專利名稱：電容式觸摸屏傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸摸屏技術(shù)，具體涉及一種電容式觸摸屏傳感器。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的單側(cè)氧化銦錫(SITO，Single ΙΤ0)電容觸摸屏傳感器(Sensor)中，采用SiO2或SiNx作為絕緣層時(shí)，大面積刻蝕容易造成絕緣層殘留。為了避免絕緣層殘留對(duì)傳感器功能產(chǎn)生影響，電容式觸摸屏傳感器一般采用大面積絕緣層隔開第二橫向?qū)щ妼优c第二縱向?qū)щ妼?。圖1及圖2為現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的平面圖及剖面圖。如圖1及圖2所示，電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)由下至上包括基板10、位于基板10表面的第一導(dǎo)電層11、位于第一導(dǎo)電層11及基板10上的第一絕緣層(Si02/SiNx)12、位于第一絕緣層12及第一導(dǎo)電層11上的第二導(dǎo)電層(ITO) 13及位于第二導(dǎo)電層13及第一絕緣層12上的第二絕緣層(Si02/SiNx) 14，其中，第二導(dǎo)電層13包括第二橫向?qū)щ妼?ITO-X) 13A及第二縱向?qū)щ妼?IT0-Y)13B，第二橫向?qū)щ妼?3A與第二縱向?qū)щ妼?3B通過(guò)第二絕緣層14隔開，第二縱向?qū)щ妼?3B直接導(dǎo)通，第二橫向?qū)щ妼?3A通過(guò)金屬/ITO (氧化銦錫)橋進(jìn)行連接，第一導(dǎo)電層11與第二橫向?qū)щ妼?3A之間通過(guò)第一絕緣層12上的過(guò)孔15連通。從圖1及圖2看出，現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層幾乎覆蓋了基板上除過(guò)孔外的所有區(qū)域，再加上最外層的第二絕緣層，使得電容式觸摸屏傳感器的大部分區(qū)域的膜層厚度較厚，從而使觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率較低，若采用SiNx作為第一絕緣層，則觸摸屏將具有較深的顏色。圖3及圖4為理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器的平面圖及剖面圖。如圖3及圖4所示，理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器自下而上包括基板20、位于基板20表面的第一導(dǎo)電層21、位于第一導(dǎo)電層21上的第一絕緣層22、位于第一絕緣層22、第一導(dǎo)電層21及基板20上的第二導(dǎo)電層2`3及位于第二導(dǎo)電層23及第一絕緣層22上的第二絕緣層24，其中，第二導(dǎo)電層23包括第二橫向?qū)щ妼?3A與第二縱向?qū)щ妼?3B，第二縱向?qū)щ妼?3B直接導(dǎo)通，理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器與現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的區(qū)別在于，理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層22上沒(méi)有過(guò)孔，第一導(dǎo)電層21與第二縱向?qū)щ妼?3B直接連接，第二橫向?qū)щ妼?3A通過(guò)金屬橋進(jìn)行連接，第一絕緣層22的覆蓋區(qū)域面積較小(僅覆蓋第一導(dǎo)電層11的部分區(qū)域)，從而減小了觸摸屏傳感器大部分區(qū)域的膜層厚度，提高了觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率，也避免了采用SiNx作為第一絕緣層時(shí)觸摸屏具有較深顏色的問(wèn)題，但由于第一絕緣層的覆蓋面積較小，導(dǎo)致第一絕緣層的刻蝕工藝難度加大，較難進(jìn)行量產(chǎn)，且由于第一絕緣層僅覆蓋第一導(dǎo)電層的部分區(qū)域，也使得刻蝕第一絕緣層時(shí)容易將第一導(dǎo)電層刻蝕，使產(chǎn)品的合格率降低，同時(shí)第一導(dǎo)電層也不能得到第一絕緣層的充分保護(hù)，從而對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量產(chǎn)生影響。因此，如何提供一種透過(guò)率較高且容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)的電容式觸摸屏傳感器成為本領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種電容式觸摸屏傳感器，減少電容式觸摸屏傳感器的絕緣層的覆蓋面積，提高透過(guò)率，且利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種電容式觸摸屏傳感器，所述電容式觸摸屏傳感器包括:基板，位于基板表面的第一導(dǎo)電層，位于所述第一導(dǎo)電層及所述基板上的第一絕緣層，位于所述第一絕緣層、所述第一導(dǎo)電層及所述基板上的第二導(dǎo)電層，以及位于所述第二導(dǎo)電層及所述第一絕緣層上的第二絕緣層；其中，所述第一絕緣層上設(shè)有過(guò)孔，所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連通，所述第一絕緣層設(shè)置為至少覆蓋所述第一導(dǎo)電層上除所述過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋部分基板表面。進(jìn)一步地，所述第二導(dǎo)電層包括第二橫向?qū)щ妼蛹暗诙v向?qū)щ妼?，所述第二橫向?qū)щ妼踊蛩龅诙v向?qū)щ妼油ㄟ^(guò)所述過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層連通。進(jìn)一步地，所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層的材料為SiNx或Si02。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層的面積設(shè)置為至少覆蓋第一導(dǎo)電層 上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋基板表面的部分區(qū)域，使得第一絕緣層的整體覆蓋面積減少，從而減少了觸摸屏傳感器的總膜層厚度，提高了觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率，避免采用SiNx作為第一絕緣層時(shí)觸摸屏具有較深顏色的問(wèn)題，同時(shí)由于本實(shí)用新型提供的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，使得本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器與理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器相比，第一絕緣層的刻蝕難度降低，更容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，提高產(chǎn)品合格率，且能夠有效地保護(hù)第一導(dǎo)電層，從而有利于提高產(chǎn)品的質(zhì)量。

圖1為現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的平面圖；圖2為現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的剖面圖；圖3為理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器的平面圖；圖4為理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器的剖面圖；圖5為本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的平面圖；圖6為本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的剖面圖；圖7為本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的制作方法流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10、20、30 基板11、21、31 第一導(dǎo)電層12、22、32 第一絕緣層13,23,33 第二導(dǎo)電層14,24,34 第二絕緣層[0030]15、35過(guò)孔13A、23A、33A第二橫向?qū)щ妼?3B、23B、33B第二縱向?qū)щ妼?br> 具體實(shí)施方式
有關(guān)本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及詳細(xì)說(shuō)明，配合附圖說(shuō)明如下，然而所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加以限制。本實(shí)用新型的基本思想在于，通過(guò)減少觸摸屏傳感器中第一絕緣層的覆蓋面積，減少觸摸屏傳感器的總膜層厚度，從而提高觸摸屏傳感器的透光率，避免采用SiNx作為第一絕緣層時(shí)觸摸屏具有較深顏色的問(wèn)題，同時(shí)，使第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，降低第一絕緣層的刻蝕工藝難度，較易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，且能夠有效地保護(hù)第一導(dǎo)電層，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。
圖5及圖6為本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的平面圖及剖面圖。如圖5及圖6所示，本實(shí)用新型的觸摸屏傳感器自下而上包括:基板30、位于基板30表面的第一導(dǎo)電層31、位于第一導(dǎo)電層31及基板30上的第一絕緣層32、位于第一絕緣層32、第一導(dǎo)電層31及基板30上的第二導(dǎo)電層33及位于第二導(dǎo)電層33及第一絕緣層32上的第二絕緣層34，其中，第二導(dǎo)電層33包括第二橫向?qū)щ妼?3A及第二縱向?qū)щ妼?3B，第二橫向?qū)щ妼?3A與第二縱向?qū)щ妼?3B通過(guò)第二絕緣層34隔開，第二縱向?qū)щ妼?3B直接導(dǎo)通，第二橫向?qū)щ妼?3A通過(guò)金屬/第二導(dǎo)電層橋進(jìn)行連接，第一絕緣層32上設(shè)有過(guò)孔35，第一導(dǎo)電層31與第二導(dǎo)電層33的第二橫向?qū)щ妼?3A之間通過(guò)過(guò)孔35連通。應(yīng)當(dāng)注意，圖5及圖6中僅示出第二縱向?qū)щ妼?3B直接導(dǎo)通，第二橫向?qū)щ妼?3A通過(guò)過(guò)孔35與第一導(dǎo)電層31連通的例子，也可設(shè)置為第二橫向?qū)щ妼?3A直接導(dǎo)通，第二縱向?qū)щ妼?3B通過(guò)過(guò)孔35與第一導(dǎo)電層31連通，此處不再詳述。第一絕緣層32設(shè)置為至少覆蓋第一導(dǎo)電層31上除過(guò)孔35之外的所有區(qū)域，且覆蓋部分基板表面。與現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖1及圖2)相比，本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層32的覆蓋面積較小，在保證至少覆蓋第一導(dǎo)電層31上除過(guò)孔35之外的所有區(qū)域外，可根據(jù)實(shí)際情況選擇被第一絕緣層32覆蓋的基板30表面的部分區(qū)域，使第一絕緣層32的整體覆蓋面積減少，從而減少觸摸屏傳感器的總膜層厚度，提高觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率，同時(shí)可避免采用SiNx作為第一絕緣層時(shí)觸摸屏具有較深顏色的問(wèn)題。另外，與理論上透過(guò)率較高的電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖3及圖4)相比，本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，更有利于為第一導(dǎo)電層提供充分的保護(hù)，提高產(chǎn)品質(zhì)量，避免刻蝕第一絕緣層時(shí)將第一導(dǎo)電層刻蝕，降低了第一絕緣層32的刻蝕難度，使得本實(shí)用新型的電容式觸摸屏較易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，有利于提高產(chǎn)品合格率。本實(shí)用新型的第一絕緣層及第二絕緣層的材料可選用本領(lǐng)域常用的材料制作，優(yōu)選采用透明材料制作，如SiNx或SiO2等。另外，本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的第二導(dǎo)電層的形狀可為菱形(如圖5及圖6所示)，但第二導(dǎo)電層33的形狀并不僅限于菱形，還可為其他的形狀，如矩形、圓形、橢圓形、三角形等，可根據(jù)實(shí)際情況，選擇恰當(dāng)?shù)男螤?。本?shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的第二導(dǎo)電層材料可為本領(lǐng)域常用的材料，如氧化銦錫(ITO)等。本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)并不僅限于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層通過(guò)過(guò)孔中的第二導(dǎo)電層(如ΙΤ0)導(dǎo)通的搭橋結(jié)構(gòu)(圖5及圖6所示)，也可適用于其他SITO的搭橋結(jié)構(gòu)，如第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層通過(guò)過(guò)孔中的金屬導(dǎo)通的橋結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型進(jìn)一步提供一種電容式觸摸屏傳感器的制作方法，如圖7所示，方法包括以下步驟:步驟a,在基板30表面沉積第一導(dǎo)電層31,通過(guò)刻蝕形成第一導(dǎo)電層圖形(參見(jiàn)圖7中的Ia)；步驟b，在完成步驟a處理后的基板上沉積第一絕緣層32，通過(guò)刻蝕形成第一絕緣層圖形，刻蝕后的第一絕緣層32上形成有過(guò)孔35，且刻蝕后的第一絕緣層32至少覆蓋第一導(dǎo)電層32上除過(guò)孔35之外的所有區(qū)域，且覆蓋基板30的部分表面，并位于第一導(dǎo)電層31及基板30上(參見(jiàn)圖7中的Ib)；步驟C，在完成步驟b處理后的基板上沉積第二導(dǎo)電層33，通過(guò)刻蝕形成第二導(dǎo)電層圖形，刻蝕后的第二導(dǎo)電層33位于第一絕緣層32、第一導(dǎo)電層31及基板30上,第二導(dǎo)電層33與第一導(dǎo)電層31通過(guò)過(guò)孔35連通(參見(jiàn)圖7中的Ic);以及
步驟d，在完成步驟c處理后的基板30上沉積第二絕緣層34(參見(jiàn)圖7中的Id)。在上述步驟b中，可選用本領(lǐng)域常用的材料制作第一絕緣層，如SiNx或SiO2等。在上述步驟c中，刻蝕后的第二導(dǎo)電層33包括第二橫向?qū)щ妼?3A及第二縱向?qū)щ妼?3B，第二橫向?qū)щ妼?3A或第二縱向?qū)щ妼?3B通過(guò)過(guò)孔35與第一導(dǎo)電層31連通，圖7中僅示出第二縱向?qū)щ妼?3B直接導(dǎo)通，第二橫向?qū)щ妼?3A通過(guò)過(guò)孔35與第一導(dǎo)電層31連通的例子，也可設(shè)置為第二橫向?qū)щ妼?3A直接導(dǎo)通，第二縱向?qū)щ妼?3B通過(guò)過(guò)孔35與第一導(dǎo)電層31連通。第二導(dǎo)電層33經(jīng)刻蝕后的形狀可為菱形、矩形、圓形、橢圓形或三角形等，可根據(jù)實(shí)際情況，選擇恰當(dāng)?shù)男螤?，另外第二?dǎo)電層材料可為本領(lǐng)域常用的材料，如ITO等。在上述步驟d中，可選用本領(lǐng)域常用的材料制作第一絕緣層，如SiNx或SiO2等。上述步驟a_d中，可采用本領(lǐng)域常用的設(shè)備對(duì)各層材料進(jìn)行沉積及刻蝕，根據(jù)上述方法制作的電容式觸摸屏傳感器與本實(shí)用新型提供的電容式觸摸屏傳感器的組成及結(jié)構(gòu)完全相同，具體結(jié)構(gòu)可參照前述對(duì)本實(shí)用新型的電容式觸摸屏傳感器的描述，此處不再贅述。綜上，本實(shí)用新型通過(guò)將電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層的面積設(shè)置為至少覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋基板表面的部分區(qū)域，使得第一絕緣層的整體覆蓋面積減少，從而減少了觸摸屏傳感器的總膜層厚度，提高了觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率，避免采用SiNx作為第一絕緣層時(shí)觸摸屏具有較深顏色的問(wèn)題，同時(shí)使第一絕緣層的刻蝕難度降低，更容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，提高產(chǎn)品合格率，且能夠有效地保護(hù)第一導(dǎo)電層，從而有利于提聞廣品的質(zhì)量。以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，非用以限定本實(shí)用新型的專利范圍，其它運(yùn)用本實(shí)用新型的專利精神的等效變化，均涵蓋在本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容式觸摸屏傳感器，其特征在于，包括: 基板， 位于基板表面的第一導(dǎo)電層， 位于所述第一導(dǎo)電層及所述基板上的第一絕緣層， 位于所述第一絕緣層、所述第一導(dǎo)電層及所述基板上的第二導(dǎo)電層，以及 位于所述第二導(dǎo)電層及所述第一絕緣層上的第二絕緣層； 其中，所述第一絕緣層上設(shè)有過(guò)孔，所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連通，所述第一絕緣層設(shè)置為至少覆蓋所述第一導(dǎo)電層上除所述過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋部分基板表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏傳感器，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層包括第二橫向?qū)щ妼蛹暗诙v向?qū)щ妼?，所述第二橫向?qū)щ妼踊蛩龅诙v向?qū)щ妼油ㄟ^(guò)所述過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層 連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式觸摸屏傳感器，其特征在于，所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層的材料為SiNx或SiO2。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種電容式觸摸屏傳感器，所述電容式觸摸屏傳感器包括基板，位于基板表面的第一導(dǎo)電層，位于第一導(dǎo)電層及基板上的第一絕緣層，位于第一絕緣層、第一導(dǎo)電層及基板上的第二導(dǎo)電層，以及位于第二導(dǎo)電層及第一絕緣層上的第二絕緣層；其中，第一絕緣層上設(shè)有過(guò)孔，第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層通過(guò)過(guò)孔連通，第一絕緣層設(shè)置為至少覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋部分基板表面。本實(shí)用新型通過(guò)將第一絕緣層的面積設(shè)置為至少覆蓋第一導(dǎo)電層上除過(guò)孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋基板表面的部分區(qū)域，減少了第一絕緣層的整體覆蓋面積，提高了觸摸屏傳感器整體的透過(guò)率，同時(shí)降低了第一絕緣層的刻蝕工藝難度，有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，提高產(chǎn)品質(zhì)量及合格率。
文檔編號(hào)G06F3/044GK203133797SQ20132003659
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月23日
發(fā)明者劉紅娟, 王海生, 丁小梁, 趙衛(wèi)杰, 任濤, 吳俊緯 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司