觸摸屏及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種觸摸屏及其制造方法，涉及顯示領(lǐng)域，能夠解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，從而提高良品率，降低成本。本發(fā)明的觸摸屏包括：觸控電極，所述觸控電極所在層的上方或下方設(shè)置有絕緣層，或者，所述觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置有絕緣層。本發(fā)明的觸摸屏制造方法包括：在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程；在設(shè)置有所述黑矩陣的基板上，形成絕緣層；在所述絕緣層上，進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程；進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。本發(fā)明適用于改進(jìn)觸摸屏制造工藝。
【專(zhuān)利說(shuō)明】觸摸屏及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種觸摸屏及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸顯示屏發(fā)展迅速，當(dāng)前主流產(chǎn)品都采用了外置觸摸屏(Add on)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，但傳統(tǒng)Add on觸摸屏，整體機(jī)構(gòu)厚重，成本較高，隨著消費(fèi)者對(duì)顯示器的薄化需求，嵌入式(In Cell)液晶屏成為觸摸顯示領(lǐng)域中一個(gè)重要發(fā)展的方向。
[0003]—種現(xiàn)有的In Cell觸摸顯示屏的結(jié)構(gòu)中，將觸控電極制作在彩膜基板上，制備時(shí)先采用常規(guī)工藝制程形成黑矩陣圖形，然后在黑矩陣的遮擋區(qū)域進(jìn)行觸控電極的布線。其工作過(guò)程如下:作為觸控掃描線的觸控電極加載觸控掃描信號(hào)，觸控感應(yīng)線通過(guò)感應(yīng)電容藕合出電壓信號(hào)，在此過(guò)程中，若用戶(hù)接觸觸摸屏，人體電場(chǎng)就會(huì)作用在感應(yīng)電容上，使感應(yīng)電容的電容值發(fā)生變化，進(jìn)而改變觸控感應(yīng)線耦合出的電壓信號(hào)，觸摸檢測(cè)裝置檢測(cè)所述電壓信號(hào)，根據(jù)電壓信號(hào)的變化就可以確定觸點(diǎn)位置。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在上述觸控電極形成過(guò)程中，極容易出現(xiàn)觸控電極短路和斷路的問(wèn)題，導(dǎo)致良品率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種觸摸屏及其制造方法，能夠解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，從而提聞良品率，降低成本。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種觸摸屏，包括:觸控電極，所述觸控電極所在層的上方或下方設(shè)置有絕緣層，或者，
[0008]所述觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置有絕緣層。
[0009]可選地，所述絕緣層為無(wú)機(jī)絕緣層。
[0010]優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)絕緣層的材質(zhì)為硅氮化物，或者硅氧化物，或者硅氧氮化物。
[0011]具體地，所述觸摸屏包括:彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩陣；所述觸控電極設(shè)置在所述黑矩陣上，且對(duì)應(yīng)位于所述黑矩陣的遮擋位置。
[0012]進(jìn)一步地，所述彩膜基板還包括:保護(hù)層，設(shè)置在所述觸控電極所在層之上。
[0013]可選地，所述觸控電極為觸控感應(yīng)電極。
[0014]本實(shí)施例還提供一種觸摸屏的制造方法，包括:彩膜基板制程，所述彩膜基板制程，包括:
[0015]在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程；
[0016]在設(shè)置有所述黑矩陣的基板上，形成絕緣層；
[0017]在所述絕緣層上，進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程；
[0018]進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。
[0019]可選地，所述在設(shè)置有黑矩陣的基板上，形成絕緣層，具體為:[0020]在不高于230°C的溫度下，沉積氮化硅膜層。
[0021]進(jìn)一步地，所述觸摸屏的制造方法，還包括:
[0022]使用干刻設(shè)備對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，使所述觸控電極所在層露出與陣列基板相連通的連接區(qū)域。
[0023]進(jìn)一步地，在形成連接區(qū)域之后，所述觸摸屏的制造方法還包括:
[0024]對(duì)所述觸控電極進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試。
[0025]本實(shí)施例還提供得另一種觸摸屏的制造方法，包括:彩膜基板制程，所述彩膜基板制程，包括:
[0026]在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程；
[0027]進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程；
[0028]在設(shè)置有所述觸控電極的基板上，形成絕緣層；
[0029]在所述絕緣層上，進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。
[0030]現(xiàn)有技術(shù)中，先采用常規(guī)工藝制程形成黑矩陣圖形，然后在黑矩陣的遮擋區(qū)域進(jìn)行觸控電極的布線，而此過(guò)程中極容易出現(xiàn)觸控電極短路和斷路的問(wèn)題，導(dǎo)致良品率低。發(fā)明人經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)驗(yàn)證，發(fā)現(xiàn)該短路和斷路問(wèn)題與觸控電極所處的上下層工藝有直接的關(guān)系，故本發(fā)明實(shí)施例提供的所述的觸摸屏及其制造方法中，針對(duì)觸控電極的上下層工藝進(jìn)行了改善，即觸控電極所在層的上方和/或下方設(shè)置有絕緣層，對(duì)有可能導(dǎo)致問(wèn)題的上下層進(jìn)行了隔絕，從而解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題(已通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)實(shí)施例二)，成功保證了觸控電極的觸控功能的實(shí)現(xiàn)，能夠提高良品率，降低生產(chǎn)成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0032]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的彩膜基板制造方法的流程圖一；
[0034]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二中黑矩陣和彩膜色阻的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二中觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5 (a)和圖5 (b)分別為本發(fā)明實(shí)施例二實(shí)驗(yàn)中測(cè)試位置示意圖和彩膜基板邊緣上觸控電極引線的示意圖；
[0037]圖6 (a)和圖6 (b)分別為本發(fā)明實(shí)施例二實(shí)驗(yàn)中觸控電極I和觸控電極2的測(cè)
試結(jié)果；
[0038]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二實(shí)驗(yàn)中觸控電極3的測(cè)試結(jié)果；
[0039]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的彩膜基板制造方法的流程圖二。
[0040]附圖標(biāo)記
[0041]10-基板，121-黑矩陣，122-彩膜色阻，13-絕緣層，14-觸控電極，15-保護(hù)層，16-隔墊物?！揪唧w實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]實(shí)施例一
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸摸屏，該觸摸屏包括:觸控電極，所述觸控電極所在層的上方或下方設(shè)置有絕緣層，或者，所述觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置有絕緣層。
[0045]不管是什么類(lèi)型的觸摸屏，觸控電極一般都是包括觸控驅(qū)動(dòng)電極(觸控掃描線)和觸控感應(yīng)電極(觸控感應(yīng)線)兩個(gè)部分。其中，觸控驅(qū)動(dòng)電極加載觸控掃描信號(hào)，當(dāng)手指(或其它物體)靠近或觸摸時(shí)，會(huì)影響觸摸點(diǎn)附近觸控感應(yīng)電極上的感應(yīng)信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)觸控感應(yīng)電極上的感應(yīng)信號(hào)就可以識(shí)別觸摸點(diǎn)的位置。現(xiàn)有In Cell觸摸屏中，觸控感應(yīng)電極設(shè)置彩膜基板上，觸控驅(qū)動(dòng)電極設(shè)置在陣列基板。其中，制備彩膜基板時(shí):先采用常規(guī)工藝制程形成黑矩陣圖形；然后在黑矩陣的遮擋區(qū)域進(jìn)行觸控電極的布線；最后進(jìn)行保護(hù)層(OverCoat，簡(jiǎn)稱(chēng):0C)和隔墊物(Photo Spacer簡(jiǎn)稱(chēng):PS)制程。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)此過(guò)程中極容易出現(xiàn)觸控電極短路和斷路的問(wèn)題，導(dǎo)致良品率低。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)該短路和斷路問(wèn)題與觸控電極所處的上下層工藝有直接的關(guān)系。具體而言，在形成位于觸控電極下層的黑矩陣時(shí)，以及位于形成觸控電極上層的保護(hù)層時(shí)，使用的是負(fù)性光刻膠，顯影液是KOH顯影液，這是導(dǎo)致觸控電極形成過(guò)程中容易出現(xiàn)短路、斷路問(wèn)題的最大原因，故本發(fā)明實(shí)施例提供的所述的觸摸屏，針對(duì)觸控電極的上下層工藝進(jìn)行了改善，即在觸控電極所在層的上方和/或下方設(shè)置有絕緣層，對(duì)有可能導(dǎo)致問(wèn)題的負(fù)膠層進(jìn)行了隔絕，從而解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題(已通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)實(shí)施例二)，成功保證了彩膜基板上觸控電極的觸控功能的實(shí)現(xiàn)，能夠提高良品率，降低生產(chǎn)成本。
[0046]其中，本實(shí)施例所述觸控電極可以是觸控驅(qū)動(dòng)電極，也可以是觸控感應(yīng)電極。但現(xiàn)有In Cell觸摸屏實(shí)現(xiàn)方案中，一般將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板，觸控驅(qū)動(dòng)電極設(shè)置在陣列基板，而觸控感應(yīng)電極因所在處的上下層工藝極容易出現(xiàn)觸控電極短路和斷路的問(wèn)題，因此，一般將彩膜基板上觸控感應(yīng)電極所在層的上方或下方設(shè)置有絕緣層，或者，在觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置有絕緣層。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例對(duì)觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極的設(shè)置位置也不做限定，只要觸控驅(qū)動(dòng)電極或觸控感應(yīng)電極因上下層工藝出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，即可適用本發(fā)明提供的技術(shù)方案。
[0048]其中可選地，所述絕緣層為無(wú)機(jī)絕緣層，所述無(wú)機(jī)絕緣層的材質(zhì)可為硅氮化物，或者硅氧化物，或者硅氧氮化物。
[0049]為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏的結(jié)構(gòu)，下面通過(guò)一具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的觸摸屏進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0050]所述觸摸屏包括:彩膜基板和陣列基板，一種【具體實(shí)施方式】中，觸控感應(yīng)電極設(shè)置彩膜基板上，觸控驅(qū)動(dòng)電極設(shè)置在陣列基板。
[0051]陣列基板的結(jié)構(gòu)及制程與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述，而彩膜基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括:基板10 ;設(shè)置在基板10上的彩色濾光層，彩色濾光層包括:黑矩陣121和彩膜色阻122 ;彩色濾光層之上設(shè)置有絕緣層13 ;觸控電極14，設(shè)置在所述黑矩陣121上，且對(duì)應(yīng)位于黑矩陣121的遮擋位置；保護(hù)層15，設(shè)置在觸控電極14所在層之上；保護(hù)層15之上設(shè)置隔墊物16。
[0052]其中，所述觸控電極14為觸控感應(yīng)電極。絕緣層13亦可位于觸控電極14所在層之上，即觸控電極14所在層和保護(hù)層
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏中，觸控電極所在層的上方和/或下方設(shè)置有絕緣層，對(duì)有可能導(dǎo)致問(wèn)題的上下層進(jìn)行了隔絕，從而解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，成功保證了觸控電極的觸控功能的實(shí)現(xiàn)，能夠提高良品率，降低生產(chǎn)成本。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏，可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0055]實(shí)施例二
[0056]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種觸摸屏的制造方法，包括:彩膜基板制程，如圖2所示，所述彩膜基板制程，包括:
[0057]101、在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程；
[0058]本步驟形成彩色濾光層，如圖3所示，所述彩色濾光層一般包括黑矩陣121和黑矩陣121分隔開(kāi)的彩膜色阻122。本步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同，可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意形成方式。
[0059]具體實(shí)施時(shí)，一般先進(jìn)行黑矩陣工藝(BM工藝)，形成黑矩陣；再進(jìn)行彩膜色阻工藝(RGB工藝)，形成彩膜色阻。當(dāng)然，也可以將RGB工藝放于步驟103觸控電極工藝的后面，即BM工藝-絕緣層工藝-觸控電極工藝-RGB工藝-OC工藝-PS工藝。
[0060]102、在設(shè)置有所述黑矩陣及彩膜色阻的基板上，形成絕緣層；
[0061]本步驟在彩色濾光層形成透明絕緣層，其材質(zhì)可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意透明絕緣材料。例如，所述絕緣層可為無(wú)機(jī)絕緣層，所述無(wú)機(jī)絕緣層的材質(zhì)進(jìn)一步可具體為氮化硅，或者氧化硅，或者硅氧氮化物。
[0062]可選地，本步驟可以采用在低溫(不高于230°C)下，沉積氮化硅膜層作為絕緣層。
[0063]103、在所述絕緣層上，進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程；
[0064]本步驟在絕緣層上進(jìn)行形成觸控電極工藝的制程，具體包括沉積電極層、曝光、刻蝕等子步驟，在黑矩陣的遮擋位置形成如圖4所示的觸控電極14。
[0065]104、進(jìn)行保護(hù)層(Over Coat,簡(jiǎn)稱(chēng):0C)和隔墊物(Photo Spacer,簡(jiǎn)稱(chēng):PS)制程，包括:涂膠、曝光、顯影等步驟。
[0066]其中，絕緣層還可設(shè)置在觸控電極所在層之上，即本發(fā)明實(shí)施例還提供第二種【具體實(shí)施方式】，其中，所述彩膜基板制程包括:
[0067]步驟一、在基板上進(jìn)行黑矩陣及彩膜色阻的工藝制程；
[0068]步驟二、進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程；
[0069]步驟三、在設(shè)置有所述觸控電極的基板上，形成絕緣層；
[0070]步驟四、在所述絕緣層上，進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。
[0071]很明顯，上述方法與第一種【具體實(shí)施方式】的區(qū)別之處在于，本【具體實(shí)施方式】在形成觸控電極的工藝制程之后形成絕緣層，即在步驟103之后，步驟104之前，進(jìn)行步驟102以形成絕緣層。
[0072]此外，在本實(shí)施例的第三種【具體實(shí)施方式】中，所述觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置絕緣層，此時(shí)工藝流程如下:BM工藝-RGB工藝-SiNx工藝-RX工藝-SiNx工藝-OC和PS工藝，其中，SiNx工藝形成SiNx絕緣層，RX工藝形成觸控感應(yīng)電極。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏制造方法中，觸控電極所在層的上方和/或下方設(shè)置有絕緣層，對(duì)有可能導(dǎo)致問(wèn)題的上下層進(jìn)行了隔絕，從而解決觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，成功保證了觸控電極的觸控功能的實(shí)現(xiàn)，能夠提高良品率，降低生產(chǎn)成本。
[0074]可選地，如圖8所示，所述彩膜基板制程，除上述步驟外，還可包括:
[0075]105、使用干刻設(shè)備對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，露出與陣列基板相連通的連接區(qū)域。
[0076]在形成連接區(qū)域之后，進(jìn)一步地，所述彩膜基板制程還包括:
[0077]106、對(duì)所述觸控電極進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試。
[0078]本實(shí)施例由于所述觸控電極所在層的上方和/或下方增設(shè)了透明絕緣層，因此最后需要使用干刻設(shè)備對(duì)透明絕緣層(例如SiNx層)進(jìn)行刻蝕，使彩膜基板露出與上基板(陣列基板)相連通的連接區(qū)域(pad)。利用pad區(qū)域，測(cè)試所述觸控電極的電學(xué)性能，至此，彩膜基板制程結(jié)束。
[0079]實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證過(guò)程
[0080]樣品制備:
[0081]1、采用常規(guī)工藝制程形成黑矩陣圖形，然后沉積觸控電極金屬層，采用負(fù)性光刻膠和KOH顯影液進(jìn)行光刻，在黑矩陣的遮擋區(qū)域形成觸控電極。按上述方法形成的兩個(gè)樣品上的觸控電極分別標(biāo)記為觸控電極I和觸控電極2。
[0082]2、采用本實(shí)施例所述的步驟101?105形成彩膜基板，其上的觸控電極標(biāo)記為觸控電極3。具體制備過(guò)程與觸控電極I和觸控電極2類(lèi)似，只不過(guò)在形成觸控電極之前，先沉積一層SiNx作為絕緣層，具體如下:在彩膜基板上進(jìn)行BM層的涂布及工藝制程；沉積后在低溫下進(jìn)行SiNx的沉積(< 230°C);進(jìn)行Rx工藝制程，包括沉積、曝光、刻蝕等；彩膜上OC和PS制程，包括:涂膠、曝光、顯影等；最后使用干刻設(shè)備進(jìn)行SiNx層的刻蝕，露出與上基板相連通的連接pad區(qū)域。
[0083]測(cè)試:通過(guò)基板邊緣Rl?R12的引線測(cè)量采用現(xiàn)有技術(shù)制備的觸控電極I和觸控電極2，以及采用本發(fā)明技術(shù)方案制備的觸控電極3，具體如下:
[0084]測(cè)試位置:如圖5 (a)，測(cè)試時(shí)彩膜基板的彩膜面朝上，左下為倒角，測(cè)試位置如圖中虛線區(qū)域所示；測(cè)試時(shí)彩膜基板邊緣觸控電極Rl?R12的引線如圖5 (b)所示。
[0085]測(cè)試方法:探針?lè)?PE探針)；
[0086]測(cè)試結(jié)論:如圖6 (a)和圖6 (b)所示，觸控電極I和觸控電極2的測(cè)試結(jié)果阻值均在K數(shù)量級(jí)，而如果不短路電阻應(yīng)在3M以上，因此，圖6 (a)和圖6 (b)兩組測(cè)試數(shù)據(jù)說(shuō)明觸控電極I和觸控電極2中Rxl?Rxl2與接地端GND全部短路(short)連接。如圖7所示，觸控電極3的測(cè)試結(jié)果中阻值大多數(shù)在M數(shù)量級(jí)，少數(shù)在G數(shù)量級(jí)，測(cè)試阻值>2.9M，說(shuō)明觸控電極3中Rxl?Rxl2與接地端GND全部斷開(kāi)。其中，圖6 (a)、圖6 (b)和圖7中，Rl?R12代表第一至第十二條觸控電極(觸控感應(yīng)線)。圖中測(cè)量值對(duì)應(yīng)的橫向目錄項(xiàng)和縱向?qū)?yīng)的目錄項(xiàng)分別代表電阻測(cè)量時(shí)兩端探針連接的引線，例如，5.4K代表測(cè)試時(shí)一端探針連接地線GND, —端接第一條觸控電極,說(shuō)明第一條觸控電極與接地線GND短路。
[0087]綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏制造方法，解決了觸控電極形成過(guò)程中極容易出現(xiàn)短路和斷路的問(wèn)題，成功保證了觸控電極的觸控功能的實(shí)現(xiàn)，能夠提高良品率，降低生產(chǎn)成本。
[0088]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于方法實(shí)施例而言，由于其基本可與設(shè)備實(shí)施例相參照，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0089]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸摸屏，包括:觸控電極，其特征在于，所述觸控電極所在層的上方或下方設(shè)置有絕緣層，或者， 所述觸控電極所在層的上方和下方均設(shè)置有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述絕緣層為無(wú)機(jī)絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，所述無(wú)機(jī)絕緣層的材質(zhì)為硅氮化物，或者硅氧化物，或者硅氧氮化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏包括:彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩陣； 所述觸控電極設(shè)置在所述黑矩陣上，且對(duì)應(yīng)位于所述黑矩陣的遮擋位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述彩膜基板還包括: 保護(hù)層，設(shè)置在所述觸控電極所在層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的觸摸屏，其特征在于， 所述觸控電極為觸控感應(yīng)電極。
7.一種觸摸屏的制造方法，包括:彩膜基板制程，其特征在于，所述彩膜基板制程，包括: 在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程； 在設(shè)置有所述黑矩陣的基板上，形成絕緣層； 在所述絕緣層上，進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程； 進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在設(shè)置有黑矩陣的基板上，形成絕緣層，具體為: 在不高于230°C的溫度下，沉積氮化硅膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，還包括: 使用干刻設(shè)備對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，使所述觸控電極所在層露出與陣列基板相連通的連接區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在形成連接區(qū)域之后，還包括: 對(duì)所述觸控電極進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試。
11.一種觸摸屏的制造方法，包括:彩膜基板制程，其特征在于，所述彩膜基板制程，包括: 在基板上進(jìn)行黑矩陣的工藝制程； 進(jìn)行形成觸控電極的工藝制程； 在設(shè)置有所述觸控電極的基板上，形成絕緣層； 在所述絕緣層上，進(jìn)行保護(hù)層和隔墊物制程。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK103558942SQ201310553467
【公開(kāi)日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】王燦, 陳寧, 郭煒, 王路 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司