用來管理一記憶裝置的方法、記憶裝置與控制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用來管理一記憶裝置的方法，記憶裝置與記憶裝置的控制器，所述方法包括下列步驟：將接收自主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入至少非揮發(fā)性存儲器組件；以及當接收到特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少非揮發(fā)性存儲器組件中的特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達預定次數(shù)時，立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊。本發(fā)明不必使用大量的單階細胞記憶區(qū)塊，故能省下其所占用的儲存空間，以提供更多的多階細胞記憶區(qū)塊。
【專利說明】用來管理一記憶裝置的方法、記憶裝置與控制器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于閃存(Flash Memory)的控制，尤指一種用來管理一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來由于閃存的技術(shù)不斷地發(fā)展，各種可攜式記憶裝置(例如:符合SD/MMC，CF，MS，XD標準的記憶卡)被廣泛地實施于諸多應(yīng)用中。因此，這些可攜式記憶裝置中的閃存的訪問控制遂成為相當熱門的議題。
[0003]以常用的NAND型閃存而言，其主要可區(qū)分為單階細胞(Single Level Cell1SLC)與多階細胞(Multiple Level Cell1MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞(Memory Cell ;也可稱為「記憶單元」)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值O與邏輯值I。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞的晶體管的儲存能力則被充分利用，是采用較高的電壓來驅(qū)動，以通過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄多個位的信息(例如:00，01，11，10);理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的兩倍以上，這對于曾經(jīng)在發(fā)展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關(guān)產(chǎn)業(yè)而言，是非常好的消息。
[0004]相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競相采用的主流。依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于某些類型的多階細胞閃存的運作復雜，故傳統(tǒng)的存儲器控制器會將多階細胞閃存內(nèi)的一部分實體區(qū)塊組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊，以供接收來自主裝置(HostDevice)的寫入數(shù)據(jù)。然而，某些問題就產(chǎn)生了。例如:由于多階細胞閃存內(nèi)的一部分實體區(qū)塊被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊，多階細胞閃存內(nèi)可供用來作為多階細胞記憶區(qū)塊的實體區(qū)塊的數(shù)量就減少了，使得傳統(tǒng)的記憶裝置的整體儲存容量減少了。又例如:傳統(tǒng)的存儲器控制器先將接收數(shù)據(jù)暫時地寫入單階細胞記憶區(qū)塊，再將數(shù)據(jù)從單階細胞記憶區(qū)塊收集到多階細胞記憶區(qū)塊，其中這些單階細胞記憶區(qū)塊的儲存空間很容易用完，故傳統(tǒng)的存儲器控制器需要頻繁地抹除這些單階細胞記憶區(qū)塊。于是，傳統(tǒng)的存儲器控制器的工作負荷大幅地增加了，且這些額外的運作需要額外的處理時間，使得傳統(tǒng)的記憶裝置的整體效能變差。因此，需要一種新穎的方法來加強控管閃存的數(shù)據(jù)存取，以在不產(chǎn)生副作用(例如:儲存數(shù)據(jù)錯誤)的狀況下提升整體效能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的之一在于公開一種用來管理一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，以解決上述問題。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于公開一種用來管理一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，以提升記憶裝置的運作效能。
[0007]本發(fā)明的至少一較佳實施例中公開一種用來管理一記憶裝置的方法，所述記憶裝置包括至少一非揮發(fā)性(Non-volatile，.)存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊(Block)，所述方法是應(yīng)用在所述記憶裝置中的一控制器，所述控制器是用來控制所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，所述方法包括下列步驟:將接收自一主裝置(Host Device)的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)；以及當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞(Multiple LevelCell1MLC)記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反?；蛑赋鏊鲇洃浹b置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞(Single Level Cell, SLC)記憶區(qū)塊。
[0008]本發(fā)明在公開上述方法的同時，也對應(yīng)地公開一種記憶裝置，包括:至少一非揮發(fā)性存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊；以及一控制器，用來控制所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，所述控制器包括一處理單元，以依據(jù)內(nèi)嵌于所述處理單元或接收自所述處理單元之外的一程序代碼來管理所述記憶裝置。另外，所述控制器將接收自一主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)。此外，當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，所述控制器立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反常或指出所述記憶裝置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊。
[0009]本發(fā)明在公開上述方法的同時，也對應(yīng)地公開一種記憶裝置的控制器，所述記憶裝置包括至少一非揮發(fā)性存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊，所述控制器包括:一處理單元，用來依據(jù)內(nèi)嵌于所述處理單元或接收自所述處理單元之外的一程序代碼來管理所述記憶裝置。另外，所述控制器將接收自一主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)。此外，當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，所述控制器立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反?；蛑赋鏊鲇洃浹b置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊。
[0010]本發(fā)明的好處之一是，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方法，記憶裝置與控制器不必使用大量的單階細胞記憶區(qū)塊，故能省下上述大量的單階細胞記憶區(qū)塊所占用的儲存空間，以提供更多的多階細胞記憶區(qū)塊。因此，本發(fā)明公開較現(xiàn)有技術(shù)更高的儲存容量。
[0011]本發(fā)明的另一好處是，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方法，記憶裝置與控制器可在不產(chǎn)生副作用(例如:儲存數(shù)據(jù)錯誤)的狀況下提升整體效能。尤其是，本發(fā)明的方法，記憶裝置與控制器可大幅地省下先將接收數(shù)據(jù)暫時地寫入上述大量的單階細胞記憶區(qū)塊再將數(shù)據(jù)從上述大量的單階細胞記憶區(qū)塊收集到多階細胞記憶區(qū)塊的時間，還可省下頻繁地抹除上述大量的單階細胞記憶區(qū)塊的時間。因此，本發(fā)明公開較現(xiàn)有技術(shù)更佳的效能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為依據(jù)本發(fā)明一第一實施例的一種記憶裝置的示意圖。
[0013]圖2繪示本發(fā)明的一實施例中關(guān)于圖1所示的非揮發(fā)性存儲器組件中140_0，140_1，…，與140_N的任一非揮發(fā)性存儲器組件140_n的內(nèi)容安排，其中所述非揮發(fā)性存儲器組件于本實施例中是快閃芯片。
[0014]圖3繪示本發(fā)明的另一實施例中關(guān)于圖1所示的非揮發(fā)性存儲器組件中的一者的內(nèi)容安排，其中所述非揮發(fā)性存儲器組件140_n在本實施例中是快閃芯片CHP(η)。
[0015]圖4為依據(jù)本發(fā)明一實施例的一種用來管理一記憶裝置的方法200。
[0016]圖5繪示圖4所示的方法200在一實施例中所涉及的控制方案。
[0017]圖6繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。
[0018]圖7繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。
[0019]圖8繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。
[0020]圖9繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。
[0021]圖10繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。
[0022]其中，附圖標記說明如下:
[0023]100記憶裝置
[0024]110處理單元
[0025]120揮發(fā)性存儲器
[0026]130傳輸接口
[0027]140_0，140_1，…，140_Ν非揮發(fā)性存儲器組件
[0028]150總線
[0029]200用來管理一記憶裝置的方法
[0030]210，220步驟
[0031]BLK(O), BLK(l), BLK(2)，…，
[0032]BLK (M)，BLK (m)，BLK (m，)區(qū)塊
[0033]CHP (η)快閃芯片
[0034]Data (O), Data (I), Data (2),
[0035]Data (3), Data (4), Data (5),
[0036]Data (6)，Data (7)，Data (8)，…數(shù)據(jù)
[0037]Page (0), Page (I), Page (2),
[0038]Page (3), Page (4), Page (5),
[0039]Page (6), Page (7), Page (8),…,
[0040]Page (189), Page(190), Page(191)頁
[0041]SEC (0)，SEC(I)，SEC (2)，SEC (3)區(qū)段
[0042]WLO1WLl, WL2,
[0043]WL3, WL4, WL5,
[0044]WL6, — ,WL63字線

【具體實施方式】
[0045]請參考圖1，其繪示依據(jù)本發(fā)明一第一實施例的一種記憶裝置100的示意圖。記憶裝置100包括:一處理單元110，一揮發(fā)性(Volatile)存儲器120，一傳輸接口 130，多個非揮發(fā)性(Non-volatile, NV)存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N(符號「N」代表一正整數(shù))諸如(N+1)個快閃芯片，以及一總線150。于典型狀況下，在傳輸接口 130耦接至一主裝置(未顯示于圖1)之后，所述主裝置可通過傳輸接口 130來存取(Access)記憶裝置100。舉例來說，所述主裝置可代表一個人計算機，例如一膝上型計算機或一桌面計算機。
[0046]處理單元110可依據(jù)內(nèi)嵌于處理單元110中或接收自處理單元110之外的程序代碼(未顯示)來管理記憶裝置100。例如:所述程序代碼可為內(nèi)嵌于處理單元110的硬件碼，尤其是一只讀存儲器碼(ROM code) 0又例如:所述程序代碼可為接收自處理單元110之外的韌體碼。尤其是，處理單元110是用來控制揮發(fā)性存儲器120，傳輸接口 130，非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N以及總線150。本實施例的處理單元110可為一高級縮減指令集計算機機器(Advanced Reduced Instruct1n Set Computer Machine, AdvancedRISC Machine, ARM)處理器或一亞哥縮減指令集計算機核心(Argonaut RISC Core, ARC)處理器。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的不同的變化例，處理單元110可為其它種處理器。
[0047]另外，揮發(fā)性存儲器120可用來儲存一全局頁地址鏈接表(Global Page AddressLinking Table)，所述主裝置所存取的數(shù)據(jù)以及用來存取記憶裝置100的其它所需信息。本實施例的揮發(fā)性存儲器120可為一動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random AccessMemory, DRAM)或一靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的不同的變化例，揮發(fā)性存儲器120可為其它種揮發(fā)性存儲器。例如:揮發(fā)性存儲器120可包括一靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)。
[0048]依據(jù)本實施例，圖1所示的傳輸接口 130是用來傳輸數(shù)據(jù)以及所述主裝置與記憶裝置100之間的指令，其中傳輸接口 130符合一特定通信標準諸如串行高級技術(shù)附件(Serial Advanced Technology Attachment, SATA)標準，并列高級技術(shù)附件(ParallelAdvanced Technology Attachment, PATA)標準或通用串行總線(Universal SerialBus, USB)標準。例如:記憶裝置100是一設(shè)置于所述主裝置中的固態(tài)硬盤(Solid StateDrive, SSD)，且所述特定通信標準可為用來實施所述主裝置的內(nèi)部通信的一些典型通信標準，諸如串行高級技術(shù)附件標準或并列高級技術(shù)附件標準。又例如:記憶裝置100是一固態(tài)硬盤且位于所述主裝置之外，并且所述特定通信標準可為用來實施所述主裝置的外部通信的一些典型通信標準，諸如通用串行總線標準。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的不同的變化例，記憶裝置100可為一可攜式記憶裝置諸如一記憶卡，且所述特定通信標準可為用來實施一記憶卡的輸入/輸出接口的一些典型通信標準，諸如安全數(shù)碼(Secure Digital, SD)標準或小型快閃(Compact Flash, CF)標準。
[0049]另外，非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，...，與140_N是用來儲存數(shù)據(jù)，其中非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N可為(但不限于)NAND型快閃芯片。總線150是用來耦接處理單元110，揮發(fā)性存儲器120，傳輸接口 130和非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N，以及用來進行其通信。于本實施例中，圖1所示架構(gòu)中除了非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N2外的部分可整合成一控制器，尤其是一集成電路(Integrated Circuit, IC)諸如一控制器芯片，其中所述控制器是用來控制記憶裝置100中的至少一非揮發(fā)性存儲器組件諸如非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N，故可視為記憶裝置100的控制器。
[0050]圖2繪示本發(fā)明一實施例中關(guān)于圖1所示的非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N中的任一非揮發(fā)性存儲器組件140_n的內(nèi)容安排，其中非揮發(fā)性存儲器組件140_11在本實施例中可稱為快閃芯片CHP (η)，而索引η可代表落入?yún)^(qū)間[0，N]的范圍內(nèi)的任一整數(shù)。如圖2所示，非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_Ν*的每一非揮發(fā)性存儲器組件諸如快閃芯片CHP(η)可包括多個區(qū)塊(Block)諸如圖2所示的各個區(qū)塊BLK (O)，BLK(I)，BLK (2)，…，與BLK (M)(符號「Mj代表一正整數(shù))，其中每一區(qū)塊可包括多頁，而每一頁可包括多個區(qū)段。于本實施例中，一區(qū)段可為最小讀取單位。換言之，在一讀取運作期間，處理單元110可讀取一個區(qū)段或多個區(qū)段。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。
[0051 ] 如圖2所示，在非揮發(fā)性存儲器組件140_N諸如快閃芯片CHP (η)中的一區(qū)塊(例如區(qū)塊BLK(O))被組態(tài)成單階細胞(Single Level Cell，SLC)記憶區(qū)塊的狀況下，所述區(qū)塊諸如區(qū)塊BLK(O)可包括一預定數(shù)量的多頁，諸如分別對應(yīng)于多個字線(Word-Line) WLO，WLl，WL2,…，與 WL63 的各頁 Page (O)，Page(I), Page (2),…，與Page (63)，其中每一頁諸如頁Page(O)可包括區(qū)段SEC(O)，SEC(I)，SEC(2)，與SEC(3)。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例的某些變化例，諸如圖3所示的實施例，在非揮發(fā)性存儲器組件140_n諸如快閃芯片CHP(n)中的一區(qū)塊(例如區(qū)塊BLK(O))被組態(tài)成多階細胞(Multiple Level Cell，MLC)記憶區(qū)塊諸如三階細胞(Triple Level Cell，TLC)記憶區(qū)塊的狀況下，所述區(qū)塊諸如區(qū)塊BLK(O)可包括一預定數(shù)量的多頁，諸如分別對應(yīng)于上述多個字線WLO，WL1，WL2，…，與 WL63 的各組頁{Page (O), Page (I), Page (2)} , {Page (3), Page (4), Page (5)},{Page (6), Page (7), Page (8)},...,與{Page (189), Page (190), Page (191)},其中每一頁諸如頁 Page(O)可包括區(qū)段 SEC(O)，SEC(I)，SEC (2)與 SEC (3)。
[0052]請注意，上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的任一區(qū)塊中的每一記憶細胞(Memory Cell)的儲存容量大于一個位,其中所述控制器可選擇性地將這個區(qū)塊組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊以在一個記憶細胞儲存一個位，也可選擇性地將這個區(qū)塊組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊以在一個記憶細胞儲存多個位。
[0053]圖4為依據(jù)本發(fā)明一實施例的一種用來管理一記憶裝置的方法200。所述方法可應(yīng)用在圖1所示的記憶裝置100，尤其是上述的控制器(例如:通過處理單元110執(zhí)行上述程序代碼的存儲器控制器)，其中執(zhí)行上述程序代碼的所述控制器是用來控制上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件諸如圖1所示的非揮發(fā)性存儲器組件140_0，140_1，…，與140_N。所述方法說明如下:
[0054]在步驟210中，所述控制器將接收自所述主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的揮發(fā)性存儲器120作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)。例如:當所述接收數(shù)據(jù)中的部分數(shù)據(jù)(Partial Data)的數(shù)據(jù)量達到一預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH時，所述控制器立即將所述部分數(shù)據(jù)寫入上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件，尤其是將所述部分數(shù)據(jù)直接寫入至少一個多階細胞記憶區(qū)塊，而非通過先將所述接收數(shù)據(jù)暫時地寫入如現(xiàn)有技術(shù)中的大量的單階細胞記憶區(qū)塊中的一個或多個單階細胞記憶區(qū)塊來間接地將所述接收數(shù)據(jù)寫入上述至少一個多階細胞記憶區(qū)塊。如此，所述控制器不必使用上述大量的單階細胞記憶區(qū)塊，故能避免現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0055]于步驟220中，當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊(例如圖3所示實施例中具有192頁Page (O) ,Page (I)，…,Page (191)的所述區(qū)塊)的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)H)NT_WR時，所述控制器立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入上述的至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反常，或指出記憶裝置100將關(guān)機，而預定次數(shù)roNT_WR大于一，并且所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞(SingleLevel Cell1SLC)記憶區(qū)塊(例如圖2所示實施例中具有64頁Page (O)，Page (I)，…,Page (63)的所述區(qū)塊)。依據(jù)本實施例的不同的變化例，所述特定信號可包括一關(guān)機指令與一電源偵測信號中的至少一者(例如:所述關(guān)機指令；又例如:所述電源偵測信號；又例如:所述關(guān)機指令與所述電源偵測信號)，其中所述電源偵測信號是用來指出關(guān)于所述電源的電源喪失(Power Loss)與電源下降(Power Down)中的任一者的發(fā)生。所述關(guān)機指令的例子可包括(但不限于)來自所述主裝置的清除快取指令。
[0056]實作上，所述特定非揮發(fā)性存儲器組件可為圖3所示實施例中的快閃芯片CHP (η)，而所述特定區(qū)塊可為區(qū)塊{BLK (O)，BLK (I)，BLK (2)，…，BLK (M)}中的一區(qū)塊諸如區(qū)塊BLK(m)，并且索引m可代表落入?yún)^(qū)間[0，M]的范圍內(nèi)的任一整數(shù)。尤其是，所述另一區(qū)塊可為異于所述特定區(qū)塊的任何區(qū)塊，諸如區(qū)塊BLK(m’)，而索引m’可代表落入?yún)^(qū)間[0，M]的范圍內(nèi)的任一可能的整數(shù)。例如:所述另一區(qū)塊和所述特定區(qū)塊可位于同一個快閃芯片，其中索引m’不等于索引m。又例如:所述另一區(qū)塊和所述特定區(qū)塊可位于不同的快閃芯片，其中索引m’可為落入?yún)^(qū)間[0，M]的范圍內(nèi)的任一整數(shù)。
[0057]依據(jù)本實施例，在所述特定區(qū)塊中的一記憶細胞被用來儲存多個位的狀況下，所述多個位需被重復地寫入所述記憶細胞達預定次數(shù)roNT_WR以使所述記憶細胞于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化(Progra_ed),以致所述多個位中的每一位均正確地儲存于所述記憶細胞以供進一步讀取。實作上，揮發(fā)性存儲器120的儲存容量大于或等于預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH和預定次數(shù)H)NT_WR的乘積(roDA_TH*roNT_WR)，以容許所述接收數(shù)據(jù)的至少一部分被用在所述記憶細胞的重復寫入運作。例如:針對某些類型的多階細胞閃存而言，所述特定區(qū)塊可被組態(tài)成三階細胞記憶區(qū)塊，而預定次數(shù)roNT_WR可等于三，并且預定數(shù)據(jù)量臨界值roDA_TH可等于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中屬于一個字線(Word-Line)的一組記憶細胞的儲存容量。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。
[0058]請注意，于本實施例中，所述控制器可多次將所述接收數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，以確保用戶數(shù)據(jù)不會有任何錯誤。尤其是，在所述控制器的控制下，所述接收數(shù)據(jù)被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)達到預定次數(shù)roNT_WR以使所述特定區(qū)塊中屬于一特定字線的一特定組記憶細胞于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化，以致所述接收數(shù)據(jù)中的每一位均正確地儲存于所述特定組記憶細胞以供進一步讀取。
[0059]依據(jù)本實施例的某些變化例，所述控制器自所述主裝置分別接收多組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)} , {Data (3), Data (4), Data (5)},{Data (6), Data (7), Data (8)},,且將所述多組數(shù)據(jù){Data (0), Data (I), Data (2)}，{Data (3), Data (4), Data (5)}， {Data (6), Data (7), Data (8)},…暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，其中所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)包括多頁，且所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量等于預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH。尤其是，所述控制器自揮發(fā)性存儲器120 讀取所述多組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}， {Data (3), Data (4), Data (5)}，{Data(6)，Data(7)，Data(8)}，…中的至少一組數(shù)據(jù)，以將上述的至少一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，其中上述的至少一組數(shù)據(jù)被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)尚未達到預定次數(shù)H)NT_WR，并且步驟220中所述的所述特定數(shù)據(jù)包括上述的至少一組數(shù)據(jù)。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本發(fā)明的某些實施例，所述控制器自揮發(fā)性存儲器 120 讀取所述多組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}, {Data (3), Data (4), Data (5)},{Data (6), Data (7), Data (8)},以分別將所述多組數(shù)據(jù){Data (O), Data(I), Data (2)}，{Data (3), Data (4), Data (5)}， {Data (6), Data (7), Data (8)}，…直接寫入所述特定區(qū)塊，并且多次將所述多組數(shù)據(jù)(Data(O), Data(I), Data(2)}， {Data(3)，Data(4)，Data(5)}，{Data (6), Data (7), Data (8)},…中的第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}直接寫入所述特定區(qū)塊，其中第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)達到預定次數(shù)H)NT_WR以使所述特定區(qū)塊中屬于一特定字線的一特定組記憶細胞在所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化，以致第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data(I)，Data (2)}中的每一位均正確地儲存于所述特定組記憶細胞以供進一步讀取。
[0060]依據(jù)本發(fā)明的某些實施例，所述控制器可自所述主裝置逐頁地接收所述多組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)} , {Data (3)，Data (4)，Data (5)}，{Data (6) ,Data (7) ,Data (8)}，…中的至少一組數(shù)據(jù)中的至少一頁(例如:一頁或多頁)，且將所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，其中所述特定數(shù)據(jù)包括所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，以及在所述組數(shù)據(jù)的總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH之前，所述組數(shù)據(jù)并未被寫入所述特定區(qū)塊。當所述特定信號所代表的危機狀況(例如:所述電源是反常；又例如:記憶裝置100將關(guān)機)解除時，所述控制器可自所述另一區(qū)塊讀取所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，并將讀取自所述另一區(qū)塊的上述至少一頁暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，以供寫入所述特定區(qū)塊。如此，所述控制器可確保揮發(fā)性存儲器120中的最新儲存信息等同于上述的危機狀況出現(xiàn)時揮發(fā)性存儲器120中的儲存信息，借此，所述控制器可繼續(xù)正常的運作，猶如上述的危機狀況未曾出現(xiàn)。
[0061]尤其是，在所述組數(shù)據(jù)尚未被完整地接收的狀況下(例如:所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁的數(shù)據(jù)量小于所述組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量)，所述控制器可自所述主裝置逐頁地接收所述組數(shù)據(jù)中的至少一其它頁(例如:一頁或多頁)，且將所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一其它頁暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，直到所述組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH。當所述組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH時(亦即，于這些實施例中，所述組數(shù)據(jù)現(xiàn)在已經(jīng)被完整地接收)，所述控制器可自揮發(fā)性存儲器120讀取所述組數(shù)據(jù)的至少一部分，以將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊。
[0062]另外，在所述組數(shù)據(jù)已經(jīng)被完整地接收的狀況下(例如:所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁的數(shù)據(jù)量等于所述組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量；又例如:所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁的數(shù)據(jù)量小于所述組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量并且所述控制器還接收所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一其它頁)，所述控制器可自所述主裝置逐頁地接收所述多組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}，{Data (3), Data (4), Data (5)}， {Data (6), Data (7), Data (8)}，…中的另一組數(shù)據(jù)且將所述另一組數(shù)據(jù)暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，直到所述另一組數(shù)據(jù)的總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH，其中在所述另一組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH之前，所述另一組數(shù)據(jù)并未被寫入所述特定區(qū)塊。當所述另一組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH時，所述控制器自揮發(fā)性存儲器120讀取所述另一組數(shù)據(jù)的至少一部分，以將所述另一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，并且再一次將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊。于是，通過多次將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，所述組數(shù)據(jù)中的任一頁數(shù)據(jù)的每一位均正確地儲存于所述特定區(qū)塊以供進一步讀取。
[0063]圖5繪示圖4所示的方法200在一實施例中所涉及的控制方案,其中圖5所示的數(shù)據(jù) Data (O)，Data (I)，Data (2)，Data (3)，Data (4)，Data (5)，Data (6),…中的每一者可為一頁數(shù)據(jù)。例如:一頁數(shù)據(jù)的大小可為16KB(Kilobyte，即千字節(jié))。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。依據(jù)本實施例，所述控制器自所述主裝置逐頁地接收第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}且將第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，其中在第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}的總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH之前，第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}并未被寫入所述特定區(qū)塊。實作上，一組數(shù)據(jù)(例如:第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)};又例如:其它組數(shù)據(jù){Data(3), Data(4), Data(5)}, {Data(6), Data(7), Data(8)},…中的任一組數(shù)據(jù))的總接收數(shù)據(jù)量可為這一組數(shù)據(jù)當中已經(jīng)暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量。這只是為了說明的目的而已，并非對本發(fā)明的限制。如圖5所示，當?shù)谝唤M數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}的總接收數(shù)據(jù)量達到預定數(shù)據(jù)量臨界值H)DA_TH時，所述控制器自揮發(fā)性存儲器120讀取第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}的至少一部分，以將第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}直接寫入所述特定區(qū)塊諸如區(qū)塊BLK (m)。相仿地，所述控制器對第二組數(shù)據(jù){Data(3)，Data(4)，Data(5)}進行了類似的運作。
[0064]請注意,本實施例的所述特定數(shù)據(jù)包括第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data(l), Data (2)}與第二組數(shù)據(jù){Data (3)，Data (4)，Data (5)}。當所述特定信號所代表的危機狀況出現(xiàn)時，由于第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}與第二組數(shù)據(jù){Data (3), Data (4), Data (5)}尚未被寫入所述特定區(qū)塊達預定次數(shù)roNT_WR，故所述控制器立即將第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}與第二組數(shù)據(jù){Data (3), Data (4), Data (5)}寫入所述另一區(qū)塊諸如區(qū)塊BLK(m’)，尤其是分別寫入?yún)^(qū)塊BLK(m’ )中的某些頁Page (O)，Page (I)，Page (2)，Page (3)，Page (4)，與 Page (5)。
[0065]圖6繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案，其中圖6所不的數(shù)據(jù) Data (O)，Data (I)，Data (2)，Data (3)，Data (4)，Data (5)，Data (6)，…中的每一者可為一頁數(shù)據(jù)。例如:所述控制器已進行圖5所示實施例中的運作。依據(jù)本實施例，當所述特定信號所代表的危機狀況解除時，所述控制器自所述另一區(qū)塊讀取第一組數(shù)據(jù){Data (O), Data (I), Data (2)}與第二組數(shù)據(jù){Data (3), Data (4), Data (5)},并將讀取自所述另一區(qū)塊的第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}與第二組數(shù)據(jù){Data (3) ,Data (4) ,Data (5)}暫時地儲存于揮發(fā)性存儲器120，以供寫入所述特定區(qū)塊。
[0066]圖7繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。相較于圖5所示實施例，本實施例的所述特定數(shù)據(jù)包括第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}，第二組數(shù)據(jù){Data (3)，Data (4)，Data (5)},與數(shù)據(jù)Data (3)。另外，數(shù)據(jù)Data (3)可視為前述所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，諸如第三組數(shù)據(jù){Data(6)，Data(7)，Data(8)}中的上述至少一頁。本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復贅述。
[0067]圖8繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。相較于圖5所示實施例，本實施例的所述特定數(shù)據(jù)包括第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}以及數(shù)據(jù)Data(3)與Data(4)。另外，數(shù)據(jù)Data(3)與Data(4)可視為前述所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，諸如第二組數(shù)據(jù){Data(3)，Data(4)，Data(5)}中的上述至少一頁。本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復贅述。
[0068]圖9繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。相較于圖5所示實施例，本實施例的所述特定數(shù)據(jù)包括數(shù)據(jù)Data(O)。另外，數(shù)據(jù)Data(O)可視為前述所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，諸如第一組數(shù)據(jù){Data (O)，Data (I)，Data (2)}中的上述至少一頁。本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復贅述。
[0069]圖10繪示圖4所示的方法200在另一實施例中所涉及的控制方案。相較于圖5所示實施例，本實施例的所述特定數(shù)據(jù)包括數(shù)據(jù)Data(O)與Data(I)。另外，數(shù)據(jù)Data(O)與Data(I)可視為前述所述組數(shù)據(jù)中的上述至少一頁，諸如第一組數(shù)據(jù){Data (O) ,Data (I) ,Data (2)}中的上述至少一頁。本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復贅述。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用來管理一記憶裝置的方法，所述記憶裝置包括至少一非揮發(fā)性存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊，所述方法是應(yīng)用在所述記憶裝置中的一控制器，所述控制器是用來控制所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，所述方法的特征在于包括下列步驟: 將接收自一主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)；以及 當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反?；蛑赋鏊鲇洃浹b置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊。
2.如權(quán)利要求1所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，在所述特定區(qū)塊中的一記憶細胞被用來儲存多個位的狀況下，所述多個位需被重復地寫入所述記憶細胞達所述預定次數(shù)以使所述記憶細胞于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化，以致所述多個位中的每一位均正確地儲存于所述記憶細胞以供進一步讀取。
3.如權(quán)利要求2所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于還包括: 當所述接收數(shù)據(jù)中的部分數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量達到一預定數(shù)據(jù)量臨界值時，立即將所述部分數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件； 其中所述揮發(fā)性存儲器的儲存容量大于或等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值和所述預定次數(shù)的乘積，以容許所述接收數(shù)據(jù)的至少一部分被用在所述記憶細胞的重復寫入運作。
4.如權(quán)利要求3所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，所述預定數(shù)據(jù)量臨界值等于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中屬于一個字線的一組記憶細胞的儲存容量。
5.如權(quán)利要求4所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，所述多個區(qū)塊中的任一區(qū)塊包括一預定數(shù)量的頁，該預定數(shù)量大于I ;以及所述方法還包括: 自所述主裝置分別接收多組數(shù)據(jù)，且將所述多組數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，其中所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)包括多頁，且所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值；以及 自所述揮發(fā)性存儲器讀取所述多組數(shù)據(jù)中的至少一組數(shù)據(jù)，以將所述至少一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，其中所述至少一組數(shù)據(jù)被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)尚未達到所述預定次數(shù)； 其中所述特定數(shù)據(jù)包括所述至少一組數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求2所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，所述多個區(qū)塊中的任一區(qū)塊包括一預定數(shù)量的頁，該預定數(shù)量大于I ;以及所述方法還包括: 自所述主裝置逐頁地接收包括多頁的一組數(shù)據(jù)中的至少一頁，且將所述組數(shù)據(jù)中的所述至少一頁暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，其中所述特定數(shù)據(jù)包括所述組數(shù)據(jù)中的所述至少一頁，以及在所述組數(shù)據(jù)的總接收數(shù)據(jù)量達到一預定數(shù)據(jù)量臨界值之前，所述組數(shù)據(jù)并未被寫入所述特定區(qū)塊；以及 自所述另一區(qū)塊讀取所述組數(shù)據(jù)中的所述至少一頁，并將讀取自所述另一區(qū)塊的所述至少一頁暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，以供寫入所述特定區(qū)塊。
7.如權(quán)利要求6所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于還包括: 自所述主裝置逐頁地接收所述組數(shù)據(jù)中的至少一其它頁，且將所述組數(shù)據(jù)中的所述至少一其它頁暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器；以及 當所述組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到所述預定數(shù)據(jù)量臨界值時，自所述揮發(fā)性存儲器讀取所述組數(shù)據(jù)的至少一部分，以將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊。
8.如權(quán)利要求6所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于還包括: 自所述主裝置逐頁地接收包括多頁的另一組數(shù)據(jù)且將所述另一組數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，直到所述另一組數(shù)據(jù)的總接收數(shù)據(jù)量達到所述預定數(shù)據(jù)量臨界值，其中在所述另一組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到所述預定數(shù)據(jù)量臨界值之前，所述另一組數(shù)據(jù)并未被寫入所述特定區(qū)塊；以及 當所述另一組數(shù)據(jù)的所述總接收數(shù)據(jù)量達到所述預定數(shù)據(jù)量臨界值時，自所述揮發(fā)性存儲器讀取所述另一組數(shù)據(jù)的至少一部分，以將所述另一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，并且再一次將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊； 其中，通過多次將所述組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，所述組數(shù)據(jù)中的任一頁數(shù)據(jù)的每一位均正確地儲存于所述特定區(qū)塊以供進一步讀取。
9.如權(quán)利要求1所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，所述特定信號包括一關(guān)機指令與一電源偵測信號中的至少一者，其中所述電源偵測信號是用來指出關(guān)于所述電源的電源喪失與電源下降中的任一者的發(fā)生。
10.如權(quán)利要求1所述的用來管理所述記憶裝置的方法，其特征在于，所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的任一區(qū)塊中的每一記憶細胞的儲存容量大于一個位。
11.一種記憶裝置，其特征在于包括: 至少一非揮發(fā)性存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊；以及 一控制器，用來控制所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，所述控制器包括一處理單元，以依據(jù)內(nèi)嵌于所述處理單元或接收自所述處理單元之外的一程序代碼來管理所述記憶裝置，其中所述控制器將接收自一主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)； 其中當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，所述控制器立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反常或指出所述記憶裝置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊。
12.如權(quán)利要求11所述的記憶裝置，其特征在于，在所述特定區(qū)塊中的一記憶細胞被用來儲存多個位的狀況下，所述多個位需被重復地寫入所述記憶細胞達所述預定次數(shù)以使所述記憶細胞于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化，以致所述多個位中的每一位均正確地儲存于所述記憶細胞以供進一步讀取。
13.如權(quán)利要求12所述的記憶裝置，其特征在于，當所述接收數(shù)據(jù)中的部分數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量達到一預定數(shù)據(jù)量臨界值時，所述控制器立即將所述部分數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件；以及所述揮發(fā)性存儲器的儲存容量大于或等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值和所述預定次數(shù)的乘積，以容許所述接收數(shù)據(jù)的至少一部分被用在所述記憶細胞的重復寫入運作。
14.如權(quán)利要求13所述的記憶裝置，其特征在于，所述預定數(shù)據(jù)量臨界值等于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中屬于一個字線的一組記憶細胞的儲存容量。
15.如權(quán)利要求14所述的記憶裝置，其特征在于，所述多個區(qū)塊中的任一區(qū)塊包括一預定數(shù)量的頁，該預定數(shù)量大于I ;所述控制器自所述主裝置分別接收多組數(shù)據(jù)，且將所述多組數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，其中所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)包括多頁，且所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值；所述控制器自所述揮發(fā)性存儲器讀取所述多組數(shù)據(jù)中的至少一組數(shù)據(jù)，以將所述至少一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，其中所述至少一組數(shù)據(jù)被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)尚未達到所述預定次數(shù)；以及所述特定數(shù)據(jù)包括所述至少一組數(shù)據(jù)。
16.一種記憶裝置的控制器，所述記憶裝置包括至少一非揮發(fā)性存儲器組件，每一非揮發(fā)性存儲器組件包括多個區(qū)塊，所述控制器的特征在于包括: 一處理單元，用來依據(jù)內(nèi)嵌于所述處理單元或接收自所述處理單元之外的一程序代碼來管理所述記憶裝置，其中所述控制器將接收自一主裝置的數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述控制器中的一揮發(fā)性存儲器作為接收數(shù)據(jù)，并動態(tài)地監(jiān)控所述接收數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量以決定是否立即將所述接收數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件，其中接收自所述主裝置的至少一寫入指令指出所述主裝置要求寫入所述數(shù)據(jù)； 其中當接收到一特定信號，并且偵測到所述接收數(shù)據(jù)中存在特定數(shù)據(jù)尚未被寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的一特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被組態(tài)成多階細胞記憶區(qū)塊的一特定區(qū)塊內(nèi)的相同位置達一預定次數(shù)時，所述控制器立即將所述特定數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件中的另一區(qū)塊，以避免所述特定數(shù)據(jù)的損失，其中所述特定信號指出所述控制器的電源是反?；蛑赋鏊鲇洃浹b置將關(guān)機，而所述預定次數(shù)大于一，以及所述另一區(qū)塊是被組態(tài)成單階細胞記憶區(qū)塊。
17.如權(quán)利要求16所述的控制器，其特征在于，在所述特定區(qū)塊中的一記憶細胞被用來儲存多個位的狀況下，所述多個位需被重復地寫入所述記憶細胞達所述預定次數(shù)以使所述記憶細胞于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中被正確地程序化，以致所述多個位中的每一位均正確地儲存于所述記憶細胞以供進一步讀取。
18.如權(quán)利要求17所述的控制器，其特征在于，當所述接收數(shù)據(jù)中的部分數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量達到一預定數(shù)據(jù)量臨界值時，所述控制器立即將所述部分數(shù)據(jù)寫入所述至少一非揮發(fā)性存儲器組件；以及所述揮發(fā)性存儲器的儲存容量大于或等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值和所述預定次數(shù)的乘積，以容許所述接收數(shù)據(jù)的至少一部分被用在所述記憶細胞的重復寫入運作。
19.如權(quán)利要求18所述的控制器，其特征在于，所述預定數(shù)據(jù)量臨界值等于所述特定非揮發(fā)性存儲器組件當中屬于一個字線的一組記憶細胞的儲存容量。
20.如權(quán)利要求19所述的控制器，其特征在于，所述多個區(qū)塊中的任一區(qū)塊包括一預定數(shù)量的頁，該預定數(shù)量大于I ;所述控制器自所述主裝置分別接收多組數(shù)據(jù)，且將所述多組數(shù)據(jù)暫時地儲存于所述揮發(fā)性存儲器，其中所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)包括多頁，且所述多組數(shù)據(jù)中的每一組數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量等于所述預定數(shù)據(jù)量臨界值；所述控制器自所述揮發(fā)性存儲器讀取所述多組數(shù)據(jù)中的至少一組數(shù)據(jù)，以將所述至少一組數(shù)據(jù)直接寫入所述特定區(qū)塊，其中所述至少一組數(shù)據(jù)被寫入所述特定區(qū)塊的次數(shù)尚未達到所述預定次數(shù)；以及所述特定數(shù)據(jù)包括所述至少一組數(shù)據(jù)。
【文檔編號】G06F12/06GK104346292SQ201410275650
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月5日
【發(fā)明者】周柏升, 范育瑋, 詹仲元 申請人:慧榮科技股份有限公司