一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置，通過先判斷是否具備足夠的寫入新數(shù)據(jù)的空間，若有，則直接寫入新的數(shù)據(jù)，若否，再進行擦除操作，從而，進一步減少了在Flash存儲芯片中寫入和擦除的次數(shù)，同時，大大地延長了Flash存儲芯片的工作壽命。本發(fā)明實施例方法包括：S1：判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則執(zhí)行步驟S2，若否，則執(zhí)行步驟S3；S2：將第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)；S3：擦除全部存儲區(qū)，并將第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。
【專利說明】—種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及嵌入式【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]Flash存儲芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用，在嵌入式系統(tǒng)芯片的存儲芯片最主要的就是Flash存儲芯片與RAM芯片，然而，由于Flash存儲芯片在斷電后數(shù)據(jù)不會丟失的特殊功能，使得Flash存儲芯片的應(yīng)用更加廣泛。
[0003]然而，如今的Flash存儲芯片在改寫過程中，擦除操作與寫入操作是有次數(shù)限制的，如圖1所示，當(dāng)某系統(tǒng)或者在某使用環(huán)境下需要經(jīng)常修改Flash存儲芯片中的某一個參數(shù)，由于基于Flash存儲芯片的特殊性，擦除時是進行頁擦除動作，因此當(dāng)需要對圖1中C3數(shù)據(jù)的改寫時，當(dāng)C3寫入次數(shù)有100K次時，Pl頁相對應(yīng)也進行了 100K次的擦除，然而其它參數(shù)均始終保持原擦除值，當(dāng)一直對C3進行寫入處理，便導(dǎo)致當(dāng)擦除到一個最大次數(shù)時，該Flash存儲芯片在該Pl頁的擦寫壽命也就終止了，同時該Pl頁的存儲/讀取功能也喪失了，意味著除了 C3，C1、C2及C4的數(shù)據(jù)也無法獲取，因此，在嵌入式系統(tǒng)中，快速運行的系統(tǒng)可能會多次擦寫Flash芯片的同一塊區(qū)域，若此區(qū)域擦寫次數(shù)超過了限制就會導(dǎo)致此區(qū)域的存儲單元損壞。
[0004]針對上述的Flash存儲芯片的擦除和寫入操作的限制，因此，如何減少在Flash存儲芯片中寫入和擦除的次數(shù)，從而延長Flash存儲芯片的壽命，已經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供了一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置，通過先判斷是否具備足夠的寫入新數(shù)據(jù)的空間，若有，則直接寫入新的數(shù)據(jù)，若否，再進行擦除操作，從而，進一步減少了在Flash存儲芯片中寫入和擦除的次數(shù)，同時，大大地延長了 Flash存儲芯片的工作壽命。
[0006]本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法，包括:
[0007]S1:判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則執(zhí)行步驟S2，若否，則執(zhí)行步驟S3 ；
[0008]S2:將所述第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)；
[0009]S3:擦除全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。
[0010]優(yōu)選地，
[0011]所述步驟SI之前還包括:
[0012]將所述第一數(shù)據(jù)緩存在具備預(yù)置緩存時長的緩存區(qū)中；
[0013]當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
[0014]優(yōu)選地，[0015]當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作具體包括:
[0016]監(jiān)測所述預(yù)置時長內(nèi)是否有第二數(shù)據(jù)寫入，若是，則重置所述緩存區(qū)的緩存時間為所述預(yù)置緩存時長，并將所述第二數(shù)據(jù)合并或更新為所述第一數(shù)據(jù)，若否，則當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
[0017]優(yōu)選地，
[0018]所述步驟S3具體包括:
[0019]讀取所述全部存儲區(qū)的全部數(shù)據(jù)，所述全部數(shù)據(jù)包含有身份標(biāo)識；
[0020]擦除所述全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
[0021]優(yōu)選地，
[0022]將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)具體包括:
[0023]根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)的身份標(biāo)識提取讀取到的所述全部數(shù)據(jù)中原始的所述第一數(shù)據(jù)；
[0024]將所述第一數(shù)據(jù)在相對應(yīng)的所述存儲區(qū)中與原始的所述第一數(shù)據(jù)進行替換，并與所述全部數(shù)據(jù)進行合并；
[0025]將合并后的所述全部數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
[0026]本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，包括:
[0027]判斷模塊，用于判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則觸發(fā)第一寫入模塊，若否，則觸發(fā)第二寫入模塊；
[0028]所述第一寫入模塊，用于將所述第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)；
[0029]所述第二寫入模塊，用于擦除全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。
[0030]優(yōu)選地，
[0031]所述的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置還包括:
[0032]緩存模塊，用于將所述第一數(shù)據(jù)緩存在具備預(yù)置緩存時長的緩存區(qū)中；
[0033]計時模塊，用于當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
[0034]優(yōu)選地，
[0035]所述計時模塊具體包括:
[0036]監(jiān)測子模塊，用于監(jiān)測所述預(yù)置時長內(nèi)是否有第二數(shù)據(jù)寫入，若是，則重置所述緩存區(qū)的緩存時間為所述預(yù)置緩存時長，并將所述第二數(shù)據(jù)合并或更新為所述第一數(shù)據(jù)，若否，則當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
[0037]優(yōu)選地，
[0038]所述第二寫入模塊具體包括:
[0039]讀取子模塊，用于讀取所述全部存儲區(qū)的全部數(shù)據(jù)，所述全部數(shù)據(jù)包含有身份標(biāo)識；
[0040]擦寫子模塊，用于擦除所述全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
[0041]優(yōu)選地，[0042]所述擦寫子模塊具體包括:
[0043]擦除單元，用于擦除所述全部存儲區(qū)；
[0044]提取單元，用于根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)的身份標(biāo)識提取讀取到的所述全部數(shù)據(jù)中原始的所述第一數(shù)據(jù)；
[0045]合并單元，用于將所述第一數(shù)據(jù)在相對應(yīng)的所述存儲區(qū)中與原始的所述第一數(shù)據(jù)進行替換，并與所述全部數(shù)據(jù)進行合并；
[0046]寫入單元，用于將合并后的所述全部數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
[0047]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點:
[0048]本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置，其中，方法步驟包括:
51:判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則執(zhí)行步驟S2，若否，則執(zhí)行步驟S3;
52:將第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)；S3:擦除全部存儲區(qū)，并將第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。本實施例中，通過先判斷是否具備足夠的寫入新數(shù)據(jù)的空間，若有，則直接寫入新的數(shù)據(jù)，若否，再進行擦除操作，從而，進一步減少了在Flash存儲芯片中寫入和擦除的次數(shù)，同時，大大地延長了 Flash存儲芯片的工作壽命，使得數(shù)據(jù)因Flash存儲芯片的損壞而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失的概率也有效地得到降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0049]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0050]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法參考示意圖；
[0051]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法的一個實施例的流程示意圖；
[0052]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法的另一個實施例的流程示意圖；
[0053]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法的另一個實施例的流程示意圖；
[0054]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0057]本發(fā)明實施例提供了一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法及裝置，通過先判斷是否具備足夠的寫入新數(shù)據(jù)的空間，若有，則直接寫入新的數(shù)據(jù)，若否，再進行擦除操作，從而，進一步減少了在Flash存儲芯片中寫入和擦除的次數(shù)，同時，大大地延長了 Flash存儲芯片的工作壽命。
[0058]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0059]請參閱圖2，本發(fā)明實施例提供的一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法的一個實施例包括:
[0060]S1:判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則執(zhí)行步驟S2，若否，則執(zhí)行步驟S3 ；
[0061]本實施例中，當(dāng)使用嵌入式系統(tǒng)需要對Flash存儲芯片中的數(shù)據(jù)進行改寫時，首先需要判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若具備有足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，則執(zhí)行步驟S2，若不具備有足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，則執(zhí)行步驟S3。
[0062]需要說明的是，前述的第一數(shù)據(jù)，可以是新的需要改寫的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)的存儲結(jié)構(gòu)由數(shù)據(jù)的身份標(biāo)識，數(shù)據(jù)長度及數(shù)據(jù)串組成，例如ID、LEN及DATAl~DATAn組成，如下表所示:
[0063]
【權(quán)利要求】
1.一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入方法，其特征在于，包括: 51:判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則執(zhí)行步驟S2，若否，則執(zhí)行步驟S3 ； 52:將所述第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)； 53:擦除全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟SI之前還包括: 將所述第一數(shù)據(jù)緩存在具備預(yù)置緩存時長的緩存區(qū)中； 當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作具體包括: 監(jiān)測所述預(yù)置時長內(nèi)是否有第二數(shù)據(jù)寫入，若是，則重置所述緩存區(qū)的緩存時間為所述預(yù)置緩存時長，并將所述第二數(shù)據(jù)合并或更新為所述第一數(shù)據(jù)，若否，則當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括: 讀取所述全部存儲 區(qū)的全部數(shù)據(jù)，所述全部數(shù)據(jù)包含有身份標(biāo)識； 擦除所述全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)具體包括: 根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)的身份標(biāo)識提取讀取到的所述全部數(shù)據(jù)中原始的所述第一數(shù)據(jù)；將所述第一數(shù)據(jù)在相對應(yīng)的所述存儲區(qū)中與原始的所述第一數(shù)據(jù)進行替換，并與所述全部數(shù)據(jù)進行合并； 將合并后的所述全部數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
6.一種存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，其特征在于，包括: 判斷模塊，用于判斷是否具備足夠?qū)懭氲谝粩?shù)據(jù)的空間，若是，則觸發(fā)第一寫入模塊，若否，則觸發(fā)第二寫入模塊； 所述第一寫入模塊，用于將所述第一數(shù)據(jù)寫入第一空閑存儲區(qū)； 所述第二寫入模塊，用于擦除全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的存儲區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，其特征在于，還包括: 緩存模塊，用于將所述第一數(shù)據(jù)緩存在具備預(yù)置緩存時長的緩存區(qū)中； 計時模塊，用于當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，其特征在于，所述計時模塊具體包括: 監(jiān)測子模塊，用于監(jiān)測所述預(yù)置時長內(nèi)是否有第二數(shù)據(jù)寫入，若是，則重置所述緩存區(qū)的緩存時間為所述預(yù)置緩存時長，并將所述第二數(shù)據(jù)合并或更新為所述第一數(shù)據(jù)，若否，則當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)緩存時間超過所述預(yù)置緩存時長時，對所述第一數(shù)據(jù)進行寫入操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，其特征在于，所述第二寫入模塊具體包括: 讀取子模塊，用于讀取所述全部存儲區(qū)的全部數(shù)據(jù)，所述全部數(shù)據(jù)包含有身份標(biāo)識；擦寫子模塊，用于擦除所述全部存儲區(qū)，并將所述第一數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲芯片數(shù)據(jù)寫入裝置，其特征在于，所述擦寫子模塊具體包括: 擦除單元，用于擦除所述全部存儲區(qū)； 提取單元，用于根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)的身份標(biāo)識提取讀取到的所述全部數(shù)據(jù)中原始的所述第一數(shù)據(jù)； 合并單元，用于將所述第一數(shù)據(jù)在相對應(yīng)的所述存儲區(qū)中與原始的所述第一數(shù)據(jù)進行替換，并與所述全部數(shù)據(jù)進行合并； 寫入單元，用于將合并后的所述全部數(shù)據(jù)寫入相對應(yīng)的所述存儲區(qū)。
【文檔編號】G06F3/06GK103838526SQ201410129796
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】鄧孜俊, 王龍輝, 左春生, 劉偉高 申請人:廣州華欣電子科技有限公司