超薄觸控傳感器及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種超薄觸控傳感器及其制作方法，其中超薄觸控傳感器包括：依次層疊排布的基材層、接收電路層、發(fā)射電路層和保護層，所述接收電路層和發(fā)射電路層位于所述基材層的同側(cè)；所述發(fā)射電路層和接收電路層包括：多個導電網(wǎng)格、以及壓印層，所述多個導電網(wǎng)格嵌合于所述壓印層中，所述導電網(wǎng)格包括至少三條順次連接的網(wǎng)格線，所述網(wǎng)格線的寬度大于或等于1μm，所述網(wǎng)格線的高度與寬度之比的范圍為1:0.5～1:2。本發(fā)明的超薄觸控傳感器的發(fā)射電路層和接收電路層設(shè)置于基材層的同側(cè)，且發(fā)射電路層和接收電路層都由金屬導電材料制成，減小了超薄觸控傳感器的厚度，具有環(huán)保、低成本、高靈敏度的優(yōu)勢。
【專利說明】超薄觸控傳感器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控傳感器，具體涉及一種超薄觸控傳感器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的不斷發(fā)展，觸摸屏作為一種簡單、便捷的人機交互方式，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于我們?nèi)粘Ｉ畹母鱾€領(lǐng)域，比如手機、媒體播放器、導航系統(tǒng)、數(shù)碼相機、相框、PDA、游戲設(shè)備、顯示器、電器控制、醫(yī)療設(shè)備等等。觸控技術(shù)開辟了移動終端人際交互操作的新模式，大尺寸、超薄柔性、低成本已成為觸摸屏行業(yè)的必然發(fā)展趨勢。
[0003]觸摸屏技術(shù)主要分為電阻式、電容式、紅外式以及表面聲波方式，其中電容式觸摸屏又分為表面電容式和感應(yīng)電容式。感應(yīng)電容式觸摸屏具有實現(xiàn)真實多點觸摸、透明度好、耐用性好、分辨率高等優(yōu)點，其已成為手機、平板電腦等消費類電子產(chǎn)品的主流技術(shù)。
[0004]在電容式觸摸屏中，觸控傳感器(Touch Sensor)是觸摸屏中最關(guān)鍵的元件，其成本占整個觸摸屏的40%。在真正能夠?qū)崿F(xiàn)多點觸控的電容式觸摸屏中，商業(yè)化的產(chǎn)品中的導電材料基本為氧化銦錫(ΙΤ0)，觸控傳感器的主要結(jié)構(gòu)為單面ITO結(jié)構(gòu)和雙面ITO結(jié)構(gòu)。其中，單面ITO結(jié)構(gòu)是感應(yīng)電極層和驅(qū)動電極層位于同一層ITO結(jié)構(gòu)上，采用搭橋工藝；雙面ITO結(jié)構(gòu)則是感應(yīng)電極層和驅(qū)動電極層分別位于兩層ITO結(jié)構(gòu)上。雙面ITO結(jié)構(gòu)可以是同一基材，組合形成GF2 (Glass-Film Ditto)觸摸屏結(jié)構(gòu)；或者是雙層基材，ITO結(jié)構(gòu)處于兩層薄膜感應(yīng)器(Film Sensor)上，然后通過光學透明膠將兩層薄膜進行貼合從而組合形成GFF (Glass-Film-Film)結(jié)構(gòu)。對于上述ITO傳感器無論是單面結(jié)構(gòu)還是雙面結(jié)構(gòu),其電極圖案的制作方法主要為:首先在基材表面濺射ITO材料，再通過黃光、蝕刻工藝形成電極電路。
[0005]然而，傳統(tǒng)的使用ITO的觸控傳感器及其制作方法則存在以下問題:在基材上濺鍍的厚度均勻性控制難度提高、良率降低；同時為了滿足低方阻的要求，必然需要增加ITO成膜的厚度，但是如此卻帶來透過率降低的問題。此外，由于ITO制作中需要通過黃光和蝕刻工藝形成電路，因而傳統(tǒng)的工藝還存在環(huán)保的問題。而且，ITO材料本身資源有限，隨著觸摸屏市場應(yīng)用的擴展，勢必來帶使用ITO材料的觸控傳感器的成本上升的問題。同時，觸控傳感器的超薄化也是今后的必然趨勢，如何減小觸控傳感器的厚度也將成為今后科學研究的重點領(lǐng)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種超薄觸控傳感器、及其制作方法。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的之一，本發(fā)明的一種超薄觸控傳感器，其包括:
[0008]依次層疊排布的基材層、接收電路層、發(fā)射電路層和保護層，所述接收電路層和發(fā)射電路層位于所述基材層的同側(cè)；
[0009]所述發(fā)射電路層和接收電路層包括:多個導電網(wǎng)格、以及壓印層，所述多個導電網(wǎng)格嵌合于所述壓印層中，所述導電網(wǎng)格包括至少三條順次連接的網(wǎng)格線，所述網(wǎng)格線的寬度大于或等于I μ m，所述網(wǎng)格線的高度與寬度之比的范圍為1:0.5?1:2。
[0010]作為本發(fā)明的進一步改進，所述導電網(wǎng)格的橫截面形狀為多邊形。
[0011]作為本發(fā)明的進一步改進，所述網(wǎng)格線包括若干第一網(wǎng)格線和若干第二網(wǎng)格線，所述若干第一網(wǎng)格線沿第一方向相互平行排布，所述若干第二網(wǎng)格線位于所述第一網(wǎng)格線之間且垂直于所述第一網(wǎng)格線排布，所述任一條第一網(wǎng)格線兩側(cè)的第二網(wǎng)格線錯位分布。
[0012]作為本發(fā)明的進一步改進，所述導電網(wǎng)格的材質(zhì)為納米級金屬導電材料或有機導電材料。
[0013]作為本發(fā)明的進一步改進，所述保護層包括光學膠層。
[0014]作為本發(fā)明的進一步改進，所述發(fā)射電路層、接收電路層分離設(shè)置，所述發(fā)射電路層和接收電路層之間設(shè)置所述絕緣層。
[0015]為實現(xiàn)上述另一發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種制備如上所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其包括如下步驟:
[0016]S1、通過納米壓印的方式將納米結(jié)構(gòu)圖案壓印于壓印材料上，所述壓印材料上形成與納米結(jié)構(gòu)圖案相對應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)凹槽；
[0017]S2、對所述具有微納結(jié)構(gòu)凹槽的表面進行納米導電材料的涂布，使得所述納米導電材料填入微納結(jié)構(gòu)凹槽中，進行燒結(jié)，形成接收電路層；
[0018]S3、在所述接收層電路層表面涂布或印刷一層透明的絕緣材料，在所述絕緣材料表面涂布壓印材料，并在壓印材料上納米壓印形成微納結(jié)構(gòu)凹槽；
[0019]S4、在納米壓印獲得的微納結(jié)構(gòu)凹槽表面涂布納米導電材料，通過拋光方式將凹槽以外的納米導電材料去除，進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢形成發(fā)射電路層；
[0020]S5、在發(fā)射電路層表面的FPC綁定區(qū)域之外涂布保護層。
[0021]作為本發(fā)明的進一步改進，所述涂布或印刷絕緣材料時，通過網(wǎng)版或者鏤空掩膜保護的方式，避免接收電路層的引腳區(qū)域被絕緣材料覆蓋；所述步驟SI及S3中納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。
[0022]為實現(xiàn)上述另一發(fā)明目的，本發(fā)明還提供一種制備如上所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其包括如下步驟:
[0023]S1、通過納米壓印的方式將納米結(jié)構(gòu)圖案壓印于壓印材料上，所述壓印材料上形成與納米結(jié)構(gòu)圖案相對應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)凹槽；
[0024]S2、對所述具有微納結(jié)構(gòu)凹槽的表面進行納米導電材料的涂布，使得所述納米導電材料填入微納結(jié)構(gòu)凹槽中，進行燒結(jié)，形成接收電路層；
[0025]S3、在所述接收層電路層表面涂布壓印材料，并在壓印材料上納米壓印微納結(jié)構(gòu)凹槽；
[0026]S4、在納米壓印獲得的微納結(jié)構(gòu)凹槽表面涂布納米導電材料，通過拋光方式將凹槽以外的納米導電材料去除，進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢形成發(fā)射電路層；
[0027]S5、在發(fā)射電路層表面的FPC綁定區(qū)域之外涂布保護層。
[0028]作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟SI及S3中納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的超薄觸控傳感器的發(fā)射電路層和接收電路層設(shè)置于基材層的同側(cè)，且發(fā)射電路層和接收電路層都由金屬導電材料制成，減小了超薄觸控傳感器的厚度，具有環(huán)保、低成本、高靈敏度的優(yōu)勢。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本發(fā)明的超薄觸控傳感器的剖視圖；
[0032]圖2為本發(fā)明的一種實施例下的發(fā)射電路層或接收電路層的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3是本發(fā)明的又一種實施例下的發(fā)射電路層或接收電路層的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4為圖2中圓圈A的放大示意圖；
[0035]圖5是本發(fā)明的超薄觸控傳感器的制造方法的一【具體實施方式】的方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0036]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0037]如圖1所示，本發(fā)明的超薄觸控傳感器100包括如下依次層疊排布的基材層1、接收電路層2、發(fā)射電路層4、以及保護層5。其中，所述發(fā)射電路層2、接收電路層4分離設(shè)置，且二者位于所述基材層I的同側(cè)。所述發(fā)射電路層2和接收電路層4之間設(shè)置起到絕緣作用的絕緣層3，優(yōu)選地，該絕緣層3的材質(zhì)為樹脂。
[0038]此外，所述基材層I可以是聚碳酸酪(Polycarbonate, PC)、聚氯乙烯(PolyvinylChloride, PVC)、聚酯(Polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二 甲酸乙 二醇酯(Polyethylene naphthalate, PEN)、聚碳酸酯(Polycarbanate, PC)等材料。所述保護層 5還包括光學膠層，優(yōu)選地，該光學膠包括液態(tài)紫外光膠。
[0039]如圖2、圖3所示，進一步地，所述發(fā)射電路層2和接收電路層4包括:多個導電網(wǎng)格21、以及壓印層22，所述多個導電網(wǎng)格21嵌合于所述壓印層22中。此外，所述多個導電網(wǎng)格21四周還設(shè)置有邊框23。具體地，所述多個導電網(wǎng)格21相互連接形成一整體，所述邊框23形成一閉合的框架結(jié)構(gòu)，所述多個導電網(wǎng)格21形成的整體位于所述邊框23圍成的空間中，且位于外側(cè)的導電網(wǎng)格21與邊框23相接觸。
[0040]本發(fā)明的超薄觸控傳感器通過所述導電網(wǎng)格以及壓印層，構(gòu)成了由多個網(wǎng)格構(gòu)成的發(fā)射電路層或接收電路層，其厚度最小值只有5?ΙΟμπι，再加上基材層I的厚度20 μ m?200 μ m,絕緣層3的厚度10 μ m?100 μ m,以及保護層5的厚度，本發(fā)明的超薄觸控傳感器的總厚度為最薄可以達到40um，相比傳統(tǒng)的觸控傳感器，具有非常大的優(yōu)勢。
[0041]此外，所述導電網(wǎng)格21包括至少三條順次連接的網(wǎng)格線211，設(shè)有一截面，其與導電網(wǎng)格211相平行，且該截面同時通過導電網(wǎng)格21的各個網(wǎng)格線211，從而導電網(wǎng)格211被截面所截形狀呈一多邊形。示范性地，該多邊形可以為矩形、或正方形、或五邊形、或六邊形。進一步地，所述網(wǎng)格線211的寬度大于或等于I μ m，所述網(wǎng)格線211的高度與寬度之比的范圍為1:0.5?1:2。
[0042]配合參照圖4所示，作為一種優(yōu)選的實施方式，所述網(wǎng)格線211包括若干第一網(wǎng)格線2111和若干第二網(wǎng)格線2112，所述若干第一網(wǎng)格線2111沿第一方向相互平行排布，所述若干第二網(wǎng)格線2112位于所述第一網(wǎng)格線2111之間且垂直于所述第一網(wǎng)格線2111排布，所述任一條第一網(wǎng)格線2111兩側(cè)的第二網(wǎng)格線2112錯位分布。從而，所述若干第一網(wǎng)格線2111和若干第二網(wǎng)格線2112相互交叉形成所述多個導電網(wǎng)格21。本實施方式中，形成的導電網(wǎng)格21的截面形狀可以為矩形或正方形，且任意相鄰的兩個導電網(wǎng)格之間或共用同一條第二網(wǎng)格線，或共用部分第一網(wǎng)格線，如上所述的多個導電網(wǎng)格規(guī)則排布。
[0043]此外，所述導電網(wǎng)格21的材質(zhì)為納米級金屬導電材料或有機導電材料，具體地，納米級金屬導電材料可以為:納米銀、納米銅等，且當納米級金屬導電材料為納米銀時，納米銀的粒徑小于lOOOnm。
[0044]如圖5所示，本發(fā)明還提供一種超薄觸控傳感器的制造方法，該制作方法可用于制備如上所述的超薄觸控傳感器，所述制作方法包括如下步驟:
[0045]S1、通過納米壓印的方式將納米結(jié)構(gòu)圖案壓印于壓印材料上，所述壓印材料上形成與納米結(jié)構(gòu)圖案相對應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)凹槽。
[0046]所述納米結(jié)構(gòu)圖案根據(jù)實際需求可設(shè)置為多種形狀。其中，所述微納結(jié)構(gòu)凹槽的寬度大于或等于I μ m，所述微納結(jié)構(gòu)凹槽的深度與寬度的比值范圍為1:0.5?1:2。
[0047]S2、對所述具有微納結(jié)構(gòu)凹槽的表面進行納米導電材料的涂布，使得所述納米導電材料填入微納結(jié)構(gòu)凹槽中，進行燒結(jié)，形成電容傳感器的接收電路層。
[0048]所述納米導電材料在所述微納結(jié)構(gòu)凹槽中成型后，形成與微納結(jié)構(gòu)凹槽相匹配的形狀，例如，當微納結(jié)構(gòu)凹槽具體包括多個網(wǎng)格形狀的凹槽單元時，成型的納米導電材料也包括多個導電網(wǎng)格。其中，所述納米導電材料可以為納米級金屬導電材料或有機導電材料，所述納米級金屬導電材料包括納米銀、納米銅等，當納米級金屬導電材料為納米銀時，所述納米銀的粒徑小于lOOOnm。
[0049]S3、在所述接收層電路層表面涂布或印刷一層透明的絕緣材料，在所述絕緣材料表面涂布壓印材料，并在壓印材料上納米壓印形成微納結(jié)構(gòu)凹槽。
[0050]其中，所述涂布或印刷絕緣材料時，通過網(wǎng)版或者鏤空掩膜保護的方式，避免接收電路層的Pin區(qū)域被絕緣材料覆蓋。此外，所述步驟SI及S3中納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。優(yōu)選地，所述掩膜可以為菲林，此時，F(xiàn)PC綁定區(qū)域?qū)?yīng)菲林的透光部分，而覆蓋壓印材料的部分對應(yīng)菲林的黑色遮光部分；從而使得FPC綁定區(qū)不被壓印材料覆蓋。
[0051]S4、在納米壓印獲得的微納結(jié)構(gòu)凹槽表面涂布納米導電材料，通過拋光方式將凹槽以外的納米導電材料去除，進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢形成發(fā)射電路層。
[0052]S5、在發(fā)射電路層表面的FPC綁定區(qū)域之外涂布保護層。
[0053]此外，本制作方法還包括在發(fā)射電路層的另一側(cè)設(shè)置一基材層。
[0054]針對如上所述的超薄觸控傳感器，本發(fā)明還提供一種超薄觸控傳感器的制造方法，本制作方法與如上所述的制作方法不同之處在于，步驟S3中，涂布壓印材料時，直接將壓印材料涂布與所述接收層電路層的表面，并在壓印材料上納米壓印微納結(jié)構(gòu)凹槽。此時，壓印材料既作為納米壓印的載體，同時也作為絕緣材料起到絕緣作用。
[0055]本制作方法中，同樣地，在納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。
[0056]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的超薄觸控傳感器的發(fā)射電路層和接收電路層設(shè)置于基材層的同側(cè)，且發(fā)射電路層和接收電路層都由金屬導電材料制成，減小了超薄觸控傳感器的厚度，具有環(huán)保、低成本、高靈敏度的優(yōu)勢。
[0057]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0058]此外，應(yīng)當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種超薄觸控傳感器，其特征在于，所述超薄觸控傳感器包括: 依次層疊排布的基材層、接收電路層、發(fā)射電路層和保護層，所述接收電路層和發(fā)射電路層位于所述基材層的同側(cè)； 所述發(fā)射電路層和接收電路層包括:多個導電網(wǎng)格、以及壓印層，所述多個導電網(wǎng)格嵌合于所述壓印層中，所述導電網(wǎng)格包括至少三條順次連接的網(wǎng)格線，所述網(wǎng)格線的寬度大于或等于I μ m，所述網(wǎng)格線的高度與寬度之比的范圍為1:0.5~1:2。
2.如權(quán)利要求1所述的超薄觸控傳感器，其特征在于，所述導電網(wǎng)格的橫截面形狀為多邊形。
3.如權(quán)利要求1所述的超薄觸控傳感器，其特征在于，所述網(wǎng)格線包括若干第一網(wǎng)格線和若干第二網(wǎng)格線，所述若干第一網(wǎng)格線沿第一方向相互平行排布，所述若干第二網(wǎng)格線位于所述第一網(wǎng)格線之間且垂直于所述第一網(wǎng)格線排布，所述任一條第一網(wǎng)格線兩側(cè)的第二網(wǎng)格線錯位分布。
4.如權(quán)利要求1所述的超薄觸控傳感器，其特征在于，所述導電網(wǎng)格的材質(zhì)為納米級金屬導電材料或有機導電材料。
5.如權(quán)利要求1所述的超薄觸控傳感器，其特征在于，所述保護層包括光學膠層。
6.如權(quán)利要求1所述的超薄觸控傳感器，其特征在于，所述發(fā)射電路層、接收電路層分離設(shè)置，所述發(fā)射電路層和接收電路層之間設(shè)置所述絕緣層。
7.一種制備如權(quán)利要求1-6任意一項所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟: S1、通過納米壓印的方式將納米結(jié)構(gòu)圖案壓印于壓印材料上，所述壓印材料上形成與納米結(jié)構(gòu)圖案相對應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)凹槽； S2、對所述具有微納結(jié)構(gòu)凹槽的表面進行納米導電材料的涂布，使得所述納米導電材料填入微納結(jié)構(gòu)凹槽中，進行燒結(jié)，形成接收電路層； S3、在所述接收層電路層表面涂布或印刷一層透明的絕緣材料，在所述絕緣材料表面涂布壓印材料，并在壓印材料上納米壓印形成微納結(jié)構(gòu)凹槽； S4、在納米壓印獲得的微納結(jié)構(gòu)凹槽表面涂布納米導電材料，通過拋光方式將凹槽以外的納米導電材料去除，進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢形成發(fā)射電路層； S5、在發(fā)射電路層表面的FPC綁定區(qū)域之外涂布保護層。
8.如權(quán)利要求7所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其特征在于，所述涂布或印刷絕緣材料時，通過網(wǎng)版或者鏤空掩膜保護的方式，避免接收電路層的引腳區(qū)域被絕緣材料覆蓋；所述步驟SI及S3中納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。
9.一種制備如權(quán)利要求1-5任意一項所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟: S1、通過納米壓印的方式將納米結(jié)構(gòu)圖案壓印于壓印材料上，所述壓印材料上形成與納米結(jié)構(gòu)圖案相對應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)凹槽； S2、對所述具有微納結(jié)構(gòu)凹槽的表面進行納米導電材料的涂布，使得所述納米導電材料填入微納結(jié)構(gòu)凹槽中，進行燒結(jié)，形成接收電路層； S3、在所述接收層電路層表面涂布壓印材料，并在壓印材料上納米壓印微納結(jié)構(gòu)凹槽； ` 54、在納米壓印獲得的微納結(jié)構(gòu)凹槽表面涂布納米導電材料，通過拋光方式將凹槽以外的納米導電材料去除，進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢形成發(fā)射電路層； ` 55、在發(fā)射電路層表面的FPC綁定區(qū)域之外涂布保護層。
10.如權(quán)利要求9所述的超薄觸控傳感器的制造方法，其特征在于，所述步驟SI及S3中納米壓印時，通過掩膜保護的方式避免接收電路層的FPC綁定區(qū)域、及發(fā)射電路層的FPC綁定區(qū)域被壓印材料覆蓋。``
【文檔編號】G06F3/044GK103744571SQ201410037667
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月26日
【發(fā)明者】方宗豹, 周小紅, 陳林森, 謝文, 蓋明啟 申請人:蘇州維業(yè)達觸控科技有限公司, 蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司