電子標(biāo)簽的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種電子標(biāo)簽，包括：載板，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域上形成的包括第一端和第二端射頻識(shí)別天線，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識(shí)別天線上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口；形成橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面并穿過(guò)開(kāi)口與第一端電連接的第一金屬連接線；與第二端電連接的第二金屬連接線；若干位于開(kāi)口的第三金屬連接線，將螺旋環(huán)被開(kāi)口斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接；包括第一接口和第二接口射頻集成芯片，所述射頻集成芯片倒裝在第二區(qū)域表面，射頻集成芯片的第一接口與第一金屬連接線電連接，射頻集成芯片的第二接口與第二金屬連接線電連接。本發(fā)明的電子標(biāo)簽占據(jù)的面積小。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子標(biāo)簽【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻識(shí)別技術(shù)，尤其涉及一種電子標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0002]RFID(射頻識(shí)別:Radio Frequency Identification)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無(wú)須人工干預(yù)，作為條形碼的無(wú)線版本，RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量更大、存儲(chǔ)信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用將給零售、物流等產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性變化。
[0003]基本的RFID系統(tǒng)由閱讀器(Reader)與電子標(biāo)簽(或應(yīng)答器，Transponder)兩部份組成，其中電子標(biāo)簽(Tag):由射頻識(shí)別天線及射頻集成芯片組成，每個(gè)電子標(biāo)簽具有唯一的電子編碼或者保存有約定格式的電子數(shù)據(jù)，附著在物體上標(biāo)識(shí)目標(biāo)對(duì)象；閱讀器(Reader):讀取(有時(shí)還可以寫(xiě)入)標(biāo)簽信息的設(shè)備，可設(shè)計(jì)為手持式或固定式。
[0004]RFID系統(tǒng)其工作原理為:由閱讀器發(fā)射一特定頻率信號(hào)給電子標(biāo)簽，用以驅(qū)動(dòng)電子標(biāo)簽中的內(nèi)部電路將內(nèi)部的數(shù)據(jù)送出(Passive Tag,無(wú)源標(biāo)簽或被動(dòng)標(biāo)簽)，或者電子標(biāo)簽主動(dòng)發(fā)送出內(nèi)部的數(shù)據(jù)(Active Tag，有源標(biāo)簽或主動(dòng)標(biāo)簽)，此時(shí)閱讀器便依序接收電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù)，從而達(dá)到自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象的目的。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中射頻識(shí)別天線一般是通過(guò)繞線或直接將導(dǎo)線埋入承載片等方式來(lái)制作，然后將制作好的射頻識(shí)別天線與射頻集成芯片封裝在一起形成電子標(biāo)簽。通過(guò)繞線的方式將金屬線或?qū)Ь€繞制若干圈形成射頻識(shí)別天線或者將導(dǎo)線埋入承載片形成射頻識(shí)別天線，形成的射頻識(shí)別天線會(huì)占據(jù)較大的空間，并且射頻識(shí)別天線的線圈的重復(fù)性較低，影響了射頻識(shí)別天線的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明解決的問(wèn)題是怎樣減小射頻識(shí)別天線占據(jù)的體積。
[0007]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電子標(biāo)簽，包括:載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；位于載板的第一區(qū)域上的射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識(shí)別天線上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口 ；位于載板上的第一金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，并穿過(guò)所述開(kāi)口與射頻識(shí)別天線的第一端電連接；位于載板上的第二金屬連接線，所述第二金屬連接線橫 跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二金屬連接線與射頻識(shí)別天線的第二端電連接；位于開(kāi)口和第一金屬連接線上方的第三金屬連接線，每個(gè)第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開(kāi)口斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接；射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，所述射頻集成芯片倒裝在載板的第二區(qū)域表面，射頻集成芯片的第一接口與第二區(qū)域上的第一金屬連接線電連接，射頻集成芯片的第二接口與第二區(qū)域上的第二金屬連接線電連接。[0008]可選的，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0009]可選的，所述射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相
坐寸ο
[0010]可選的，所述射頻識(shí)別天線的厚度為100埃?50微米，射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米?5000微米，射頻識(shí)別天線的螺旋環(huán)的寬度為I微米?500微米。
[0011]可選的，所述射頻識(shí)別天線的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0012]可選的，所述第一金屬連接線的寬度小于開(kāi)口的寬度。
[0013]可選的，所述開(kāi)口的寬度為20 μ m到5毫米，所述第一金屬連接線的寬度為I μ m至Ij 500 μ m0
[0014]可選的，還包括，覆蓋所述射頻識(shí)別天線，射頻集成芯片、第一金屬連接線、第二金屬連接線、和載板的塑封層。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0016]本發(fā)明的電子標(biāo)簽中的射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識(shí)別天線上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口，射頻識(shí)別天線為平面結(jié)構(gòu)因而占據(jù)的體積減小，射頻識(shí)別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度，第一金屬連接線與第二金屬連接線與射頻識(shí)別天線位于同一平面，射頻集成芯片倒裝在載板上時(shí)，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線和第二金屬連接線電連接，以減小電子標(biāo)簽的體積。
[0017]進(jìn)一步，在形成塑封層時(shí)，由于射頻識(shí)別天線的第一端通過(guò)位于同一平面的第一金屬連接線引出，然后形成若干長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于第一金屬連接線的第三金屬連接線將射頻識(shí)別天線被開(kāi)口斷開(kāi)的兩個(gè)對(duì)應(yīng)端面電連接，由于開(kāi)口的寬度可以較小，因而形成的第三金屬連接線的長(zhǎng)度可以較短，第三金屬連接線承壓的能力相對(duì)增強(qiáng)，在形成塑封層時(shí)，第三金屬連接線不易向下變形與底部的第一金屬連接線電連接。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1?圖5為本發(fā)明實(shí)施例電子標(biāo)簽形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]如【背景技術(shù)】所言，現(xiàn)有技術(shù)的射頻識(shí)別天線直接通過(guò)金屬線和導(dǎo)線形成，金屬線和導(dǎo)線的直徑較大，使得形成的射頻識(shí)別天線的占據(jù)的空間增大，并且繞制形成的射頻識(shí)別天線為立體的結(jié)構(gòu)相應(yīng)的也會(huì)增加射頻識(shí)別天線的占據(jù)的空間，另外通過(guò)繞線的方式和導(dǎo)線埋入的方式形成的射頻識(shí)別天線相鄰線圈之間的距離不易控制，使得線圈的重復(fù)性較低，使得電子標(biāo)簽的電學(xué)性能降低。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子標(biāo)簽及其形成方法，在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識(shí)別天線上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口，形成的射頻識(shí)別天線為平面結(jié)構(gòu)因而占據(jù)的體積減小，射頻識(shí)別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度，通過(guò)引線鍵合工藝第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開(kāi)口斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接，工藝簡(jiǎn)單，第一金屬連接線與第二金屬連接線與射頻識(shí)別天線位于同一平面，射頻集成芯片倒裝在載板上時(shí)，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線和第二金屬連接線電連接，以減小形成的電子標(biāo)簽的體積。
[0021]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0022]圖1?圖5為本發(fā)明實(shí)施例電子標(biāo)簽形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]參考圖1，提供載板200，所述載板200包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述載板200上形成金屬層201。
[0024]所述載板200作為后續(xù)工藝的載體，以及作為后續(xù)形成的電子標(biāo)簽的承載載體。
[0025]所述載板200包括第一區(qū)域和第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，載板200的第一區(qū)域上后續(xù)形成射頻識(shí)別天線，載板200的第二區(qū)域表面后續(xù)貼合射頻集成芯片。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例的圖2中僅示出了載板的第一區(qū)域。
[0026]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述載板可以包括若干(大于等于2個(gè))器件區(qū)域和位于器件區(qū)域之間的切割道區(qū)域，所述器件區(qū)域上形成電子標(biāo)簽，后續(xù)沿切割道區(qū)域?qū)⑤d板上形成的若干電子標(biāo)簽分割成獨(dú)立的電子標(biāo)簽，每個(gè)器件區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，第二區(qū)域表面上后續(xù)貼合射頻集成芯片。
[0027]所述載板200可以為娃基板、玻璃基板或聞分子樹(shù)脂基板等。
[0028]所述金屬層201覆蓋載板200的第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，所述金屬層201后續(xù)用于形成射頻識(shí)別天線以及第一金屬連接線和第二金屬連接線?？梢酝ㄟ^(guò)濺射工藝或金屬膜壓膜工藝在所述載板200上形成金屬層201。
[0029]所述金屬層201的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W等。所述金屬層201的厚度為100埃?50微米。
[0030]結(jié)合參考圖2和圖3，圖3為圖2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖3沿切割線AB方面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，刻蝕所述金屬層201 (參考圖1)，在載板200的第一區(qū)域11上形成射頻識(shí)別天線203，所述射頻識(shí)別天線203包括第一端21和第二端22，所述第一端21呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端22，射頻識(shí)別天線203上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口 204，同時(shí)形成第一金屬連接線205和第二金屬連接線206，所述第一金屬連接線205橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12表面，并穿過(guò)所述開(kāi)口 204與射頻識(shí)別天線203的第一端21電連接，所述第二金屬連接線206橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12，第二金屬連接線206與射頻識(shí)別天線203的第二端22電連接。
[0031]在刻蝕所述金屬層201之前，在所述金屬層201上形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層中具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露出需要刻蝕去除的金屬層201的表面，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沿第一開(kāi)口刻蝕所述金屬層201，形成射頻識(shí)別天線203、第一金屬連接線205和第二金屬連接線206。所述圖形化的掩膜層可以為光刻膠層，通過(guò)曝光和顯影工藝(光刻工藝)在光刻膠層中形成第一開(kāi)口。本實(shí)施例中，對(duì)光刻膠層通過(guò)曝光和顯影后，金屬層上的第一開(kāi)口之間剩余的光刻膠構(gòu)成光刻膠圖形(或者掩膜圖形)，光刻膠圖形包括第一圖形、第二圖形和第三圖形，所述第一圖形包括第一子端和第二子端，所述第一子端呈螺旋環(huán)狀延伸到第二子端，第一圖形中具有將第一圖形的每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的第二開(kāi)口，橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12上的金屬層201表面的第二圖形，所述第二圖形穿過(guò)第二開(kāi)口與第一圖形的第一子端連接，第二圖形的寬度小于第二開(kāi)口的寬度，橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12上的金屬層201表面的第三圖形，所述第三圖形與第一圖形的第二子端連接。
[0032]刻蝕所述金屬層201采用各向異性的干法刻蝕，比如可以采用等離子刻蝕工藝，等離子刻蝕工藝采用的刻蝕氣體可以為SF6、NH3、Cl2、HBr中的一種或幾種。
[0033]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以通過(guò)濕法刻蝕工藝刻蝕所述金屬層201。
[0034]刻蝕金屬層201后形成的射頻識(shí)別天線203呈螺旋環(huán)狀，第一端21位于中間，第二端22位于外部，射頻識(shí)別天線以中間的第一端21為起點(diǎn)呈螺旋環(huán)狀延伸至外部的第二端22。本實(shí)施例中每個(gè)螺旋環(huán)被開(kāi)口 204斷開(kāi)，所述開(kāi)口 204作為第一金屬連接線205的經(jīng)過(guò)通道，當(dāng)?shù)谝唤饘龠B接線205與射頻識(shí)別天線203都位于載板200的表面上時(shí)，實(shí)現(xiàn)第一金屬連接線205與射頻識(shí)別天線203的第一端21的電連接，將第一端21電連接端口通過(guò)第一金屬連接線引至載板200的第二區(qū)域12，后續(xù)提供的射頻集成芯片只需與載板200的第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，即可實(shí)現(xiàn)射頻識(shí)別天線203的第一端21與射頻集成芯片的第一接口的電連接。
[0035]第一金屬連接線205、第二金屬連接線206與射頻識(shí)別天線203通過(guò)同一層金屬層201刻蝕形成，工藝步驟簡(jiǎn)單，降低了制作成本。
[0036]所述第一金屬連接線205的寬度小于開(kāi)口 204的寬度，防止第一金屬連接線205與開(kāi)口 204兩側(cè)的射頻識(shí)別天線電連接，所述第一金屬連接線205的寬度為Iym到500 μ m。，所述開(kāi)口 204的寬度為20 μ m到5毫米。
[0037]位于載板200的第二區(qū)域12的第一金屬連接線205和第二金屬連接線206之間的距離等于后續(xù)的射頻識(shí)別天線的第一接口和第二接口之間的距離，后續(xù)射頻集成芯片通過(guò)倒裝在載板上時(shí)，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線205和第二金屬連接線206電連接，以減小形成的電子標(biāo)簽的體積。
[0038]本發(fā)明的其他實(shí)施例中，通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)射頻集成芯片與射頻識(shí)別天線的連接時(shí)，第一金屬連接線205和第二金屬連接線206之間的距離根據(jù)實(shí)際工藝確定。
[0039]本發(fā)明的其他實(shí)施例中，刻蝕金屬層201時(shí)，還可以形成第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)，所述第一焊盤(pán)與第一金屬連接線205位于第二區(qū)域12表面上的一端電連接，所述第二焊盤(pán)與第二金屬層206的位于第二區(qū)域12表面上的一端電連接,第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)的尺寸大于第一金屬連接線205和第二金屬連接線206的尺寸，通過(guò)第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)，可以較方便的實(shí)現(xiàn)第一金屬連接線205和第二金屬連接線206與后續(xù)的射頻集成芯片的電連接。所述第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)可以為規(guī)則的多邊形，比如矩形、正方形等，且第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)的形狀和尺寸相同，后續(xù)在將射頻集成芯片倒裝在載板200上時(shí)，所述第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)可以作為對(duì)準(zhǔn)圖形，通過(guò)光學(xué)檢測(cè)鎖定第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)的位置，實(shí)現(xiàn)射頻集成芯片和第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)的位置對(duì)比。
[0040]相比于現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)繞制和埋置金屬線形成射頻識(shí)別天線，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)光刻和刻蝕相結(jié)合的集成制作工藝形成平面的射頻識(shí)別天線203，射頻識(shí)別天線203的厚度可以較薄，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度可以較小，相鄰螺旋環(huán)之間的距離可以較小，從而使得射頻識(shí)別天線203占據(jù)的面積較小，有利于提高形成的射頻識(shí)別天線的集成度，另外通過(guò)集成工藝制作的射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距可以相等，每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等，并且可以很精確的控制相鄰螺旋環(huán)之間的間距以及螺旋環(huán)的寬度，從而使得射頻識(shí)別天線203具有較高的重復(fù)性，提高了射頻識(shí)別天線工作時(shí)的電學(xué)性能。
[0041]所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的數(shù)量大于2個(gè)，所述射頻識(shí)別天線203的厚度T為100埃?50微米，比如可以為500埃?10微米，更好是2500埃?5微米，射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距S為I微米?5000微米，比如可以為5微米?40微米、更好是50微米?150微米、或200微米?800微米、或1000微米?4000微米，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度W為I微米?500微米，比如可以為5微米?40微米、或50微米?150微米、或200微米?450微米。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中一個(gè)螺旋環(huán)的確定方式是:做一經(jīng)過(guò)射頻識(shí)別天線203的中心點(diǎn)和第一端21的直線，該直線與射頻識(shí)別天線具有若干相交的交點(diǎn)，選取某一交點(diǎn)為第一交點(diǎn)，從第一交點(diǎn)沿著螺旋環(huán)旋轉(zhuǎn)360°到達(dá)下一交點(diǎn)作為第二交點(diǎn)，第一交點(diǎn)和第二交點(diǎn)之間的螺旋環(huán)為一個(gè)螺旋環(huán)。
[0042]本實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)狀為圓形螺旋，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)狀可以為方形螺旋或其他形狀的螺旋。
[0043]參考圖4,采用引線鍵合工藝(wirebonding)形成若干第三金屬連接線207,所述第三金屬連接線207位于開(kāi)口 204和第一金屬連接線205上方，每個(gè)第三金屬連接線207將螺旋環(huán)被開(kāi)口 204斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接。
[0044]所述引線鍵合工藝可以為熱壓鍵合、超聲波鍵合或熱壓超聲波鍵合。采用引線鍵合工藝形成將某一個(gè)螺旋環(huán)上的兩個(gè)斷面電連接的第三金屬連接線207的過(guò)程為:首先穿過(guò)鍵合機(jī)的劈刀的金屬線與螺旋環(huán)上的開(kāi)口 204 —側(cè)的一個(gè)斷面接觸形成第一焊點(diǎn)；接著劈刀抬起并向開(kāi)口 204另一側(cè)的斷面的方向移動(dòng)，形成金屬弧線；然后劈刀向下，使得金屬線與開(kāi)口 204另一側(cè)的斷面接觸形成第二焊點(diǎn)，并同時(shí)切斷金屬線，形成將螺旋環(huán)上相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接的第三金屬連接線207。
[0045]通過(guò)引線鍵合的方式形成第三金屬連接線207，工藝簡(jiǎn)單，效率較高，因而減少制作成本。
[0046]當(dāng)螺旋環(huán)數(shù)量為多個(gè)時(shí)，相應(yīng)的開(kāi)口數(shù)量也為多個(gè)，通過(guò)多次引線鍵合形成多個(gè)第三金屬連接線207，將每個(gè)螺旋環(huán)上的兩個(gè)相對(duì)的斷面電連接，使得射頻識(shí)別天線203的第一端21和第二端22形成完整的電學(xué)通路。
[0047]相比于直接在射頻識(shí)別天線上方形成懸空的金屬連接線將第一端口 21引至載板200的第二區(qū)域12的方式，本實(shí)施例中，射頻識(shí)別天線203的第一端21通過(guò)位于同一平面的第一金屬連接線205引出，然后形成若干長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于第一金屬連接線205的第三金屬連接線將射頻識(shí)別天線203被開(kāi)口 204斷開(kāi)的兩個(gè)對(duì)應(yīng)端面電連接，在后續(xù)形成塑封層將電子標(biāo)簽進(jìn)行塑封時(shí)，由于第三金屬連接線207的長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于懸空的金屬連接線長(zhǎng)度，第三金屬連接線207承受推壓的能力相對(duì)增強(qiáng)，在形成塑封層時(shí)，第三金屬連接線207不易向下變形與底部的第一金屬連接線205電連接。
[0048]參考圖5，提供射頻集成芯片300，所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第二接口 302 ;將所述射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12表面，將射頻集成芯片300的第一接口 301與第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，將射頻集成芯片300的第二接口 302與第二區(qū)域12上的第二金屬連接線206電連接。[0049]所述第一接口 301包括第三焊盤(pán)和位于第三焊盤(pán)上的第一焊料凸點(diǎn)，所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)和位于第四焊盤(pán)上的第二焊料凸點(diǎn)，將射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12上時(shí)，第一焊料凸點(diǎn)與載板200的第二區(qū)域12上第一金屬連接線205 (或者與第一金屬連接線205電連接的第一焊盤(pán))焊接在一起，所述第二焊料凸點(diǎn)與載板200的第二區(qū)域12上第二金屬連接線206焊接在一起。所述第一焊料凸點(diǎn)和第二焊料凸點(diǎn)的材料為錫或錫合金或其它低溫焊錫金屬或合金。所述第三焊盤(pán)和第四焊盤(pán)與與射頻集成芯片300的內(nèi)部電路電連接。
[0050]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括第三焊盤(pán)、位于第三焊盤(pán)上的第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于第四焊盤(pán)上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點(diǎn)。
[0051]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括:第三焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第三焊盤(pán)引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤(pán)引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二焊料凸點(diǎn)。通過(guò)形成第一再布線層和第二再布線層，以匹配射頻集成芯片的第一接口和第二接口的間距與射頻識(shí)別天線的第一端和第二端之間間距的差異(通過(guò)第一金屬連接線和第二金屬連接線引出后的間距)。
[0052]在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括:第三焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第三焊盤(pán)引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤(pán)引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點(diǎn)。
[0053]所述射頻集成芯片300和射頻識(shí)別天線203構(gòu)成射頻識(shí)別系統(tǒng)的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)，所述射頻集成芯片300用于存儲(chǔ)與目標(biāo)對(duì)象相關(guān)的信息，對(duì)射頻識(shí)別天線203接收的信號(hào)進(jìn)行處理，并可以將存儲(chǔ)的相關(guān)信息通過(guò)射頻識(shí)別天線203發(fā)送。所述射頻識(shí)別天線203用于接收外部(閱讀器)的射頻信號(hào)，以及用于向外發(fā)送射頻信號(hào)。
[0054]所述射頻集成芯片300還具有身份驗(yàn)證功能，當(dāng)閱讀器的讀取信號(hào)時(shí)，所述射頻集成芯片300可以發(fā)送驗(yàn)證信息對(duì)閱讀器的身份進(jìn)行驗(yàn)證。
[0055]本實(shí)施例的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)可以為無(wú)源、有源或半有源形式的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)，所述射頻識(shí)別天線203還可以作為耦合器件產(chǎn)生感應(yīng)電流，向射頻集成芯片
300和射頻識(shí)別天線203提供驅(qū)動(dòng)能量。
[0056]還包括，形成覆蓋所述射頻識(shí)別天線203，射頻集成芯片300、第一金屬連接線205、第二金屬連接線206、和載板的塑封層。
[0057]所述塑封層用于密封和保護(hù)形成的電子標(biāo)簽，所述塑封層的材料可以為高分子的樹(shù)脂，比如可以為聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑等，所述塑封層的材料也可以為其他合適的材料，比如氮化硅、氧化硅等。
[0058]形成所述塑封層的工藝可以為點(diǎn)膠工藝、旋涂工藝或簾式涂布(curtaincoating)工藝。
[0059]形成所述塑封層的工藝也可以采用無(wú)壓力(或壓力很小的)網(wǎng)板印刷或轉(zhuǎn)塑或注
塑工藝。[0060]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)所述載板上形成有若干電子標(biāo)簽時(shí)，還包括:沿載板的切割道區(qū)域切割所述塑封層和載板，形成若干分立的電子標(biāo)簽。實(shí)現(xiàn)電子標(biāo)簽的批量制作。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子標(biāo)簽，請(qǐng)參考圖5，包括:
[0062]載板200，所述載板包括第一區(qū)域11和第二區(qū)域12 ；
[0063]位于載板200的第一區(qū)域11上的射頻識(shí)別天線203，所述射頻識(shí)別天線203包括第一端21和第二端22，所述第一端21呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端22，射頻識(shí)別天線203上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口 204 ；
[0064]位于載板200上的第一金屬連接線205，所述第一金屬連接線205橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12表面，并穿過(guò)所述開(kāi)口 204與射頻識(shí)別天線203的第一端21電連接；
[0065]位于載板200上的第二金屬連接線206，所述第二金屬連接線206橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12，第二金屬連接線206與射頻識(shí)別天線203的第二端22電連接；
[0066]位于開(kāi)口 204和第一金屬連接線205上方的第三金屬連接線207，每個(gè)第三金屬連接線207將螺旋環(huán)被開(kāi)口斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接；
[0067]射頻集成芯片300，所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第二接口 302，所述射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12表面，射頻集成芯片300的第一接口
301與第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，射頻集成芯片300的第二接口 302與第二區(qū)域12上的第二金屬連接線206電連接。
[0068]具體的，所述第一接口 301包括第三焊盤(pán)和位于第三焊盤(pán)上的第一焊料凸點(diǎn)，所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)和位于第四焊盤(pán)上的第二焊料凸點(diǎn)，將射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12上時(shí)，第一焊料凸點(diǎn)與載板200的第二區(qū)域12上第一金屬連接線205 (或者與第一金屬連接線205電連接的第一焊盤(pán))焊接在一起，所述第二焊料凸點(diǎn)與載板200的第二區(qū)域12上第二金屬連接線206焊接在一起。所述第一焊料凸點(diǎn)和第二焊料凸點(diǎn)的材料為錫或錫合金或其它低熔點(diǎn)焊錫金屬或合金。所述第三焊盤(pán)和第四焊盤(pán)與射頻集成芯片300的內(nèi)部電路電連接。
[0069]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括第三焊盤(pán)、位于第三焊盤(pán)上的第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于第四焊盤(pán)上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點(diǎn)。
[0070]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括:第三焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第三焊盤(pán)引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤(pán)引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二焊料凸點(diǎn)。
[0071]在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，所述第一接口 301包括:第三焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第三焊盤(pán)引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點(diǎn)；所述第二接口 302包括第四焊盤(pán)、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤(pán)引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點(diǎn)。
[0072]所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0073]所述射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等。[0074]所述射頻識(shí)別天線203的厚度為100埃?50微米，射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米?5000微米，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度為I微米?500微米。
[0075]所述射頻識(shí)別天線203的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0076]所述第一金屬連接線205的寬度小于開(kāi)口 204的寬度。
[0077]所述開(kāi)口 204的寬度為20 μ m到5毫米。所述第一金屬連接線205的寬度為I μ m至Ij 500 μ m0
[0078]還包括，覆蓋所述射頻識(shí)別天線203，射頻集成芯片300、第一金屬連接線205、第二金屬連接線206、和載板200的塑封層。
[0079]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中關(guān)于電子標(biāo)簽的其他限定或描述請(qǐng)參考前述實(shí)施例(電子標(biāo)簽形成過(guò)程)中相關(guān)部分的限定或描述。
[0080]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子標(biāo)簽，其特征在于，包括: 載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域； 位于載板的第一區(qū)域上的射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識(shí)別天線上具有將每個(gè)螺旋環(huán)斷開(kāi)的開(kāi)口 ； 位于載板上的第一金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，并穿過(guò)所述開(kāi)口與射頻識(shí)別天線的第一端電連接； 位于載板上的第二金屬連接線，所述第二金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二金屬連接線與射頻識(shí)別天線的第二端電連接； 位于開(kāi)口和第一金屬連接線上方的第三金屬連接線，每個(gè)第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開(kāi)口斷開(kāi)的相對(duì)的兩個(gè)斷面電連接； 射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，所述射頻集成芯片倒裝在載板的第二區(qū)域表面，射頻集成芯片的第一接口與第二區(qū)域上的第一金屬連接線電連接，射頻集成芯片的第二接口與第二區(qū)域上的第二金屬連接線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
3.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等。
4.如權(quán)利要求3所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的厚度為100埃~50微米，射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米~5000微米，射頻識(shí)別天線的螺旋環(huán)的寬度為I微米~500微米。
5.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt 或 W0
6.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一金屬連接線的寬度小于開(kāi)口的寬度。
7.如權(quán)利要求6所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，所述開(kāi)口的寬度20μ m到5毫米，所述第一金屬連接線的寬度為I μ m到500 μ m。
8.如權(quán)利要求7所述的電子標(biāo)簽，其特征在于，還包括，覆蓋所述射頻識(shí)別天線，射頻集成芯片、第一金屬連接線、第二金屬連接線、和載板的塑封層。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK104021416SQ201410305264
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】林仲珉 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司