半導體工藝用rfid耐熱標簽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及RFID標簽【技術領域】，特別涉及半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層和混合材料板層，所述銅薄膜板層上設有芯片和天線，所述混合材料板層由上部構造層、相隔層、下部構造層組成；所述芯片和天線由環(huán)氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層上；所述上部構造層由環(huán)氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔化后擠壓而成；所述相隔層由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成；所述下部構造層由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。本發(fā)明所得RFID標簽，比現(xiàn)有技術而言，耐溫效果得到極大提高。
【專利說明】半導體工藝用RFID耐熱標簽

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及RFID標簽【技術領域】，特別涉及半導體工藝用RFID耐熱標簽。

【背景技術】
[0002] RDIF標簽因其智能方便，得到越來越廣泛的應用。因為RDIF標簽應用場合條件比 較差，如溫度高，濕度大，較腐蝕性等?，F(xiàn)有的RDIF標簽價格昂貴，材料設置不合理，對讀出 器的識別距離要求比較高，并且不適用于高溫環(huán)境。有必要對現(xiàn)有技術進行改進。


【發(fā)明內容】

[0003] 針對上述現(xiàn)有技術存在的不足，本發(fā)明的目的是提供半導體工藝用RFID耐熱標 簽，其具有材料設置合理，耐高溫等特點。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：
[0005] 本發(fā)明所述半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層和混合材 料板層，所述銅薄膜板層上設有芯片和天線，所述混合材料板層由上部構造層、相隔層、下 部構造層組成；
[0006] 所述芯片和天線由環(huán)氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層上；
[0007] 所述上部構造層由環(huán)氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔化 后擠壓而成；
[0008] 所述相隔層由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成；
[0009] 所述下部構造層由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。
[0010] 進一步地，所述上部構造層中各組成物的質量百分比為：
[0011] 環(huán)氧玻璃 21. 3% 聚四氟乙烯 16.9% 銅 12.8% ABS 樹脂 45. 2% 碳顏料 3.8%。
[0012] 進一步地，所述相隔層中各組成物的質量百分比為：
[0013] 聚酰亞胺 70%
[0014] 硅涂料 30%。
[0015] 進一步地，所述下部構造層中各組成物的質量百分比為：
[0016] 聚酰亞胺 70% 硅粘合劑 20% 鐵 6% 銀 4%。
[0017] 本發(fā)明采用上述結構和配方后，其有益效果為：所述混合材料板層由上部構造層、 相隔層、下部構造層組，各層采用特殊的配方，可用于金屬用的環(huán)境，還可適用于高溫環(huán)境， 耐久性高，而且，在半導體生產(chǎn)線和工廠自動化生產(chǎn)線中最大限度地減少電磁波的散射現(xiàn) 象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1是本發(fā)明結構示意圖。
[0019] 圖中：
[0020] 1、銅薄膜板層；2、混合材料板層；
[0021] 3、上部構造層；4、相隔層； 5、下部構造層。

【具體實施方式】
[0022] 下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明：
[0023] 實施例
[0024] 本發(fā)明所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層1和混合 材料板層2,所述銅薄膜板層1上設有芯片和天線，所述混合材料板層2由上部構造層3、相 隔層4、下部構造層5組成；所述芯片和天線由環(huán)氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜 板層1上；
[0025] 所述上部構造層3由環(huán)氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔 化后擠壓而成。制作工藝，具體而言，取環(huán)氧玻璃21. 3Kg，聚四氟乙烯16. 9Kg，銅粉12. 8Kg， ABS樹脂45. 2Kg，碳顏料3. 8Kg于攪拌器中，高速攪拌成混合物，加熱到190-2110°C熔化，后 經(jīng)擠壓機擠壓成板狀。
[0026] 所述相隔層4由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成。制作工藝，具 體而言，取聚酰亞胺70Kg和硅涂料30Kg于攪拌器中，高速攪拌成混合物，加熱到195°C熔 化，后經(jīng)擠壓機擠壓成板狀。
[0027] 所述下部構造層5由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。制 作工藝，具體而言，聚酰亞胺70Kg，硅粘合劑20Kg，鐵粉6Kg，銀粉4Kg于攪拌器中，高速攪拌 成混合物，加熱到21(TC熔化，后經(jīng)擠壓機擠壓成板狀。
[0028] 本發(fā)明所述RFID耐高溫標簽制作費用上相對較便宜的同時，也具有耐熱金屬標 簽的作用，經(jīng)耐溫實驗，在200°C的高溫下可使用一個多小時，比現(xiàn)有技術150°C使用溫度， 有極大提
[0029] 以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施方式，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構造、 特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請范圍內。
【權利要求】
1. 半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：包括上下疊加的銅薄膜板層（1)和混合 材料板層（2)，所述銅薄膜板層（1)上設有芯片和天線，所述混合材料板層（2)由上部構造 層（3)、相隔層（4)、下部構造層（5)組成； 所述芯片和天線由環(huán)氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層（1)上； 所述上部構造層（3)由環(huán)氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔化 后擠壓而成； 所述相隔層（4)由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成； 所述下部構造層（5)由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。
2. 根據(jù)權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述上部構造層 (3)中各組成物的質量百分比為： 環(huán)氧玻璃 21.3% 聚四氟乙烯 16.9% 銅 12.8% ABS 樹脂 45. 2% 碳顏料 3.8%。
3. 根據(jù)權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述相隔層（4) 中各組成物的質量百分比為： 聚酰亞胺 70% 硅涂料 30%。
4. 根據(jù)權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述下部構造層 (5)中各組成物的質量百分比為： 聚酰亞胺 7〇% 硅粘合劑 2G% 鐵 6% 銀 4%。
【文檔編號】G06K19/077GK104123573SQ201410287572
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月25日 優(yōu)先權日:2014年6月25日
【發(fā)明者】許進俊 申請人:無錫久盛信息技術有限公司