外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備以及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備以及方法，所述再生設(shè)備包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的主板、硬盤一、硬盤二；所述硬盤一是本再生設(shè)備的系統(tǒng)硬盤，其與主板相連；硬盤二安裝有專用維修系統(tǒng)，負(fù)責(zé)處理目標(biāo)電腦內(nèi)置存儲設(shè)備的維修；所述機(jī)殼上設(shè)置有用于接收目標(biāo)存儲設(shè)備的對外接口模塊。所述方法包括：接收目標(biāo)存儲設(shè)備，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行CMOS檢測、固件信息檢測、盤面品質(zhì)檢測以及對盤面品質(zhì)正常的目標(biāo)存儲設(shè)備的磁盤進(jìn)行整理以及優(yōu)化。本發(fā)明可對多種存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)粉碎及實現(xiàn)存儲設(shè)備再生的自動化，操作簡單、快捷、高效。
【專利說明】外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備以及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備以及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著手機(jī)、MP4、電腦等諸多電子產(chǎn)品的日漸普及，由此帶來的電子垃圾污染問題也日益嚴(yán)重。而在每年產(chǎn)生的巨量的電子垃圾中，有近七成的存儲設(shè)備是可以進(jìn)行回收并循環(huán)再生利用的，這些可循環(huán)利用的存儲設(shè)備具體包括:臺式電腦硬盤、筆記本硬盤、服務(wù)器硬盤、固態(tài)硬盤、U盤、數(shù)碼相機(jī)存儲卡、智能手機(jī)內(nèi)存卡、MP4內(nèi)存卡等等。另外，對于一些物理損壞的存儲設(shè)備，如存在壞道的硬盤，也能通過再生處理進(jìn)行修復(fù)，使其不至于報廢。然而，目前還沒有一種很好的工具能對廢棄的存儲設(shè)備進(jìn)行可靠性檢測、數(shù)據(jù)粉碎以及再生修復(fù)，修復(fù)過程復(fù)雜，再生成本高，進(jìn)而限制了存儲設(shè)備的回收利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備以及方法，用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生過程的自動化。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備，包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的主板、硬盤一、硬盤二，其中硬盤一是本再生設(shè)備的系統(tǒng)硬盤，其與主板相連；硬盤二安裝有專用維修系統(tǒng)，負(fù)責(zé)處理目標(biāo)電腦內(nèi)置存儲設(shè)備的維修；所述機(jī)殼上設(shè)置有用于接收目標(biāo)存儲設(shè)備的對外接口模塊，所述對外接口模塊包括目標(biāo)電腦連接端口、目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口 ；所述目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口與主板相連，所述目標(biāo)電腦連接端口與硬盤二相連；還包括按鍵模塊和顯示模塊，所述按鍵模塊和顯示模塊分別與主板相連。
[0005]本發(fā)明還提供了的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，所述方法包括:
(1)接收目標(biāo)存儲設(shè)備，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行CMOS檢測，檢測結(jié)果顯示在顯示模塊上，分三種情況:
(1.0正常識別，直接進(jìn)入步驟(2)；
(1.2)無法識別且一直停留在CMOS檢測畫面，則進(jìn)行邏輯鎖解鎖，解鎖成功后進(jìn)入步驟(2)，若解鎖不成功，則進(jìn)行深度再生處理；
(1.3)無法識別且一直停留在DOS畫面，則需要進(jìn)行深度再生處理；
(2)對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行固件信息檢測，檢測通過后，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)粉碎；若檢測不通過，進(jìn)行深度再生處理；
(3)對完成數(shù)據(jù)粉碎的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，具體方法是檢測目標(biāo)存儲設(shè)備的每個扇區(qū)進(jìn)行讀寫測試時的時間反饋值，檢測結(jié)果分以下三種情況:
(3.1)所有邏輯塊地址LBA值的時間反饋值均小于150毫秒，表示盤面品質(zhì)正常；
(3.2)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在150毫秒至500毫秒的區(qū)間內(nèi)，表示存在危險磁道，需進(jìn)入危險磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，進(jìn)入步驟
(4);若不通過，調(diào)整超時設(shè)置進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理；
(3.3)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在500毫秒以上，表示存在損壞磁道，進(jìn)入損壞磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，則進(jìn)入步驟(4);若不通過，調(diào)整參數(shù)進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理；
(4)對盤面品質(zhì)正常的目標(biāo)存儲設(shè)備的磁盤進(jìn)行整理以及優(yōu)化，以提高磁盤的讀寫速度。
[0006]進(jìn)一步，步驟(I)中接收存儲設(shè)備后，還包括根據(jù)所連接的對外接口模塊的端口，選擇工作模式。
[0007]進(jìn)一步，步驟(3.2)所述的危險磁道再生流程具體包括:
對于只有危險磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道擦除；
對于只有危險磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零。
[0008]進(jìn)一步，步驟(3.3)所述的損壞磁道再生流程具體包括:
對于扇區(qū)前面部分正常，但從某一邏輯塊地址LBA值開始，后面的扇區(qū)全是損壞磁道，即具有前好后壞問題的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行手動降容處理；
對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道屏
蔽；
對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零。
[0009]進(jìn)一步，所述深度再生處理具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更換電機(jī)、重寫ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固件、指令修復(fù)LBA=0、解除固件鎖、重建譯碼表、處理增長缺陷表和永久缺陷表、硬盤密碼解鎖、磁盤降容、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。
[0010]綜上所述，本發(fā)明的有益效果是:
(1)目標(biāo)硬盤免拆卸，能通過USB線與目標(biāo)電腦進(jìn)行通訊連接，對目標(biāo)電腦內(nèi)置的硬盤存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)粉碎或者再生；
(2)再生過程完全自動化，技術(shù)要求低，可免去技術(shù)人員繁瑣的操作；通過按鍵模塊可輸入控制指令，直接操作，簡單快捷；
(3)通過本再生設(shè)備能對存儲設(shè)備進(jìn)行手動降容，封閉壞道區(qū)域，確保再生之后，用戶無法使用到壞道的位置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]以下結(jié)合附圖和實例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0012]圖1是本發(fā)明的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0013]參照圖1，本發(fā)明的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備，包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的主板、硬盤一、硬盤二，其中硬盤一是本再生設(shè)備的系統(tǒng)硬盤，其與主板相連；硬盤二安裝有專用維修系統(tǒng)，負(fù)責(zé)處理目標(biāo)電腦內(nèi)置存儲設(shè)備的維修；所述機(jī)殼上設(shè)置有用于接收目標(biāo)存儲設(shè)備的對外接口模塊，所述對外接口模塊包括目標(biāo)電腦連接端口、目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口 ；所述目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口與主板相連，所述目標(biāo)電腦連接端口與硬盤二相連；還包括按鍵模塊和顯示模塊，所述按鍵模塊和顯示模塊分別與主板相連。
[0014]針對各種接口存儲設(shè)備，本發(fā)明的對外接口模塊設(shè)置有多種連接端口，其中目標(biāo)電腦連接端口可通過數(shù)據(jù)線與目標(biāo)電腦連接，利用特殊的專用維修系統(tǒng)直接對目標(biāo)電腦內(nèi)置的硬盤存儲設(shè)備進(jìn)行維修，達(dá)到免開箱拆卸的目的；目標(biāo)硬盤連接端口用于接收普通硬盤；目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口用于接收移動硬盤等USB存儲設(shè)備；C0M接口用于與硬盤建立基于串行數(shù)據(jù)的傳輸模式，構(gòu)建深度再生通道，以對硬盤進(jìn)行底層操作。
[0015]本發(fā)明的再生設(shè)備適用于對發(fā)生初級再生故障的存儲設(shè)備進(jìn)行初級再生，可初級再生的故障內(nèi)容包括讀寫慢、無法分區(qū)、無法格式化、無法安裝系統(tǒng)、零磁道損壞、危險磁道、壞磁道、邏輯鎖、降容等等，初級再生的維修方法包括解鎖、定位再生增長缺陷表、硬盤清零、降容。
[0016]參照圖2，本發(fā)明的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，所述方法包括:
(1)接收目標(biāo)存儲設(shè)備，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行CMOS檢測，檢測結(jié)果顯示在顯示模塊上，分三種情況:
(1.0正常識別，直接進(jìn)入步驟(2)；
(1.2)無法識別且一直停留在CMOS檢測畫面，則進(jìn)行邏輯鎖解鎖，解鎖成功后進(jìn)入步驟(2)，若解鎖不成功，則進(jìn)行深度再生處理；
(1.3)無法識別且一直停留在DOS畫面，則需要進(jìn)行深度再生處理；
(2)對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行固件信息檢測，檢測通過后，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)粉碎；若檢測不通過，進(jìn)行深度再生處理；
(3)對完成數(shù)據(jù)粉碎的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，具體方法是檢測目標(biāo)存儲設(shè)備的每個扇區(qū)進(jìn)行讀寫測試時的時間反饋值，檢測結(jié)果分以下三種情況:
(3.1)所有邏輯塊地址LBA(Logical Block Address)值的時間反饋值均小于150毫秒，表不盤面品質(zhì)正常；
(3.2)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在150毫秒至500毫秒的區(qū)間內(nèi)，表示存在危險磁道，需進(jìn)入危險磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，進(jìn)入步驟
(4);若不通過，調(diào)整超時設(shè)置的參數(shù)進(jìn)行深度清零，所述超時設(shè)置用于對硬盤磁道的讀取時間進(jìn)行限制，當(dāng)讀取周期超過超時設(shè)置的參數(shù)，系統(tǒng)則認(rèn)為該磁道為缺陷磁道，寫進(jìn)增長缺陷表(G-list)，在本實施例中，普通清零的超時設(shè)置默認(rèn)為30，若普通清零后還存在危險磁道，則將超時設(shè)置調(diào)小，例如將超時設(shè)置調(diào)到29、28來進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理；
(3.3)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在500毫秒以上，表示存在損壞磁道，進(jìn)入損壞磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，則進(jìn)入步驟(4);若不通過，調(diào)整超時設(shè)置進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理；
(4)對盤面品質(zhì)正常的目標(biāo)存儲設(shè)備的磁盤進(jìn)行整理以及優(yōu)化，以提高磁盤的讀寫速度。
[0017]進(jìn)一步，步驟(I)中接收存儲設(shè)備后，還包括根據(jù)所連接的對外接口模塊的端口，選擇工作模式。
[0018]進(jìn)一步，步驟(3.2)所述的危險磁道再生流程具體包括:
對于只有危險磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道擦除；
對于只有危險磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零。
[0019]進(jìn)一步，步驟(3.3)所述的損壞磁道再生流程具體包括:
對于扇區(qū)前面部分正常，但從某一邏輯塊地址LBA值開始，后面的扇區(qū)全是損壞磁道，即具有前好后壞問題的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行手動降容處理；具體是輸入所標(biāo)記的壞道起始處的邏輯塊地址LBA值，系統(tǒng)自動對后面的壞道進(jìn)行封閉
對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道屏
蔽；
對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零，具體為對所有損壞磁道進(jìn)行標(biāo)記和擦除，使其加入增長缺陷表。
[0020]需說明的是，本發(fā)明采用的手動降容與普通的分區(qū)隔離壞道有本質(zhì)上的區(qū)別:普通的分區(qū)隔離壞道在主板識別的時候是看到原本存儲設(shè)備的容量，壞道實際上還是存在用戶區(qū)，用戶還是有可能會使用到壞道的位置，而手動降容后，在主板識別的時候就是降容后的容量，例如500G的硬盤，降容后變成320G，主板識別就是320G，這樣使用戶無法訪問到那些缺陷扇區(qū)。
[0021]進(jìn)一步，所述深度再生處理具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更換電機(jī)、重寫ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固件、指令修復(fù)LBA=0、解除固件鎖、重建譯碼表、處理增長缺陷表和永久缺陷表(P-list)、硬盤密碼解鎖、磁盤降容、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。
[0022]所述再生設(shè)備的按鍵模塊包括數(shù)字鍵盤，用于輸入數(shù)字指令，通過選擇數(shù)字鍵，能夠直接跳轉(zhuǎn)到相應(yīng)的程序，執(zhí)行指令。在本實施例中，各數(shù)字鍵代表的指令為:0.固件信息檢測、1.品質(zhì)檢測、2.壞道屏蔽、3.壞道擦除、4.清零、5.手動降容、6.邏輯鎖解鎖、7.數(shù)據(jù)粉碎、8.深度清零。
[0023]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生設(shè)備，其特征在于:包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的主板、硬盤一、硬盤二，其中硬盤一是本再生設(shè)備的系統(tǒng)硬盤，其與主板相連；硬盤二安裝有專用維修系統(tǒng)，負(fù)責(zé)處理目標(biāo)電腦內(nèi)置存儲設(shè)備的維修；所述機(jī)殼上設(shè)置有用于接收目標(biāo)存儲設(shè)備的對外接口模塊，所述對外接口模塊包括目標(biāo)電腦連接端口、目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口 ；所述目標(biāo)硬盤連接端口、目標(biāo)USB存儲設(shè)備連接端口、COM接口與主板相連，所 述目標(biāo)電腦連接端口與硬盤二相連；還包括按鍵模塊和顯示模塊，所述按鍵模塊和顯示模塊分別與主板相連。
2.一種應(yīng)用權(quán)利要求1所述設(shè)備的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，其特征在于，所述方法包括: (1)接收目標(biāo)存儲設(shè)備，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行CMOS檢測，檢測結(jié)果顯示在顯示模塊上，分三種情況: (1.0正常識別，直接進(jìn)入步驟(2)； (1.2)無法識別且一直停留在CMOS檢測畫面，則進(jìn)入邏輯鎖解鎖流程，解鎖成功后進(jìn)入步驟(2)，若解鎖不成功，則進(jìn)行深度再生處理； (1.3)無法識別且一直停留在DOS畫面，則需要進(jìn)行深度再生處理； (2)對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行固件信息檢測，檢測通過后，對目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)粉碎；若檢測不通過，進(jìn)行深度再生處理； (3)對完成數(shù)據(jù)粉碎的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，具體方法是檢測目標(biāo)存儲設(shè)備的每個扇區(qū)進(jìn)行讀寫測試時的時間反饋值，檢測結(jié)果分以下三種情況: (3.1)所有邏輯塊地址LBA值的時間反饋值均小于150毫秒，表示盤面品質(zhì)正常； (3.2)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在150毫秒至500毫秒的區(qū)間內(nèi)，表示存在危險磁道，需進(jìn)入危險磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，進(jìn)入步驟(4);若不通過，調(diào)整參數(shù)進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不能通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理； (3.3)部分邏輯塊地址LBA值的時間反饋值在500毫秒以上，表示存在損壞磁道，進(jìn)入損壞磁道再生流程，再生后重新進(jìn)行盤面品質(zhì)檢測，若通過，則進(jìn)入步驟(4);若不通過，調(diào)整超時設(shè)置進(jìn)行深度清零，若深度清零后還不能通過盤面品質(zhì)檢測，則進(jìn)行深度再生處理； (4)對盤面品質(zhì)正常的目標(biāo)存儲設(shè)備的磁盤進(jìn)行整理以及優(yōu)化，以提高磁盤的讀寫速度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，其特征在于，步驟(1)中接收存儲設(shè)備后，還包括根據(jù)所連接的對外接口模塊的端口，選擇工作模式。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，其特征在于，步驟(3.2)所述的危險磁道再生流程具體包括: 對于只有危險磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道擦除； 對于只有危險磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，其特征在于，步驟(3.3)所述的損壞磁道再生流程具體包括: 對于扇區(qū)前面部分正常，但從某一邏輯塊地址LBA值開始，后面的扇區(qū)全是損壞磁道，即具有前好后壞問題的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行手動降容處理； 對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量少于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行壞道屏蔽； 對于沒有前好后壞問題，但有損壞磁道且數(shù)量大于50個的目標(biāo)存儲設(shè)備進(jìn)行清零。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外置式數(shù)據(jù)粉碎及存儲設(shè)備再生方法，其特征在于，所述深度再生處理具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更換電機(jī)、重寫ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固件、指令修復(fù)LBA=O、解除固件鎖、重建譯碼表、處理增長缺陷表和永久缺陷表、硬盤密碼解鎖、磁盤降容 、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。
【文檔編號】G06F11/22GK103955437SQ201410132130
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月2日
【發(fā)明者】蔡楊毅, 蔡杰, 莫小麗 申請人:江門市未來之星網(wǎng)絡(luò)科技有限公司