表面形貌識(shí)別裝置制造方法
【專利摘要】一種表面形貌識(shí)別裝置。表面形貌識(shí)別裝置包括基板、驅(qū)動(dòng)電路、讀取電路及識(shí)別電路?；灏囟葌鞲衅?，且溫度傳感器包括感測(cè)晶體管。驅(qū)動(dòng)電路選擇晶體管的至少一個(gè)為目標(biāo)感測(cè)晶體管，并于加熱時(shí)段輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)至目標(biāo)感測(cè)晶體管以加熱目標(biāo)感測(cè)晶體管。目標(biāo)感測(cè)晶體管于感測(cè)時(shí)段內(nèi)感測(cè)一溫度隨時(shí)間變化的感測(cè)信號(hào)，且感測(cè)時(shí)段是于加熱時(shí)段之后。讀取電路讀取感測(cè)信號(hào)，而識(shí)別電路根據(jù)感測(cè)信號(hào)識(shí)別表面形貌。
【專利說(shuō)明】表面形貌識(shí)別裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種電子裝置，且特別是有關(guān)于一種表面形貌識(shí)別裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]相位測(cè)量干涉法(PMI)及原子力顯微鏡是已知的兩種表面形貌識(shí)別技術(shù)。相位測(cè)量干涉法通常是通過(guò)光束和物體表面交互作用產(chǎn)生干涉圖案，并且檢測(cè)干涉圖案，這些檢測(cè)出的干涉圖案可用來(lái)再建構(gòu)表面形貌。相位測(cè)量干涉法通常是根據(jù)區(qū)域掃描攝影機(jī)來(lái)檢測(cè)干涉圖案。
[0003]原子力顯微鏡大多采用尖端半徑為數(shù)奈米的探針，利用探針接觸待測(cè)物表面以進(jìn)行表面的奈米結(jié)構(gòu)測(cè)量，再藉由光杠桿原理以測(cè)量原子力顯微鏡系統(tǒng)中懸臂梁的高低起伏變化，以了解組設(shè)于懸臂梁尖端的探針與待測(cè)物之間的相互作動(dòng)。然而，相位測(cè)量干涉法及原子力顯微鏡不僅技術(shù)復(fù)雜且設(shè)備昂貴。不僅如此，相位測(cè)量干涉法及原子力顯微鏡不但不可攜帶，且實(shí)用性不足。所以相位測(cè)量干涉法及原子力顯微鏡難以應(yīng)用于指紋識(shí)別上。
[0004]隨著科技的蓬勃發(fā)展，移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、筆記本型計(jì)算機(jī)等越來(lái)越多的電子裝置已經(jīng)成為了人們生活中必備的工具。這些電子裝置往往儲(chǔ)存了相當(dāng)重要的信息，如電話簿、相片或文件等等。一旦這些電子裝置遭到遺失或是盜用，其內(nèi)部存儲(chǔ)的信息，就有可能被別人不當(dāng)利用。由于指紋具有相當(dāng)高的單一性，因此利用指紋識(shí)別裝置來(lái)識(shí)別使用者的電子裝置越來(lái)越多。當(dāng)指紋識(shí)別裝置記錄使用者的指紋后，使用者就無(wú)須記住特定密碼。因此，將免于密碼被偷竊或破解的風(fēng)險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是有關(guān)于一種表面形貌識(shí)別裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明，提出一種表面形貌識(shí)別裝置。表面形貌識(shí)別裝置包括基板、驅(qū)動(dòng)電路、讀取電路及識(shí)別電路?；灏囟葌鞲衅鳎覝囟葌鞲衅靼ǜ袦y(cè)晶體管。驅(qū)動(dòng)電路選擇感測(cè)晶體管的至少一個(gè)為目標(biāo)感測(cè)晶體管，并于加熱時(shí)段輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)至目標(biāo)感測(cè)晶體管以加熱目標(biāo)感測(cè)晶體管。目標(biāo)感測(cè)晶體管于感測(cè)時(shí)段內(nèi)感測(cè)一溫度隨時(shí)間變化的感測(cè)信號(hào)，且感測(cè)時(shí)段是于加熱時(shí)段之后。讀取電路讀取感測(cè)信號(hào)，而識(shí)別電路根據(jù)感測(cè)信號(hào)識(shí)別表面形貌。
[0007]為了對(duì)本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1繪示為依照第一實(shí)施例的一種表面形貌識(shí)別裝置的架構(gòu)圖。
[0009]圖2繪示為第一種溫度傳感器的示意圖。
[0010]圖3繪示為依照第一實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0011]圖4繪示為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道電流Ids與電壓差Vgs的特性曲線圖。
[0012]圖5繪示為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的臨限電壓Vth與溫度的特性曲線圖。
[0013]圖6繪示為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截止電流1ff與溫度的特性曲線圖。
[0014]圖7繪示為二極管的電壓與電流的特性曲線圖。
[0015]圖8繪示為二極管的導(dǎo)通電壓Von與溫度的特性曲線圖。
[0016]圖9繪示為依照第二實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0017]圖10繪示為依照第三實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0018]圖11繪示為依照第四實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0019]圖12繪示為依照第五實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0020]圖13繪示為依照第六實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0021]圖14繪示為依照第七實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0022]圖15繪示為依照第八實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0023]圖16繪示為依照第九實(shí)施例的基板的局部示意圖。
[0024]圖17繪示為依照第九實(shí)施例的一種信號(hào)時(shí)序圖。
[0025][標(biāo)號(hào)說(shuō)明]
[0026]1:表面形貌識(shí)別裝置 2a?2 j:曲線
[0027]4a、4b:顯示區(qū)域 11a、lib、11c、lid、Ilf、Ilg:基板
[0028]12:驅(qū)動(dòng)電路13:讀取電路
[0029]14:識(shí)別電路15:控制器
[0030]16:存儲(chǔ)器
[0031]lll、llla、lllb、lllc、llld、llle:溫度傳感器
[0032]112、114:掃描線 113、116:數(shù)據(jù)線
[0033]115、117:像素1111:晶體管
[0034]Illla:N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0035]Illlb:NPN晶體管 Illlc:功能電路
[0036]Illld:P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0037]1151:N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0038]b:基極c:集極
[0039]e:射極g:柵極
[0040]d:漏極s:源極
[0041]Clc:液晶電容G(n):掃描信號(hào)
[0042]D(m):數(shù)據(jù)信號(hào)Ids:通道電流
[0043]1ff:截止電流1:電流
[0044]Vgs:電壓差Vds:電壓差
[0045]Vth:臨限電壓Von:導(dǎo)通電壓
[0046]R:電阻T1、T2:時(shí)段

【具體實(shí)施方式】
[0047]第一實(shí)施例
[0048]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，圖1繪示為依照第一實(shí)施例的一種表面形貌識(shí)別裝置的架構(gòu)圖，圖2繪示為第一種溫度傳感器的示意圖。表面形貌識(shí)別裝置I例如為指紋識(shí)別器，且表面形貌識(shí)別裝置I包括基板11a、驅(qū)動(dòng)電路12、讀取電路13、識(shí)別電路14、控制器15及存儲(chǔ)器16。驅(qū)動(dòng)電路12、讀取電路13、識(shí)別電路14可進(jìn)一步形成于基板11a。基板Ila包括溫度傳感器111、掃描線112及數(shù)據(jù)線113，且溫度傳感器111包括感測(cè)晶體管1111。其中感測(cè)晶體管1111例如為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, M0SFET)或雙極性接面晶體管(bipolar junct1ntransistor, BJT)?？刂破?5控制驅(qū)動(dòng)電路12，且存儲(chǔ)器16儲(chǔ)存識(shí)別電路14的識(shí)別結(jié)果。驅(qū)動(dòng)電路12包括掃描驅(qū)動(dòng)器121及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器122。掃描驅(qū)動(dòng)器121耦接掃描線112，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器122耦接數(shù)據(jù)線113。
[0049]掃描驅(qū)動(dòng)器121及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器122選擇感測(cè)晶體管1111的至少一個(gè)為目標(biāo)感測(cè)晶體管，并先于加熱時(shí)段輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)至目標(biāo)感測(cè)晶體管以加熱目標(biāo)感測(cè)晶體管。驅(qū)動(dòng)信號(hào)例如為電壓信號(hào)或電流信號(hào)。目標(biāo)感測(cè)晶體管再于感測(cè)時(shí)段內(nèi)感測(cè)一溫度隨時(shí)間變化的感測(cè)信號(hào)，且感測(cè)信號(hào)例如為電壓信號(hào)或電流信號(hào)。感測(cè)時(shí)段是于加熱時(shí)段之后。讀取電路13讀取感測(cè)信號(hào)，而識(shí)別電路14根據(jù)感測(cè)信號(hào)識(shí)別表面形貌。其中，表面形貌例如為指紋波峰(Ridge)、指紋波谷(Valley)、或指紋。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為電壓信號(hào)時(shí)，感測(cè)信號(hào)為電流信號(hào)。相反地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為電流信號(hào)時(shí)，感測(cè)信號(hào)為電壓信號(hào)。
[0050]需說(shuō)明的是，前述感測(cè)晶體管1111不僅可以被選擇、尋址及讀取，且其本身可用來(lái)作為加熱元件。此外，由于指紋波峰的導(dǎo)熱介質(zhì)為人體，其熱傳導(dǎo)系數(shù)約為0.58W/mk，而指紋波谷的導(dǎo)熱介質(zhì)為空氣，其熱傳導(dǎo)系數(shù)約為0.024W/mk，人體與空氣的熱傳導(dǎo)系數(shù)差異極大。因此，目標(biāo)感測(cè)晶體管感測(cè)指紋波峰的溫度變化大于目標(biāo)感測(cè)晶體管感測(cè)指紋波谷的溫度變化。所以，識(shí)別電路14根據(jù)感測(cè)信號(hào)的不同即可識(shí)別出目標(biāo)感測(cè)晶體管所感測(cè)到的指紋波峰或指紋波谷。
[0051]請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3繪示為第一實(shí)施例的基板的局部示意圖。前述溫度傳感器可以有多種實(shí)施態(tài)樣，舉例來(lái)說(shuō)，圖3繪示是以溫度傳感器Illa為例說(shuō)明。溫度傳感器Illa的感測(cè)晶體管是以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla為例說(shuō)明，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的柵極g連接至掃描線112。N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的漏極d連接至數(shù)據(jù)線113，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的源極s連接至一接地端。圖3繪示雖以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla為例說(shuō)明，但實(shí)際應(yīng)用并不局限于此，亦可使用P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為感測(cè)晶體管。
[0052]請(qǐng)參照?qǐng)D4、圖5及圖6，圖4繪示為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道電流ids與電壓差Vgs的特性曲線圖，圖5繪示為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的臨限電壓Vth與溫度的特性曲線圖，圖6N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截止電流1ff與溫度的特性曲線圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，當(dāng)溫度為_30°C且電壓差Vds為0.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2a所示；當(dāng)溫度為_30°C且電壓差Vds為10.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2b所示；當(dāng)溫度為0°C且電壓差Vds為0.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2c所示；當(dāng)溫度為0°C且電壓差Vds為10.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2d所示；當(dāng)溫度為25°C且電壓差Vds為0.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2e所示；當(dāng)溫度為25°C且電壓差Vds為10.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2f所示；當(dāng)溫度為50°C且電壓差Vds為0.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2g所示；當(dāng)溫度為50°C且電壓差Vds為10.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2h所示；當(dāng)溫度為80°C且電壓差Vds為0.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2i所示；當(dāng)溫度為80°C且電壓差Vds為10.1V時(shí)，通道電流Ids與電壓差Vgs的關(guān)系是如曲線2j所示。由此可知，在固定電壓差Vgs時(shí)，通道電流Ids會(huì)隨溫度變化而改變。如此一來(lái)，當(dāng)前述加熱時(shí)段輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為漏極電壓時(shí)，則于感測(cè)時(shí)段所產(chǎn)生的感測(cè)信號(hào)為通道電流Ids。
[0053]前述圖4可進(jìn)一步由圖5及圖6表示。于圖5繪示中，臨限電壓Vth是隨溫度變化，且臨限電壓Vth是隨溫度上升而下降。如此一來(lái)，當(dāng)前述加熱時(shí)段輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為通道電流Ids時(shí)，則于感測(cè)時(shí)段所產(chǎn)生的感測(cè)信號(hào)為臨限電壓Vth。于圖6繪示中，截止電流1ff是隨溫度變化，且截止電流1ff是隨溫度上升而上升。如此一來(lái)，當(dāng)前述加熱時(shí)段輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為柵極電壓時(shí)，則于感測(cè)時(shí)段所產(chǎn)生的感測(cè)信號(hào)為截止電流1ff。
[0054]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5、圖7及圖8，圖7繪示為二極管的電壓與電流的特性曲線圖，圖8繪示為二極管的導(dǎo)通電壓Von與溫度的特性曲線圖。當(dāng)溫度為_25°C時(shí)，二極管的電壓與電流I的關(guān)系是如曲線3a所示；當(dāng)溫度為0°C時(shí)，二極管的電壓與電流I的關(guān)系是如曲線3b所示；當(dāng)溫度為25°C時(shí)，二極管的電壓與電流I的關(guān)系是如曲線3c所示；當(dāng)溫度為50°C時(shí)，二極管的電壓與電流I的關(guān)系是如曲線3d所示；當(dāng)溫度為75°C時(shí)，二極管的電壓與電流I的關(guān)系是如曲線3e所示。由此可知，二極管的導(dǎo)通電壓Von會(huì)如圖8所示隨溫度而改變，且二極管的導(dǎo)通電壓Von隨溫度上升而下降。由圖5可進(jìn)一步推得N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溫度系數(shù)為溫度每上升1°C而臨限電壓Vth下降3.75mV，而由圖8可推得二極管的溫度系數(shù)為溫度每上升1°C而導(dǎo)通電壓Von下降1.8mV。由此可知，臨限電壓Vth隨溫度的變化量將大于導(dǎo)通電壓Von隨溫度的變化量，顯見金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相當(dāng)適合用來(lái)作為溫度傳感器。
[0055]第二實(shí)施例
[0056]請(qǐng)參照?qǐng)D9，圖9繪示為第二實(shí)施例的基板的局部示意圖。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖9繪示是以溫度傳感器Illb為例說(shuō)明。溫度傳感器Illb包括NPN晶體管1111b，且NPN晶體管Illlb的基極b連接至掃描線112。NPN晶體管Illlb的集極c連接至數(shù)據(jù)線113，且NPN晶體管Illlb的射極e連接至一接地端。圖9繪示雖以NPN晶體管Illlb為例說(shuō)明，但實(shí)際應(yīng)用并不局限于此，亦可使用PNP晶體管作為感測(cè)晶體管。
[0057]第三實(shí)施例
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D10，圖10繪示為第三實(shí)施例的基板的局部示意圖。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖10繪示是以溫度傳感器Illc為例說(shuō)明。溫度傳感器IllC除了N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla外，還包括電阻R。電阻R的一端連接至數(shù)據(jù)線113，電阻R的另一端連接至N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的漏極d。N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的柵極g連接至掃描線112，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla的源極s連接至一接地端。
[0059]第四實(shí)施例
[0060]請(qǐng)參照?qǐng)D11，圖11繪示為第四實(shí)施例的基板的局部示意圖。第四實(shí)施例與第二實(shí)施例主要不同之處在于圖11繪示是以溫度傳感器Illd為例說(shuō)明。溫度傳感器Illd除了 NPN晶體管Illlb外，還包括電阻R。電阻R的一端連接至數(shù)據(jù)線113，電阻R的另一端連接至NPN晶體管Illlb的集極c。NPN晶體管Illlb的基極b連接至掃描線112，且NPN晶體管Illlb的射極e連接至一接地端。
[0061]第五實(shí)施例
[0062]請(qǐng)參照?qǐng)D12，圖12繪示為第五實(shí)施例的基板的局部示意圖。第五實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖12繪示是以溫度傳感器Ille為例說(shuō)明。溫度傳感器Ille除N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla外，還包括功能電路1111c。功能電路Illlc連接N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1111a。功能電路Illlc例如為放大電路、補(bǔ)償電路或?yàn)V波電路，其中，放大電路、補(bǔ)償電路或?yàn)V波電路分別用以將感測(cè)信號(hào)進(jìn)行信號(hào)放大、信號(hào)補(bǔ)償或信號(hào)濾波。
[0063]第六實(shí)施例
[0064]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖13，圖13繪示為第六實(shí)施例的基板的局部示意圖。第六實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖13繪示是以基板Ilb為例說(shuō)明。基板Ilb包括掃描線112、數(shù)據(jù)線113、掃描線114、溫度傳感器Illc及像素115，且溫度傳感器Illc與像素115交錯(cuò)地排列，其中，溫度傳感器Illc包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1111a。掃描線112連接N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1111a，以控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla導(dǎo)通或截止。掃描線114連接像素115，以控制像素115是否顯示影像。數(shù)據(jù)線113則分別連接N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illla及像素115。
[0065]第七實(shí)施例
[0066]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖14，圖14繪示為第七實(shí)施例的基板的局部示意圖。第七實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖14繪示是以基板Ilc為例說(shuō)明?；錓lc是由兩個(gè)互相獨(dú)立且分別用以感測(cè)的基板Ila與用以顯示的基板Ilg所組成?；錓lc包括掃描線114、像素115及數(shù)據(jù)線116。像素115連接數(shù)據(jù)線116并受控于掃描線114。掃描線114可與掃描線112連接至同一掃描驅(qū)動(dòng)器121，且數(shù)據(jù)線116可與數(shù)據(jù)線113連接至同一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器122。掃描驅(qū)動(dòng)器121及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器122驅(qū)動(dòng)像素115，其中，兩個(gè)獨(dú)立基板11a、Ilg的設(shè)置方式非為本發(fā)明的重點(diǎn)，故不贅述。
[0067]第八實(shí)施例
[0068]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖15，圖15繪示為第八實(shí)施例的基板的局部示意圖。第八實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖15繪示是以基板Ild為例說(shuō)明?；錓ld為具有顯示區(qū)域的基板，該顯示區(qū)域可分為顯示區(qū)域4a及顯示區(qū)域4b?；錓ld包括溫度傳感器111c、像素115及像素117，且溫度傳感器111c、像素115及像素117連接至數(shù)據(jù)線113。像素115與溫度傳感器Illc交錯(cuò)排列且位于基板Ild的顯示區(qū)域4a。像素117位于基板Ild的顯示區(qū)域4b。像素115及像素117受控于掃描線114，而溫度傳感器Illc受控于掃描線112。
[0069]第九實(shí)施例
[0070]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1、圖16及圖17。圖16繪示為第九實(shí)施例的基板的局部示意圖，圖17繪示為依照第九實(shí)施例的一種信號(hào)時(shí)序圖。第九實(shí)施例與第一實(shí)施例主要不同之處在于圖15繪示是以基板Ilf為例說(shuō)明。基板Ilf包括溫度傳感器Illf、掃描線112、數(shù)據(jù)線113及像素115。溫度傳感器Illf包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illld及電阻R0電阻R的一端連接數(shù)據(jù)線113，電阻R的另一端連接P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管lllld。像素115包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1151及液晶電容Clc，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1151連接液晶電容Clc、掃描線112及數(shù)據(jù)線113。N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1151根據(jù)掃描線112上的掃描信號(hào)G(n)決定是否將數(shù)據(jù)線113上的數(shù)據(jù)信號(hào)D(m)寫入液晶電容Clc。P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illld連接掃描線112及數(shù)據(jù)線113，并受控于掃描線112上的掃描信號(hào)G(n)以及數(shù)據(jù)線113上的數(shù)據(jù)信號(hào)D(m)。
[0071]驅(qū)動(dòng)電路12選擇N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1151的至少一個(gè)為一目標(biāo)顯示晶體管，以及選擇P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illld的至少一個(gè)為一目標(biāo)感測(cè)晶體管。目標(biāo)顯示晶體管受控于掃描信號(hào)G(n)的正電壓于時(shí)段Tl導(dǎo)通，并將正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)D(m)寫入液晶電容Clc。P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Illld受控于掃描信號(hào)G (η)的負(fù)電壓于時(shí)段Τ2導(dǎo)通，并接收負(fù)極性的數(shù)據(jù)信號(hào)D(m)。
[0072]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種表面形貌識(shí)別裝置，包括: 一第一基板，包括: 多個(gè)溫度傳感器，各包括一感測(cè)晶體管； 一驅(qū)動(dòng)電路，用以選擇該些感測(cè)晶體管的至少一個(gè)為一目標(biāo)感測(cè)晶體管，并于一加熱時(shí)段輸出一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至該目標(biāo)感測(cè)晶體管以加熱該目標(biāo)感測(cè)晶體管，該目標(biāo)感測(cè)晶體管于一感測(cè)時(shí)段內(nèi)感測(cè)一溫度隨時(shí)間變化的感測(cè)信號(hào)，其中，該感測(cè)時(shí)段是于該加熱時(shí)段之后; 一讀取電路，用以讀取該感測(cè)信號(hào)；以及 一識(shí)別電路，用以根據(jù)該感測(cè)信號(hào)識(shí)別該表面形貌。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該感測(cè)晶體管為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中各該感測(cè)晶體管為雙極性接面晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該溫度傳感器還包括一電阻，該電阻連接該感測(cè)晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該溫度傳感器還包括一功能電路，該功能電路連接該感測(cè)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該功能電路是選自由放大電路、補(bǔ)償電路、濾波電路所組成的群組。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為一電壓信號(hào)，該感測(cè)信號(hào)為一電流信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該電壓信號(hào)為一漏極電壓，該電流信號(hào)為一通道電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為一電流信號(hào)，該感測(cè)信號(hào)為一電壓信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該電流信號(hào)為一通道電流，該電壓信號(hào)為一漏極電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該驅(qū)動(dòng)電路、該讀取電路及該識(shí)別電路是形成于該第一基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該第一基板還包括多個(gè)第一像素及多個(gè)第二像素，該多個(gè)第一像素與該多個(gè)溫度傳感器交錯(cuò)排列且位于該第一基板的一第一顯示區(qū)域，該多個(gè)第二像素位于該第一基板的一第二顯示區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，還包括一第二基板，該第二基板包括多個(gè)像素，該驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)該多個(gè)像素。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該第一基板還包括: 多條掃描線，分別連接該些感測(cè)晶體管；以及 多條數(shù)據(jù)線，分別連接該些感測(cè)晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該第一基板還包括: 多個(gè)像素； 多條第一掃描線，分別連接該些感測(cè)晶體管； 多條第二掃描線，分別連接該些像素；以及 多條數(shù)據(jù)線，分別連接該些感測(cè)晶體管及該些像素。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中該第一基板還包括: 多個(gè)像素； 多條掃描線，分別連接該些感測(cè)晶體管及該些像素；以及 多條數(shù)據(jù)線，分別連接該些感測(cè)晶體管及該些像素。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的表面形貌識(shí)別裝置，其中各該些像素包括一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，各該些感測(cè)晶體管為一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該驅(qū)動(dòng)電路選擇該些N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管其中之一為目標(biāo)顯示晶體管，該目標(biāo)顯不晶體管受控于一正電壓于一第一時(shí)段導(dǎo)通,該目標(biāo)感測(cè)晶體管受控于一負(fù)電壓于一第二時(shí)段導(dǎo)通，該第一時(shí)段與該第二時(shí)段是不相同。
【文檔編號(hào)】G06K9/00GK104424474SQ201310407689
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】李逸哲, 李淂裕, 劉侑宗, 林俊文, 葉又瑗, 黃振庭, 楊蕙菁, 許振嘉 申請(qǐng)人:群創(chuàng)光電股份有限公司