一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。一種顯示面板，包括觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極，所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極中設(shè)置有至少一個隔斷層，所述隔斷層將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極分隔為至少兩個電極子層，其中，所述電極子層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料形成，所述隔斷層用于防止所述電極材料在晶化工藝前發(fā)生晶化反應(yīng)。本發(fā)明的有益效果是：通過在較厚的觸控電極中設(shè)置較薄的隔斷層，既能有效緩解觸控過程中信號延遲的問題，提高了觸控的靈敏度；同時，又能減小成膜工藝中用于形成觸控電極的電極材料的晶化，提高了刻蝕工藝的刻蝕均勻性，提高了產(chǎn)品良率。
【專利說明】一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示面板技術(shù)和制程的不斷改進，將觸控面板功能與液晶面板進行一體化整合的研究日趨流行。相對于觸摸面板設(shè)置于液晶面板上使用的傳統(tǒng)方法，內(nèi)嵌式觸控面板的一體化整合的技術(shù)研發(fā)路線主要包括面板上(On-cell)觸控及面板內(nèi)(In-cell)觸控兩大類，兩者差異在于面板內(nèi)觸控是將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，而面板上觸控則是將觸摸面板功能嵌入到彩膜基板(也叫彩色濾光片)和偏光板之間。
[0003]具體來說，面板內(nèi)觸控是將觸控面板功能整合于彩膜基板中；而面板上觸控是將觸控面板中的觸控電極組件(包括觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極)制作在素玻璃(即空白玻璃)上，再和彩膜基板貼合后內(nèi)嵌至液晶像素中；或觸控面板中的觸控電極組件直接制作在彩膜基板中或陣列基板中。相比于面板上觸控面板，面板內(nèi)觸控的內(nèi)嵌式觸控面板具有面板薄型化和輕量化的優(yōu)勢，可降低制造成本和面板厚度。
[0004]目前，為了使電容式觸摸屏具有更薄的面板，已經(jīng)出現(xiàn)將觸控電極制作在彩膜基板或陣列基板之內(nèi)的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，例如:在現(xiàn)有的陣列基板上直接額外增加觸控電極來實現(xiàn)觸控功能。即在陣列基板的表面制作兩層相互異面相交的條狀電極，這兩層電極通常采用ITO (Indium Tin Oxides,即氧化銦錫金屬材料)形成,在兩條條狀電極的異面相交位置處形成感應(yīng)電容，通過檢測對應(yīng)位置處的電容值是否發(fā)生改變，從而判定該點是否被觸摸(即為觸點)。
[0005]隨著顯示面板產(chǎn)品分辨率的提升，觸控電極的精度要求也越來越高，使得條狀電極的線寬也趨于減小，但是，根據(jù)電阻定律:
[0006]R= P 1/s= P 1/ab..................(I)
[0007]公式(I)中，對于條狀電極而言，R為電極電阻值；P為電阻率，由形成電極的材料決定；1為電極長度；S為電極橫截面積；&為電極的線寬，b為電極的厚度。
[0008]可知，在其他參數(shù)不變的情況下，隨著條狀電極線寬a的減小，電極的電阻值R將相應(yīng)增大，使得觸控過程中信號延遲(delay)的現(xiàn)象相應(yīng)加重，觸控靈敏度降低。為了降低條狀電極的電阻值R，目前可能采用的一種解決方案是將形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的厚度b增大。但是，在實際制程工藝過程中發(fā)現(xiàn)，如果只是單純地將電極的厚度b增大，會增加形成原設(shè)計的觸控電極的工藝難度，例如:在形成非晶的ITO膜層的成膜過程中，由于要求觸控電極的厚度較大，當(dāng)溫度大于等于150°C時ITO將出現(xiàn)晶化反應(yīng)而出現(xiàn)部分結(jié)晶，而在通常情況下，刻蝕工藝對非晶的ITO膜層的刻蝕(主要是濕刻)效果優(yōu)于對晶化的ITO膜層的刻蝕效果，ITO晶化將導(dǎo)致后續(xù)的刻蝕工藝中出現(xiàn)刻蝕不均勻的問題，進而導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)不良。
[0009]因此，如何解決觸控過程中信號延遲的問題，又能保證產(chǎn)品良率，成為目前亟待解決的技術(shù)問題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置，該陣列基板中觸控感應(yīng)電極和/或觸控接收電極具有較小的電阻，既能有效緩解觸控過程中信號延遲的問題，又能保證產(chǎn)品良率。
[0011]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該顯示面板，包括觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極，所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極中設(shè)置有至少一個隔斷層，所述隔斷層將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極分隔為至少兩個電極子層，所述電極子層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料形成，所述隔斷層用于防止所述電極材料在晶化工藝前發(fā)生晶化反應(yīng)。
[0012]優(yōu)選的是，所述隔斷層采用具有低電阻率、且光透過率范圍為大于等于60%的金屬導(dǎo)體材料形成。
[0013]優(yōu)選的是，所述電極材料包括氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦或氧化鋅中任一種或組
口 ο
[0014]優(yōu)選的是，所述金屬導(dǎo)體材料包括Cr、W、T1、Ta、Mo、AINd、Cu、Ag、Al任一種或上
述金屬中任意多種金屬的合金。
[0015]優(yōu)選的是，所述隔斷層的總層數(shù)小于等于5，所述隔斷層的厚度范圍為10-50A，所述電極子層的厚度范圍為4 O O-10 O OA。
[0016]進一步優(yōu)選的是，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極均為條狀形狀、且所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極互相異面相交。
[0017]優(yōu)選的是，所述顯示面板包括陣列基板，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于所述陣列基板中；
[0018]或者，所述顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，所述觸控掃描電極設(shè)置于所述彩膜基板或所述陣列基板中，所述觸控感應(yīng)電極設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板中；或者，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于所述彩膜基板中或所述陣列基板中。
[0019]一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
[0020]一種顯示面板的制備方法，包括形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的步驟，形成所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極的步驟包括:
[0021 ] 在基底上依次形成非晶的電極子膜層、隔斷膜層和非晶的電極子膜層；
[0022]對上述非晶的所述電極子膜層和所述隔斷膜層進行構(gòu)圖工藝，形成包括所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極的圖形；
[0023]將上述所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極進行晶化。
[0024]優(yōu)選的是，在將非晶的所述電極子膜層、所述隔斷膜層和非晶的所述電極子膜層進行構(gòu)圖工藝之前，還進一步包括:在所述電極子膜層的上方繼續(xù)依次形成所述隔斷膜層和非晶的所述電極子膜層，直至所有所述電極子膜層和所述隔斷膜層的厚度之和達到所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極的預(yù)設(shè)厚度范圍，所述預(yù)設(shè)厚度范圍為
2000-5000A,[0025]優(yōu)選的是，所述基底為能用于形成彩膜層的彩膜基板，或者為能用于形成薄膜晶體管陣列的陣列基板。
[0026]優(yōu)選的是，形成非晶的所述電極子膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為20-30°C ;形成所述隔斷膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為10-50°C。
[0027]優(yōu)選的是，將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極進行晶化采用退火工藝。
[0028]本發(fā)明的有益效果是:該顯示面板通過在較厚的觸控電極中設(shè)置較薄的隔斷層，既能有效緩解觸控過程中信號延遲的問題，提高了觸控的靈敏度；同時，又能減小成膜工藝中用于形成觸控電極的電極材料的晶化，提高了刻蝕工藝的刻蝕均勻性，提高了產(chǎn)品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明實施例1中觸控感應(yīng)電極/觸控接收電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2A-圖2E為形成圖1中觸控感應(yīng)電極/觸控接收電極的制備流程示意圖；
[0031]其中:
[0032]圖2A為在基底上方形成電極子膜層的剖視圖；
[0033]圖2B為在圖2A的基底上方形成隔斷膜層的剖視圖；
[0034]圖2C為在圖2B的基底上方形成電極子膜層的剖視圖；
[0035]圖2D為在圖2C的基底上方循環(huán)形成達到預(yù)設(shè)厚度范圍的電極子膜層和隔斷膜層的剖視圖；
[0036]圖2E為將圖2D通過構(gòu)圖工藝形成觸控電極的剖視圖；
[0037]圖中:1 —基底；20 —電極子膜層；2_電極子層；30_隔斷膜層；3_隔斷層。
【具體實施方式】
[0038]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明顯示面板及其制備方法和顯示裝置作進一步詳細(xì)描述。
[0039]一種顯示面板，包括觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極，所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極中設(shè)置有至少一個隔斷層，所述隔斷層將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極分隔為至少兩個電極子層，其中，所述電極子層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料形成，所述隔斷層用于防止所述電極材料在晶化工藝前發(fā)生晶化反應(yīng)。
[0040]一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
[0041]一種顯示面板的制備方法，包括形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的步驟，形成所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極的步驟包括:
[0042]在基底上依次形成非晶的電極子膜層、隔斷膜層和非晶的電極子膜層；
[0043]對上述非晶的所述電極子膜層和所述隔斷膜層進行構(gòu)圖工藝，形成包括所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極的圖形；
[0044]將上述所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極進行晶化。
[0045]實施例1:
[0046]本實施例提供一種顯示面板，包括觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極，其中，觸控掃描電極和/或觸控感應(yīng)電極中設(shè)置有至少一個隔斷層，隔斷層將觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極分隔為至少兩個電極子層，電極子層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料形成，隔斷層用于防止電極材料在晶化工藝前發(fā)生晶化反應(yīng)。
[0047]也即，本實施例中對觸控電極組件的改進，包括三種方案，可以只在觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極任一中設(shè)置隔斷層，也可以同時在觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極中均設(shè)置隔斷層，用于對形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料進行晶化的阻斷，保證形成的觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極具有較小的電阻值。在后續(xù)的說明中，觸控電極可用于指代觸控掃描電極和/或觸控感應(yīng)電極。
[0048]如圖1所示，本實施例中的觸控電極包括依次設(shè)置于基底I上方的電極子層2、隔斷層3、電極子層2、隔斷層3和電極子層2，由于較厚的觸控電極中間隔設(shè)置了隔斷層3，因此能有效緩解形成觸控電極的制備工藝中，在觸控電極成膜工藝中電極材料發(fā)生晶化反應(yīng)的現(xiàn)象。
[0049]為保證觸控電極良好的導(dǎo)電性，同時保證觸控電極良好的透光性，優(yōu)選隔斷層3采用具有低電阻率、且光透過率范圍為> 60%的金屬導(dǎo)體材料形成。
[0050]本實施例中，形成電極子層2的電極材料包括氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,簡稱ΙΖ0)、氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱ΙΤ0)、氧化銦(In203)或氧化鋅(ZnO)中任一種或組合；金屬導(dǎo)體材料包括Cr、W、T1、Ta、Mo、AINd、Cu、Ag、Al任一種或上述金屬中任意多種金屬的合金。
[0051]為了保證觸控靈敏度，觸控掃描電極和/或觸控感應(yīng)電極的厚度范圍為2000-5000人，相應(yīng)的，優(yōu)選隔斷層3的總層數(shù)小于等于5，隔斷層3的厚度范圍為
10-5OA,電極子層2的厚度范圍為400-1000人。隨著隔斷層3的總層數(shù)的增多，對電極材
料發(fā)生晶化的阻斷效果越好，但是，會使得觸控電極的透過率相應(yīng)的下降。因此，在實際應(yīng)用中，可根據(jù)觸控電極的厚度以及透過率的需要，合理設(shè)置隔斷層的層數(shù)。
[0052]在本實施例中，由于形成隔斷層3的金屬材料為常用的濺射金屬材料，例如:Mo，AINd、Cu、Ag、Al等，這些金屬材料在厚度為50人左右時的透過率約為70%左右，考慮到
電極材料(例如ITO)本身的透過率約為80%，故5O A以下的隔斷層的加入對最終觸控電極透過率的影響基本可以忽略不計。具體的，幾種金屬材料在一定厚度下的透過率數(shù)據(jù)如下:Mo:50A, 64% ；AlNd:5θΑ, 64.7% ；Α1:5θΑ, 77.8%。
[0053]通常情況下，觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極均為條狀形狀、且觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極互相異面相交。顯示面板可以為液晶顯示面板，該顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，彩膜基板中包括彩膜層，陣列基板中包括多個成矩陣排列的TFT (Thin FilmTransistor，簡稱薄膜場效應(yīng)晶體管)。在本實施例中，可以將觸控掃描電極設(shè)置于彩膜基板或陣列基板中，相應(yīng)的將觸控感應(yīng)電極設(shè)置于陣列基板或彩膜基板中；或者，可以將觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于彩膜基板中或陣列基板中。
[0054]本實施例中觸控電極既可以為電容式面板上(On-cell)觸控方式，也可以為電容式面板內(nèi)(In-cell)觸控方式。該電容式觸控方式的工作過程為:在對觸控掃描電極加載觸控掃描信號時，檢測觸控感應(yīng)電極通過感應(yīng)電容耦合出電壓信號，在此過程中，當(dāng)有人體接觸觸摸屏?xí)r，人體電場就會作用在感應(yīng)電容上，使感應(yīng)電容的電容值發(fā)生變化，進而改變觸控感應(yīng)電極耦合出的電壓信號，根據(jù)電壓信號的變化，就可以確定觸點位置。[0055]相應(yīng)的，本實施例還提供了一種顯示面板的制備方法，包括形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的步驟，其中，形成觸控掃描電極和/或觸控感應(yīng)電極的步驟包括:
[0056]步驟SI):在基底上依次形成非晶的電極子膜層、隔斷膜層和非晶的電極子膜層。
[0057]在該步驟中，主要是采用成膜工藝形成用于形成觸控電極的膜層結(jié)構(gòu)，這里，形成非晶的電極子膜層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的各層電極子膜層中的電極材料形成，例如非晶ITO (B-1TO)0
[0058]其中，基底為能用于形成彩膜層的彩膜基板，或者為能用于形成薄膜晶體管陣列的陣列基板；容易理解的是，基底也可以為素玻璃。形成非晶的電極子膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為20-30°C ;形成隔斷膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為10-50°C。
[0059]如圖2A所示，在需要制作觸控電極的基底I上，在常溫工藝條件下(例如25°C，使用成熟的常用工藝)，濺射沉積非晶ITO (a-1TO)，形成電極子膜層20，該電極子膜層20的
厚度范圍可以限定為400A-] 000A。
[0060]如圖2B所示，在形成電極子膜層20的基底I上方，在常溫工藝下(10-50°C)濺射沉積一層較薄的金屬材料，形成隔斷膜層30，該隔斷膜層30的厚度范圍限定為50A以下(例如10-50A)，起到阻斷晶化的作用。在通常情況下，金屬材料一般在高溫工藝(200-400°C)下成膜，本實施例中采用常溫工藝使金屬材料成膜可以防止易結(jié)晶的電極子膜層20發(fā)生結(jié)晶，且同時其自身的電阻也不會受到影響。
[0061]如圖2C所示，在形成隔斷膜層30的基底I上方，在常溫工藝條件下，再次濺射沉積一層非晶的電極子膜層20，該電極子膜層20的厚度范圍仍可以限定為400A-1000A。
[0062]為了保證觸控靈敏度，可以增大觸控電極的厚度。為保證觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極達到預(yù)設(shè)厚度范圍，在將非晶的電極子膜層、隔斷膜層和非晶的電極子膜層進行構(gòu)圖工藝之前，還進一步包括:在電極子膜層的上方繼續(xù)依次形成隔斷膜層和非晶的電極子膜層，直至所有電極子膜層和隔斷膜層的厚度之和達到觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的預(yù)設(shè)厚度范圍，預(yù)設(shè)厚度范圍為2 O O O- 5 O O OA。
[0063]例如，為形成具有三個電極子膜層、兩個隔斷膜層的結(jié)構(gòu)，如圖2D所示，在形成電極子膜層20的基底I上方，在常溫工藝下(10-50°C)再次濺射沉積一層較薄的金屬的隔斷
膜層30，該隔斷膜層30的厚度范圍仍可以限定為50人以下；進一步的，可以繼續(xù)在隔斷膜
層30上方，在常溫工藝條件下，第三次濺射沉積一層非晶的電極子膜層20，該電極子膜層
20的厚度范圍仍可以限定為400A-1000A。
[0064]當(dāng)然，這里應(yīng)該理解的是，在基底I上方依次形成電極子膜層20和隔斷膜層30的循環(huán)次數(shù)并不做限定，可以根據(jù)觸控電極的應(yīng)用場合和設(shè)計需要，使之達到預(yù)設(shè)厚度范圍即可。通常情況下，由于電極子膜層20的厚度范圍仍可以限定為400A-1 000A，優(yōu)選隔斷層的總層數(shù)≤5，因此預(yù)設(shè)厚度范圍為2000-5000人。
[0065]步驟S2):對上述非晶的電極子膜層和隔斷膜層進行構(gòu)圖工藝，形成包括觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的圖形。[0066]在該步驟中，構(gòu)圖工藝包括光刻工藝以及刻蝕步驟，其中光刻工藝，是指包括曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。其中的刻蝕工藝可以使用濕法刻蝕或干法刻蝕，刻蝕過程中可以進行多次或單次刻蝕，最終形成包括預(yù)先設(shè)計的觸控電極的圖形。
[0067]如圖2E所示，對上述非晶的電極子膜層和隔斷膜層進行構(gòu)圖工藝，形成包括觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的圖形。這里，根據(jù)產(chǎn)品的分辨率，觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的線寬可以做的較細(xì)，雖然觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的厚度較大，根據(jù)電阻定律，仍能保證觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極的電阻值不會出現(xiàn)大幅增加，保證掃描信號和電壓信號傳輸?shù)募皶r性，從而保證觸控的靈敏度。
[0068]步驟S3):將上述觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極進行晶化。
[0069]在該步驟中，將觸控掃描電極或觸控感應(yīng)電極進行晶化采用退火工藝(Annealing),即將完成步驟S2)的基底I曝露于高溫一段時間后，然后再慢慢冷卻的熱處理制程。在本實施例中，采用一次退火工藝，即可使得具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的各層電極子膜層中的電極材料同時轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)。
[0070]本實施例的觸控電極，通過將現(xiàn)有技術(shù)中較薄(< I OOOA )的電極材料替代為較厚(> 2000A)的電極材料，大大降低了觸控電極的電阻值，減小了觸控電極的電阻值，緩解了信號延遲，提高了觸控的靈敏度；而且，由于采用了在電極材料中設(shè)置較薄的隔斷層的結(jié)構(gòu)，避免了具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料在成膜過程中就出現(xiàn)晶化的問題，提高了刻蝕工藝的刻蝕均勻性，提高了產(chǎn)品良率。
[0071]實施例2:
[0072]本實施例提供一種顯示面板，與實施例1相比，本實施例中顯示面板可以為OLED(Organic Light-Emitting Diode:有機發(fā)光二極管)顯示面板。
[0073]當(dāng)顯示面板中的OLED為全彩OLED時，顯示面板可以只包括陣列基板，觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于陣列基板中；當(dāng)顯示面板中的OLED為白光OLED (White0LED,簡稱W0LED)時,顯示面板可以為集成有彩膜層的陣列基板(Color filter on Array,簡稱C0A)，觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于陣列基板中。
[0074]本實施例中觸控電極的結(jié)構(gòu)與實施例1中觸控電極的結(jié)構(gòu)相同，觸控電極的工作原理與實施例1相同，觸控電極的制備方法也可以參考實施例1中相應(yīng)的制備方法，這里不再贅述。
[0075]實施例3:
[0076]本實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置采用實施例1或?qū)嵤├?中的顯示面板。
[0077]所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0078]由于采用了具有較高觸控靈敏度和較高良率的顯示面板，相應(yīng)的，該顯示裝置具有更好的觸控品質(zhì)和顯示質(zhì)量。
[0079]本發(fā)明的顯示面板中，通過在較厚的觸控電極中設(shè)置較薄的隔斷層，既能有效緩解觸控過程中信號延遲的問題，提高了觸控的靈敏度；同時，又能減小成膜工藝中用于形成觸控電極的電極材料的晶化，提高了刻蝕工藝的刻蝕均勻性，提高了產(chǎn)品良率。
[0080]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯面板，包括觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極，其特征在于，所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極中設(shè)置有至少一個隔斷層，所述隔斷層將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極分隔為至少兩個電極子層，所述電極子層采用具有由非晶性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑再|(zhì)的電極材料形成，所述隔斷層用于防止所述電極材料在晶化工藝前發(fā)生晶化反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述隔斷層采用具有低電阻率、且光透過率范圍為大于等于60%的金屬導(dǎo)體材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電極材料包括氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦或氧化鋅中任一種或組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬導(dǎo)體材料包括Cr、W、T1、Ta、Mo、AINd、Cu、Ag、Al中任一種或上述金屬中任意多種金屬的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述隔斷層的總層數(shù)小于等于5，所述隔斷層的厚度范圍為10-50人，所述電極子層的厚度范圍為400-1000A。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的顯示面板，其特征在于，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極均為條狀形狀、且所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極互相異面相交。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列基板，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于所述陣列基板中； 或者，所述顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，所述觸控掃描電極設(shè)置于所述彩膜基板或所述陣列基板中，所述觸控感應(yīng)電極設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板中；或者，所述觸控掃描電極和所述觸控感應(yīng)電極共同設(shè)置于所述彩膜基板中或所述陣列基板中。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項所述的顯示面板。
9.一種顯示面板的制備方法，包括形成觸控掃描電極和觸控感應(yīng)電極的步驟，其特征在于，形成所述觸控掃描電極和/或所述觸控感應(yīng)電極的步驟包括: 在基底上依次形成非晶的電極子膜層、隔斷膜層和非晶的電極子膜層； 對上述非晶的所述電極子膜層和所述隔斷膜層進行構(gòu)圖工藝，形成包括所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極的圖形； 將上述所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極進行晶化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在將非晶的所述電極子膜層、所述隔斷膜層和非晶的所述電極子膜層進行構(gòu)圖工藝之前，還進一步包括:在所述電極子膜層的上方繼續(xù)依次形成所述隔斷膜層和非晶的所述電極子膜層，直至所有所述電極子膜層和所述隔斷膜層的厚度之和達到所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極的預(yù)設(shè)厚度范圍，所述預(yù)設(shè)厚度范圍為2 O O O- 5 O O OA。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述基底為能用于形成彩膜層的彩膜基板，或者為能用于形成薄膜晶體管陣列的陣列基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，形成非晶的所述電極子膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為20-30°C ;形成所述隔斷膜層采用濺射沉積工藝，該濺射沉積工藝的沉積溫度范圍為10-50°C。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，將所述觸控掃描電極或所述觸控感應(yīng)電極進行晶化采用退火工藝。
【文檔編號】G06F3/044GK103777814SQ201410021587
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月16日
【發(fā)明者】王燦, 郭煒 申請人:京東方科技集團股份有限公司