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      內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板的制作方法

      文檔序號:6547814閱讀:147來源:國知局
      內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,屬于顯示屏【技術領域】。由于其OLED板的包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,下觸控傳感器陣列和上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元。從而能夠將觸控信號的感應元件與OLED板整合,形成內嵌式觸控面板,是本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板不僅結構簡單,厚度更薄,成本更低,適用于更為輕薄短小的電子產品,而且能有效提高面板穿透度,減少彩虹紋現象的產生,大幅提升用戶的使用體驗。
      【專利說明】內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及顯示屏【技術領域】,特別涉及發(fā)光二極管顯示屏【技術領域】,具體是指一種內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板。
      【背景技術】
      [0002]目前的電子產品中,具有觸控功能的顯示面板普遍搭載于各類智能手持裝置上,因此電子產品對于輕薄短小的要求也同樣加諸于觸控面板上。經過廠商的努力研發(fā),從外嵌式觸控面板(Out-Cell Touch)到表嵌式觸控面板(On-Cell Touch),乃至單玻璃觸控(One Glass Solution, 0GS)等解決方案便紛紛出現。
      [0003]其中表嵌式觸控面板(On-Cell Touch)的常規(guī)結構如圖1所示。0n_cell為在上蓋板玻璃之上貼上觸控傳感器sensor以及相關的膜(film)材料,最后在最上方再貼合一片保護玻璃(Cover lens)。其缺點在于:面板穿透度較差(Low transmittance);容易產生彩虹紋現象(Moire),且面板較厚,成本也比較高
      [0004]現有技術中常用的單玻璃觸控(OGS)面板結構如圖2所示。OGS為將上蓋板玻璃與傳感器整合為單一玻璃狀態(tài)貼附在面板(Panel cell)上,以此將玻璃數降至為兩片,從而相較于表嵌式觸控面板能一定程度上降低面板整體厚度,減少生產成本,但現有技術中的單玻璃觸控面板結構同樣存在面板穿透度較差和容易產生彩虹紋現象的問題。
      [0005]因此如何提供一種在降低面板厚度,減少成本,適用于輕薄短小的電子產品的同時,又能提高面板穿透度,減少彩虹紋現象的產生,并最終提高用戶使用體驗的觸控面板成為本【技術領域】亟待解決的問題。

      【發(fā)明內容】

      [0006]本發(fā)明的目的是克服了上述現有技術中的缺點,提供一種能有效提高面板穿透度,減少彩虹紋現象的產生,同時結構簡單,厚度更薄,成本較低,能適用于更為輕薄短小的電子產品,并大幅提升用戶使用體驗的內嵌式(In-Cell Touch)有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板。
      [0007]為了實現上述的目的,本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板具有包括:
      [0008]基板、位于所述基板之上的TFT背板和位于所述的TFT背板之上OLED板,該OLED板包括下電極層、上電極層、以及所述下電極層和所述上電極層之間的OLED層。該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板還包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,所述下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列中的下觸控傳感器圖案化于所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道之中,所述上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述上觸控傳感器陣列中的上觸控傳感器圖案化于所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道之中;所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元,且,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列均電路連接于觸控信號電路。
      [0009]該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板中,所述下電極層為OLED板陽極層,所述上電極層為OLED板陰極層。
      [0010]該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板中,所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第一方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第一方向的下間隙通道的掃描信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第一方向垂直的第二方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第二方向的上間隙通道的驅動信號傳感器陣列。
      [0011]該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板中,所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第二方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第二方向的下間隙通道的驅動信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第二方向垂直的第一方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第一方向的上間隙通道的掃描信號傳感器陣列。
      [0012]該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板中,所述觸控信號電路設置于所述TFT背板。采用了該發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,由于其OLED板的包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,所述下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列中的下觸控傳感器圖案化于所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道之中,所述上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述上觸控傳感器陣列中的上觸控傳感器圖案化于所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道之中;所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元。從而能夠將觸控信號的感應元件與OLED板整合,形成內嵌式(In-Cell Touch)觸控面板,是本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板不僅結構簡單,厚度更薄,成本更低,適用于更為輕薄短小的電子產品,而且能有效提高面板穿透度,減少彩虹紋現象的產生,大幅提升用戶的使用體驗。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0013]圖1為現有技術中的外嵌式觸控面板的結構示意圖。
      [0014]圖2為現有技術中的單玻璃觸控面板的結構示意圖。
      [0015]圖3為本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板的結構示意圖。
      [0016]圖4為本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板的詳細剖面結構示意圖。
      [0017]圖5為本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板在一種實施方式中上下電極層的XY軸排布方式不意圖。
      [0018]圖6為本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板在另一種實施方式中上下電極的XY軸排布方式示意圖。
      【具體實施方式】[0019]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術內容,特舉以下實施例詳細說明。
      [0020]請參閱圖3所示,為本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板的結構示意圖。
      [0021]在一種實施方式中,該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板具有基板、位于所述基板之上的TFT背板和位于所述的TFT背板之上OLED板,該OLED板包括下電極層、上電極層、以及所述下電極層和所述上電極層之間的OLED層。如圖3及圖4所示,該內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板還包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,所述下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列中的下觸控傳感器圖案化于所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道之中,所述上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述上觸控傳感器陣列中的上觸控傳感器圖案化于所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道之中;所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元,且,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列均電路連接于觸控信號電路。所述觸控信號電路設置于所述TFT背板。在優(yōu)選的實施方式中,所述下電極層為OLED板陽極層,所述上電極層為OLED板陰極層。
      [0022]在更優(yōu)選的實施方式中,所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第一方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第一方向的下間隙通道的掃描信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第一方向垂直的第二方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第二方向的上間隙通道的驅動信號傳感器陣列。
      [0023]又或者,所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第二方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第二方向的下間隙通道的驅動信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第二方向垂直的第一方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第一方向的上間隙通道的掃描信號傳感器陣列。
      [0024]在本發(fā)明的應用中,本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,其設計模式是將觸摸傳感器整合在TFT制程內的投射式電容觸控機制。利用原有的TFT制程制造出可以進行XY軸向的訊號掃描,從而達到觸摸傳感器的功能。由此可以成功降低成本,提高穿透度并減少彩虹紋現象的發(fā)生。
      [0025]具體制造時,先將OLED的陽極進行圖案化,制作成X(或Y)軸向的掃描信號;再將OLED的陰極進行圖案化制作成Y(或X)軸向的驅動信號,從而形成內嵌式的觸摸感應。
      [0026]如圖5和6所示,實際設計圖形的作法為將陽極的空余位置設計出掃描信號,并將原本整面覆蓋的陰極圖案化出相關的驅動信號,相互交叉排布的陽極掃描信號和陰極驅動信號形成互容(mutual capacitance)式的觸控掃描機制作為觸控感應元件。
      [0027]具體的陽極及陰極排布可以采用如圖5或圖6所示的任一方法,依雙層結構的模式以XY軸交錯的方式排列。電極外部四周分別有導線將XY軸向的電極電性連接到控制電路的感應通道內。在實際使用時,當沒有任何導電物體接近時,各個觸控電極彼此之間會有一個固定的耦合電容,此時電極和電極之間的電場分布是固定的,控制電路就會透過各個感應通道將每條XY軸在線的電極電容值進行記錄。當人體手指接觸面板,原來固定分布在每個電極上的電場會因為部分電力線連接到手指皮膚而產生變化,從而在接觸點形成一個新的電容,進而改變接觸點的總電容值,控制端感應到電容值的變化,以定位觸點,實現觸控功能。
      [0028]采用了該發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,由于其OLED板的包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,所述下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列中的下觸控傳感器圖案化于所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道之中,所述上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述上觸控傳感器陣列中的上觸控傳感器圖案化于所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道之中;所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元。從而能夠將觸控信號的感應元件與OLED板整合,形成內嵌式(In-Cell Touch)觸控面板,是本發(fā)明的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板不僅結構簡單,厚度更薄,成本更低,適用于更為輕薄短小的電子產品,而且能有效提高面板穿透度,減少彩虹紋現象的產生,大幅提升用戶的使用體驗。
      [0029]在此說明書中,本發(fā)明已參照其特定的實施例作了描述。但是,很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此,說明書和附圖應被認為是說明性的而非限制性的。
      【權利要求】
      1.一種內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,包括: 基板; TFT背板,位于所述基板之上; OLED板,位于所述的TFT背板之上,包括下電極層、上電極層、以及所述下電極層和所述上電極層之間的OLED層; 其特征在于, 還包括下觸控傳感器層和上觸控傳感器層,所述下觸控傳感器層包括下觸控傳感器陣列,所述下觸控傳感器陣列中的下觸控傳感器圖案化于所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道之中,所述上觸控傳感器層包括上觸控傳感器陣列,所述上觸控傳感器陣列中的上觸控傳感器圖案化于所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道之中;所述下觸控傳感器陣列排布方向與所述上觸控傳感器陣列排布方向垂直,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列組成用以感應觸摸信號的互容觸摸感應單元,且,所述下觸控傳感器陣列和所述上觸控傳感器陣列均電路連接于觸控信號電路。
      2.根據權利要求1所述的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,其特征在于,所述下電極層為OLED板陽極層,所述上電極層為OLED板陰極層。
      3.根據權利要求2所述的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,其特征在于, 所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第一方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第一方向的下間隙通道的掃描信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第一方向垂直的第二方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第二方向的上間隙通道的驅動信號傳感器陣列。
      4.根據權利要求2所述的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,其特征在于, 所述下電極層中各個下電極之間所形成的下間隙通道為第二方向,所述下觸控傳感器陣列為設于第二方向的下間隙通道的驅動信號傳感器陣列;所述上電極層中各個上電極之間所形成的上間隙通道為與所述第二方向垂直的第一方向,所述上觸控傳感器陣列為設于第一方向的上間隙通道的掃描信號傳感器陣列。
      5.根據權利要求1至4中任一項所述的內嵌式有源矩陣有機發(fā)光二極管觸控面板,其特征在于,所述觸控信號電路設置于所述TFT背板。
      【文檔編號】G06F3/041GK103984442SQ201410228741
      【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權日:2014年5月27日
      【發(fā)明者】孫伯彰 申請人:上海和輝光電有限公司
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