一種gf2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及觸摸屏導(dǎo)電膜【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟：步驟A、干膜覆合：在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜;步驟B、曝光、顯影;步驟C、第一次蝕刻、剝膜；步驟D、耐酸印刷；步驟E、第二次蝕刻、剝膜；步驟F、絕緣印刷；步驟G、覆膜分切。本發(fā)明在干膜覆合的基礎(chǔ)上，通過(guò)第一次蝕刻和第二次蝕刻的方式得到了GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組，該種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組不僅輕薄,且可以做成窄邊框的觸摸屏，通過(guò)上述制作工藝使制得的產(chǎn)品良率高而且性能好較同類產(chǎn)品也有較大提高。
【專利說(shuō)明】—種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸屏【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏是一種顯著改善人機(jī)操作界面的輸入設(shè)備，具有直觀、簡(jiǎn)單、快捷的優(yōu)點(diǎn)。觸摸屏在許多電子產(chǎn)品中已經(jīng)獲得了廣泛的應(yīng)用，比如手機(jī)、PDA、多媒體、公共信息查詢系統(tǒng)等。
[0003]傳統(tǒng)觸控技術(shù)采用雙層玻璃觸控模組，它不僅厚重，而且不能做成窄邊框的觸摸屏。GF2架構(gòu)觸控技術(shù)，表示ITO pattern [RX]和[TX]都同時(shí)放在ITO Film上，GF2比傳統(tǒng)雙層玻璃觸控模組更輕薄，且可以做成窄邊框的觸摸屏，同時(shí)在主要原材料，制程工藝等部分具有較高的技術(shù)門檻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，該種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組輕薄，且可以做成窄邊框的觸摸屏。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟:
步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層；
步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)；
步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離；
步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷
10-15um厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)，觸摸屏分為邊框區(qū)和可視區(qū)；
步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠；
步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷8-12um厚的絕緣膠；
步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
[0006]優(yōu)選的，步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
[0007]優(yōu)選的，步驟B所述顯影劑由以下重量百分比的原料組成:Na2CO30.7-1.2 wt%
Na2CO3.H2O 0.8-1.3 wt%
K2CO30.8-1.2 wt%
余量為水。
[0008]優(yōu)選的，步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為15-25%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為2-8%。
[0009]優(yōu)選的，步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為3%_5%的氫氧化鈉溶液。
[0010]優(yōu)選的，步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
[0011]優(yōu)選的，步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF_10T_DS5的絕緣油墨。
[0012]優(yōu)選的，步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
[0013]優(yōu)選的，步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
[0014]優(yōu)選的，步驟G覆膜分切時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
[0015]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，有益效果在于:本發(fā)明在干膜覆合的基礎(chǔ)上，通過(guò)第一次蝕刻和第二次蝕刻的方式得到了 GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組，該種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組不僅輕薄，且可以做成窄邊框的觸摸屏，通過(guò)上述制作工藝使制得的產(chǎn)品良率高而且性能好較同類產(chǎn)品也有較大提高。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0017]實(shí)施例1。
[0018]一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟:
步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材
層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層；
步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)；
步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離；
步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷IOum厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)；
步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠；
步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷Sum厚的絕緣
膠；
步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
[0019]其中，步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
[0020]其中，步驟B所述顯影劑由以下重量百分比的原料組成:Na2CO30.7wt%
Na2CO3.H2O 1.3 wt%
K2CO30.8wt%
余量為水。
[0021]其中，步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為15%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為2%。
[0022]其中，步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為3%的氫氧化鈉溶液。
[0023]其中，步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
[0024]其中，步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF-10T-DS5的絕緣油墨。
[0025]其中，步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
[0026]其中，步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
[0027]其中，步驟G覆膜分切時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
[0028]實(shí)施例2。
[0029]一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟:
步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材
層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層；
步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)；
步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離；
步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷12um厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)；
步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠；
步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷10um厚的絕緣膠；
步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
[0030]其中，步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
[0031]其中，步驟B所述顯影劑由以下重量百分比的原料組成:
Na2CO31.0 wt%
Na2CO3.H2O 1.1 wt%
K2CO31.0 wt%
余量為水。
[0032]其中，步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為20%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為6%。
[0033]其中，步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為4%的氫氧化鈉溶液。[0034]其中，步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
[0035]其中，步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF-10T-DS5的絕緣油墨。
[0036]其中，步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
[0037]其中，步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
[0038]其中，步驟G覆膜分切時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
[0039]實(shí)施例3。
[0040]一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟:
步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材
層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層；
步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)；
步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離；
步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷15um厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)；
步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步`驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠；
步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷Ilum厚的絕緣膠；
步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
[0041]其中，步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
[0042]其中，步驟B所述顯影劑由以下重量百分比的原料組成:
Na2CO31.1 wt%
Na2CO3.H2O 1.2 wt%
K2CO31.1 wt%
余量為水。
[0043]其中，步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為20%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為4%。
[0044]其中，步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液。
[0045]其中，步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
[0046]其中，步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF_10T_DS5的絕緣油墨。
[0047]其中，步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
[0048]其中，步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
[0049]其中，步驟G覆膜分切時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
[0050]實(shí)施例4。[0051]一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下步驟:
步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材
層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層；
步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)；
步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離；
步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷15um厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)；
步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠；
步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷12um厚的絕緣膠；
步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
[0052]其中，步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
[0053]其中，步驟B所述顯影劑由以下重量百分比的原料組成:
Na2CO31.2 wt%
Na2CO3.H2O 1.3 wt%
K2CO30.8wt%
余量為水。
[0054]其中，步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為25%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為8%。
[0055]其中，步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液。
[0056]其中，步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
[0057]其中，步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF_10T_DS5的絕緣油墨。
[0058]其中，步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
[0059]其中，步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
[0060]其中，步驟G覆膜分切時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
[0061]實(shí)施例1-4制得的GF2結(jié)構(gòu)的觸控模組的性能測(cè)試見下表:
【權(quán)利要求】
1.一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:它依次包括以下步驟: 步驟A、干膜覆合:在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜，所述導(dǎo)電薄膜包括基材層，所述基材層的正面依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述基材層的背面也依次設(shè)有ITO層和金屬層，所述干膜貼合于所述金屬層； 步驟B、曝光、顯影:將導(dǎo)電薄膜雙面的干膜進(jìn)行曝光，然后將曝光后的產(chǎn)品用顯影劑進(jìn)行顯影，發(fā)生反應(yīng)的干膜對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行保護(hù)； 步驟C、第一次蝕刻、剝膜:用蝕刻液進(jìn)行第一次蝕刻以除去不受干膜保護(hù)的ITO層和金屬層，最后用堿液將已發(fā)生反應(yīng)的干膜剝離； 步驟D、耐酸印刷:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜的正反兩面的邊框區(qū)分別印刷10-15um厚的耐酸膠進(jìn)行保護(hù)； 步驟E、第二次蝕刻、剝膜:將經(jīng)過(guò)步驟C處理后的導(dǎo)電薄膜用蝕刻液進(jìn)行第二次蝕刻以除去可視區(qū)的金屬層，然后用堿液去除耐酸膠； 步驟F、絕緣印刷:將經(jīng)過(guò)步驟E處理后的導(dǎo)電薄膜的背面的邊框區(qū)印刷8-12um厚的絕緣膠； 步驟G、覆膜分切:將經(jīng)過(guò)步驟F處理后的產(chǎn)品進(jìn)行雙面覆膜，然后切成片材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟A所述干膜采用杜邦公司型號(hào)為MX7000的干膜，所述導(dǎo)電薄膜采用臺(tái)灣郡宏光電的DITO雙面導(dǎo)電薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟B所述顯影劑由以 下重量百分比的原料組成: Na2CO30.7-1.2 wt%
Na2CO3.H2O 0.8-1.3 wt% K2CO30.8-1.2 wt% 余量為水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟C和步驟E中蝕刻液由質(zhì)量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質(zhì)量濃度為15-25%，氯化鐵溶液的質(zhì)量濃度為2-8%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟C和步驟E中堿液采用質(zhì)量百分比濃度為3%-5%的氫氧化鈉溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟D所述耐酸油墨為日本互應(yīng)的型號(hào)為TPER-194B-2的耐酸油墨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟E所述絕緣膠為日本朝日Asahi型號(hào)為UVF-10T-DS5的絕緣油墨。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟D耐酸印刷時(shí)先將背面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，印刷背面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟F絕緣印刷時(shí)先將正面覆蓋一層聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，其特征在于:步驟G覆膜分切 時(shí)覆的膜是PE保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK103677409SQ201310624311
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月30日
【發(fā)明者】李林波 申請(qǐng)人:東莞市平波電子有限公司