柔性消影透明導(dǎo)電薄膜及觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠提高全光線透光率，同時對電路蝕刻圖案有著很好的消影作用的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，它包括依次層疊的柔性透明薄膜基材、ZrO2薄膜層、ITO透明導(dǎo)電薄膜層。本發(fā)明同時還提供了一種全光線透光率更高，色差b*更小，能夠提高屏幕顯示兩度與清晰度，具有節(jié)能效果的觸摸屏，它包括依次層疊的保護層、第一導(dǎo)電薄膜、第二導(dǎo)電薄膜，相連兩層之間通過光學(xué)膠粘接，第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜為上述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜。
【專利說明】柔性消影透明導(dǎo)電薄膜及觸摸屏
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及柔性電容型觸摸屏及其中的導(dǎo)電薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電容型觸摸屏，包括依次層疊的保護層、第一導(dǎo)電薄膜、第二導(dǎo)電薄膜，相連兩層之間通過光學(xué)膠粘接。其第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜均包括層疊的柔性透明薄膜基材和ITO透明導(dǎo)電薄膜層。生產(chǎn)工藝中使用激光蝕刻ITO透明導(dǎo)電薄膜層形成電路圖案后，蝕刻條紋肉眼可見，嚴(yán)重時影響到觸摸屏顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高全光線透光率，同時對電路蝕刻圖案有著很好的消影作用的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜。
[0004]本發(fā)明的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，包括依次層疊的柔性透明薄膜基材、ZrO2薄膜層(9)、ITO透明導(dǎo)電薄膜層(12)。
[0005]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，在ZrO2薄膜層(9)與ITO透明導(dǎo)電薄膜層(12)之間還依次層疊SiO2薄膜層(10)、SiOx (0〈x〈2)薄膜層(11)。
[0006]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，柔性透明薄膜基材為PET薄膜基材。
[0007]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，柔性透明薄膜基材厚度為5 μ m-200 μ m。
[0008]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，ZrO2薄膜層(9)厚度為0.5nm_100nm。
[0009]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，ITO透明導(dǎo)電薄膜層(12)厚度為0.5nm-100nm。
[0010]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，在柔性透明薄膜基材與ZrO2薄膜層(9)之間有第一樹脂層(8 );在柔性透明薄膜基材另一表面上有第二樹脂層(6 )。
[0011]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，柔性透明薄膜基材包括通過粘膠劑粘合的兩層薄膜基材(7、13)。
[0012]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，SiO2薄膜層(10)厚度為0.5nm-100nm。
[0013]所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，SiOx (0〈x〈2)薄膜層(11)厚度為0.5nm-100nm。
[0014]本發(fā)明同時還提供了一種全光線透光率更高，色差b*更小，能夠提高屏幕顯示兩度與清晰度，具有節(jié)能效果的觸摸屏。
[0015]本發(fā)明的觸摸屏，包括依次層疊的保護層、第一導(dǎo)電薄膜、第二導(dǎo)電薄膜，相連兩層之間通過光學(xué)膠粘接，第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜為上述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜。
[0016]上述的觸摸屏，保護層與第一導(dǎo)電薄膜中的柔性透明薄膜基材通過光學(xué)膠粘合，第一導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層與第二導(dǎo)電薄膜中的柔性透明薄膜基材或者柔性透明薄膜基材通過光學(xué)膠粘合；
[0017]上述的觸摸屏，保護層與第一導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層通過光學(xué)膠粘合，第一導(dǎo)電薄膜中的柔性透明薄膜基材與第二導(dǎo)電薄膜中的柔性透明薄膜基材或者柔性透明薄膜基材通過光學(xué)膠粘合。[0018]本發(fā)明的有益效果:1、由于使用了納米級Zr02、SiO2及其非完全氧化物薄膜層組合，更加有利于增寬透過光譜的范圍，全光線透過率增加。本技術(shù)相對沒有Zr02、SiO2及其非完全氧化物薄膜層組合的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜及觸摸屏而言，其電阻值相同的情況下，全光線透光率更高，色差b*更小，這種光學(xué)薄膜結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)能，提高屏幕顯示亮度和清晰度。
[0019]2、同時由于使用了納米級Zr02、SiO2及其非完全氧化物薄膜層組合，在提高全光線透光率、減少了透光光線反射的同時，有效阻隔或降低了激光蝕刻時激光束能量對柔性透明薄膜基材的影響。相對沒有這種多層薄膜結(jié)構(gòu)的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜和觸摸屏，本技術(shù)的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜和觸摸屏具有相對高的全光線透過率，同時降低了無電極電路的全光線透過率與蝕刻后有電極電路(ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜層)的全光線透過率之間的差值(ATt)，也降低了無電極電路的光線反射率與蝕刻后有電極電路(ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜層)的光線反射率之間的差值(ΛRf)。所以，本發(fā)明能夠消除電路紋路影響，即提高在低阻值下的全光線透光率，同時對電路激光蝕刻圖案有著很好的消影作用(無電路圖案蝕刻紋路，或電路圖案紋路淺淡，肉眼難以分辨)，解決或消除激光蝕刻產(chǎn)生的色差及透光率的影響。
[0020]所以本發(fā)明提供一種柔性可卷曲、厚度薄、重量輕、表面電阻小、高透光、低色差的電容型觸摸屏用柔性消影透明導(dǎo)電薄膜和觸摸屏。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是實施例1的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜示意圖。
[0022]圖2是實施例2的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜示意圖。
[0023]圖3是實施例3的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜示意圖。
[0024]圖4是X向電極電路圖案示意圖；
[0025]圖5是Y向電極電路圖案示意圖；
[0026]圖6是X-Y向電極電路圖案疊加示意圖。
[0027]圖7是不同波長的光線透過柔性消影透明導(dǎo)電薄膜的全光線透過率示意圖；
[0028]圖8是柔性消影透明導(dǎo)電薄膜對不同波長的光線的反射率示意圖。
[0029]圖9是觸摸屏是示意圖。
【具體實施方式】
[0030]實施例1:柔性消影透明導(dǎo)電薄膜
[0031]參見圖1所示的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，從上到下依次為第二樹脂層6、PET薄膜基材(柔性透明薄膜基材)7、第一樹脂層8、ZrO2薄膜層9、SiO2薄膜層10、SiOx (0<x<2)薄膜層11、ITO透明導(dǎo)電薄膜層12。
[0032]PET薄膜基材7厚度為100 μ m, ZrO2薄膜層9厚度為20nm，SiO2薄膜層10厚度為5nm，SiOx (0<x<2)薄膜層11厚度為5nm，ITO透明導(dǎo)電薄膜層12厚度為30nm。
[0033]實施例2:柔性消影透明導(dǎo)電薄膜
[0034]參見圖2所示的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，從上到下依次為第二樹脂層6、柔性透明薄膜基材(由粘膠劑14粘合的兩層薄膜基材13、7組成)、第一樹脂層8、ZrO2薄膜層9、ITO透明導(dǎo)電薄膜層12。[0035]薄膜基材13、7厚度均為60 μ m, ZrO2薄膜層9厚度為40nm，ITO透明導(dǎo)電薄膜層12厚度為50nm。
[0036]實施例3:柔性消影透明導(dǎo)電薄膜
[0037]參見圖3所示的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，從上到下依次為第二樹脂層6、柔性透明薄膜基材(由粘膠劑14粘合的兩層薄膜基材13、7組成)、第一樹脂層8、Zr02薄膜層9、Si02薄膜層10、SiOx (0〈x〈2)薄膜層11、ITO透明導(dǎo)電薄膜層12。
[0038]薄膜基材13、7厚度均為80 μ m, ZrO2薄膜層9厚度為60nm，SiO2薄膜層10厚度為40nm，SiOx (0<x<2)薄膜層11厚度為30nm，ITO透明導(dǎo)電薄膜層12厚度為70nm。
[0039]激光刻蝕ITO透明導(dǎo)電薄膜層后的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜參見圖3，X向電極電路圖案示意參見圖4, Y向電極電路圖案示意參見圖5, X-Y向電極電路圖案疊加示意參見圖6。
[0040]以光線直射柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，刻蝕前無電極電路的全光線透過率為Tt2，蝕刻后有電極電路(ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜層)的全光線透過率為Ttl，參見圖7(橫坐標(biāo)表示波長，單位nm ;縱坐標(biāo)表示全光線透過率(transmittance,或翻譯為透射比,透光率),單位％),可以看出，ATt=|Tt2-Ttl|很小。以光線斜射柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，刻蝕前無電極電路的反射率為Rf2，蝕刻后有電極電路(ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜層)的反射率為Rfl，參見圖8 (橫坐標(biāo)表示波長，單位nm ;縱坐標(biāo)表示反射率,單位％),可以看出，Λ Rf=| Rf2-Rfl |很小。
[0041]實施例4:柔性消影觸摸屏
[0042]參見圖9所示的觸摸屏，包括依次層疊的保護層21、第一導(dǎo)電薄膜23、第二導(dǎo)電薄膜25，相連兩層之間通過光學(xué)膠22、24粘接，第一導(dǎo)電薄膜為實施例1所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，第二導(dǎo)電薄膜為實施例3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜；保護層21與第一導(dǎo)電薄膜中的第二樹脂層通過光學(xué)膠22粘合，第一導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層與第二導(dǎo)電薄膜中的第二樹脂層通過光學(xué)膠24粘合。當(dāng)然，第一導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層與第二導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層通過光學(xué)膠24粘合也是可以的?；蛘?，保護層21與第一導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層通過光學(xué)膠22粘合，第一導(dǎo)電薄膜中的第二樹脂層與第二導(dǎo)電薄膜中的ITO透明導(dǎo)電薄膜層或者第二樹脂層通過光學(xué)膠24粘合也是可以的。
【權(quán)利要求】
1.柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:包括依次層疊的柔性透明薄膜基材、ZrO2薄膜層(9)、ITO透明導(dǎo)電薄膜層(12)。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:在ZrO2薄膜層(9)與ITO透明導(dǎo)電薄膜層(12)之間還依次層疊SiO2薄膜層(10)、SiOx (0〈x〈2)薄膜層(11)。
3.如權(quán)利要求2所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:在柔性透明薄膜基材與ZrO2薄膜層(9)之間有第一樹脂層(8);在柔性透明薄膜基材另一表面上有第二樹脂層(6)。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:柔性透明薄膜基材厚度為 5 μ m-200 μ m。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是=ZrO2薄膜層(9)厚度為 0.5nm_100nm。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜層(12)厚度為 0.5nm-100nm。
7.如權(quán)利要求1、2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:柔性透明薄膜基材包括通過粘膠劑粘合的兩層薄膜基材(7、13 )。
8.如權(quán)利要求2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是=SiO2薄膜層(10)厚度為 0.5nm-100nmo
9.如權(quán)利要求2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:SiOx(0〈x〈2)薄膜層(11)厚度為 0.5nm_100nm。
10.觸摸屏，其特征是:它包括依次層疊的保護層、第一導(dǎo)電薄膜、第二導(dǎo)電薄膜，相連兩層之間通過光學(xué)膠粘接，第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜為權(quán)利要求1、2或3所述的柔性消影透明導(dǎo)電薄膜。
【文檔編號】G06F3/044GK103745766SQ201310746250
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】王魯南, 王建華, 竇立峰 申請人:南京匯金錦元光電材料有限公司