duì)應(yīng)于圖2中的P ackage。優(yōu)選地，該步驟300可以包括:將所述FLASH與所述RPMC并排放置在芯片載體上，或者，所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上。圖2所示的封裝原理即為將所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上。本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上時(shí):若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積，則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上；若所述RPMC的面積大于所述FLASH的面積,則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上。步驟302，將所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳采用金屬引線互連。本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH與RPMC中會(huì)存在一些相同的IO引腳(功能相同)，對(duì)于這些相同的IO引腳可以采用金屬引線互連。具體的，可以將所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的相同IO引腳b_y采用金屬引線互連。步驟304，將所述互連后的相同IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳上。優(yōu)選地，該步驟304可以包括:將所述FLASH的IO引腳a_x采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上，或者，將所述RPMC中的相同IO引腳b_y采用金屬弓I線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上。其中，所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的IO引腳b_y為互連的相同IO引腳；所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述b表示RPMC的IO引腳，所述I表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述PAD表示芯片的IO引腳，所述ζ表示芯片的IO引腳標(biāo)識(shí)。上述步驟302-步驟304可以結(jié)合為外部共享引腳連接的情況。例如，圖2中右上角處,Pin_a_0 (即a_x,x=0)與Pin_b_0 (即b_y,y=0)互連,Pin_a_0連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_0 (即PAD_z，z=0)上；圖2中右下角處，Pin_a_# (即a_x,x=#)與RPMC中的相同IO引腳互連，Pin_a_#連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_# (即PAD_z，ζ=#)上；以及圖2中，Pin_a_x (即a_x, x=x)與通過位于下側(cè)的跳線窗口 Pin_a_x(即a_x, x=x)與Pin_b_x (即b_y, y=x)互連，Pin_a_x連接到芯片的同一外部共享引腳PAD_x (即PAD_z,z=x)上。上述情況均屬于外部共享引腳連接的情況。圖2中的用于連接兩個(gè)引腳的虛線即可代表本發(fā)明實(shí)施例所述的金屬引線。其中，連接兩個(gè)Pin_a_x和兩個(gè)Pin_b_y之間的雙向箭頭虛線表示其分別采用FLASH和RPMC內(nèi)部的金屬線連接。步驟306，將所述FLASH的第一和/或第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第一和/或第二內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連。本發(fā)明實(shí)施例中，F(xiàn)LASH和RPMC中還可以包括各自的第一和/或第二內(nèi)部IO引腳，可以將FLASH和/或RPMC的第一內(nèi)部IO引腳a_x通過跳線窗口采用金屬引線連接到所述RPMC和/或FLASH的第一內(nèi)部IO引腳b_y ;以及可以將FLASH的第二內(nèi)部IO引腳a_X采用金屬引線連接到所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳b_y。其中，F(xiàn)LASH的第一和/或第二內(nèi)部IO引腳a_x和RPMC的第一和/或第二內(nèi)部IO引腳b_y可以表示同一個(gè)狀態(tài)位。例如，圖2中RPMC中上側(cè)Pin_b_y (即b_y, y=y)通過下側(cè)的跳線窗口 Pin_b_y(即 b_y, y=y)與 FLASH 中的 Pin_a_y(即 a_x, x=y)互聯(lián)；以及 FLASH 中上側(cè) Pin_a_x (即a_x, x=x)通過下側(cè)的跳線窗口 Pin_a_x (即 a_x, x=x)與 RPMC 中的 Pin_b_y (即 b_y, y=y)互聯(lián)，以上兩種均屬于FLASH中的第一內(nèi)部IO引腳與RPMC中的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)的情況；圖2中Pin_a_#(即a_x，x=#)與RPMC中的內(nèi)部IO引腳互連，以及RPMC中的Pin_b_0 (即b_y, y=0)與FLASH中的Pin_a_0 (即a_x, x=0)互連,上述兩種均屬于FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連的情況。步驟308，將所述FLASH中實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的外部獨(dú)立引腳上。本發(fā)明實(shí)施例中，所述FLASH中還可以包括實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳，可以將這些FLASH中的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的外部獨(dú)立引腳上。例如，圖2中左下角處,與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳Pin_a_n(即a_x, x=n)通過金屬引線連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_n (即PAD_z, z=n)上。步驟310，將所述RPMC中實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的另外的外部獨(dú)立引腳上。同樣的，所述RPMC中還可以包括實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳，可以將這些RPMC中的獨(dú)立IO引腳采用金 屬引線連接到所述芯片載體的另外的外部獨(dú)立引腳上。
例如，圖2中，與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳Pin_b_n (即b_y，y=n)通過金屬引線連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳PAD_#(即PAD_z，ζ=#)上。其中，所述FLASH中的獨(dú)立IO引腳與所述RPMC中的獨(dú)立IO引腳互不相連。步驟312，將所述FLASH、所述RPMC和所述芯片載體塑封為增強(qiáng)型Flash芯片。在經(jīng)過上述步驟300-步驟310之后，完成了 FLASH和RPMC的放置以及芯片上各個(gè)引腳的連接。最后，即可將所述FLASH、所述RPMC和所述芯片載體塑封為增強(qiáng)型Flash芯片，塑封之后即完成了芯片的封裝。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例可以包括以下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明實(shí)施例所提出的增強(qiáng)型Flash芯片是將FLASH和RPMC封裝在一起；其中，所述FLASH電路和所述RPMC電路分別包括各自獨(dú)立的控制器；所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上；外部指令通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)紽LASH與RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令；所述FLASH和所述RPMC各自還包括內(nèi)部IO引腳，所述FLASH的內(nèi)部IO弓丨腳與所述RPMC的相同內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。本發(fā)明實(shí)施例中，由于將FLASH和RPMC封裝在一起，從而可以減小封裝面積，降低設(shè)計(jì)成本；并且，F(xiàn)LASH電路模塊可以重復(fù)利用現(xiàn)有的FLASH芯片，設(shè)計(jì)者只需設(shè)計(jì)RPMC電路模塊即可，因此，芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度低、設(shè)計(jì)周期短、成本低。2,FLASH的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在FLASH上的跳線窗口與RPMC的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連，和/或，RPMC的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在RPMC上的跳線窗口與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連，避免了金屬引線之間的交叉問題，降低了芯片制造工藝復(fù)雜度，提高了芯片封裝的良率。3、FLASH與RPMC之間可以通過互連的第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。因此，當(dāng)F`LASH和RPMC中的任意一個(gè)正在執(zhí)行外部指令，并且另外一個(gè)空閑時(shí)，如果通過外部共享引腳接收到掛起指令，則正在執(zhí)行外部指令的任意一個(gè)執(zhí)行所述掛起指令，并可以通過互連的內(nèi)部IO引腳對(duì)向空閑的另外一個(gè)發(fā)送已掛起的通知，使空閑的另外一個(gè)也執(zhí)行所述掛起指令，從而可以保證FLASH和RPMC的同步。4、FLASH和RPMC還可以同時(shí)執(zhí)行不同的指令，即FLASH和RPMC可以并行工作，因此，提聞了芯片的性能。5、多芯片封裝可以把不同工藝的FLASH和RPMC封裝的一起，從而可以復(fù)用現(xiàn)有的資源，降低開發(fā)成本。6、FLASH的容量可以擴(kuò)展，例如，可以增加單片F(xiàn)LASH的容量，或者將多個(gè)FLASH封
裝在一起。本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對(duì)于前述的方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種增強(qiáng)型Flash芯片和一種芯片封裝方法，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的 限制。
權(quán)利要求
1.一種增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于，包括: 封裝在一起的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC ;其中， 所述FLASH和所述RPMC分別包括各自獨(dú)立的控制器； 所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上； 外部指令通過所述芯片的外部共享引腳傳輸?shù)剿鯢LASH與所述RPMC中，F(xiàn)LASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷是否執(zhí)行所述外部指令； 所述FLASH和所述RPMC各自還包括第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳； 所述FLASH上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，和/或， 所述RPMC上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)； 所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連，所述FLASH與所述RPMC之間通過互連的所述第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)進(jìn)行內(nèi)部相互通信。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于: 所述FLASH還包括與FLASH相連的實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的外部獨(dú)立引腳上； 所述RPMC還包括與RPMC相連的實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳，所述與RPMC相連的獨(dú)立IO引腳連接到所述芯片的另外的外部獨(dú)立引腳上； 其中，所述與FLASH相連的獨(dú)立IO引腳和與所述RPMC相連的獨(dú)立IO引腳互不相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于，所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳互連，并且連接到所述芯片的同一外部共享引腳上，包括: 所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的相同IO引腳b_y互連，并且所述FLASH的IO引腳a_x連接到所述增強(qiáng)型Flash芯片的同一外部共享引腳PAD_z上，或者，所述RPMC中的相同IO引腳b_y連接到所述芯片的同一外部共享引腳PAD_z上； 其中，所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述b表示RPMC的IO引腳，所述I表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述PAD表示芯片封裝的IO引腳，所述ζ表示芯片封裝的IO引腳標(biāo)識(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于: 當(dāng)所述芯片通過外部共享引腳接收到第一外部指令時(shí)，若FLASH的控制器和RPMC的控制器分別判斷為所述第一外部指令均需要FLASH和RPMC執(zhí)行，則所述FLASH和所述RPMC各自按照所述第一外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作； 若僅需要FLASH和RPMC中的任意一個(gè)執(zhí)行所述第一外部指令，則在所述FLASH或所述RPMC按照所述第一外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作的過程中，若所述芯片通過外部共享引腳接收到第二外部指令，并且僅需要所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)執(zhí)行，則所述FLASH和RPMC中的另一個(gè)按照所述第二外部命令執(zhí)行相應(yīng)操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于: 當(dāng)所述FLASH正在執(zhí)行外部指令，并且所述RPMC空閑時(shí)，若所述芯片通過外部共享引腳接收到掛起指令，則所述FLASH的控制器判斷為需要FLASH執(zhí)行所述掛起指令，所述RPMC的控制器判斷為不需要RPMC執(zhí)行所述掛起指令； 所述FLASH按照所述掛起指令掛起正在執(zhí)行的操作后，通過所述第一內(nèi)部IO引腳對(duì)和/或第二內(nèi)部IO引腳對(duì)向所述RPMC發(fā)送FLASH已掛起的通知消息，所述RPMC收到所述通知消息后，通過執(zhí)行所述掛起指令實(shí)現(xiàn)與所述FLASH的同步。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于: 在所述芯片中，所述FLASH與所述RPMC并排封裝，或者，所述FLASH與所述RPMC垂直疊加封裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增強(qiáng)型Flash芯片，其特征在于，當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊加封裝時(shí): 若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積，則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上； 若所述RPMC的面積大于所述FLASH的面積，則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上。
8.—種芯片封裝方法，其特征在于，包括: 將需要封裝的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC放置在芯片載體上，所述FLASH與所述RPMC相互獨(dú)立； 將所述FLASH與所述RPMC中的相同IO引腳采用金屬引線互連； 將所述互連后的相同IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳 上； 將所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在所述FLASH上的跳線窗口與所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連，和/或， 將所述RPMC的第一內(nèi)部IO引腳通過設(shè)置在所述RPMC上的跳線窗口與所述FLASH的第一內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連； 將所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳采用金屬引線互連； 將所述FLASH、所述RPMC和所述芯片載體塑封為增強(qiáng)型Flash芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片封裝方法，其特征在于，還包括: 將所述FLASH中實(shí)現(xiàn)FLASH功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的外部獨(dú)立引腳上； 將所述RPMC中實(shí)現(xiàn)RPMC功能的獨(dú)立IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的另外的外部獨(dú)立引腳上； 其中，所述FLASH中的獨(dú)立IO引腳與所述RPMC中的獨(dú)立IO引腳互不相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的芯片封裝方法，其特征在于，將所述互連后的相同IO引腳采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳上，包括: 將所述FLASH的IO引腳a_x采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上，或者，將所述RPMC中的相同IO引腳b_y采用金屬引線連接到所述芯片載體的同一外部共享引腳PAD_z上； 其中，所述FLASH的IO引腳a_x與所述RPMC中的IO引腳b_y為互連的相同IO引腳;所述a表示FLASH的IO引腳，所述x表示FLASH的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述b表示RPMC的IO引腳，所述I表示RPMC的IO引腳標(biāo)識(shí)；所述PAD表示芯片封裝的IO引腳，所述ζ表示芯片封裝的IO引腳標(biāo)識(shí)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述將需要封裝的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC放置在芯片載體上，包括: 將所述FLASH與所述RPMC并排放置在芯片載體上，或者，所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上； 當(dāng)所述FLASH與所述RPMC垂直疊放在芯片載體上時(shí): 若所述FLASH的面積大于所述RPMC的面積，則所述RPMC垂直疊放在所述FLASH之上； 若所述RPMC的 面積大于所述FLASH的面積，則所述FLASH垂直疊放在所述RPMC之上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種增強(qiáng)型Flash芯片和一種芯片封裝方法，所述Flash芯片包括封裝在一起的FLASH和應(yīng)答保護(hù)單調(diào)計(jì)數(shù)器RPMC；所述FLASH和所述RPMC各自還包括第一內(nèi)部IO引腳和/或第二內(nèi)部IO引腳；所述FLASH和/或RPMC上還設(shè)置有跳線窗口，所述跳線窗口的一端與所述FLASH和/或RPMC的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)，所述跳線窗口的另一端與所述RPMC和/或FLASH的第一內(nèi)部IO引腳互聯(lián)；所述FLASH的第二內(nèi)部IO引腳與所述RPMC的第二內(nèi)部IO引腳互連。本發(fā)明提供的Flash芯片有效降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，降低了芯片制造成本，而且避免了芯片封裝中的引線交叉，提高了芯片封裝的良率。
文檔編號(hào)G06F9/46GK103246553SQ20131012162
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月9日
發(fā)明者胡洪, 舒清明, 張賽, 張建軍, 劉江 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司