觸控結構及其制造方法【專利摘要】一種觸控結構，其包含：第一偏光板，具有下部電極，以及保護基板，具有上部電極，保護基板設置于第一偏光板之上，上部電極與下部電極交錯設置?！緦＠f明】觸控結構及其制造方法【
技術領域：
】[0001]本發(fā)明為一種觸控結構，提供一種具有降低觸控結構與液晶顯示裝置的厚度、增進觸控靈敏度、減少制造成本與提升模組制作良率的觸控結構及其制造方法?！?br>背景技術：
】[0002]在現(xiàn)今各式消費性電子產(chǎn)品的市場中，個人數(shù)字助理(PDA)、行動電話(mobilePhone)、筆記型電腦(notebook)及平板電腦(tabletPC)等可攜式電子產(chǎn)品皆已廣泛的使用觸控式結構(touchpanel)作為其資料溝通的界面工具。此外，由于目前電子產(chǎn)品的設計皆以輕、薄、短、小為方向，因此在產(chǎn)品上無足夠空間容納如鍵盤、鼠標等傳統(tǒng)輸入裝置，尤其在講求人性化設計的平板電腦需求的帶動下，觸控式結構已經(jīng)一躍成為關鍵的零組件之一。而且觸控式結構除了符合可作多層次選單設計要求外，亦能同時擁有鍵盤、鼠標等的功能及手寫輸入等人性化的操作方式，尤其將輸入與輸出整合在同一接口(屏幕)的特質(zhì)，更是其它傳統(tǒng)輸入裝置所不及之處?，F(xiàn)今更發(fā)展出一種觸控顯示裝置，為顯示裝置上設置一觸控結構，以讓觸控結構依據(jù)顯示裝置的顯示畫面提供可觸控區(qū)域，供使用者依據(jù)畫面顯示的觸控對象進行觸控操作。[0003]傳統(tǒng)的投射電容式觸控面板的結構設計，通常采用G/F/F結構(強化玻璃/薄膜/薄膜)，將上下部電極設置在2層基材之上，其上再設置強化玻璃保護基板(CoverLens)，此種多層堆棧結構將導致觸控面板整體厚度的增加，并造成光學效果變差、影響觸控顯示裝置外觀的缺點。【
發(fā)明內(nèi)容】[0004]鑒于先前技術所存在的問題，本發(fā)明提供了一種觸控結構及其制造方法，具有裝置薄型化、優(yōu)越的觸控靈敏度、低制造成本與高模組制作良率等優(yōu)點。[0005]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構，其包含:第一偏光板具有下部電極，以及保護基板具有上部電極，保護基板設置于第一偏光板之上，上部電極與下部電極交錯設置。[0006]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構，其中下部電極設置于第一偏光板的下表面。[0007]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構，其中下部電極設置于第一偏光板的上表面。[0008]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構，其中上部電極具有復數(shù)上感測跡線和復數(shù)上端子線路，其中復數(shù)上感測跡線和復數(shù)上端子線路相互連接。下部電極具有復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路，其中復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路相互連接。復數(shù)上感測跡線和復數(shù)下感測跡線交錯設置，復數(shù)上端子線路和復數(shù)下端子線路供連接至一控制曰曰曰/Tο[0009]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構，更包括:顯示單元設置于第一偏光板之下，以及第二偏光板設置于顯示單元之下。[0010]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，其包含:提供第一偏光板，形成下部電極于第一偏光板。提供保護基板，形成上部電極于保護基板的下表面，以及黏貼第一偏光板和保護基板，且下部電極和上部電極交錯設置。[0011]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，其包含:卷對卷提供第一偏光板，形成下部電極于第一偏光板，卷對卷提供保護基板，形成上部電極于該保護基板的下表面，以及黏貼第一偏光板和保護基板，使下部電極和上部電極交錯設置。[0012]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，其中形成下部電極的方法包括:依序形成透明導電層和金屬層于第一偏光板。圖案化透明導電層和金屬層，形成具有金屬層于透明導電層上的復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路，移除復數(shù)下感測跡在線的金屬層。[0013]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，其中形成下部電極的方法包括:形成透明導電層于第一偏光板。圖案化透明導電層，形成復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路，印刷金屬層于復數(shù)下端子線路之上。[0014]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，更包括裁切第一偏光板和保護基板。[0015]為達成上述的目的，本發(fā)明的一種觸控結構的制造方法，更包括:提供顯示單元，設置顯示單元于第一偏光板之下，以及提供第二偏光板，設置第二偏光板于顯示單元之下?！緦＠綀D】【附圖說明】[0016]圖la至圖lb所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的結構示意圖。[0017]圖2a至圖2g所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的制造方法示意圖。[0018]圖3a至圖3b所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的結構示意圖。[0019]圖4a至圖4g所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的制造方法示意圖。[0020]圖號說明:保護基板100，200，300，400第一偏光板110，210，310，410第二偏光板120，220，320，420上部電極130，230，330，430復數(shù)上感測跡線131，231，331，431復數(shù)上端子線路132，232，332，432下部電極140，240，340，440復數(shù)下感測跡線141，241，341，441復數(shù)下端子線路142，242，341，441顯示單元150，250，350，450硬涂層160，260，360，460黏著層170，370金屬層101，201，301，401透明導電層102，202，302，402?！揪唧w實施方式】[0021]請參閱圖la至圖lb所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的結構示意圖。首先，本發(fā)明的觸控結構包括:第一偏光板110的下表面具有下部電極140,其中第一偏光板110的主要結構例如可為PET保護膜、PSA感壓性黏著劑、TAC三醋酸纖維素、PVA聚乙烯醇與PET離型膜等，然并不以此為限。以及保護基板100的下表面具有上部電極130，其中保護基板100的材質(zhì)例如可為聚酯類聚合物、聚砜類聚合物、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚酰亞胺，然并不以此為限。保護基板100的上表面更具有硬涂層160，其中硬涂層160的材質(zhì)例如可為Si02或樹脂聚合物，然并不以此為限。硬涂層160具有可抗刮性，可以保護觸控面板。保護基板100設置于第一偏光板110之上，藉由黏著層170使保護基板100和第一偏光板110相互黏貼，黏著層170的材質(zhì)例如可為光學膠或水膠，然并不以此為限。接著使上部電極130與下部電極140交錯設置形成觸控結構，其中上部電極130具有復數(shù)上感測跡線131和復數(shù)上端子132線路相互連接，下部電極140具有復數(shù)下感測跡線141和復數(shù)下端子線路142相互連接，復數(shù)上端子線路132和復數(shù)下端子線路142供連接至一控制晶片(圖未示)。其中復數(shù)上感測跡線131可為沿第一方向陣列排列，復數(shù)下感測跡線141可為沿第二方向陣列排列，然并不因此設限。再來，更包括具有顯示單元150設置于第一偏光板110之下，以及第二偏光板120設置于顯示單元150之下。其中顯示單元150例如可為液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,LCD)、有機發(fā)光二極管顯示器(organiclightemittingd1dedisplay,OLEDdisplay)、電泳顯不器(electrophoreticdisplay,EPD)>等離子顯示器(PlasmaDisplayPanel)或電子紙顯示器(E-paperDisplay)等，然并不以此為限。另外，于第二偏光板120之下更包括具有背光模組(無圖標)，背光模組可以提供顯示光源。[0022]請參閱圖2a至圖2g所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的制造方法示意圖。首先，提供第一偏光板210,于第一偏光板210的下表面依序形成透明導電層202和金屬層201，其中透明導電層202例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indiumtinoxide,ΙΤ0)、氧化銦鋒(indiumzincoxide,ΙΖ0)、氧化鎘錫(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化招鋅(aluminumzincoxide,ΑΖ0)、氧化銦鋒錫(indiumtinzincoxide,ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmiumoxide)、氧化給(hafniumoxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化銦嫁招(indiumgalliumaluminumoxide,InGaAlO)等)。金屬層201例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層的結構，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆棧結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金的一種或多種材質(zhì)而堆棧的多層導電金屬層結構。形成透明導電層202和金屬層201的方法例如可采濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光制程將透明導電層202和金屬層201圖案化，其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(圖未示)于金屬層201之上，光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進行蝕刻金屬層201和透明導電層202，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層201于其上的復數(shù)下感測跡線241和復數(shù)下端子線路242，接著進行第二道黃光制程，移除復數(shù)下感測跡線241下的金屬層201。其中復數(shù)下感測跡線241和復數(shù)下端子線路242相互連接形成下部電極240，復數(shù)下端子線路242供連接至一控制晶片(圖未示)。[0023]接著提供保護基板200，于保護基板200的下表面依序形成透明導電層202和金屬層201，其中透明導電層202例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indiumtinoxide,ITO)、氧化銦鋒(indiumzincoxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化招鋅(aluminumzincoxide,ΑΖ0)、氧化銦鋒錫(indiumtinzincoxide,ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmiumoxide)、氧化給(hafniumoxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化銦嫁招(indiumgalliumaluminumoxide,InGaAlO)等)。金屬層201例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層的結構，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆棧結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金的一種或多種材質(zhì)而堆棧的多層導電金屬層結構。其中形成透明導電層202和金屬層201的方法例如可采濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光制程將透明導電層202和金屬層201圖案化，其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(圖未示)于金屬層201之上，光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進行蝕刻金屬層201和透明導電層202，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層201于其上的復數(shù)上感測跡線231和復數(shù)上端子線路232，接著進行第二道黃光制程，移除復數(shù)上感測跡線231下的金屬層201。其中復數(shù)上感測跡線231和復數(shù)上端子線路232相互連接形成上部電極230，復數(shù)上端子線路232供連接至一控制晶片(圖未示)。繼之，藉由黏著層(無圖示)將具有上部電極230的保護基板200黏貼于具有下部電極240的第一偏光板210之上，使上部電極230與下部電極240交錯設置形成一觸控結構設置，其中觸控結構設置于顯示單元250之上，以及提供第二偏光板220設置于顯示單元250之下。[0024]于上述的實施例中(無圖示)，更可包括利用刀膜裁切或雷射切割方式，裁切已相互黏著的第一偏光板和保護基板形成復數(shù)個片狀感測基材，再黏貼片狀感測基材于顯示單元之上，以及提供第二偏光板設置于顯示單元之下。另外，于第二偏光板之下更包括具有背光模組(無圖標)，背光模組可以提供顯示光源。[0025]于另一實施例中(無圖示)，如上所述的觸控結構的制造方法，其中形成下部電極的方法，亦可于第一偏光板的下表面先形成透明導電層，先進行圖案化透明導電層，形成復數(shù)下感測跡線，接著印刷復數(shù)下端子線路。[0026]請參閱圖3a至圖3b所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的結構示意圖。首先，本發(fā)明的觸控結構包括:第一偏光板310的上表面具有下部電極340,其中第一偏光板310的主要結構例如可為PET保護膜、PSA感壓性黏著劑、TAC三醋酸纖維素、PVA聚乙烯醇與PET離型膜等，然并不以此為限。以及保護基板300的下表面具有上部電極330，其中保護基板300的材質(zhì)例如可為聚酯類聚合物、聚砜類聚合物、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚酰亞胺，然并不以此為限。保護基板300設置于第一偏光板310的上，藉由黏著層370使保護基板300和第一偏光板310相互黏貼,黏著層370的材質(zhì)例如可為光學膠或水膠，然并不以此為限。保護基板300的上表面更具有硬涂層360，其中硬涂層360的材質(zhì)例如可為Si02或樹脂聚合物，然并不以此為限。硬涂層360具有可抗刮性，可以保護觸控面板。使上部電極330與下部電極340交錯設置形成觸控結構，其中上部電極330具有復數(shù)上感測跡線331和復數(shù)上端子332線路相互連接，下部電極340具有復數(shù)下感測跡線341和復數(shù)下端子線路342相互連接，復數(shù)上端子線路332和復數(shù)下端子線路342供連接至一控制晶片(圖未示)。再來，更包括具有顯示單元350設置于第一偏光板310之下，以及第二偏光板320設置于顯示單元350之下。其中顯示單元350例如可為液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,LCD)、有機發(fā)光二極管顯不器(organiclightemittingd1dedisplay,OLEDdisplay)、電泳顯不器(electrophoreticdisplay,EH))、等離子顯不器(PlasmaDisplayPanel)或電子紙顯示器(E-paperDisplay)等，然并不以此為限。另外，于第二偏光板320之下更包括具有背光模組(無圖標)，背光模組可以提供顯示光源。[0027]請參閱圖4a至圖4g所示為本發(fā)明的一實施例的觸控結構的制造方法示意圖。首先，提供第一偏光板410,于第一偏光板410的上表面依序形成透明導電層402和金屬層401，其中透明導電層402例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indiumtinoxide,ITO)、氧化銦鋒(indiumzincoxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化招鋅(aluminumzincoxide,ΑΖ0)、氧化銦鋒錫(indiumtinzincoxide,ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmiumoxide)、氧化給(hafniumoxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化銦嫁招(indiumgalliumaluminumoxide,InGaAlO)等)。金屬層401例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層的結構，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆棧結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金的一種或多種材質(zhì)而堆棧的多層導電金屬層結構。形成透明導電層402和金屬層401的方法例如可采濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光制程將透明導電層402和金屬層401圖案化，其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(圖未示)于金屬層401之上，光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進行蝕刻步驟，蝕刻去除未受光阻層保護的透明導電層402和金屬層401，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層401于其上的復數(shù)下感測跡線441和復數(shù)下端子線路442，接著進行第二道黃光制程，移除復數(shù)下感測跡線441上的金屬層401。其中復數(shù)下感測跡線441和復數(shù)下端子線路442相互連接形成下部電極440，復數(shù)下端子線路442供連接至一控制晶片(圖未示)。[0028]接著，提供保護基板400，于保護基板400的下表面依序形成透明導電層402和金屬層401，其中透明導電層402例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indiumtinoxide,ITO)、氧化銦鋒(indiumzincoxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化招鋅(aluminumzincoxide,ΑΖ0)、氧化銦鋒錫(indiumtinzincoxide,ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmiumoxide)、氧化給(hafniumoxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化銦嫁招(indiumgalliumaluminumoxide,InGaAlO)等)。金屬層401例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層的結構，例如可為鑰層/鋁層/鑰層的堆棧結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鑰等導電金屬或導電合金的一種或多種材質(zhì)而堆棧的多層導電金屬層結構。形成透明導電層402和金屬層401的方法例如可采濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光制程將透明導電層402和金屬層401圖案化，其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(圖未示)于金屬層401之上，光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進行蝕刻步驟，蝕刻去除未受光阻層保護的透明導電層402和金屬層401，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層401于其上的復數(shù)上感測跡線431和復數(shù)上端子線路432，接著進行第二道黃光制程，移除復數(shù)上感測跡線431下的金屬層401。其中復數(shù)上感測跡線441和復數(shù)上端子線路442相互連接形成上部電極440，復數(shù)下端子線路442供連接至一控制晶片(圖未示)。繼之，藉由黏著層將具有上部電極430的保護基板400黏貼于具有下部電極440的第一偏光板410之上，使上部電極430與下部電極440交錯設置形成一觸控結構。再來，更可包括裁切已相互黏著的第一偏光板410和保護基板400，將第一偏光板410和保護基板400設置于顯示單元450之上，以及提供第二偏光板420設置于顯示單元450之下。另外，于第二偏光板420之下更包括具有背光模組(無圖標)，背光模組可以提供顯示光源。[0029]于另一實施例中(無圖示)，如上所述的觸控結構的制造方法，其中形成下部電極的方法，亦可于第一偏光板的上表面先形成透明導電層，先進行第一道黃光制程圖案化透明導電層，形成復數(shù)下感測跡線，接著印刷復數(shù)下端子線路。[0030]于再一實施例中(無圖示)，形成下部電極的方法為卷對卷(RolltoRoll)提供具有可撓性的第一偏光板卷料，于第一偏光板卷料的上表面或下表面依序形成透明導電層和金屬層，其中形成透明導電層和金屬層的方法例如可采卷對卷濺鍍、卷對卷蒸鍍、卷對卷真空離子鍍、卷對卷電鍍、卷對卷物理氣相沉積(PVD)、卷對卷化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行卷對卷第一道黃光制程，圖案化第一偏光板卷料的透明導電層和金屬層，形成具有金屬層于其上的復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路。接著進行卷對卷第二道黃光制程，移除位于復數(shù)下感測跡在線的金屬層形成下部電極。繼之，參考如前述形成下部電極的方法，形成上部電極的方法為卷對卷提供具有可撓性的保護基板卷料，于保護基板卷料的下表面依序形成透明導電層和金屬層，其中形成透明導電層和金屬層的方法例如可采卷對卷派鍍、卷對卷蒸鍍、卷對卷真空離子鍍、卷對卷電鍍、卷對卷物理氣相沉積(PVD)、卷對卷化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行卷對卷第一道黃光制程，圖案化保護基板卷料的透明導電層和金屬層，形成具有金屬層于其上的復數(shù)上感測跡線和復數(shù)上端子線路，接著進行卷對卷第二道黃光制程，移除復數(shù)上感測跡在線的金屬層形成上部電極。接著卷對卷提供黏著層，卷對卷黏貼上部電極卷料和下部電極卷料，使上部電極與下部電極交錯設置形成觸控結構卷料。接著再以卷對卷刀模裁切或雷射切割等方式形成片狀觸控感測基材。其中上部電極具有復數(shù)上感測跡線和復數(shù)上端子線路相互連接，下部電極具有復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路相互連接，復數(shù)上端子線路和復數(shù)下端子線路供連接至一控制晶片。運用卷對卷制程進行全自動化生產(chǎn)，所以具有簡化制程工序、提高產(chǎn)能、降低人力作業(yè)及提升廣品的良率等特征。[0031]于一實施例中，形成片狀觸控感測基材的方法，亦可將保護基板卷料和第一偏光板卷料藉由上述的卷對卷黃光制程形成上部電極和下部電極后，先利用卷對卷刀模裁切或雷射切割等方式裁切保護基板卷料和第一偏光板卷料形成片狀的上部電極和下部電極，再提供黏著層于上部電極和下部電極之間，利用對位壓合機進行對位貼合。[0032]本發(fā)明具有裝置薄型化、優(yōu)越的觸控靈敏度、低制造成本與制作良率高等優(yōu)點?！緳嗬蟆?.一種觸控結構，其特征在于，包含:一第一偏光板，具有一下部電極；以及一保護基板，具有一上部電極，該保護基板設置于該第一偏光板之上，該上部電極與該下部電極交錯設置。2.如權利要求1所述的觸控結構，其特征在于，該下部電極設置于該第一偏光板的下表面。3.如權利要求1所述的觸控結構，其特征在于，該下部電極設置于該第一偏光板的上表面。4.如權利要求1所述的觸控結構，其特征在于，該上部電極具有復數(shù)上感測跡線和復數(shù)上端子線路，其中該些上感測跡線和該些上端子線路相互連接；該下部電極具有復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路，其中該些下感測跡線和該些下端子線路相互連接；該些上感測跡線和該些下感測跡線交錯設置，該些上端子線路和該些下端子線路供連接至一控制晶片。5.如權利要求1項所述的觸控結構，其特征在于，更包括:一顯示單元，設置于該第一偏光板之下；以及一第二偏光板，設置于該顯示單元之下。6.一種觸控結構的制造方法，其特征在于，包含:提供一第一偏光板，形成一下部電極于該第一偏光板；提供一保護基板，形成一上部電極于該保護基板的下表面；以及黏貼該第一偏光板和該保護基板，且該下部電極和該上部電極交錯設置。7.—種觸控結構的制造方法，其特征在于，包含:卷對卷提供一第一偏光板，形成一下部電極于該第一偏光板；卷對卷提供一保護基板，形成一上部電極于該保護基板的下表面；以及黏貼該第一偏光板和該保護基板，使該下部電極和該上部電極交錯設置。8.如權利要求6或7所述的觸控結構的制造方法，其特征在于，形成該下部電極的方法包括:依序形成一透明導電層和一金屬層于該第一偏光板；圖案化該透明導電層和該金屬層，形成具有該金屬層于該透明導電層上的復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路；移除該些下感測跡在線的該金屬層。9.如權利要求6或7所述的觸控結構的制造方法，其特征在于，形成該下部電極的方法包括:形成一透明導電層于該第一偏光板；圖案化該透明導電層，形成復數(shù)下感測跡線和復數(shù)下端子線路；印刷一金屬層于該些下端子線路之上。10.如權利要求6或7所述的觸控結構的制造方法，其特征在于，更包括裁切該第一偏光板和該保護基板。11.如權利要求10所述的觸控結構的制造方法，其特征在于，更包括:提供一顯示單兀，設置該顯不單兀于該第一偏光板之下；以及提供一第二偏光板，設置該第二偏光板于該顯示單元之下。【文檔編號】G06F3/041GK104281302SQ201310282432【公開日】2015年1月14日申請日期:2013年7月5日優(yōu)先權日:2013年7月5日【發(fā)明者】陳維釧,郭曉文申請人:杰圣科技股份有限公司