卡、卡的制造方法
【專利摘要】提供能夠提高外觀品質(zhì)的卡、卡的制造方法?？?1)具備：模塊基板(30)；下層(10)和上層(50)，具有大于模塊基板(30)的外形的外形，配置于模塊基板(30)的上下；以及厚度調(diào)整層(11、51)，在下層(10)和上層(50)之間，設(shè)置于比模塊基板(30)的外形更靠外側(cè)的基板外側(cè)區(qū)域(S1)，通過印刷設(shè)置于形成該卡(1)的層中的至少一層，用于調(diào)整基板外側(cè)區(qū)域(S1)處的厚度。
【專利說明】卡、卡的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種在內(nèi)部具備基板的卡、卡的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中存在一種1C卡，將天線基板用上下鐵芯片夾住，進(jìn)行加熱以及加壓， 將鐵芯片的大于天線基板的外側(cè)區(qū)域熱熔敷，將天線基板封入內(nèi)部（例如專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 然而，該外側(cè)區(qū)域的厚度比天線基板層疊的區(qū)域的厚度薄相當(dāng)于天線基板的厚 度。因此，外側(cè)區(qū)域有時在上下的鐵芯片之間形成間隙，加熱、加壓不充分，在卡表面形成傷 痕之類的的凹陷，或者出現(xiàn)天線外周部的痕跡，存在外觀上出現(xiàn)問題的情況。而且，為了解 決上述問題，需要長時間進(jìn)行擠壓，成為生產(chǎn)效率降低的原因。
[0004] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利特開2007-272806號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0008] 本發(fā)明的課題是提供能夠提高外觀品質(zhì)的卡、卡的制造方法。
[0009] 解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0010] 本發(fā)明通過以下這樣的解決方法解決問題。此外，為了容易理解，標(biāo)記對應(yīng)于本發(fā) 明的實施方式的符號進(jìn)行說明，但并不限定于此。另外，標(biāo)記符號進(jìn)行說明的構(gòu)成可以適當(dāng) 改良，而且，可以將至少一部分替代為其他的構(gòu)成物。
[0011] 第一發(fā)明是一種卡，通過擠壓使層間接合而形成，其特征在于，具備：基板（30、 230、330、430、530、630、730);具有大于所述基板的外形的外形，且配置于所述基板的上側(cè) 和下側(cè)的上層（50、250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和下層（10、210、310、 410、510、610、810、910、1010、1110);以及厚度調(diào)整層（11、51、211、251、311、351、411、451、 551、651、751、811、851)，在所述上層和所述下層之間，設(shè)置于比所述基板的外形更靠外側(cè) 的基板外側(cè)區(qū)域（SI、S201、S301、S401、S501、S601、S701、S801、S901、S1001、S1101)，通過 印刷設(shè)置于形成該卡的層中的至少一層，用于調(diào)整所述基板外側(cè)區(qū)域處的厚度。
[0012] 第2發(fā)明的卡，其特征在于，在第1發(fā)明的卡中，在從法線方向觀察卡表面時，所述 厚度調(diào)整層（11、51、211、251、311、351、411、451、、511、551、651、811、851)除設(shè)置于所述基 板外側(cè)區(qū)域（SI、S201、S301、S401、S501、S601、S801、S901、S1001、S1101)之外，至少一部 分還設(shè)置于與所述基板重疊的區(qū)域（S2、S202、S302、S402、S502、S602、S802、S902、S1002、 S1102)。
[0013] 第3發(fā)明的卡，其特征在于，在第1或者第2發(fā)明的卡中，在擠壓時，所述厚度調(diào)整 層（11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851)是使擠壓板與上層和下層 貼緊的厚度。
[0014] 第4發(fā)明的卡，其特征在于，在第1至第3的任一發(fā)明的卡中，所述基板（30、230、 430、530、630、730)安裝有電子部件（32、232、432、532、632、732)，所述卡還具備：配置于所 述上層（50、250、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和所述下層（10、210、410、510、 610、710、810、910、1010、1110)之間，并具有所述電子部件退避的貫通孔（20a、40a、240a) 或者切口，外形與所述上層和所述下層的大小相同的間隔片（20、40、240、420、440、520、 540、620、640、720、740)。
[0015] 第5發(fā)明的卡，其特征在于，在第4發(fā)明的卡中，所述厚度調(diào)整層（411、451、651、 811、851)設(shè)置于所述間隔片（420、440、640、20、40)上。
[0016] 第6發(fā)明的卡，其特征在于，在第1至第5的任一發(fā)明的卡中，所述厚度調(diào)整層 (11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851)設(shè)置于設(shè)置有所述厚度調(diào)整層 的所述層（10、50、210、250、310、350、420、440、550、640、750、20、40)的整個周邊。
[0017] 第7發(fā)明的卡的制造方法，其特征在于，是第1至第6的任一發(fā)明的卡的制造方 法，具備：將所述基板（30、230、330、430、530、630、730)以及各層層疊的層疊工序（#1);以 及用擠壓板（81、82)從上下夾住通過所述層疊工序?qū)盈B的狀態(tài)的所述上層（50、150、250、 350、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和所述下層（10、110、210、310、410、510、610、 710)而使擠壓板與上層和下層貼緊并進(jìn)行擠壓的擠壓工序（#2)。
[0018] 第8發(fā)明的卡的制造方法，其特征在于，在第7發(fā)明的卡的制造方法中，所述基板 (30、230、430、530、630、730)安裝有電子部件（32、232、432、532、632、732)，所述擠壓工序 (#2)具備：加熱工序（#2a)，該加熱工序?qū)⑺鲭娮硬考纸拥牡纸訉樱?0、250、450、550、 650、750)以及所述基板中所述電子部件的安裝區(qū)域（10、210、410、510、610、710)抵接的抵 接層中的至少一個加熱至軟化；以及電子部件埋入工序（#2b)，在通過所述加熱工序使所 述抵接層軟化的狀態(tài)下，通過逐漸加壓，將所述電子部件埋入所述抵接層。
[0019] 第9發(fā)明的卡的制造方法，其特征在于，在第5或者第6發(fā)明的卡的制造方法中， 通過拼版（多面付汁）制造所述卡（1、201、301、401、501、601、701)。
[0020] 發(fā)明效果
[0021] 根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種能夠提高外觀品質(zhì)的卡、卡的制造方法。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022] 圖1是第1實施方式的卡1的俯視圖、截面圖。
[0023] 圖2是說明第1實施方式的卡1的拼版的形態(tài)的俯視圖。
[0024] 圖3是說明第1實施方式的卡1的制造工序的截面圖。
[0025] 圖4是說明第1實施方式的卡1的制造工序的截面圖。
[0026] 圖5是說明第1實施方式的卡1的制造工序的截面圖。
[0027] 圖6是示出第1實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0028] 圖7是說明比較例的卡101的制造工序的截面圖。
[0029] 圖8是第2實施方式的卡201的層構(gòu)成的說明圖。
[0030] 圖9是第2實施方式的卡201的制造工序的說明圖。
[0031] 圖10是第3實施方式的卡301的層構(gòu)成、制造工序的說明圖。
[0032] 圖11是第4實施方式的卡401的層構(gòu)成的說明圖。
[0033] 圖12是第5實施方式的卡501的層構(gòu)成的說明圖。
[0034] 圖13是第6實施方式的卡601的層構(gòu)成的說明圖。
[0035] 圖14是第7實施方式的卡701的層構(gòu)成的說明圖。
[0036] 圖15是第8實施方式的卡801的層構(gòu)成的說明圖。
[0037] 圖16是說明第8實施方式的卡801的下間隔片材料20A的俯視圖。
[0038] 圖17是示出第8實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0039] 圖18是第9實施方式的卡901的層構(gòu)成的說明圖。
[0040] 圖19是第10實施方式的卡1001的層構(gòu)成的說明圖。
[0041] 圖20是示出第10實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0042] 圖21是第11實施方式的卡1101的層構(gòu)成的說明圖。
【具體實施方式】
[0043] (第1實施方式）
[0044] 以下參照附圖等對本發(fā)明的第1實施方式進(jìn)行說明。
[0045] 圖1是第1實施方式的卡1的俯視圖、截面圖。
[0046] 圖1 (a)是卡1的俯視圖。
[0047] 圖1(b)是說明卡1的層構(gòu)成的截面圖（圖1(a)的b-b截面圖），示出將各層接合 之前的狀態(tài)。
[0048] 在實施方式以及附圖中，以卡表面的法線方向為上下方向Z并觀察卡表面等的附 圖稱為俯視圖。另外，以俯視圖中的卡1的長邊方向為左右方向X，以短邊方向為縱方向Y。 將俯視圖中的形狀稱為適當(dāng)俯視形狀。
[0049] 此外，在各附圖中，為了明確地圖示上下方向Z(厚度方向）等的構(gòu)成等，適當(dāng)夸張 其大小。并且，在俯視圖中，為了明確內(nèi)部構(gòu)成，圖示出透過內(nèi)部部件的狀態(tài)。
[0050] 卡1是厚度為0. 3mm左右的薄型1C卡，例如是預(yù)付卡。
[0051] 卡1從下側(cè)Z1開始依次層疊下層10、下間隔片20、模塊基板30 (基板）、上間隔片 40、上層50。
[0052] 下層10、下間隔片20、上間隔片40、上層50的平面形狀為相同大小的長方形，與卡 外形la-致。下間隔片20、上間隔片40為相同部件（相同材料、相同形狀）。
[0053] 模塊基板30的平面形狀為比上述部件小一圈的長方形。模塊基板30層疊在下間 隔片20以及上間隔片40之間，使得比外形更靠外側(cè)處具有幾乎均勻幅度的基板外側(cè)區(qū)域 S1。
[0054] 各層之間通過熱擠壓接合。各層的材質(zhì)、厚度如下所示。
[0055] 下層 10 :PET-G、80 μ m
[0056] 下間隔片20以及上間隔片40 :PET-G、40 μ m
[0057] 模塊基板 30 :ΡΕΤ、45 μ m
[0058] 上層 50 :PET_G、80 μ m
[0059] 此外，各層不是單一的片材，可以將多片層疊而構(gòu)成。
[0060] 在下層10的下面實施與卡1相關(guān)的印刷（未圖示）。
[0061] 下層10具備厚度調(diào)整層11。
[0062] 厚度調(diào)整層11是通過絲網(wǎng)印刷而在下層10上表面的邊緣部整個周邊形成的印刷 層。在俯視圖中，厚度調(diào)整層11的印刷范圍是從卡外形la至模塊基板30的內(nèi)側(cè)的區(qū)域。 艮P，厚度調(diào)整層11的印刷范圍是基板外側(cè)區(qū)域S1、以及基板外側(cè)區(qū)域S1的內(nèi)側(cè)的下層10 以及模塊基板30重疊的重疊區(qū)域S2。
[0063] 下間隔片20具備孔部20a。
[0064] 孔部20a是在上下方向Z貫通下間隔片20的貫通孔。在熱擠壓時，孔部20a減輕 對1C芯片32施加的壓力，抑制1C芯片32破損?？撞?0a設(shè)置于與1C芯片32 (后述）相 對應(yīng)的區(qū)域。
[0065] 模塊基板30具備1C芯片32等電子部件、天線線圈33。
[0066] 1C芯片32是半導(dǎo)體集成電路元件，存儲有余額、識別信息等。1C芯片32與外部 的讀寫部（未圖示）通信，進(jìn)行余額的改寫等。1C芯片32的厚度為120 μ m。1C芯片32安 裝在模塊基板30的上表面。1C芯片32通過金凸塊等與模塊基板30的天線線圈33機(jī)械地 電連接。
[0067] 天線線圈33是1C芯片32與外部的讀寫部（未圖示）進(jìn)行通信的環(huán)式線圈的天 線。天線線圈33是在模塊基板30上表面形成的導(dǎo)體，通過蝕刻法等方法形成。天線線圈 33在將卡1放在讀寫部時通過讀寫部形成的磁場產(chǎn)生電流，向1C芯片32供電。由此，1C 芯片32與讀寫部之間通過非接觸進(jìn)行信息的收發(fā)。
[0068] 上間隔片40具有與下間隔片20的孔部20a相同的孔部40a。
[0069] 在上層50上表面與下層10下表面同樣印刷有與卡1相關(guān)的信息。
[0070] 上層50具備厚度調(diào)整層51。
[0071] 厚度調(diào)整層51是在上層50下表面通過絲網(wǎng)印刷形成的印刷層。
[0072] 厚度調(diào)整層51與下層10的厚度調(diào)整層11同樣，在俯視圖中設(shè)置于基板外側(cè)區(qū)域 S1、重疊區(qū)域S2。
[0073] 如后所述，厚度調(diào)整層11、51在卡1的制造時間縮短、外觀提高方面具有效果。
[0074] 接著，對卡1的制造工序進(jìn)行說明。
[0075] 圖2是說明第1實施方式的卡1的拼版的方式的俯視圖。
[0076] 圖3、圖4、圖5是說明第1實施方式的卡1的制造工序的截面圖。
[0077] 圖6是示出第1實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0078] 如圖2所示，卡1使用大于卡外形la的片狀下層10、下間隔片20、上間隔片40、上 層50,通過拼版制造而成。
[0079] 各厚度調(diào)整層11、51的印刷范圍大于卡外形la。這是為了減輕厚度調(diào)整層11、51 的印刷的定位精度，提高生產(chǎn)效率。
[0080] 在以下說明中，為了簡略說明，對制造卡1單體的方式進(jìn)行說明。
[0081] 操作者或者熱擠壓機(jī)按照以下工序進(jìn)行卡1的制造。
[0082] (層疊工序#1)
[0083] 如圖3(a)所示，在熱擠壓板81上依次層疊下層10、下間隔片20、模塊基板30、上 間隔片40、上層50,形成層疊體2。
[0084] (熱擠壓工序#2)
[0085] 如圖3(a)所示，熱擠壓工序#2利用熱擠壓板81、82夾住層疊體2,具備以下順序 的工序。
[0086] 熱擠壓板81、82的溫度通過熱擠壓工序#2維持在120°C?150°C (參照圖6)。
[0087](低壓加熱工序#2a)
[0088] 如圖3(a)所示，利用熱擠壓板81、82以低壓Pl(參照圖6)對下層10、上層50加 壓并加熱使其軟化。
[0089] 該低壓P1維持下層10以及熱擠壓板81的面接觸、上層50以及熱擠壓板82的面 接觸，是可以向下層10、上層50傳遞熱擠壓板81、82的熱即可的程度的壓力。低壓P1設(shè)定 在 10mN/cm2 ?30mN/cm2 之間。
[0090] (壓力增加工序#2b (電子部件埋入工序））
[0091] 如圖6所示，從低壓P1到高壓P2逐漸增加熱擠壓板81、82的擠壓壓力。高壓P2 設(shè)定在100mN/cm2?300N/cm2之間。
[0092] 如圖3(b)所示，在壓力增加工序#2b中，在低壓加熱工序#2a中已經(jīng)軟化的下層 10 (抵接層）上表面中的與安裝有模塊基板30的1C芯片32的區(qū)域抵接的部分發(fā)生變形。 同樣，上層50 (抵接層）下表面中的與1C芯片32抵接的部分發(fā)生變形。由此，1C芯片32 被埋入下層10、上層50。
[0093] 此外，在本實施方式中，抵接層并不限定于電子部件1C芯片32本身抵接的上層 50,還包含模塊基板30中1C芯片32的安裝區(qū)域抵接的下層10。
[0094] 原本存在于下層10、上層50的埋入1C芯片32的部分的材料10a、50a被1C芯片 32擠出，分別被收容到下間隔片20、上間隔片40的孔部20a、40a，。
[0095] 由此，能夠降低在成為卡表面的下層10下表面、上層50上表面中1C芯片32周圍 的形變而提高平坦性，從而能夠改善卡1的外觀。而且，由于能夠提高下層10下表面、上層 50上表面的平坦性，因此在后面的加壓工序中，能夠抑制壓力集中在1C芯片32,從而能夠 抑制1C芯片32的破損。
[0096] (高壓維持工序#2c)
[0097] 如圖6所示，高壓維持工序#2c是將熱擠壓板81、82的溫度維持為135°C、且維持 高壓P2的狀態(tài)的維持加熱高壓的工序。
[0098] 在高壓維持工序#2c中，各層間的狀態(tài)變化如下。
[0099] (1)如圖3(b)所示，如果1C芯片32被進(jìn)一步埋入，則在重疊區(qū)域S2各層間的間 隔縮小，各層抵接。即，在重疊區(qū)域S2,下層10、厚度調(diào)整層11、下間隔片20、模塊基板30、 上間隔片40、厚度調(diào)整層51、上層50抵接。此外，在該狀態(tài)下，由于下間隔片20以及上間 隔片40之間的間隙d等于|旲塊基板30的厚度，因此為45 μ m。
[0100] 此外，這些層抵接可以不是在高壓維持工序#2c內(nèi)，也可以是在上述壓力增加工 序#2b內(nèi)、在低壓加熱工序#2a內(nèi)。是在將擠壓壓力增加至高壓P2的過程中抵接還是在高 壓P2之后抵接，根據(jù)條件等而不同。
[0101] ⑵如圖4(c)所示，間隙d逐漸縮小?？梢钥紤]這是因為由于在卡外形la附近， 熱擠壓板81、82開始撓曲，因此下層10、下間隔片20開始向上側(cè)Z2撓曲，上間隔片40、上 層50開始向下側(cè)Z1撓曲。
[0102] (3)如圖4 (d)所示，間隙d變?yōu)?,下間隔片20以及上間隔片40的外部邊緣抵接。
[0103] (4)如圖5(e)所示，從基板外側(cè)區(qū)域S1的外部邊緣開始熱熔敷。
[0104] 在基板外側(cè)區(qū)域S1、重疊區(qū)域S2如下所示各層被熱熔敷。
[0105] 下間隔片20以及上間隔片40 (PET-G)熱熔敷的配合性良好，被牢固地接合。
[0106] 下層10以及下間隔片20間隔著厚度調(diào)整層11接合。即，厚度調(diào)整層11使用與 下層10以及下間隔片20 (PET-G)熱熔敷的配合性好的涂料。厚度調(diào)整層11通過加壓被壓 縮，被埋入下層10以及下間隔片20。
[0107] 上層50以及上間隔片40與下層10以及下間隔片20同樣，間隔著厚度調(diào)整層51 接合。
[0108] 此外，模塊基板30 (PET)與下間隔片20以及上間隔片40 (PET-G)的熱熔敷的配合 性差。因此，卡1構(gòu)成為通過接合基板外側(cè)區(qū)域S1的下間隔片20以及上間隔片40,將模塊 基板30密封并保持在下間隔片20以及上間隔片40之間。
[0109] (5)如圖5(f)所示，如果繼續(xù)高壓P2的擠壓，則在基板外側(cè)區(qū)域S1，各層的接合 面積增加，基板外側(cè)區(qū)域S1的大部分的區(qū)域被接合。
[0110] 上述⑴?（5)中的重疊區(qū)域S2、基板外側(cè)區(qū)域S1中的壓力狀態(tài)、厚度調(diào)整層11、 51的作用如下所示。
[0111] (重疊區(qū)域S2的加壓狀態(tài)）
[0112] 除了設(shè)置有1C芯片32的區(qū)域以外，具有厚度調(diào)整層11、51的重疊區(qū)域S2最厚。 因此，重疊區(qū)域S2最容易被施加壓力。
[0113] (基板外側(cè)區(qū)域S1的加壓狀態(tài)）
[0114] 基板外側(cè)區(qū)域S1由于與重疊區(qū)域S2鄰接，因此成為容易被施加熱擠壓板81、82 的壓力的狀態(tài)。因此，熱擠壓板81、82能夠穩(wěn)定地使下層50、上層50變形，使間隙d消失。 并且，由于通過厚度調(diào)整層11、51，厚度增加，因此下間隔片20、上間隔片40在間隙d變?yōu)?0后，穩(wěn)定地接觸而提高表面壓力。由此，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S1的各層間的加壓、加熱 的作用。
[0115] (冷卻工序#3)
[0116] 如圖6所示，高壓維持工序#2c結(jié)束后，將熱擠壓板81、82的壓力維持為高壓P2， 并停止熱擠壓板81、82的加熱，冷卻層疊體2。
[0117] 如圖6所示，熱擠壓工序#2、冷卻工序#3的時間如下所示。
[0118] 低壓加熱工序#2a (加熱工序）：60秒
[0119] 壓力增加工序#2b (電子部件壓力增加工序）：30秒
[0120] 高壓維持工序#2c :90秒
[0121] 冷卻工序#3 :180秒（3分鐘）
[0122] 合計6分鐘
[0123] (卡切斷工序#4)
[0124] 從熱擠壓板81、82之間取出層疊體2,切斷為各個片。由此，制造卡1。
[0125] (與比較例的制造時間、外觀的比較）
[0126] 關(guān)于卡的制造時間、外觀，制作比較例的卡101，與第1實施方式的卡1進(jìn)行比較。 比較例的卡101中，對實現(xiàn)與第1實施方式的卡1同樣的功能的部分標(biāo)記相同的符號或者 在末尾標(biāo)記相同的符號，并適當(dāng)省略重復(fù)的說明。
[0127] 圖7是說明比較例的卡101的制造工序的截面圖。
[0128] 圖7(a)是與圖3(b)相對應(yīng)的圖。
[0129] 圖7(b)是與圖4(c)相對應(yīng)的圖。
[0130] 圖7(c)是與圖4(d)相對應(yīng)的圖。
[0131] 圖7(d)是與圖5(f)相對應(yīng)的圖。
[0132] 如圖7 (a)所示，比較例的卡101在下層110、上層150未設(shè)置厚度調(diào)整層。除此之 外的構(gòu)成與第1實施方式同樣。制造工序調(diào)整熱擠壓工序#2、冷卻工序#3的時間，使得不 發(fā)生外觀不良。
[0133] (制造時間）
[0134] 比較例的卡101的制造時間如下所示。
[0135] 低壓加熱工序：180秒
[0136] 壓力增加工序：30秒
[0137] 高壓維持工序：240秒
[0138] 冷卻工序：7分30秒
[0139] 合計：15分鐘
[0140] 此外，擠壓壓力設(shè)定為低壓20N/cm2、高壓160N/cm2。
[0141] 比較例的卡101的制造時間與第1實施方式的制造時間6分鐘相比較，大幅度延 長。
[0142] (關(guān)于外觀）
[0143] 如圖7(d)所示，比較例的卡101存在作為卡表面的下層110下表面、上層150上 表面產(chǎn)生傷痕狀的凹陷C的情況。
[0144] 與此相對，第1實施方式的卡1不存在下層10下表面、上層50上表面產(chǎn)生凹陷的 情況。
[0145] 這樣，比較例的卡101的制造時間、外觀比第1實施方式的卡1差。其理由考慮如 下。
[0146] 比較例的卡101由于不具備厚度調(diào)整層，因此在基板外側(cè)區(qū)域S101，比第1實施方 式不易施加來自熱擠壓板81、82的壓力。因此，在熱擠壓時，在基板外側(cè)區(qū)域S101，熱擠壓 板81、82不易撓曲，使下層110、下間隔片120、上間隔片140、上層150撓曲的作用小于第1 實施方式。
[0147] 因此，在圖7(b)、圖7(c)所示的工序中，至下間隔片120、上間隔片140抵接的時 間比第1實施方式長。并且，在下間隔片120、上間隔片140抵接之后同樣，在基板外側(cè)區(qū)域 S101，下層110、下間隔片120、上間隔片140、上層150之間不易被施加壓力，用于使這些層 之間熱熔敷的時間延長。
[0148] 而且，在基板外側(cè)區(qū)域S101，起因于來自熱擠壓板81、82的壓力降低以及熱擠壓 板81、82難以撓曲，熱擠壓板81以及下層110之間容易產(chǎn)生間隙，而且，熱擠壓板82以及 上層150之間容易產(chǎn)生間隙C2(參照圖7(c))。在產(chǎn)生該間隙C2且在下層110下表面、上 層150上表面產(chǎn)生熱收縮的情況下，伴隨著熱收縮的形變（凹陷C)呈現(xiàn)為線狀的傷痕。并 且，為了抑制發(fā)生該形變，必須緩慢加熱下層110、上層150,工序時間延長。
[0149] 另一方面，第1實施方式的卡1由于具備厚度調(diào)整層11、51，因此形成容易被施加 來自熱擠壓板81、82的壓力的狀態(tài)，能夠在某種程度上維持從熱擠壓板81對下層10的加 壓，而且，能夠在某種程度上維持從熱擠壓板82對上層50的加壓。因此，能夠維持熱擠壓 板81以及下層10之間的貼緊，并且，能夠維持熱擠壓板82以及上層50之間的貼緊。由此， 卡1即使在急劇加熱下層10下表面、上層50上表面，發(fā)生熱收縮的情況下，也能夠抑制產(chǎn) 生凹陷，并且能夠消減工序時間。
[0150] 在此，由于第1實施方式的厚度調(diào)整層11、51分別為厚度5μπι?7μπι，因此合計 為ΙΟμπι?Hum左右。因此，間隙d的45mm即使考慮各厚度調(diào)整層11、51的厚度，仍然 具有30 μ m以上的間隙。但是，通過與比較例的加工時間、外觀的比較，已經(jīng)確認(rèn)即使厚度 調(diào)整層11、51的厚度為合計ΙΟμπι?14μπι左右，也能夠在制造時間的縮短、外觀提高方面 具有充分的效果。
[0151] 如以上說明所示，本實施方式的卡1由于能夠消減外觀不良并縮短制造時間，因 此能夠提高生產(chǎn)效率。
[0152] 而且，卡1由于厚度調(diào)整層11、51與|旲塊基板30重置，因此能夠進(jìn)一步提商在基 板外側(cè)區(qū)域S1的表面壓力，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。
[0153] (第2實施方式）
[0154] 接著，對本發(fā)明的第2實施方式進(jìn)行說明。
[0155] 在以下的實施方式的說明以及附圖中，對實現(xiàn)與上述的第1實施方式同樣的功能 的部分標(biāo)記相同的符號或者在末尾標(biāo)記相同的符號，并適當(dāng)省略重復(fù)說明。
[0156] 圖8是第2實施方式的卡201的層構(gòu)成的說明圖。
[0157] 圖9是第2實施方式的卡201的制造工序的說明圖。
[0158] 圖9(a)是與圖4(c)相對應(yīng)的圖。
[0159] 圖9(b)是與圖4(d)相對應(yīng)的圖。
[0160] 圖9(c)是與圖5(f)相對應(yīng)的圖。
[0161] 如圖8所示，由于1C芯片232的厚度比第1實施方式薄，因此卡201不具備上間 隔片。
[0162] 如圖9(a)所示，通過高壓維持工序，層疊體202被熱擠壓板81、82夾住。
[0163] 如圖9(b)、圖9(c)所示，從基板外側(cè)區(qū)域S201的外周偵彳，下層210以及上間隔片 240通過厚度調(diào)整層211進(jìn)行熱熔敷，并且，上間隔片240以及上層250通過厚度調(diào)整層251 進(jìn)行熱熔敷。
[0164] 此時，層疊體202與第1實施方式同樣形成容易被施加來自熱擠壓板81、82的壓 力的狀態(tài)，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S201中的各層間的表面壓力。
[0165] 由此，卡201與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。
[0166] (第3實施方式）
[0167] 接著，對本發(fā)明的第3實施方式進(jìn)行說明。
[0168] 圖10是第3實施方式的卡301的層構(gòu)成、制造工序的說明圖。
[0169] 如圖10(a)所示，模塊基板330僅安裝有配線圖案333和薄的電子部件（未圖示）， 沒有安裝1C芯片這樣的厚的電子部件。因此，卡301不需要上間隔片、下間隔片，下層310 以及上層350在模塊基板330上直接層疊。
[0170] 即使在該情況下，卡301通過厚度調(diào)整層311、351的作用，在基板外側(cè)區(qū)域S301 也能夠提高下層310以及上層350之間的表面壓力。
[0171] 由此，本實施方式的卡301與第1實施方式同樣能夠提高生產(chǎn)效率。
[0172] (第4實施方式）
[0173] 圖11是第4實施方式的卡401的層構(gòu)成的說明圖。
[0174] 卡401在下間隔片420上表面、上間隔片440下表面通過絲網(wǎng)印刷分別形成厚度 調(diào)整層411、451。
[0175] 即使是這樣的構(gòu)成，卡401與第一實施方式同樣，也形成容易被施加來自熱擠壓 板81、82的壓力的狀態(tài)，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S401中的各層間的表面壓力。
[0176] 由此，卡401與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。并且，根據(jù)生產(chǎn)工序的情 況，能夠在下間隔片420、上間隔片440設(shè)置絲網(wǎng)印刷的工序。
[0177] (第5實施方式）
[0178] 圖12是第5實施方式的卡501的層構(gòu)成的說明圖。
[0179] 卡501僅在上層550下表面具備厚度調(diào)整層551。
[0180] 厚度調(diào)整層551是將第1實施方式的厚度調(diào)整層11、51相加后的厚度。
[0181] 即使是這樣的構(gòu)成，卡501也與第1實施方式同樣，形成容易被施加來自熱擠壓板 81、82的壓力的狀態(tài)，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S501中的各層間的表面壓力。
[0182] 由此，卡501與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。并且，由于印刷工序減少， 因此能夠進(jìn)一步提商生廣效率。
[0183] (第6實施方式）
[0184] 圖13是第6實施方式的卡601的層構(gòu)成的說明圖。
[0185] 卡601僅在上間隔片640上表面具備厚度調(diào)整層651。
[0186] 厚度調(diào)整層651是將第1實施方式的厚度調(diào)整層11、51相加后的厚度。
[0187] 即使是這樣的構(gòu)成，卡601也與第1實施方式同樣，形成容易被施加來自熱擠壓板 81、82的壓力的狀態(tài)，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S601中的各層間的表面壓力。
[0188] 由此，卡601與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。另外，由于印刷工序減少， 因此能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，并且能夠根據(jù)生產(chǎn)工序的情況，設(shè)置絲網(wǎng)印刷的工序。
[0189] (第7實施方式）
[0190] 圖14是第7實施方式的卡701的層構(gòu)成的說明圖。
[0191] 卡701僅在上層750下表面具備厚度調(diào)整層751。
[0192] 厚度調(diào)整層751僅設(shè)置于基板外側(cè)區(qū)域S701。厚度調(diào)整層751是將第1實施方式 的厚度調(diào)整層11、51相加后的厚度。
[0193] 即使是這樣的構(gòu)成，卡701也與第1實施方式同樣，能夠提高基板外側(cè)區(qū)域S701 中的各層間的表面壓力，能夠改善外觀、縮短制造時間。此外，該效果通過試作已經(jīng)確認(rèn)。
[0194] 由此，卡701與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。并且，由于印刷工序減少， 因此能夠進(jìn)一步提商生廣效率。
[0195] (第8實施方式）
[0196] 圖15是第8實施方式的卡801的層構(gòu)成的說明圖。
[0197] 卡801僅變更了第1實施方式的厚度調(diào)整層811、851的配置。各層的厚度與第1 實施方式同樣。
[0198] 厚度調(diào)整層811通過絲網(wǎng)印刷設(shè)置在下間隔片20下表面。
[0199] 同樣，厚度調(diào)整層851設(shè)置于上間隔片40上表面。此外，考慮到量產(chǎn)等，厚度調(diào)整 層811、851的厚度設(shè)定為5μπι?ΙΟμπι，與第1實施方式相比較，增大了厚度的公差。
[0200] 在卡801的情況下，根據(jù)厚度調(diào)整層811、851的作用，在基板外側(cè)區(qū)域S801也能 夠提高各層間的表面壓力。
[0201] 由此，本實施方式的卡801與第1實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。
[0202] 圖16是說明第8實施方式的卡801的下間隔片材20Α的俯視圖。
[0203] 下間隔片材20Α是用于以拼版制造卡801而使用的片材。下間隔片材20Α是下間 隔片20層疊前的片狀態(tài)。
[0204] 厚度調(diào)整層811以圖中陰影線示出。
[0205] 虛線表示卡外形801a以及基板外形30a。
[0206] 雖然省略了說明，但上間隔片40也使用與下間隔片材20A同樣的上間隔片材。
[0207] 圖17是示出第8實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0208] 在第8實施方式中，從第1實施方式將各工序的時間變更如下。
[0209] 低壓加熱工序#2a :60秒（第1實施方式）一100秒
[0210] 壓力增加工序#2b :30秒（與第1實施方式相同）
[0211] 高壓維持工序#2c :90秒（第1實施方式）一120秒
[0212] 冷卻工序#3:180秒（第1實施方式）一300秒
[0213] 合計9分10秒（55〇秒）
[0214] 此外，壓力、擠壓板溫度在相同的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。
[0215] 使低壓加熱工序#2a長于第1實施方式的理由是為了進(jìn)一步可靠地使下層10、上 層50加熱并軟化，在1C芯片32被埋入下層10、上層50的情況下降低1C芯片32承受的負(fù) 載。由此，在量產(chǎn)時，卡801能夠提高成品率。
[0216] 使高壓維持工序#2c長于第1實施方式的理由是為了與下層10、上層50進(jìn)一步軟 化相對應(yīng)。并且，根據(jù)同樣的理由，使冷卻工序#3長于第1實施方式。由此，卡801能夠抑 制彎曲等，提1?品質(zhì)。
[0217] 即使在上述條件下，本實施方式的制造時間9分10秒如果與在第1實施方式的比 較例中說明的卡101的制造時間15分鐘相比較，也大幅度縮短，卡801也能夠大幅度縮短 制造時間。
[0218] (第9實施方式）
[0219] 圖18是第9實施方式的卡901的層構(gòu)成的說明圖。
[0220] 卡901以卡厚度厚于第1實施方式，約為0. 5mm的方式形成層。即，在第8實施方 式中，卡厚度約為〇. 3mm，在第9實施方式中卡厚度約為0. 5mm。
[0221] 卡901從下側(cè)Z1起依次層疊下層910、下間隔片20、模塊基板30 (基板）、上間隔 片40、上層950。
[0222] 下間隔片20、模塊基板30 (基板）、上間隔片40與第8實施方式同樣。厚度調(diào)整 層811、851也與第8實施方式同樣，設(shè)置于下間隔片20、模塊基板30、上間隔片40。
[0223] 下層910、上層950分別是層疊在最下層、最上層的層。在下層910、上層950設(shè)置 有印刷有卡公司的名稱等的印刷層（未圖示）。
[0224] 各層的材質(zhì)、厚度如下所示。
[0225] 下層 910 :ΡΕΤ、190μπι
[0226] 下間隔片20以及上間隔片40 :PET_G、40 μ m
[0227] 模塊基板 30 :PET、45 μ m
[0228] 上層 950 :ΡΕΤ、190μπι
[0229] 根據(jù)以上的構(gòu)成，形成卡901，使卡厚度比第8實施方式厚。
[0230] 在此，下間隔片20、模塊基板30、上間隔片40的厚度與第8實施方式同樣，能夠使 用與第8實施方式共同的部件。
[0231] 即，如果模塊基板30的1C芯片32的厚度、配置等相同，則在第8以及第9實施方 式中，能夠共同使用下間隔片20、模塊基板30以及上間隔片40。
[0232] 因此，在制造時，可以事先準(zhǔn)備用于加工為下間隔片20以及上間隔片40的片材 (參照圖16的下間隔片材20Α)、模塊基板30。然后，可以根據(jù)卡的訂單，另行準(zhǔn)備與該卡的 厚度相對應(yīng)的其他片材。
[0233] 由此，部件管理變得容易，而且能夠期待伴隨著部件共同化而來的成本降低。
[0234] 此外，通過試作已進(jìn)行確認(rèn)，卡901即使卡厚度約為0. 5mm，也能夠抑制產(chǎn)生凹陷 C(參照圖7(d))。
[0235] 由此，本實施方式的卡901與第8實施方式同樣，能夠提高生產(chǎn)效率。
[0236] (第10實施方式）
[0237] 圖19是第10實施方式的卡1001的層構(gòu)成的說明圖。
[0238] 卡1001以卡厚度比第9實施方式更厚，約為0. 8mm左右的方式形成層。
[0239] 卡1001改變第9實施方式的下層1010、上層1050的厚度。其他構(gòu)成與第9實施 方式同樣。
[0240] 即，各層的材質(zhì)、厚度如下所示。
[0241] 下層 1010 :PET-G、350ym
[0242] 下間隔片20以及上間隔片40 :PET_G、40 μ m
[0243] 模塊基板 30 :PET、45 μ m
[0244] 上層 1050 :PET_G、350 μ m
[0245] 這種情況下同樣，在第8?第10實施方式，如果模塊基板30的規(guī)格相同，則能夠 共同使用下間隔片20、模塊基板30以及上間隔片40,部件管理等變得容易，而且，能夠期待 成本降低。
[0246] 圖20是示出第10實施方式的熱擠壓的加壓以及熱條件的圖。
[0247] 至低壓加壓工序#2a (100秒）、壓力增加工序#2b (30)為止，與第8實施方式同樣。 高壓維持工序#2c、冷卻工序#3由第八實施方式進(jìn)行如下變更。
[0248] 高壓維持工序#2c : 120秒（第8實施方式）一100秒
[0249] 冷卻工序#3 :300秒（第8實施方式）一250秒
[0250] 合計8分鐘（480秒）
[0251] 在本實施方式中，具有即使卡成形時間（高壓維持工序#2c、冷卻工序#3)設(shè)定為 比第8實施方式短的時間，也不發(fā)生彎曲等的趨勢?？梢钥紤]原因在于本實施方式由于卡 厚度設(shè)定為比第8實施方式厚，因此提高了卡的剛性。
[0252] 此外，卡制造時的各條件可以適當(dāng)變更。
[0253] (第11實施方式）
[0254] 圖21是第11實施方式的卡1101的層構(gòu)成的說明圖。
[0255] 卡1101的卡厚約為0. 8mm，與第10實施方式同樣，但是變更了下間隔片20、模塊 基板30以及上間隔片40以外的層構(gòu)成。
[0256] 卡1101從下側(cè)Z1起依次層疊下層1110、下中間層1115、下間隔片20、模塊基板 30 (基板）、上間隔片40、上中間層1145、上層1150。
[0257] 各層的材質(zhì)、厚度如下所示。
[0258] 下層 1110 :PET_G、50 μ m
[0259] 下中間層 1115 :PET-G、300ym
[0260] 下間隔片20以及上間隔片40 :PET_G、40 μ m
[0261] 模塊基板 30 :PET、45 μ m
[0262] 上中間層 1145 :PET-G、300ym
[0263] 上層 1150 :PET_G、50 μ m
[0264] 在下中間層1114下表面設(shè)置有印刷有卡公司的名稱等的印刷層（未圖示）。
[0265] 下層1110是透明的層。通過在下中間層1114的下層層疊下層1110,保護(hù)下中間 層1114的印刷層。
[0266] 同樣，上中間層1116也具備印刷層，上層1150保護(hù)上中間層1116的印刷層。
[0267] 如第10、第11實施方式所示，即使是相同卡厚，根據(jù)卡的印刷的規(guī)格等，也能夠適 當(dāng)變更層構(gòu)成。
[0268] 這種情況下同樣，在第8?第11實施方式中，如果模塊基板30的規(guī)格相同，則能 夠共同使用下間隔片20、模塊基板30以及上間隔片40,部件管理等變得容易，而且能夠期 待成本降低。
[0269] 以上對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明并不限定于上述的實施方式， 可以如后述的變形方式那樣進(jìn)行各種變形、變更，且這些也在本發(fā)明的技術(shù)性范圍內(nèi)。而 且，實施方式所記載的效果不過是列舉了由本發(fā)明產(chǎn)生的最佳效果，然而本發(fā)明的效果并 不限定于實施方式所記載的內(nèi)容。此外，上述的實施方式以及后述的變形方式也能夠適當(dāng) 組合而使用，省略詳細(xì)說明。
[0270] (變形方式）
[0271] (1)在實施方式中，厚度調(diào)整層示出了設(shè)置2層或者1層的例子，然而并不限定于 此。例如，厚度調(diào)整層可以設(shè)置3層以上。在設(shè)置3層以上厚度調(diào)整層的情況下，由于能夠 使厚度調(diào)整層的合計更厚，因此可以對應(yīng)例如厚的模塊基板。
[0272] (2)厚度調(diào)整層的配置并不限定于實施方式的構(gòu)成。厚度調(diào)整層只要設(shè)置于各層 的至少一層即可。此時，也實現(xiàn)與實施方式相同的效果。由此，根據(jù)卡制造工序的情況，能 夠選擇設(shè)置厚度調(diào)整層的層。
[0273] (3)在實施方式中，說明了在下間隔片20、上間隔片40設(shè)置有孔部的例子，然而并 不限定于此。例如，也可以設(shè)置切口代替孔部。
[0274] (4)在實施方式中，說明了在低壓加熱工序中使下層以及上層的雙方軟化的例子， 然而并不限定于此。例如，也可以僅使下層以及上層中被施加大于1C芯片的負(fù)載的層（抵 接層）軟化。
[0275] 符號說明
[0276] 1、101、201、301、401、501、601、701、801、901、1001、1101 :卡
[0277] 2、102、202、302 :層疊體
[0278] 10、110、210、310、410、510、610、710、810、910、1010、1110 :下層
[0279] 20、120、420、520、620、720 :下間隔片
[0280] 30、130、230、330、430、530、630、730 :模塊基板
[0281] 32、132、232、332、432、532、632、732 :IC 芯片
[0282] 33、133、233、333、433、533、633、733 :天線線圈
[0283] 40、140、240、440、540、640、740 :上間隔片
[0284] 50、150、250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150 :上層
[0285] 11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851 :厚度調(diào)整層
[0286] 81、82:熱擠壓板
【權(quán)利要求】
1. 一種卡，通過擠壓使層間接合而形成，其特征在于， 具備： 基板； 上層和下層，所述上層和所述下層具有大于所述基板的外形的外形，并配置于所述基 板的上側(cè)和下側(cè)；以及 厚度調(diào)整層，在所述上層和所述下層之間，設(shè)置于比所述基板的外形更靠外側(cè)的基板 外側(cè)區(qū)域，通過印刷設(shè)置于形成該卡的層中的至少一層，用于調(diào)整所述基板外側(cè)區(qū)域處的 厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡，其特征在于， 在從法線方向觀察卡表面時，所述厚度調(diào)整層除設(shè)置于所述基板外側(cè)區(qū)域之外，至少 一部分還設(shè)置于與所述基板重疊的區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的卡，其特征在于， 在擠壓時，所述厚度調(diào)整層為使擠壓板與上層和下層貼緊的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的卡，其特征在于， 所述基板安裝有電子部件， 所述卡還具備間隔片，所述間隔片配置于所述上層和所述下層之間，并具有所述電子 部件退避的貫通孔或者切口，所述間隔片的外形與所述上層和所述下層的大小相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的卡，其特征在于， 所述厚度調(diào)整層設(shè)置于所述間隔片上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的卡，其特征在于， 所述厚度調(diào)整層設(shè)置于設(shè)有所述厚度調(diào)整層的所述層的整個周邊。
7. -種卡的制造方法，其特征在于，是權(quán)利要求1?6中任一項所述的卡的制造方法， 所述卡的制造方法具備： 層疊工序，將所述基板以及各層層疊；以及 擠壓工序，用擠壓板從上下夾住通過所述層疊工序?qū)盈B的狀態(tài)的所述上層和所述下 層，使擠壓板與上層和下層貼緊并進(jìn)行擠壓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的卡的制造方法，其特征在于， 所述基板安裝有電子部件， 所述擠壓工序具備： 加熱工序，將所述電子部件抵接的抵接層以及所述基板中所述電子部件的安裝區(qū)域抵 接的抵接層中的至少一個加熱至軟化；以及 電子部件埋入工序，在通過所述加熱工序使所述抵接層軟化的狀態(tài)下，通過逐漸加壓， 將所述電子部件埋入所述抵接層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的卡的制造方法，其特征在于， 通過拼版制造所述卡。
【文檔編號】G06K19/077GK104145280SQ201380011893
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月22日
【發(fā)明者】鶴田和也, 小川達(dá)之助 申請人:大日本印刷株式會社