觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，該觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括形成在基板一側的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號反饋層，在所述觸控信號反饋層上設置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側形成有觸控信號接收層。本實用新型實現(xiàn)了將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。
【專利說明】觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及觸控顯示【技術領域】，尤其涉及一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著科技的高速發(fā)展，電子類產品已發(fā)生了天翻地覆的變化，隨著近來觸控式電子類產品的問世，觸控產品已越來越多的受到人們的追捧，不但可節(jié)省空間，方便攜帶，而且用戶通過手指或者觸控筆等就可直接操作，使用舒適，非常便捷。例如，目前市場常見的個人數(shù)字處理(PDA)、觸控類手機、手提式筆記型電腦等等，都已加大對觸控技術的投入，所以觸控式裝置將來必在各個領域有更加廣泛的應用。
[0003]OLED (英文全稱為Organic Light-Emitting Diode,中文名稱為有機發(fā)光二極管)顯示屏，其顯示方式與傳統(tǒng)的IXD (英文全稱為Liquid Crystal Display,中文名稱為液晶顯示器)顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。因此，OLED的特性是自己發(fā)光，不像TFT (英文全稱為ThinFilm Transistor,中文名稱為薄膜場效應晶體管)_IXD需要背光，因此可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上反應快、重量輕、厚度薄，構造簡單，成本低等，被視為二十一世紀最具前途的產品之一。
[0004]觸控技術與OLED技術的結合必定促進顯示技術的發(fā)展，也是未來顯示發(fā)展的一種趨勢，現(xiàn)階段有機發(fā)光二極管顯示裝置觸控結構大多是將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示裝置顯示部分分開做，這樣增加了顯示器本身的重量和厚度，與有機發(fā)光二極管顯示裝置本省的優(yōu)勢輕、薄相悖。
[0005]因此，針對以上不足，本實用新型提供了一種觸控的有機發(fā)光二極管顯示裝置。實用新型內容
[0006](一)要解決的技術問題
[0007]本實用新型要解決的技術問題是提供一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，以解決現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示裝置大多是將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示裝置顯示部分分開做，增加了顯示器本身的重量和厚度，與有機發(fā)光二極管顯示裝置本省的優(yōu)勢輕、薄相悖的問題。
[0008](二)技術方案
[0009]為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號反饋層，在所述觸控信號反饋層上設置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側形成有觸控信號接收層。
[0010]進一步地，
[0011]所述薄膜晶體管上形成有保護層；[0012]在所述保護層上形成所述觸控信號反饋層；
[0013]在所述觸控信號反饋層上形成層間絕緣層；
[0014]在所述層間絕緣層上設有第一過孔，在所述保護層上設有第二過孔，所述陽極層形成于所述層間絕緣層上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
[0015]進一步地，所述發(fā)光基板包括依次形成于所述陽極層上的發(fā)光層和陰極層。
[0016]進一步地，所述陽極層的厚度為400A-700A。
[0017]進一步地，所述觸控信號接收層和觸控信號反饋層均由ITO制成。
[0018]進一步地，所述觸控信號接收層的厚度為400A-700A,所述觸控信號反饋層的厚度為 400A-700A。
[0019]進一步地，所述保護層的材料為SiOx或SiNx。
[0020](三)有益效果
[0021]本實用新型的上述技術方案具有如下優(yōu)點:
[0022]1、本實用新型的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號反饋層，在所述觸控信號反饋層上設置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側形成有觸控信號接收層。這樣將觸控信號反饋層設置于薄膜晶體管的內部，實現(xiàn)了將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，解決了需要將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分分開做的問題，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。
[0023]2、本實用新型的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其在基板的一側形成觸控信號接收層的圖形，在所述基板的另一側形成包括漏極的薄膜晶體管圖形，在所述薄膜晶體管上形成觸控信號反饋層的圖形，在所述觸控信號反饋層上形成包括陽極層的發(fā)光基板的圖形，所述陽極層與所述漏極連接。通過該方法使得觸控信號反饋層位于薄膜晶體管內，簡化了制作步驟，節(jié)約了制作成本，同時也減小了通過該方法制作的顯示裝置的厚度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1是本實用新型實施例一中第一次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0025]圖2是本實用新型實施例一中第二次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0026]圖3是本實用新型實施例一中第三次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0027]圖4是本實用新型實施例一中第四次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0028]圖5是本實用新型實施例一中第五次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0029]圖6是本實用新型實施例一中第六次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0030]圖7是本實用新型實施例一中第七次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0031]圖8是本實用新型實施例一中第八次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0032]圖9是本實用新型實施例一中第九次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0033]圖10是本實用新型實施例一中第十次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0034]圖11是本實用新型實施例一中第十一次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0035]圖12是本實用新型實施例一中第十二次光刻工藝完成后的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖；
[0036]圖13是本實用新型觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置簡化的截面示意圖；
[0037]圖14是本實用新型觸控電極正交條形圖形；
[0038]圖15是本實用新型實施例三的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的結構示意圖。
[0039]圖中:1:觸控信號接收層；2:基板；3:柵極；4:柵極絕緣層；5:有源層；6:阻擋層；71:源極；72:漏極；8:保護層；9:觸控信號反饋層；10:層間絕緣層；11:陽極層；12:發(fā)光層；13:陰極層；14:緩沖層；15:平坦層；A:薄膜晶體管；B:發(fā)光基板；C:外部總控制電路。
【具體實施方式】
[0040]下面結合附圖和實施例對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映本實用新型觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置的真實比例，目的只是示意說明本實用新型的內容。
[0041]實施例一
[0042]如圖1-13所示，本實用新型實施例一提供的一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其為底柵式結構。該觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置包括形成在基板2 —側的薄膜晶體管A，在所述薄膜晶體管A上形成有觸控信號反饋層9，在所述觸控信號反饋層9上設置發(fā)光基板B，所述發(fā)光基板B的陽極層11與所述薄膜晶體管A的漏極72連接，在所述基板2的另一側形成有觸控信號接收層I。
[0043]本實用新型的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置通過在基板2的一側形成觸控信號接受層1，在薄膜晶體管A上形成觸控信號反饋層9，發(fā)光基板B的陽極層11與薄膜晶體管A的漏極72連接，實現(xiàn)了將觸控信號反饋層11設置于薄膜晶體管A的內部，實現(xiàn)了將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，大大降低了顯示器本身的重量和厚度。
[0044]具體地，所述薄膜晶體管包括:形成在所述基板2上的柵極3 ;覆蓋在所述柵極3上并延伸至所述基板2上的柵極絕緣層4 ;在所述柵極絕緣層4上形成的并位于所述柵極2上方的有源層5 ;覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述柵極絕緣層4上的阻擋層6 ;在所述阻擋層6上形成有源極71及漏極72，所述源極71及漏極72與有源層5連接；在所述源極71及漏極72上形成的保護層8 ;在所述保護層8上形成所述觸控信號反饋層9 ;在所述觸控信號反饋層9上形成層間絕緣層10 ;在所述層間絕緣層10上設有第一過孔，在所述保護層8上設有第二過孔，所述陽極層11形成于所述層間絕緣層10上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管A的漏極72連接；在陽極層11上依次形成發(fā)光層和陰極層。
[0045]圖1-12為本實用新型的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置制作方法的示意圖，可進一步說明本實施例的技術方案，在以下說明中，本實用新型所稱的構圖工藝包括光刻膠涂覆、掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。
[0046]所述基板2可采用透明的無堿玻璃基板或者石英基板，或者采用將其他具有一定硬度的透明基板。
[0047]本實施例一的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置采用多次構圖工藝過程形成，所述多次構圖工藝的具體工藝流程如下:
[0048]步驟1，如圖1所示，在清洗好的基板2 —側濺射觸控信號接收層1，其由納米銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides，縮寫為ITO)制成，厚度可控制在400A-700A,在經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號接收層ITO圖形。
[0049]步驟2，如圖2所示，將步驟I制好的基板2翻轉過來，在清洗好的基板2的另一側上采用磁控派射或熱蒸發(fā)的方法形成柵極3,其材料可以選擇Mo或AlNd/Mo,厚度可控制在
2000A ~ 3000A,在經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成背板第一層柵極圖形。
[0050]步驟3，如圖3所示，在完成步驟2的基板2上沉積柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4覆蓋在所述柵極3上并延伸至所述基板2上，柵極絕緣層4采用材料SiOx或SiNx，厚度
可控制在4000A左右。
[0051]步驟4，如圖4所示，在完成步驟3的基板2上濺射形成有源層5，其由銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide,縮寫為IGZO)制成,派射厚度40nm?60nm,經過涂膠,曝光，顯影，濕刻，剝離，固化，完成有源層5的制作。
[0052]步驟5，如圖5所示，在步驟4的基板2上沉積阻擋層6，所述阻擋層6覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述柵極絕緣層4上，其材料可以是SiOx，厚度控制在1000A左右。
經過退火一小時。然后進行經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離，形成接觸過孔。
[0053]步驟6，如圖6所示，在步驟5的基板2上濺射源極71和漏極72，經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成源極71和漏極72的圖形；
[0054]源極71和漏極72的材料可以選擇Mo或AlNd/Mo，厚度控制在2000 A ~ 3000 A之間。
[0055]步驟7，如圖7所示，在步驟6的基板2上涂覆光刻膠制作保護層8，所述保護層的材料為SiOx或SiNx,然后曝光,顯影形成第二過孔。
[0056]步驟8，如圖8所示，在步驟7的基板2上濺射觸控信號反饋層9，其由ITO制成，厚度可控制在400A ~ 700人，在經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號反饋層圖形。
[0057]步驟9，如圖9所示，在步驟8的基板2上制作層間絕緣層10，
[0058]經過固化，顯影，曝光形成第一過孔。[0059]步驟10，如圖10所示，在步驟9的基板2上濺射陽極層11，厚度控制在400A ~ 700A左右。經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成ITO圖形。
[0060]步驟11，如圖11所示，在步驟10的基板2上蒸鍍發(fā)光層12。
[0061]步驟12，如圖12所示，在步驟11的基板2上蒸鍍陰極層13。
[0062]有機發(fā)光二極管顯示裝置制作的材料選擇有廣泛的靈活性，本實用新型的實施例不做要求。
[0063]在經過上述步驟后進行封裝，封裝后，器件的制作結束。然后再經過后續(xù)的電路接線，即可實現(xiàn)觸控顯示。
[0064]如圖13所示，觸控信號接收層I形成于基板2的一側，觸控信號反饋層9形成在薄膜晶體管A上，然后在薄膜晶體管A上再設置發(fā)光基板B，再通過外部總控制電路將觸控信號接收層I和觸控信號反饋層9連接，可以達到觸控顯示。
[0065]具體地工作原理，如圖14所示，給出了條形的觸控截面圖。其中，I為觸控信號接收層，可以接受X向的脈沖信號，9為觸控信號反饋層。當給其中一列觸控信號反饋層9上的觸控電極加上Y向的脈沖信號時，其他列接地，同時，對觸控信號接收層I上的感應電極逐行進行檢測，檢測完后電容改變的一個交叉點便可以確定出來，通過算法計算便可以得出在觸控屏上的哪個點被觸摸，通過外部總控制電路C在觸控屏上顯示，從而達到觸控目的。當手指接觸時，等效為電容改變，可以檢測電壓或者電荷；當然，所述觸控信號反饋層也可與所述觸控信號接收層互換；具體地說，所述觸控信號反饋層也可接受X向的脈沖信號，相應的在觸控信號接收層上的觸控電極加上Y向的脈沖信號；以此也可達到觸控目的。
[0066]通常用的設計圖形可以是條形圖形、菱形圖形和三角形圖形。其中菱形圖形比較常用，一般設計時要求圖形之間的連線避免過長，如果連線過長會使的線電阻過大，從而延長掃描時間。每行和每列的菱形應該是完整的，如果空間允許可以向外擴展些以增加邊緣的靈敏度。半菱形不能過多，在每行和每列的結束處使用半菱形，這樣可以避免行和列的感應面積不一樣，導致掃面檢測不一致。觸控圖形與外部總控制電路的連接用到金屬線可以是納米銀、Al、Cu等線電阻值小的金屬,長度可以控制在50-200um之間。
[0067]實施例二
[0068]如圖15所示，本實用新型實施例二提供的一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其為頂柵式結構。
[0069]其工作原理和實施例一相同，本實施例二的觸控式有機發(fā)光二極管顯不裝置包括:形成在基板2 —側的觸控信號接收層I ;形成在基板2的另一側的緩沖層14 ;形成在緩沖層14上的有源層5 ;覆蓋在所述有源層5上并延伸至緩沖層14上的柵極絕緣層4，在柵極絕緣層4上設有接觸過孔；形成在柵極絕緣層4上且位于有源層5上方的柵極3 ;覆蓋在所述柵極3上并延伸至柵極絕緣層4上的平坦層15，在層間絕緣層10上設有接觸過孔；形成在層間絕緣層10上的源極71和漏極72，所述源極71和漏極72通過接觸過孔與柵極5連接；覆蓋在源極71和漏極72上并延伸至層間絕緣層10上的保護層8 ;在保護層8上形成所述觸控信號反饋層9 ;在所述觸控信號反饋層9上形成層間絕緣層10 ;在所述層間絕緣層10上設有第一過孔，在所述保護層8上設有第二過孔，所述陽極層11形成于所述層間絕緣層10上，并通過所述第一過孔及第二過孔與漏極72連接；在陽極層11上依次形成發(fā)光層12和陰極層13。[0070]具體地制作方法工藝和實施例一類似，具體工藝流程如下:
[0071]步驟1，在清洗好的基板2的一側濺射觸控信號接收層1，由ITO制成，厚度可控制
在400A-700A，在經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號接收層ITO圖形。
[0072]步驟2，將步驟I制好的基板2翻轉過來，在清洗好的基板2的另一側濺射緩沖層14。
[0073]步驟3，在完成步驟2的基板2上部分濺射形成有源層5，濺射厚度40nm_60nm，經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離，固化，完成有源層IGZO的制作。
[0074]步驟4，在完成步驟3的基板2上沉積柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述緩沖層14上，其材料采用SiOx和SiNx，厚度可控制在4000A左右，經過固化，顯影，曝光形成接觸過孔。
[0075]步驟5，在完成步驟4的基板2上濺射柵極3，其材料可以選擇Mo或AlNd/Mo，厚度可控制在2000A ~ 3000A,在經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成背板第一層柵極圖形。
[0076]步驟6，在完成步驟5的基板2上制作平坦層15，所述層間絕緣層10覆蓋在柵極3上并延伸至所述柵極絕緣層4上，其經過固化，顯影，曝光形成ITO接觸過孔。
[0077]步驟7，在完成步驟6的基板2上濺射源極71和漏極72，經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成源極和漏極圖形。其可以選擇Mo或AlNd/Mo的材料，厚度控制在
2000 A ~ 3000 A 之間。
[0078]步驟8，在完成步驟7的基板2上涂覆光刻膠制作保護層8，所述保護層的材料為SiOx或SiNx,然后曝光,顯影形成第二過孔。
[0079]步驟9，在完成步驟8的基板2上濺射觸控信號反饋層9，由ITO制成，厚度可控制在400A ~ 700A,在經過涂膠，曝光，顯影，刻蝕，剝離完成觸控信號反饋層圖形。
[0080]步驟10，在完成步驟9的基板2上涂覆光刻膠制作層間絕緣層10，然后曝光，顯影形成第一過孔。
[0081]步驟11，在完成步驟10的基板2上濺射陽極層11，其厚度控制在400A ~ 700A左右。經過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成ITO圖形。
[0082]步驟12，在完成步驟11的基板2上蒸鍍發(fā)光層12。
[0083]步驟13，在完成步驟12的基板2上蒸鍍陰極層13。
[0084]在經過上述步驟后就可以進行封裝，封裝后，器件的制作結束。在經過后續(xù)的電路接線，可以實現(xiàn)觸控顯示。
[0085]另需要說明的是，本實用新型的薄膜晶體管可以是P型場效應晶體管或N型場效應晶體管。
[0086]綜上所述，本實用新型的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號反饋層，在所述觸控信號反饋層上設置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側形成有觸控信號接收層。這樣將觸控信號反饋層設置于薄膜晶體管的內部，實現(xiàn)了將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，解決了需要將觸控屏和有機發(fā)光二極管顯示部分分開做的問題，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。[0087] 以上所述僅是本實用新型的幾種優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本實用新型的保護范圍。
【權利要求】
1.一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括形成在基板一側的薄膜晶體管，其特征在于:在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號反饋層，在所述觸控信號反饋層上設置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側形成有觸控信號接收層。
2.根據(jù)權利要求1所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于: 所述薄膜晶體管上形成有保護層； 在所述保護層上形成所述觸控信號反饋層； 在所述觸控信號反饋層上形成層間絕緣層； 在所述層間絕緣層上設有第一過孔，在所述保護層上設有第二過孔，所述陽極層形成于所述層間絕緣層上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述發(fā)光基板包括依次形成于所述陽極層上的發(fā)光層和陰極層。
4.根據(jù)權利要求3所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述陽極層的厚度為400A-700A。
5.根據(jù)權利要求3所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述觸控信號接收層和觸控信號反饋層均由ITO制成。
6.根據(jù)權利要求5所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述觸控信號接收層的厚度為400A-700A，所述觸控信號反饋層的厚度為400A-700A。
7.根據(jù)權利要求2所述的觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述保護層的材料為SiOx或SiNx。
【文檔編號】G06F3/041GK203445126SQ201320604037
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權日:2013年9月27日
【發(fā)明者】張文林, 曹占鋒, 孫雙 申請人:京東方科技集團股份有限公司