數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器，用于一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。此數(shù)據(jù)保護(hù)方法包括：利用多個(gè)存儲(chǔ)單元中的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼。這些第一存儲(chǔ)單元是位于多條第一字線與多條第一位線上。在每一條第一位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。藉此，可以有效地保護(hù)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。
【專利說明】數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)保護(hù)方法，且特別是有關(guān)于一種用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器。

【背景技術(shù)】
[0002]數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話與MP3播放器在這幾年來的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊(例如，閃存)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小，以及無機(jī)械結(jié)構(gòu)等特性，所以非常適合內(nèi)建于上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。
[0003]一般來說，一個(gè)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊會(huì)包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊，每一個(gè)實(shí)體區(qū)塊會(huì)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每一個(gè)存儲(chǔ)單元是位于一條位線與一條字線上。同一條字線上的存儲(chǔ)單元會(huì)組成一或多個(gè)實(shí)體頁(yè)面，并且這些實(shí)體頁(yè)面可被分為下實(shí)體頁(yè)面與上實(shí)體頁(yè)面。下實(shí)體頁(yè)面必須先被程序化以后，上實(shí)體頁(yè)面才能被程序化。因此，若一個(gè)下實(shí)體頁(yè)面已儲(chǔ)存了數(shù)據(jù)，且在程序化位于同一條字線的上實(shí)體頁(yè)面時(shí)發(fā)生了程序化錯(cuò)誤，則該下實(shí)體頁(yè)面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)也可能會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。一種解決的方式是利用錯(cuò)誤校正碼來保護(hù)可能發(fā)生錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)一個(gè)存儲(chǔ)單元發(fā)生程序化錯(cuò)誤時(shí)，此程序化錯(cuò)誤也可能會(huì)影響到同一條位線上其他的存儲(chǔ)單元。也就是說，可能會(huì)需要許多錯(cuò)誤校正碼來保護(hù)數(shù)據(jù)。因此，如何有效的使用錯(cuò)誤校正碼來保護(hù)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，為此領(lǐng)域技術(shù)人員所關(guān)心的議題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器，可以有效地保護(hù)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的數(shù)據(jù)。
[0005]本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一種數(shù)據(jù)保護(hù)方法，用于控制一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多條字線、多條位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元。每一個(gè)存儲(chǔ)單元是位于其中一條字線與其中一條位線上，并且這些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)實(shí)體抹除單元。此數(shù)據(jù)保護(hù)方法包括:利用上述存儲(chǔ)單元中的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼。這些第一存儲(chǔ)單元是位于多條第一字線與多條第一位線上。在每一條第一位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0006]在一范例實(shí)施例中，上述的第一字線彼此相隔至少一條字線。
[0007]在一范例實(shí)施例中，上述的第一位線彼此相隔至少一條位線。
[0008]在一范例實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法還包括:利用上述存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼。這些第二存儲(chǔ)單元是位于多條第二字線與多條第二位線上。在每一條第二位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。此外，上述第一錯(cuò)誤校正碼不同于第二錯(cuò)誤校正碼。
[0009]在一范例實(shí)施例中，上述第二位線的其中之一是相同于上述第一位線的其中之
O
[0010]在一范例實(shí)施例中，上述第二字線的其中之一是相同于上述第一字線的其中之
O
[0011]在一范例實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法還包括:將第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在上述的其中一個(gè)實(shí)體抹除單元中。
[0012]在一范例實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法還包括:將第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將其中一個(gè)部分儲(chǔ)存在其中一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中；將其中另一個(gè)部分儲(chǔ)存在另一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
[0013]本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，包括連接器、可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與存儲(chǔ)器控制器。連接器是用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)?？蓮?fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多條字線、多條位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元。每一個(gè)存儲(chǔ)單元是位于其中一條字線與其中一條位線上，并且這些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)實(shí)體抹除單元。存儲(chǔ)器控制器是電性連接至連接器與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，用以利用上述存儲(chǔ)單元中的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼。這些第一存儲(chǔ)單元是位于多條第一字線與多條第一位線上。在每一條第一位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0014]在一范例實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還用以利用上述存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼。這些第二存儲(chǔ)單元是位于多條第二字線與多條第二位線上。在每一條第二位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。此外，上述第一錯(cuò)誤校正碼不同于第二錯(cuò)誤校正碼。
[0015]在一范例實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還用以將第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在上述的其中一個(gè)實(shí)體抹除單元中。
[0016]在一范例實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還用以將第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將其中一個(gè)部分儲(chǔ)存在其中一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中，并且將其中另一個(gè)部分儲(chǔ)存在另一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
[0017]本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一種存儲(chǔ)器控制器，用于控制上述的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。此存儲(chǔ)器控制器包括主機(jī)接口、存儲(chǔ)器接口、以及錯(cuò)誤檢查與校正電路。主機(jī)接口是用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器接口是用以電性連接至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。錯(cuò)誤檢查與校正電路是用以利用上述存儲(chǔ)單元中的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼。這些第一存儲(chǔ)單元是位于多條第一字線與多條第一位線上。在每一條第一位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0018]在一范例實(shí)施例中，上述的錯(cuò)誤檢查與校正電路還用以利用上述存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼。這些第二存儲(chǔ)單元是位于多條第二字線與多條第二位線上。在每一條第二位線上的存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是用以產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。此外，上述第一錯(cuò)誤校正碼不同于第二錯(cuò)誤校正碼。
[0019]在一范例實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還包括一存儲(chǔ)器管理電路，用以將第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在上述的其中一個(gè)實(shí)體抹除單元中。
[0020]在一范例實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還包括一存儲(chǔ)器管理電路，用以將第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將其中一個(gè)部分儲(chǔ)存在其中一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中，并且將其中另一個(gè)部分儲(chǔ)存在另一條第一字線所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
[0021]基于上述，本發(fā)明范例實(shí)施例提出的數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器，會(huì)根據(jù)不同位線且不同字線上的存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生錯(cuò)誤校正碼，藉此可以更有效地保護(hù)數(shù)據(jù)。
[0022]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1A是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖；
[0024]圖1B是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的電腦、輸入/輸出裝置與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖；
[0025]圖1C是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖；
[0026]圖2是繪示圖1A所示的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖；
[0027]圖3是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示一個(gè)NAND串的俯視圖；
[0028]圖4是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示一個(gè)NAND串的等效電路圖；
[0029]圖5是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的NAND串的側(cè)視圖；
[0030]圖6是根據(jù)一范例實(shí)施例繪示一個(gè)實(shí)體抹除單元的示意圖；
[0031]圖7是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖；
[0032]圖8是根據(jù)一范例實(shí)施例繪示產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼的示意圖；
[0033]圖9?圖11是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼的示意圖。
[0034]附圖標(biāo)記說明:
[0035]1000:主機(jī)系統(tǒng)；
[0036]1100:電腦；
[0037]1102:微處理器；
[0038]1104:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；
[0039]1106:輸入/輸出裝置；
[0040]1108:系統(tǒng)總線；
[0041]1110:數(shù)據(jù)傳輸接口；
[0042]1702:鼠標(biāo)；
[0043]1704:鍵盤；
[0044]1706:顯示器；
[0045]1208:打印機(jī)；
[0046]1212:隨身盤；
[0047]1214:存儲(chǔ)卡；
[0048]1216:固態(tài)硬盤；
[0049]1310:數(shù)碼相機(jī)；
[0050]1312: SD 卡；
[0051]1314: MMC 卡；
[0052]1316:存儲(chǔ)棒；
[0053]1318: CF 卡；
[0054]1320:嵌入式儲(chǔ)存裝置；
[0055]100:存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置；
[0056]102:連接器；
[0057]104:存儲(chǔ)器控制器；
[0058]106:可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊；
[0059]304(0)?304 (R):實(shí)體抹除單元；
[0060]300、302、304、306、320、322:晶體管；
[0061]320CG、300CG、302CG、304CG、306CG、322CG:控制柵極；
[0062]300FG,302FG,304FG,306FG:浮動(dòng)?xùn)艠O；
[0063]326、328:接觸點(diǎn)；
[0064]340:基底；
[0065]330、332、334、336、338:多晶硅層；
[0066]S⑶、SGS:選擇柵極；
[0067]WLO ?WL3:字線；
[0068]BL (O)?BL (N):位線；
[0069]360、STO ?STN: NAND 串；
[0070]702:存儲(chǔ)器管理電路；
[0071]704:主機(jī)接口；
[0072]706:存儲(chǔ)器接口 ；
[0073]708:緩沖存儲(chǔ)器；
[0074]710:電源管理電路；
[0075]712:錯(cuò)誤檢查與校正電路；
[0076]801 ?804、811 ?814、821 ?824、831 ?834、901、911 ?913、921 ?923、843:存儲(chǔ)單元。

【具體實(shí)施方式】
[0077]—般而言,存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置(亦稱,存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng))包括可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與控制器(亦稱，控制電路)。通常存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置是與主機(jī)系統(tǒng)一起使用，以使主機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置中讀取數(shù)據(jù)。
[0078]圖1A是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖。
[0079]請(qǐng)參照?qǐng)D1A，主機(jī)系統(tǒng)1000 —般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output, I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random accessmemory, RAM) 1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口 1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖1B的鼠標(biāo)1702、鍵盤1704、顯示器1706與打印機(jī)1208。必須了解的是，圖1B所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其他裝置。
[0080]在本發(fā)明實(shí)施例中，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口 1110與主機(jī)系統(tǒng)1000的其他元件電性連接。通過微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器1104與輸入/輸出裝置1106的運(yùn)作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100可以是如圖1B所示的隨身盤1212、存儲(chǔ)卡1214或固態(tài)硬盤(SolidState Drive, SSD) 1216等的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。
[0081]一般而言，主機(jī)系統(tǒng)1000為可實(shí)質(zhì)地與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100配合以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來作說明，然而，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中主機(jī)系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機(jī)、攝影機(jī)、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機(jī)系統(tǒng)為數(shù)碼相機(jī)(攝影機(jī))1310時(shí)，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、存儲(chǔ)棒(memory stick) 1316、CF卡1318或嵌入式儲(chǔ)存裝置1320 (如圖1C所示)。嵌入式儲(chǔ)存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(Embedded MMC, eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機(jī)系統(tǒng)的基板上。
[0082]圖2是繪示圖1A所示的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖。
[0083]請(qǐng)參照?qǐng)D2，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100包括連接器102、存儲(chǔ)器控制器104與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106。
[0084]在本范例實(shí)施例中，連接器102是相容于序列先進(jìn)附件(Serial AdvancedTechnology Attachment, SATA)標(biāo)準(zhǔn)。然而,必須了解的是,本發(fā)明不限于此,連接器102亦可以是符合并列先進(jìn)附件(Parallel Advanced Technology Attachment, PATA)標(biāo)準(zhǔn)、電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE) 1394標(biāo)準(zhǔn)、高速周邊零件連接接口(Peripheral Component Interconnect Express, PCI Express)標(biāo)準(zhǔn)、通用序列總線(Universal Serial Bus, USB)標(biāo)準(zhǔn)、安全數(shù)碼(Secure Digital, SD)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速一代(Ultra High Speed-1, UHS-1)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速二代(Ultra HighSpeed-1I, UHS-1I)接口標(biāo)準(zhǔn)、存儲(chǔ)棒(Memory Stick, MS)接口標(biāo)準(zhǔn)、多媒體儲(chǔ)存卡(MultiMedia Card, MMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多媒體儲(chǔ)存卡(Embedded Multimedia Card, eMMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、通用閃存(Universal Flash Storage,UFS)接口標(biāo)準(zhǔn)、小型快閃(Compact Flash, CF)接口標(biāo)準(zhǔn)、整合式驅(qū)動(dòng)電子接口(Integrated Device Electronics, IDE)標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的標(biāo)準(zhǔn)。
[0085]存儲(chǔ)器控制器104用以執(zhí)行以硬件形式或固件形式實(shí)作的多個(gè)邏輯門或控制指令，并且根據(jù)主機(jī)系統(tǒng)1000的指令在可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等操作。
[0086]可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106是電性連接至存儲(chǔ)器控制器104，并且用以儲(chǔ)存主機(jī)系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)?？蓮?fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106具有實(shí)體抹除單元304(0)?304(R)。例如，實(shí)體抹除單元304(0)?304(R)可屬于同一個(gè)存儲(chǔ)器晶粒(die)或者屬于不同的存儲(chǔ)器晶粒。每一實(shí)體抹除單元分別具有復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)體程序化單元，并且屬于同一個(gè)實(shí)體抹除單元的實(shí)體程序化單元可被獨(dú)立地寫入且被同時(shí)地抹除。例如，每一實(shí)體抹除單元是由128個(gè)實(shí)體程序化單元所組成。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，每一實(shí)體抹除單元是可由64個(gè)實(shí)體程序化單元、256個(gè)實(shí)體程序化單元或其他任意個(gè)實(shí)體程序化單元所組成。
[0087]以NAND型閃存為例，一個(gè)實(shí)體抹除單元會(huì)包括多個(gè)NAND串(NAND string)。每一個(gè)NAND串會(huì)包括多個(gè)彼此串聯(lián)的晶體管。圖3是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示一個(gè)NAND串的俯視圖。圖4是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示一個(gè)NAND串的等效電路圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3與圖4,NAND串360包括了晶體管320、300、302、304、306與322。晶體管320將NAND串360電性連接至接觸點(diǎn)326，而晶體管322將NAND串360電性連接至接觸點(diǎn)328。從接觸點(diǎn)326至接觸點(diǎn)328之間的線路亦可稱為一條位線?？刂茤艠O320CG是電性連接至選擇線SGD，并且施加控制柵極320CG上的電壓可以用來控制晶體管320?？刂茤艠O322CG是電性連接至選擇線SGS，并且施加于控制柵極322CG上的電壓可以用來控制晶體管322。每一個(gè)晶體管300、302、304與306都有一個(gè)控制柵極與一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate)。施加于控制柵極的電壓可用來控制對(duì)應(yīng)的晶體管300、302、304與306，而浮動(dòng)?xùn)艠O可用來儲(chǔ)存一或多個(gè)比特。例如，晶體管300具有控制柵極300CG與浮動(dòng)?xùn)艠O300FG ;晶體管302具有控制柵極302CG與浮動(dòng)?xùn)艠O302FG ;晶體管304具有控制柵極304CG與浮動(dòng)?xùn)艠O304FG ;晶體管306具有控制柵極306CG與浮動(dòng)?xùn)艠O306FG?？刂茤艠O300CG會(huì)電性連接至字線WL3，控制柵極302CG會(huì)電性連接至字線WL2，控制柵極304CG會(huì)電性連接至字線WLl，并且控制柵極306CG會(huì)電性連接至字線WL0。在此，晶體管300、302、304與306亦可被稱為存儲(chǔ)單元。
[0088]圖5是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的NAND串的側(cè)視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，NAND串360是設(shè)置在基底340上?？刂茤艠O300CG、302CG、304CG與306CG是分別設(shè)置在浮動(dòng)?xùn)艠O300FG、302FG、304FG與306FG上。一個(gè)介電層會(huì)被設(shè)置在控制柵極300CG、302CG、304CG、306CG與浮動(dòng)?xùn)艠O300FG、302FG、304FG、306FG之間。一個(gè)氧化層會(huì)被設(shè)置在浮動(dòng)?xùn)艠O300FG、302FG、304FG、306FG與基底340之間。鄰近的存儲(chǔ)單元會(huì)分享經(jīng)參雜的多晶硅層330、332、334、336與338，并且一個(gè)多晶硅層會(huì)形成一個(gè)存儲(chǔ)單元的源極或漏極。例如，多晶硅層332是晶體管306的漏極與晶體管304的源極；多晶硅層334是晶體管304的漏極與晶體管302的源極；多晶硅層336是晶體管302的漏極與晶體管300的源極，以此類推。當(dāng)電子或是電洞被注入浮動(dòng)?xùn)艠O300FG、302FG、304FG或306FG時(shí)，對(duì)應(yīng)的晶體管的臨界電壓會(huì)改變，藉此可以等效地用以儲(chǔ)存一或多個(gè)比特。值得注意的是，在其他的范例實(shí)施例中，NAND串360也可以包括更多的存儲(chǔ)單元，本發(fā)明并不限制一個(gè)NAND串中存儲(chǔ)單元的數(shù)目。
[0089]圖6是根據(jù)一范例實(shí)施例繪示一個(gè)實(shí)體抹除單元的示意圖。
[0090]請(qǐng)參照?qǐng)D6，以實(shí)體抹除單元304(0)為例，實(shí)體抹除單元304(0)包括了多個(gè)NAND串STO?STN。實(shí)體抹除單元304(0)也包括了多條字線WLO?WL3與多條位線BL(O)?BL(N)。實(shí)體抹除單元304(0)中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元都會(huì)位于一條字線與一條位線上。同一條字線上的多個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)形成一或多個(gè)實(shí)體程序化單元。具體來說，若每一個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存X個(gè)比特，則同一條字線上的多個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)形成X個(gè)實(shí)體程序化單元，其中X為正整數(shù)。若正整數(shù)X大于1，則同一條字線上的X個(gè)實(shí)體程序化單元還可被分類為下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元。然而，本發(fā)明并不限制正整數(shù)X的數(shù)值。一般來說，實(shí)體抹除單元為抹除的最小單位。亦即，每一實(shí)體抹除單元含有最小數(shù)目之一并被抹除的存儲(chǔ)單元。在一范例實(shí)施例中，實(shí)體抹除單元亦可被稱為實(shí)體區(qū)塊，而實(shí)體程序化單元可被稱為實(shí)體頁(yè)面或是實(shí)體扇(sector)。
[0091]在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106為多階存儲(chǔ)單元(MultiLevel Cell, MLC)NAND型閃存模塊，即一個(gè)存儲(chǔ)單元中可儲(chǔ)存至少2個(gè)比特。然而，本發(fā)明不限于此，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106亦可是單階存儲(chǔ)單元(Single LevelCell, SL0NAND型閃存模塊、復(fù)數(shù)階存儲(chǔ)單元(Trinary Level Cell, TLC)NAND型閃存模塊、其他閃存模塊或其他具有相同特性的存儲(chǔ)器模塊?；蛘?，在一范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106可以是三維的NAND型閃存模塊，而本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)可理解三維NAND型閃存中字線與位線的配置，在此并不贅述。
[0092]圖7是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖。
[0093]請(qǐng)參照?qǐng)D7，存儲(chǔ)器控制器104包括存儲(chǔ)器管理電路702、主機(jī)接口 704與存儲(chǔ)器接口 706。
[0094]存儲(chǔ)器管理電路702用以控制存儲(chǔ)器控制器104的整體操作。具體來說，存儲(chǔ)器管理電路702具有多個(gè)控制指令，并且在存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100操作時(shí)，這些控制指令會(huì)被執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等操作。
[0095]主機(jī)接口 704是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路702并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)通過主機(jī)接口704來傳送至存儲(chǔ)器管理電路702。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口 704是相容于SATA標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口 704亦可以是相容于PATA標(biāo)準(zhǔn)、IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)、PCI Express標(biāo)準(zhǔn)、USB標(biāo)準(zhǔn)、SD標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1I標(biāo)準(zhǔn)、MS標(biāo)準(zhǔn)、MMC標(biāo)準(zhǔn)、eMMC標(biāo)準(zhǔn)、UFS標(biāo)準(zhǔn)、CF標(biāo)準(zhǔn)、IDE標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)。
[0096]存儲(chǔ)器接口 706是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路702并且用以存取可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106。也就是說，欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的數(shù)據(jù)會(huì)經(jīng)由存儲(chǔ)器接口 706轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106所能接受的格式。
[0097]在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104還包括緩沖存儲(chǔ)器708、電源管理電路710與錯(cuò)誤檢查與校正電路712。
[0098]緩沖存儲(chǔ)器708是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路702并且用以暫存來自于主機(jī)系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的數(shù)據(jù)。
[0099]電源管理電路710是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路702并且用以控制存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100的電源。
[0100]錯(cuò)誤檢查與校正電路712是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路702并且用以執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來說，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路702從主機(jī)系統(tǒng)1000中接收到寫入指令時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)為對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正碼(Error Correcting Code, ECC Code)，并且存儲(chǔ)器管理電路702會(huì)將對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正碼寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中。之后，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路702從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中讀取數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)同時(shí)讀取此數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正碼，并且錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)依據(jù)此錯(cuò)誤校正碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序。
[0101]上述錯(cuò)誤校正碼的類型可以是奇偶校正碼(parity checking code)、通道編碼(channel coding)或是其他類型。例如，所產(chǎn)生的錯(cuò)誤校正碼可以是互斥或(exclusiveor, X0R)運(yùn)算的結(jié)果、漢明碼(hamming code)、低密度奇偶檢查碼(low density paritycheck code, LDPC code)、潤(rùn)旋石馬(turbo code)或里德-所羅門碼(Reed-solomon code,RS code)，本發(fā)明并不在此限。若數(shù)據(jù)與錯(cuò)誤校正碼的長(zhǎng)度比例為m:n，則表示長(zhǎng)度為m的數(shù)據(jù)會(huì)對(duì)應(yīng)至長(zhǎng)度為η的錯(cuò)誤校正碼，其中m與η為正整數(shù)。本發(fā)明也不限制正整數(shù)m與正整數(shù)η的值。
[0102]在此范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)根據(jù)實(shí)體抹除單元中多個(gè)第一存儲(chǔ)單元中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一個(gè)錯(cuò)誤校正碼。這些第一存儲(chǔ)單元是位于多條第一字線上與多條第一位線上。特別的是，在每一條第一位線上，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。如此一來，當(dāng)把數(shù)據(jù)寫入至一個(gè)實(shí)體程序化單元時(shí)若發(fā)生了錯(cuò)誤，并且此錯(cuò)誤也影響了同一條位/字線上的其他存儲(chǔ)單元時(shí)，則上述的第一錯(cuò)誤校正碼可用來校正此錯(cuò)誤。以下將舉多個(gè)范例實(shí)施例來說明產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼的不同態(tài)樣。
[0103]圖8是根據(jù)一范例實(shí)施例繪示產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼的示意圖。
[0104]請(qǐng)參照?qǐng)D8，在此以存儲(chǔ)單元801?804、811?814、821?824與831?834為例。為了簡(jiǎn)化起見，圖8并未繪示出選擇柵極、浮動(dòng)?xùn)艠O與控制柵極。在此范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712至少會(huì)根據(jù)存儲(chǔ)單元801、812、823、834中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)(標(biāo)記為”A”)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。存儲(chǔ)單元801、812、823、834是位于位線BL(O)?BL(3)(亦稱第一位線)與字線WLO?WL3(亦稱第一字線)上。值得注意的是，在每一條位線BL(O)?BL(3)上只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。例如，位線BL(O)上只有存儲(chǔ)單元801所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。相似地，位線BL(I)上只有存儲(chǔ)單元812所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。如此一來，在發(fā)生程序化錯(cuò)誤時(shí)，第一錯(cuò)誤校正碼可以有較好的更正能力。舉例來說，有一筆數(shù)據(jù)是儲(chǔ)存在字線WL2中的下實(shí)體程序化單元。假設(shè)在將數(shù)據(jù)寫入至字線WL2所對(duì)應(yīng)的上實(shí)體程序化單元時(shí)發(fā)生了程序化錯(cuò)誤，并且此錯(cuò)誤是發(fā)生在存儲(chǔ)單元812上。在此情況下，原本儲(chǔ)存在存儲(chǔ)單元812中的數(shù)據(jù)可能會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤，并且在同一條位線BL(I)上的存儲(chǔ)單元811與813中的數(shù)據(jù)也可能會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。然而，對(duì)于第一錯(cuò)誤校正碼來說，上述可能的錯(cuò)誤只會(huì)影響一個(gè)存儲(chǔ)單元中所儲(chǔ)存的比特，因此第一錯(cuò)誤校正碼可用來校正存儲(chǔ)單元812中的錯(cuò)誤。
[0105]在一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712至少會(huì)根據(jù)存儲(chǔ)單元811、822、833中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)(標(biāo)記為”B”)來產(chǎn)生一個(gè)第二錯(cuò)誤校正碼。其中，存儲(chǔ)單元811、822、833是位于位線BL(I)?BL (3)(亦稱第二位線)上與字線WLl?WL3(亦稱第二字線)上。每一條第二位線BL (I)?BL (3)上只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。例如，位線BL(I)上只有存儲(chǔ)單元811所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。相同地，位線BL(2)上只有存儲(chǔ)單元822所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第二錯(cuò)誤校正碼。在此范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元811與存儲(chǔ)單元801是位于同一條字線WL3上，并且是分別位于相鄰的兩條位線BL(I)與BL(O)上。另外，存儲(chǔ)單元811與存儲(chǔ)單元812是位于同一條位線BL(I)上，并且是分別位于相鄰的兩條字線WL3與WL2上。此第二錯(cuò)誤校正碼不同于上述的第一錯(cuò)誤校正碼。第二錯(cuò)誤校正碼是用來校正存儲(chǔ)單元811、822、與833中的錯(cuò)誤。在一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712對(duì)所有存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)都會(huì)產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正碼。
[0106]圖9?圖11是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪不產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼的不意圖。
[0107]請(qǐng)參照?qǐng)D9，在圖9的范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)利用多條字線上的多個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。舉例來說，錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)利用存儲(chǔ)單元801、811至存儲(chǔ)單元901中的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)單元911、912至存儲(chǔ)單元913中的數(shù)據(jù)，以及存儲(chǔ)單元921、922至存儲(chǔ)單元923中的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。特別的是，在每一條位線BI (O)?BL (N)上，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)被用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。在此范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)從每一條字線上取得相同數(shù)量(例如，Ik比特組)的數(shù)據(jù)，即存儲(chǔ)單元801、811至存儲(chǔ)單元901所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的大小為Ik比特組，并且存儲(chǔ)單元911?913所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的大小也是Ik比特組。在此范例實(shí)施例中，第一錯(cuò)誤校正碼的最小保護(hù)單位為Ik比特組，而最小保護(hù)單位亦可稱為符號(hào)(symbol)。亦即，錯(cuò)誤檢查與校正電路712是從每一條字線上取得大小相同于最小保護(hù)單位的數(shù)據(jù)。然而，根據(jù)不同的錯(cuò)誤校正碼，最小保護(hù)單位的大小也不會(huì)相同。也就是說，本發(fā)明并不限制要從每一條字線取得多少數(shù)量的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼?；蛘?，對(duì)于不同的字線，錯(cuò)誤檢查與校正電路712也可以取得不同數(shù)量的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0108]請(qǐng)參照?qǐng)D10，在圖10的范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712至少是根據(jù)存儲(chǔ)單元801、存儲(chǔ)單元822與存儲(chǔ)單元843所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。特別的是，存儲(chǔ)單元801所位于的位線BL(O)與存儲(chǔ)單元822所位于的位線BL(2)相隔一條位線；并且存儲(chǔ)單元822所位于的位線BL(2)與存儲(chǔ)單元843所位于的位線BL(4)相隔一條位線。然而，在另一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712也可以從相隔兩條以上位線且位于不同字線的存儲(chǔ)單元中取得數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0109]在另一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712至少是根據(jù)存儲(chǔ)單元801與存儲(chǔ)單元813所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。特別的是，存儲(chǔ)單元801所位于的字線WL3與存儲(chǔ)單元813所位于的字線WLl相隔一條字線。然而，在另一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712也可以從相隔兩條以上字線且位于不同位線的存儲(chǔ)單元中取得數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。
[0110]請(qǐng)參照?qǐng)D11，在圖11的范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712至少會(huì)根據(jù)存儲(chǔ)單元802、811、824與833中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼?；蛘?，在另一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712也可以根據(jù)存儲(chǔ)單元804、813、822與831中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。也就是說，本發(fā)明并不限制用來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼(或第二錯(cuò)誤校正碼)的存儲(chǔ)單元的位置。
[0111]在錯(cuò)誤檢查與校正電路712產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼(或第二錯(cuò)誤校正碼)以后，存儲(chǔ)器管理電路710會(huì)將所產(chǎn)生的錯(cuò)誤校正碼寫入至實(shí)體抹除單元304 (O)?304 (R)的其中一個(gè)。在一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤檢查與校正電路712是從實(shí)體抹除單元304(0)中取得數(shù)據(jù)來產(chǎn)生錯(cuò)誤校正碼，并且存儲(chǔ)器管理電路710會(huì)將所產(chǎn)生的錯(cuò)誤校正碼寫入同一個(gè)實(shí)體抹除單元304(0)中。然而，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路710也可以將錯(cuò)誤校正碼寫入至另一個(gè)實(shí)體抹除單元，本發(fā)明并不在此限。
[0112]在一范例實(shí)施例中，一個(gè)實(shí)體程序化單元會(huì)包括一個(gè)數(shù)據(jù)比特區(qū)與一個(gè)冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)內(nèi)的存儲(chǔ)單元是用以儲(chǔ)存使用者數(shù)據(jù)。冗余比特區(qū)內(nèi)的存儲(chǔ)單元可用以儲(chǔ)存系統(tǒng)數(shù)據(jù)。若錯(cuò)誤檢查與校正電路712是根據(jù)多個(gè)第一實(shí)體程序化單元中數(shù)據(jù)比特區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼，則錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)將所產(chǎn)生的第一錯(cuò)誤校正碼分散地儲(chǔ)存在這些第一實(shí)體程序化單元中。舉例來說，請(qǐng)參照回圖9，錯(cuò)誤檢查與校正電路712是從字線WLl?WL3所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中取得數(shù)據(jù)，因此錯(cuò)誤檢查與校正電路712會(huì)把所產(chǎn)生的第一錯(cuò)誤校正碼分割為三部分。其中一個(gè)部分會(huì)被儲(chǔ)存在字線WLl所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中(例如，冗余比特區(qū))；另外兩個(gè)部分則會(huì)分別被儲(chǔ)存在字線WL2與WL3所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元(例如，冗余比特區(qū))。然而，在另一范例實(shí)施例中，所產(chǎn)生的第一錯(cuò)誤校正碼也可以全部都儲(chǔ)存在一個(gè)實(shí)體程序化單元中，本發(fā)明并不在此限?；蛘撸诹硪环独龑?shí)施例中，所產(chǎn)生的第一錯(cuò)誤校正碼是分散在多個(gè)實(shí)體程序化單元的數(shù)據(jù)比特區(qū)中，本發(fā)明并不在此限。
[0113]在此范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤校正碼是由錯(cuò)誤檢查與校正電路712所產(chǎn)生。但在另一范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤校正碼也可以由存儲(chǔ)器管理電路710產(chǎn)生。舉例來說，錯(cuò)誤檢查與校正電路712的操作可以實(shí)作為多個(gè)程序碼，并且這些程序碼由存儲(chǔ)器管理電路710來執(zhí)行。本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一個(gè)數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其會(huì)包括錯(cuò)誤檢查與校正電路712的操作，或者是上述程序碼所形成的步驟。本發(fā)明并不限制用硬件或是軟件的方式來實(shí)作數(shù)據(jù)保護(hù)方法。
[0114]綜上所述，本發(fā)明范例實(shí)施例提出的數(shù)據(jù)保護(hù)方法、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置與存儲(chǔ)器控制器，會(huì)根據(jù)不同位線與不同字線上的存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第一錯(cuò)誤校正碼。如此一來，當(dāng)一個(gè)實(shí)體程序化單元中若干個(gè)存儲(chǔ)單元發(fā)生錯(cuò)誤，且此錯(cuò)誤影響到同一條位線(或字線)上的其他存儲(chǔ)單元時(shí)，第一錯(cuò)誤校正碼可用來校正發(fā)生的錯(cuò)誤。
[0115]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種數(shù)據(jù)保護(hù)方法，用于控制一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多條字線、多條位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元，每一該些存儲(chǔ)單元是位于該些字線的其中之一與該些位線的其中之一上，并且由該些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)實(shí)體抹除單元,該數(shù)據(jù)保護(hù)方法包括: 利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼，其中該些第一存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第一字線與該些位線中的多條第一位線上， 其中，在每一該些第一位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第一錯(cuò)誤校正碼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，該些第一字線彼此相隔至少一條字線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，該些第一位線彼此相隔至少一條位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，還包括: 利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼，其中該些第二存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第二字線與該些位線中的多條第二位線上， 其中，在每一該些第二位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第二錯(cuò)誤校正碼，并且該第一錯(cuò)誤校正碼不同于該第二錯(cuò)誤校正碼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，該些第二位線的其中之一相同于該些第一位線的其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，該些第二字線的其中之一相同于該些第一字線的其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，還包括: 將該第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在該些實(shí)體抹除單元的其中之一中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，其特征在于，還包括: 將該第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將該些部分的其中之一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中之一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中；以及 將該些部分的其中之另一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中的另一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
9.一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，包括: 一連接器，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)； 一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，包括多條字線、多條位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元，并且每一該些存儲(chǔ)單元是位于該些字線的其中之一與該些位線的其中之一上，并且由該些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)實(shí)體抹除單元；以及 一存儲(chǔ)器控制器，電性連接至該連接器與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，用以利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼，其中該些第一存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第一字線與該些位線中的多條第一位線上， 其中，在每一該些第一位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第一錯(cuò)誤校正碼。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些第一字線彼此相隔至少一條字線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些第一位線彼此相隔至少一條位線。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)器控制器還用以利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼，其中該些第二存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第二字線與該些位線中的多條第二位線上， 其中，在每一該些第二位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第二錯(cuò)誤校正碼，并且該第一錯(cuò)誤校正碼不同于該第二錯(cuò)誤校正碼。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些第二位線的其中之一相同于該些第一位線的其中之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些第二字線的其中之一相同于該些第一字線的其中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)器控制器還用以將該第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在該些實(shí)體抹除單元的其中之一中。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)器控制器還用以將該第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將該些部分的其中之一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中之一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中，并且將該些部分的其中的另一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中的另一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
17.一種存儲(chǔ)器控制器，用于控制一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多條字線、多條位線與多個(gè)存儲(chǔ)單元，并且每一該些存儲(chǔ)單元是位于該些字線的其中之一與該些位線的其中之一上，并且由該些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)實(shí)體抹除單元，該存儲(chǔ)器控制器包括: 一主機(jī)接口，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)； 一存儲(chǔ)器接口，用以電性連接至該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊；以及 一錯(cuò)誤檢查與校正電路，用以利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第一錯(cuò)誤校正碼，其中該些第一存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第一字線與該些位線中的多條第一位線上， 其中，在每一該些第一位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第一錯(cuò)誤校正碼。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該些第一字線彼此相隔至少一條字線。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該些第一位線彼此相隔至少一條位線。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該錯(cuò)誤檢查與校正電路還用以利用該些存儲(chǔ)單元中多個(gè)第二存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生一第二錯(cuò)誤校正碼，其中該些第二存儲(chǔ)單元位于該些字線中的多條第二字線與該些位線中的多條第二位線上， 其中，在每一該些第二位線上的該些存儲(chǔ)單元中，只有一個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生該第二錯(cuò)誤校正碼，并且該第一錯(cuò)誤校正碼不同于該第二錯(cuò)誤校正碼。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該些第二位線的其中之一相同于該些第一位線的其中之一。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該些第二字線的其中之一相同于該些第一字線的其中之一。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，還包括: 一存儲(chǔ)器管理電路，用以將該第一錯(cuò)誤校正碼儲(chǔ)存在該些實(shí)體抹除單元的其中之一中。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，還包括: 一存儲(chǔ)器管理電路，用以將該第一錯(cuò)誤校正碼分為多個(gè)部分，將該些部分的其中之一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中之一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中，并且將該些部分的其中之另一儲(chǔ)存在該些第一字線的其中的另一所對(duì)應(yīng)的實(shí)體程序化單元中。
【文檔編號(hào)】G06F11/10GK104298571SQ201310300262
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月17日
【發(fā)明者】葉志剛 申請(qǐng)人:群聯(lián)電子股份有限公司