一種觸控顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種觸控顯示裝置及基于所述觸控顯示裝置的制造方法。所述觸控顯示裝置包括：第一基板，第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置，以及至少一個(gè)觸控信號(hào)傳輸單元，所述觸控信號(hào)傳輸單元包括：第一導(dǎo)電層，位于所述第一基板面向所述第二基板的一側(cè)；第二導(dǎo)電層，位于所述第二基板面向所述第一基板的一側(cè)；觸控信號(hào)傳輸層，位于所述第二導(dǎo)電層與所述第二基板之間，并通過(guò)所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層電性連接；間隔體，所述間隔體位于所述第一基板與所述第二基板之間，且與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在第一基板上的垂直投影至少部分重疊。
【專利說(shuō)明】一種觸控顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控領(lǐng)域，特別涉及一種觸控顯示裝置及該觸控顯示裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，現(xiàn)有的電容式內(nèi)嵌(in cell)觸摸屏是在現(xiàn)有的TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)陣列基板上直接另外增加觸控掃描線和觸控感應(yīng)線實(shí)現(xiàn)的，即在TFT陣列基板的表面制作兩層相互異面相交的條狀電極，這兩層電極分別作為觸摸屏的觸控驅(qū)動(dòng)線和觸控感應(yīng)線，在兩條電極的異面相交處形成互電容。其工作過(guò)程為:在對(duì)作為觸控驅(qū)動(dòng)線的電極加載觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，檢測(cè)觸控感應(yīng)線通過(guò)互電容耦合出的電壓信號(hào)，在此過(guò)程中，有人體接觸觸摸屏?xí)r，人體電場(chǎng)就會(huì)作用在互電容上，使互電容的電容值發(fā)生變化，進(jìn)而改變觸控感應(yīng)線耦合出的電壓信號(hào)，根據(jù)電壓信號(hào)的變化，就可以確定觸點(diǎn)位置。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用兩種方案進(jìn)行觸控信號(hào)的傳導(dǎo)，方案一是在上下兩基板之中通過(guò)采用導(dǎo)電金球作為上下基板的信號(hào)傳輸介質(zhì)，使上下基板之間信號(hào)導(dǎo)通。當(dāng)在顯示區(qū)發(fā)生觸控時(shí)，觸控信號(hào)即從觸控點(diǎn)位置傳輸至觸控顯示裝置的周邊區(qū)并經(jīng)由導(dǎo)電金球傳輸至下基板。方案二是為觸控基板額外配置一組柔性電路板FPC，單獨(dú)作為觸控信號(hào)的識(shí)別。
[0003]隨著技術(shù)的進(jìn)步以及終端市場(chǎng)客戶要求的提高，上述觸控顯示裝置結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)日益凸顯，具體表現(xiàn)在:對(duì)于方案一而言，首先，導(dǎo)電金球的制程能力較差，在金球涂布、金球與上下基板金屬接觸等過(guò)程中存在很多問(wèn)題，進(jìn)而影響生產(chǎn)良率，其次，采用導(dǎo)電金球作為上下基板的信號(hào)傳輸介質(zhì)，由于其對(duì)位精度的問(wèn)題，將無(wú)法使得邊寬變窄，再次，由于導(dǎo)電金球的存在，顯示屏上下基板的間距無(wú)法降低。對(duì)于方案二而言，額外增加的FPC必然引起成本的提聞。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種觸控顯示裝置及其制造方法。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提出如下技術(shù)方案:
[0006]提出一種觸控顯示裝置，包括:
[0007]第一基板；
[0008]第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置；以及至少一個(gè)觸控信號(hào)傳輸單元，所述觸控信號(hào)傳輸單元包括:
[0009]第一導(dǎo)電層，位于所述第一基板面向所述第二基板的一側(cè)；
[0010]第二導(dǎo)電層，位于所述第二基板面向所述第一基板的一側(cè)；
[0011]觸控信號(hào)傳輸層，位于所述第二導(dǎo)電層與所述第二基板之間，并通過(guò)所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層電性連接；
[0012]間隔體，所述間隔體位于所述第一基板與所述第二基板之間，且與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在第一基板上的垂直投影至少部分重疊。
[0013]本發(fā)明還提出一種制造如所述觸控顯示裝置的制造方法，包括:
[0014]提供第一基板和第_■基板；
[0015]在所述第二基板上形成觸控信號(hào)傳輸層；
[0016]在所述第一基板與所述第二基板之間形成間隔體；
[0017]在所述第一基板與所述第二基板之間形成至少一個(gè)觸控信號(hào)傳輸單元，所述觸控信號(hào)傳輸單兀包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；
[0018]其中，所述間隔體與所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層在第一基板上的垂直投影至少部分重疊。
[0019]本發(fā)明提供了一種觸控顯示裝置及其制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)上下基板之間的信號(hào)導(dǎo)通，達(dá)到簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度的至少一個(gè)目的。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1A和圖1B是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖；
[0022]圖1C是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置中隔斷圖形的平面圖；
[0023]圖2A和圖2B是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖；
[0024]圖3A和圖3B是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖；
[0025]圖4A和圖4B是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖；
[0026]圖5A至圖5M是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置的制造方法流程圖；
[0027]圖6A至圖6M是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸顯示控裝置的制造方法流程圖；
[0028]圖7A至圖7K是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置的制造方法流程圖；
[0029]圖8A至圖8K是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置的制造方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]圖1A和圖1B所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置20在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖。
[0032]如圖1A和圖1B所示，在第一基板201上設(shè)置有薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次設(shè)置在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0033]在薄膜晶體管元件層202上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光像素層207，有機(jī)發(fā)光像素層207與薄膜晶體管元件層202電性連接。有機(jī)發(fā)光像素層207包含從下至上依次層疊設(shè)置的第一電極層208、有機(jī)發(fā)光層209、像素定義層210和第二電極層211，第一電極層208為陽(yáng)極反射層，第二電極層211為第二導(dǎo)電層，即陰極層。陽(yáng)極反射層208由三層材料形成，從下至上依次為氧化銦錫(ITO)、銀、氧化銦錫(ΙΤ0)，其中的銀也可以由鋁等金屬材料代替。陰極層211由兩層材料形成，從下至上依次為鎂銀層(MgAg)和氧化銦鋅(IZO)。
[0034]在第二基板220上設(shè)置有觸控信號(hào)傳輸層，觸控信號(hào)傳輸層包含多個(gè)導(dǎo)電跨橋221，第一鈍化層222覆蓋在導(dǎo)電跨橋221上，同時(shí)，第一鈍化層222設(shè)置有第一通孔223，暴露出部分導(dǎo)電跨橋221，在第一鈍化層222上設(shè)置透明導(dǎo)電層224其中，透明導(dǎo)電層224包括多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極線段Tx，驅(qū)動(dòng)電極線段Tx通過(guò)第一通孔223與導(dǎo)電跨橋221電性連接，將多條所述驅(qū)動(dòng)電極線段Tx電連接。
[0035]如圖1B所示，透明導(dǎo)電層224上覆蓋有第二鈍化層225，第二鈍化層225設(shè)置有第二通孔226。在第二鈍化層225上還設(shè)置有間隔體227，在第二通孔226位置和間隔體227上設(shè)置有第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，其材料為鑰(Mo)，也可以是金屬?gòu)?fù)合層。第二導(dǎo)電層228 —部分設(shè)置在間隔體227上，即間隔體227與第二導(dǎo)電層228在第一基板201上的垂直投影部分重疊，一部分設(shè)置在第二鈍化層225上，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與陰極層211接觸。第二導(dǎo)電層228與陰極層221共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元，觸控信號(hào)傳輸單元分為傳輸接觸區(qū)I和傳輸外圍區(qū)2。在傳輸接觸區(qū)1，陽(yáng)極反射層208與薄膜晶體管元件層202電性連接；在傳輸外圍區(qū)2，陽(yáng)極反射層208被設(shè)置成至少一個(gè)島狀電極208a和208b，由于陽(yáng)極反射層208為三層材料疊加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作為刻蝕液，利用不同層材料對(duì)不同刻蝕液的刻蝕速率不同這一特性使得陽(yáng)極反射層208被刻蝕成為島狀電極208a和208b，，即陽(yáng)極反射層靠近薄膜晶體管元件層一側(cè)的寬度沿遠(yuǎn)離薄膜晶體管元件層逐漸增加，呈倒梯形結(jié)構(gòu)。
[0036]在傳輸接觸區(qū)1，像素定義層210設(shè)置于陽(yáng)極反射層208上，并設(shè)置有第三通孔212，第三通孔212暴露部分陽(yáng)極反射層208。陰極層211設(shè)置于像素定義層210上，陰極層211通過(guò)第三通孔212與陽(yáng)極反射層208接觸。
[0037]在傳輸外圍區(qū)2,陰極層211 —部分形成在島狀電極208a和208b上,一部分形成在島狀電極208a和208b外部，由于島狀電極208a和208b為倒梯形結(jié)構(gòu)，并且陰極層211采用的是熱蒸鍍的方式，當(dāng)陰極層211覆蓋到不平整區(qū)域時(shí)，陰極層211容易導(dǎo)致斷裂，利用這種性質(zhì)，熱蒸鍍后，設(shè)置在島狀電極208a和208b上的陰極層211a與設(shè)置在島狀電極208a和208b外部的陰極層211b相互之間絕緣斷開。
[0038]在傳輸外圍區(qū)2，島狀電極208a和208b與覆蓋在其表面上的陰極層21 Ia共同構(gòu)成隔斷圖形，隔斷圖形圍繞傳輸接觸區(qū)I。隔斷圖形的作用在于:將觸控面板P中傳輸接觸區(qū)I的觸控信號(hào)傳輸單元包圍起來(lái)，這樣一來(lái)可以阻斷相鄰觸控信號(hào)傳輸單元相互之間的信號(hào)干擾。由于在傳輸外圍區(qū)2設(shè)置了至少一個(gè)島狀電極208a和208b，因此隔斷圖形也至少為一個(gè)。同時(shí)，隔斷圖形可以是封閉的，如圖1C-1所示，也可以是非封閉的，如圖1C-1I所示，并且封閉的或非封閉的隔斷圖形的形狀可以為矩形、圓形或者任意多邊形等。如圖IC-1所示，隔斷圖形由兩個(gè)嵌套的封閉矩形組成；如圖1C-1I所示，隔斷圖形由至少兩個(gè)嵌套的非封閉圖形組成，其中，每個(gè)非封閉圖形由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元b構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)，且相鄰兩個(gè)非封閉圖形的子隔斷單元b彼此交錯(cuò)排列。如圖1C-1II所示，隔斷圖形由嵌套的至少一個(gè)封閉圖形和至少一個(gè)非封閉圖形組合形成，且每個(gè)非封閉圖形均由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元b構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)，非封閉圖形與封閉圖形相同。
[0039]當(dāng)在觸控顯示裝置20的顯示區(qū)發(fā)生觸控時(shí)，觸控信號(hào)從顯示區(qū)傳輸至周邊區(qū)，并從周邊區(qū)依次經(jīng)過(guò)導(dǎo)電跨橋221、透明導(dǎo)電層224、第二導(dǎo)電層228、陰極層211、陽(yáng)極反射層208并最終傳輸至薄膜晶體管元件層202，進(jìn)而完成觸控信號(hào)的輸入或輸出。通過(guò)這種觸控信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)的設(shè)置，可以簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度。
[0040]圖2A和圖2B為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置30在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖。
[0041]如圖2A和圖2B所示，在第一基板201上設(shè)置有薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次設(shè)置在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。在薄膜晶體管元件層202上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光像素層207，有機(jī)發(fā)光像素層207與薄膜晶體管元件層202電性連接。有機(jī)發(fā)光像素層207包含從下至上依次層疊設(shè)置的第一電極層208、有機(jī)發(fā)光層209、像素定義層210和第二電極層211，第一電極層208為陽(yáng)極反射層，第二電極層211為第二導(dǎo)電層，即陰極層。陽(yáng)極反射層208由三層材料形成，從下至上依次為氧化銦錫(ITO)、銀、氧化銦錫(ΙΤ0)，其中的銀也可以由鋁等金屬材料代替。陰極層211由兩層材料形成，從下至上依次為鎂銀層(MgAg)和氧化銦鋅(IZO)。本實(shí)施例的觸控顯示裝置30與圖1B實(shí)施例中的觸控顯示裝置20的不同之處在于間隔體227設(shè)置于像素定義層210與陰極層211之間。
[0042]在第二基板220上設(shè)置有觸控信號(hào)傳輸層，觸控信號(hào)傳輸層包含多個(gè)導(dǎo)電跨橋221，第一鈍化層222覆蓋在導(dǎo)電跨橋221上，同時(shí)，第一鈍化層222設(shè)置有第一通孔223，第一通孔223暴露出部分導(dǎo)電跨橋221，在第一鈍化層上設(shè)置透明導(dǎo)電層224，其中，透明導(dǎo)電層224包括多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極線段Tx，所述驅(qū)動(dòng)電極線段Tx通過(guò)第一通孔223與導(dǎo)電跨橋221電性連接，將多條所述驅(qū)動(dòng)電極線段Tx電連接。
[0043]如圖2Β所示，透明導(dǎo)電層224上覆蓋有第二鈍化層225，第二鈍化層225設(shè)置有第二通孔226。
[0044]在第二鈍化層225上設(shè)置有第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，其材料為鑰(Mo)，也可以是金屬?gòu)?fù)合層。第二導(dǎo)電層228通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與陰極層211接觸。第二導(dǎo)電層228與陰極層211共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元，觸控信號(hào)傳輸單元分為傳輸接觸區(qū)I和傳輸外圍區(qū)2。
[0045]在傳輸接觸區(qū)1，陽(yáng)極反射層208與薄膜晶體管元件層202電性連接；在傳輸外圍區(qū)2，陽(yáng)極反射層208被設(shè)置成至少一個(gè)島狀電極208a和208b，由于陽(yáng)極反射層208為三層材料疊加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作為刻蝕液，利用不同層材料對(duì)不同刻蝕液的刻蝕速率不同這一特性使得陽(yáng)極反射層208被刻蝕成為島狀電極208a和208b,即陽(yáng)極反射層靠近薄膜晶體管元件層一側(cè)的寬度沿遠(yuǎn)離薄膜晶體管元件層逐漸增力口，呈倒梯形結(jié)構(gòu)。
[0046]在傳輸接觸區(qū)1，像素定義層210設(shè)置于陽(yáng)極反射層208上，并設(shè)置有第三通孔212，以暴露一部分陽(yáng)極反射層208。
[0047]在傳輸接觸區(qū)1，間隔體227設(shè)置于像素定義層210上，陰極層211 —部分設(shè)置于間隔體227上與第二導(dǎo)電層228接觸，一部分通過(guò)第三通孔212與陽(yáng)極反射層208接觸。
[0048]在傳輸外圍區(qū)2,陰極層211 —部分形成在島狀電極208a和208b上,一部分形成在島狀電極208a和208b外部，由于島狀電極208a和208b為倒梯形結(jié)構(gòu)，并且陰極層211采用的是熱蒸鍍的方式，當(dāng)陰極層211覆蓋到不平整區(qū)域時(shí)，陰極層容易導(dǎo)致斷裂，利用這種性質(zhì)，熱蒸鍍后，設(shè)置在島狀電極208a和208b上的陰極層211a與設(shè)置在島狀電極208a和208b外部的陰極層211b相互之間絕緣斷開。
[0049]在傳輸外圍區(qū)2，島狀電極208a和208b與覆蓋在其表面上的陰極層21 Ia共同構(gòu)成隔斷圖形，隔斷圖形圍繞傳輸接觸區(qū)I。隔斷圖形的作用在于:將觸控面板P中傳輸接觸區(qū)I的觸控信號(hào)傳輸單元包圍起來(lái)，這樣一來(lái)可以阻斷相鄰觸控信號(hào)傳輸單元相互之間的信號(hào)干擾。由于在傳輸外圍區(qū)2設(shè)置了至少一個(gè)島狀電極208a和208b，因此隔斷圖形也至少為一個(gè)。同時(shí)，隔斷圖形可以是封閉的，如圖1C-1所示，也可以是非封閉的，如圖1C-1I所示，并且封閉的或非封閉的隔斷圖形的形狀可以為矩形、圓形或者任意多邊形等。如圖1C-1所示，隔斷圖形由兩個(gè)嵌套的封閉矩形組成；如圖1C-1I所示，隔斷圖形由至少兩個(gè)嵌套的非封閉圖形組成，其中，每個(gè)非封閉圖形由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元b構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)且相鄰兩個(gè)非封閉圖形的子隔斷單元b彼此交錯(cuò)排列。如圖1C-1II所示，隔斷圖形由嵌套的至少一個(gè)封閉圖形和至少一個(gè)非封閉圖形組合形成，且每個(gè)非封閉圖形均由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元b構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)，非封閉圖形與封閉圖形相同。
[0050]當(dāng)在觸控顯示裝置20的顯示區(qū)發(fā)生觸控時(shí)，觸控信號(hào)從顯示區(qū)傳輸至周邊區(qū)，并從周邊區(qū)依次經(jīng)過(guò)導(dǎo)電跨橋221、透明導(dǎo)電層224、第二導(dǎo)電層228、陰極層211、陽(yáng)極反射層208并最終傳輸至薄膜晶體管元件層202，進(jìn)而完成觸控信號(hào)的輸入或輸出。通過(guò)這種觸控信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)的設(shè)置，可以簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度。
[0051]圖3A和圖3B為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置40在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖。
[0052]如圖3A和圖3B所示，在第一基板201上設(shè)置有薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次設(shè)置在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0053]在薄膜晶體管兀件層202上設(shè)置有第一導(dǎo)電層241,第一導(dǎo)電層241為像素電極層，像素電極層241與薄膜晶體管元件層202電性連接。
[0054]在第二基板220上設(shè)置有觸控信號(hào)傳輸層，觸控信號(hào)傳輸層包含多個(gè)導(dǎo)電跨橋221，第一鈍化層222覆蓋在導(dǎo)電跨橋221上，同時(shí)，第一鈍化層222設(shè)置有第一通孔223，暴露出部分導(dǎo)電跨橋221，在第一鈍化層222上設(shè)置透明導(dǎo)電層224其中，透明導(dǎo)電層224包括多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極線段Tx，驅(qū)動(dòng)電極線段Tx通過(guò)第一通孔223與導(dǎo)電跨橋221電性連接，將多條所述驅(qū)動(dòng)電極線段Tx電連接。
[0055]如圖3Β所示，透明導(dǎo)電層224上覆蓋有第二鈍化層225，第二鈍化層225設(shè)置有第二通孔226。
[0056]在第二鈍化層225還上設(shè)置有間隔體227，在第二通孔226位置和間隔體227上設(shè)置有第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，其材料為鑰(Mo)，也可以是金屬?gòu)?fù)合層。第二導(dǎo)電層228 —部分設(shè)置在間隔體227上，即間隔體227與第二導(dǎo)電層228在第一基板201上的垂直投影部分重疊，一部分設(shè)置在第二鈍化層225上，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與像素電極層241接觸，第二導(dǎo)電層228與像素電極層241共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單兀。
[0057]當(dāng)在觸控顯示裝置40的顯示區(qū)發(fā)生觸控時(shí)，觸控信號(hào)即從顯示區(qū)傳輸至周邊區(qū)，并從周邊區(qū)依次經(jīng)過(guò)導(dǎo)電跨橋221、透明導(dǎo)電層224、第二導(dǎo)電層228、像素電極層241并最終傳輸至薄膜晶體管元件層202，進(jìn)而完成觸控信號(hào)的輸入或輸出。通過(guò)這種觸控信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)的設(shè)置，可以簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度。
[0058]需要說(shuō)明的是，周邊區(qū)的像素電極層與顯示區(qū)的像素電極絕緣斷開，避免周邊區(qū)像素電極層進(jìn)行觸控信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)顯示區(qū)的像素電極產(chǎn)生影響。
[0059]圖4A和圖4B為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置50在顯示區(qū)和周邊區(qū)的剖視圖。
[0060]如圖4A和圖4B所示，在第一基板201上設(shè)置有薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次設(shè)置在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0061]本實(shí)施例觸控顯示裝置50與圖3B實(shí)施例中觸控顯示裝置40結(jié)構(gòu)的不同之處在于，觸控顯示裝置50中的間隔體227設(shè)置于薄膜晶體管元件層202與像素電極層241之間，即在薄膜晶體管元件層202上設(shè)置有間隔體227，在間隔體227上形成第一導(dǎo)電層241，第一導(dǎo)電層241為像素電極層，像素電極層241與薄膜晶體管元件層202電性連接。
[0062]在第二基板220上設(shè)置有觸控信號(hào)傳輸層，觸控信號(hào)傳輸層包含多個(gè)導(dǎo)電跨橋221，第一鈍化層222覆蓋在導(dǎo)電跨橋221上，同時(shí)，第一鈍化層222設(shè)置有第一通孔223，暴露出部分導(dǎo)電跨橋221，在第一鈍化層222上設(shè)置透明導(dǎo)電層224其中，透明導(dǎo)電層224包括多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極線段Tx，驅(qū)動(dòng)電極線段Tx通過(guò)第一通孔223與導(dǎo)電跨橋221電性連接，將多條所述驅(qū)動(dòng)電極線段Tx電連接。
[0063]如圖3Β所示，透明導(dǎo)電層224上覆蓋有第二鈍化層225，第二鈍化層225設(shè)置有第二通孔226。
[0064]在第二鈍化層225上還設(shè)置有第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，其材料為鑰(Mo)，也可以是金屬?gòu)?fù)合層，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與像素電極層241接觸。第二導(dǎo)電層228與像素電極層241共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元。當(dāng)在觸控顯示裝置40的顯示區(qū)發(fā)生觸控時(shí)，觸控信號(hào)即從顯示區(qū)傳輸至周邊區(qū)，并從周邊區(qū)依次經(jīng)過(guò)導(dǎo)電跨橋221、透明導(dǎo)電層224、第二導(dǎo)電層228、像素電極層241并最終傳輸至薄膜晶體管元件層202，進(jìn)而完成觸控信號(hào)的輸入或輸出。通過(guò)這種觸控信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)的設(shè)置，可以簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度。
[0065]需要說(shuō)明的是，周邊區(qū)的像素電極層與顯示區(qū)的像素電極絕緣斷開，避免周邊區(qū)像素電極層進(jìn)行觸控信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)顯示區(qū)的像素電極產(chǎn)生影響。
[0066]圖5Α至圖5Μ為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置20的制造方法流程圖。
[0067]如圖5Α所示，首先提供第一基板201。如圖5Β所示，在第一基板201上形成薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次形成在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0068]如圖5C所示，在薄膜晶體管元件層202上形成鈍化層230，刻蝕鈍化層230形成過(guò)孔231以暴露部分源漏電極層206，之后形成第一電極層208，第一電極層208為陽(yáng)極反射層，刻蝕陽(yáng)極反射層208，在傳輸接觸區(qū)1，陽(yáng)極反射層208通過(guò)過(guò)孔231與薄膜晶體管元件層202電性連接，在傳輸外圍區(qū)2，陽(yáng)極反射層208被刻蝕成至少一個(gè)島狀電極208a和208b，由于陽(yáng)極反射層208為三層材料疊加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作為刻蝕液，利用不同層材料對(duì)不同刻蝕液的刻蝕速率不同這一特性使得島狀電極208a和208b被設(shè)置成為倒梯形結(jié)構(gòu)。
[0069]如圖所示，在陽(yáng)極反射層208上形成像素定義層210，刻蝕像素定義層210。在傳輸接觸區(qū)1，刻蝕掉一部分像素定義層210，在像素定義層210上留出第三通孔212，第三通孔212暴露一部分陽(yáng)極反射層208，在傳輸外圍區(qū)2，刻蝕掉全部像素定義層210。
[0070]如圖5E所示，在像素定義層210上采用熱蒸鍍的方式形成陰極層211。在傳輸接觸區(qū)1，陰極層211 —部分形成在像素定義層210上，一部分通過(guò)第三通孔212與陽(yáng)極反射層接觸208。在傳輸外圍區(qū)2，陰極層211 —部分形成在島狀電極208a和208b上，一部分形成在島狀電極208a和208b外部，由于島狀電極208a和208b為倒梯形結(jié)構(gòu)，并且陰極層211采用的是熱蒸鍍的方式，當(dāng)陰極層211覆蓋到不平整區(qū)域時(shí)，陰極層211容易導(dǎo)致斷裂，利用這種性質(zhì)，熱蒸鍍后，設(shè)置在島狀電極208a和208b上的陰極層211a與設(shè)置在島狀電極208a和208b外部的陰極層211b相互之間絕緣斷開。在傳輸外圍區(qū)2，島狀電極208a和208b與覆蓋在其表面上的陰極層211a共同構(gòu)成隔斷圖形，隔斷圖形圍繞傳輸接觸區(qū)I。隔斷圖形的作用在于:將觸控面板P中傳輸接觸區(qū)I的觸控信號(hào)傳輸單元包圍起來(lái)，這樣一來(lái)可以阻斷相鄰觸控信號(hào)傳輸單元相互之間的信號(hào)干擾。隔斷區(qū)圖形可以是封閉的，也可以是非封閉的，并且封閉的或非封閉的隔斷圖形的形狀可以為矩形、圓形或者任意多邊形等，具體形狀參見圖1C在這里不再詳細(xì)描述。
[0071]如圖5F所示，提供第二基板220。如圖5G所示，在第二基板220上形成第一金屬層，刻蝕第一金屬層，形成導(dǎo)電跨橋221。如圖5H所示，在導(dǎo)電跨橋221上形成第一鈍化層222，刻蝕第一鈍化層222，在第一鈍化層222上形成第一通孔223，第一通孔223暴露部分導(dǎo)電跨橋221。如圖51所示，在第一鈍化層222上形成透明導(dǎo)電層224，透明導(dǎo)電層224通過(guò)第一通孔223與金屬跨橋221接觸，刻蝕透明導(dǎo)電層224，在顯示區(qū)形成多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)的感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極Tx。如圖5J所示，在透明導(dǎo)電層224上形成第二鈍化層225，刻蝕第二鈍化層225，在第二鈍化層225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明導(dǎo)電層224。如圖5K所示，在第二鈍化層225上形成間隔體227。如圖5L所示，在間隔體227上采用濺鍍的方式形成第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，金屬層的材料為Mo,也可以為金屬?gòu)?fù)合層。第二導(dǎo)電層228 —部分形成在間隔體227上，一部分形成在第二鈍化層225上，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與陰極層211接觸。如圖5M所示，第二導(dǎo)電層228與陰極層211共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單兀。
[0072]圖6A至圖6M為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸顯示控裝置30的制造方法流程圖。
[0073]如圖6A所示，首先提供第一基板201，如圖6B所示，在第一基板201上形成薄膜晶體管元件層202，薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT，薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次形成在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層 206。
[0074]如圖6C所示，在薄膜晶體管元件層202上形成鈍化層230，刻蝕鈍化層230形成過(guò)孔231以暴露部分源漏電極層206，之后形成第一電極層208，第一電極層208為陽(yáng)極反射層，刻蝕陽(yáng)極反射層208，在傳輸接觸區(qū)1，陽(yáng)極反射層208通過(guò)過(guò)孔231與薄膜晶體管元件層202電性連接，在傳輸外圍區(qū)2，陽(yáng)極反射層208被刻蝕成至少一個(gè)島狀電極208a和208b，由于陽(yáng)極反射層208為三層材料疊加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作為刻蝕液，利用不同層材料對(duì)不同刻蝕液的刻蝕速率不同這一特性使得島狀電極208a和208b被設(shè)置成為倒梯形結(jié)構(gòu)。
[0075]如圖6D所示，在陽(yáng)極反射層208上形成像素定義層210，刻蝕像素定義層210。在傳輸接觸區(qū)1，刻蝕掉一部分像素定義層210，在像素定義層210上留出第三通孔212，第三通孔212暴露一部分陽(yáng)極反射層208，在傳輸外圍區(qū)2，刻蝕掉全部像素定義層210。
[0076]如圖6E所示，在像素定義層210上形成間隔體227。如圖6F所示，在間隔體227上采用熱蒸鍍的方式形成陰極層211。在傳輸接觸區(qū)1，陰極層211 —部分形成在間隔體227上，一部分形成在像素定義層210上，一部分通過(guò)第三通孔212與陽(yáng)極反射層208接觸。在傳輸外圍區(qū)2,陰極層211 —部分形成在島狀電極208a和208b上,一部分形成在島狀電極208a和208b外部，由于島狀電極208a和208b為倒梯形結(jié)構(gòu)，并且陰極層211采用的是熱蒸鍍的方式，當(dāng)陰極層211覆蓋到不平整區(qū)域時(shí)，陰極層211容易導(dǎo)致斷裂，利用這種性質(zhì)，熱蒸鍍后，設(shè)置在島狀電極208a和208b上的陰極層211a與設(shè)置在島狀電極208a和208b外部的陰極層211b相互之間絕緣斷開。傳輸外圍區(qū)2,島狀電極208a和208b與覆蓋在其表面上的陰極層211a共同構(gòu)成隔斷圖形，隔斷圖形圍繞傳輸接觸區(qū)I。隔斷圖形的作用在于:將觸控面板P中傳輸接觸區(qū)I的觸控信號(hào)傳輸單元包圍起來(lái)，這樣一來(lái)可以阻斷相鄰觸控信號(hào)傳輸單元相互之間的信號(hào)干擾。隔斷區(qū)圖形可以是封閉的，也可以是非封閉的，并且封閉的或非封閉的隔斷圖形的形狀可以為矩形、圓形或者任意多邊形等，具體形狀參見圖1C在這里不再詳細(xì)描述。
[0077]如圖6G所示，提供第二基板220。如圖6H所示，在第二基板220上形成第一金屬層221,刻蝕第一金屬層221,形成導(dǎo)電跨橋221。如圖61所不，在導(dǎo)電跨橋221上形成第一鈍化層222，刻蝕第一鈍化層222，在第一鈍化層222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分導(dǎo)電跨橋221。如圖6J所示，在第一鈍化層上222形成透明導(dǎo)電層224，透明導(dǎo)電層224通過(guò)第一通孔223與金屬跨橋221接觸，刻蝕透明導(dǎo)電層224，在顯示區(qū)形成多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)的感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極Tx。如圖6Κ所示，在透明導(dǎo)電層224上形成第二鈍化層225，刻蝕第二鈍化層225，在第二鈍化層225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明導(dǎo)電層224。
[0078]如圖6L所示，在第二鈍化層225上采用濺鍍的方式形成第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層,金屬層的材料為Mo,也可以為金屬?gòu)?fù)合層,第二導(dǎo)電層228形成在第二鈍化層上225，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與陰極層211接觸。如圖6Μ所示，第二導(dǎo)電層228與陰極層211共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元。
[0079]圖7A至圖7K為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置40的制造方法流程圖。
[0080]如圖7A所示，提供第一基板201，如圖7B所示，在第一基板201上形成薄膜晶體管元件層202,薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT,薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次形成在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0081]如圖7C所示，在薄膜晶體管元件層202上形成鈍化層230，刻蝕鈍化層230形成過(guò)孔231以暴露部分源漏電極層206，之后形成第一導(dǎo)電層241，第一導(dǎo)電層241為像素電極層，像素電極層241通過(guò)過(guò)孔231與薄膜晶體管元件層202電性連接，刻蝕像素電極層241。
[0082]如圖7D所示，提供一第二基板220，如圖7E所示，在第二基板220上形成第一金屬層221，刻蝕第一金屬層221，形成導(dǎo)電跨橋221。如圖7F所示，在導(dǎo)電跨橋上形成第一鈍化層222，刻蝕第一鈍化層222，在第一鈍化層222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分導(dǎo)電跨橋221。如圖7G所示，在第一鈍化層222上形成透明導(dǎo)電層224，透明導(dǎo)電層224通過(guò)第一通孔223與金屬跨橋221接觸，刻蝕透明導(dǎo)電層224，在顯示區(qū)形成多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)的感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極Tx。如圖7Η所示，在透明導(dǎo)電層224上形成第二鈍化層225，刻蝕第二鈍化層225，在第二鈍化層225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明導(dǎo)電層224。
[0083]如圖71所示，在第二鈍化層225上形成間隔體227，如圖7J所示，在間隔體227上采用濺鍍的方式形成第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，金屬層的材料為Mo，也可以為金屬?gòu)?fù)合層。。第二導(dǎo)電層228 —部分形成在間隔體227上,一部分形成在第二鈍化層225上，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，如圖7Κ所示，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與像素電極層241接觸，金屬層228與像素電極層241共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元。需要說(shuō)明的是，周邊區(qū)的像素電極層與顯示區(qū)的像素電極絕緣斷開，避免周邊區(qū)像素電極層進(jìn)行觸控信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)顯示區(qū)的像素電極產(chǎn)生影響。
[0084]圖8Α至圖8Κ為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種觸控顯示裝置50的制造方法流程圖。
[0085]如圖8Α所示，提供第一基板201，如圖SB所示，在第一基板201上形成薄膜晶體管元件層202,薄膜晶體管元件層202包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)TFT,薄膜晶體管開關(guān)TFT包括依次形成在第一基板201上的柵極層203、柵極絕緣層204、半導(dǎo)體層205和源漏電極層206。
[0086]如圖SC所示，在薄膜晶體管元件層202上形成鈍化層230，刻蝕鈍化層230形成過(guò)孔231以暴露部分源漏電極層206，在鈍化層230上形成間隔體227，如圖8D所示，在間隔體227上形成第一導(dǎo)電層241，第一導(dǎo)電層241為像素電極層，像素電極層241與薄膜晶體管元件層202通過(guò)過(guò)孔231電性連接，刻蝕像素電極層241。
[0087]如圖SE所示，提供一第二基板，如圖8F所示，在第二基板220上形成第一金屬層221，刻蝕第一金屬層221，形成導(dǎo)電跨橋221。如圖8G所示，在導(dǎo)電跨橋221上形成第一鈍化層222，刻蝕第一鈍化層222，在第一鈍化層222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分導(dǎo)電跨橋221。如圖8H所示，在第一鈍化層222上形成透明導(dǎo)電層224，透明導(dǎo)電層224通過(guò)第一通孔223與金屬跨橋221接觸，刻蝕透明導(dǎo)電層224，在顯示區(qū)形成多條連續(xù)的感應(yīng)電極Rx和以連續(xù)的感應(yīng)電極Rx為間隔的驅(qū)動(dòng)電極Tx。如圖81所示，在透明導(dǎo)電層224上形成第二鈍化層225，刻蝕第二鈍化層225，在第二鈍化層225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明導(dǎo)電層224。
[0088]如圖8J所示，在第二鈍化層上225形成第二導(dǎo)電層228，第二導(dǎo)電層228可以為金屬層，金屬層的材料為Mo，也可以為金屬?gòu)?fù)合層。第二導(dǎo)電層228形成在第二鈍化層225上，并通過(guò)第二通孔226與透明導(dǎo)電層224接觸，如圖8K所示，第二導(dǎo)電層228同時(shí)與像素電極層241接觸。金屬層228與像素電極層241共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元。需要說(shuō)明的是，周邊區(qū)的像素電極層與顯示區(qū)的像素電極絕緣斷開，避免周邊區(qū)像素電極層進(jìn)行觸控信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)顯示區(qū)的像素電極產(chǎn)生影響。
[0089]綜上所述，本發(fā)明提出一種觸控顯示裝置及基于所述觸控顯示裝置的制造方法。所述觸控顯示裝置通過(guò)采用一種特殊的結(jié)構(gòu)使得觸控顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)上下基板之間的信號(hào)導(dǎo)通，相較于傳統(tǒng)的觸控顯示裝置，本發(fā)明所提的觸控顯示裝置及其制造方法能夠達(dá)到簡(jiǎn)化制程、提高良率、縮小顯示屏邊寬和薄化顯示屏厚度的目的。
[0090]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的觸控裝置汲取驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控顯示裝置，包括: 第一基板； 第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置；以及 至少一個(gè)觸控信號(hào)傳輸單元，所述觸控信號(hào)傳輸單元包括:第一導(dǎo)電層，位于所述第一基板面向所述第二基板的一側(cè)；第二導(dǎo)電層，位于所述第二基板面向所述第一基板的一側(cè)；觸控信號(hào)傳輸層，位于所述第二導(dǎo)電層與所述第二基板之間，并通過(guò)所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層電性連接；間隔體，所述間隔體位于所述第一基板與所述第二基板之間，且與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在第一基板上的垂直投影至少部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控信號(hào)傳輸層包括多條感應(yīng)電極和多條驅(qū)動(dòng)電極，所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極位于同層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述間隔體設(shè)置于所述第二基板上，且位于所述觸控信號(hào)傳輸層與所述第二導(dǎo)電層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述間隔體設(shè)置于所述第一基板上，且位于所述第一基板與所述第一導(dǎo)電層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，還包括依次設(shè)置在所述第一基板上的薄膜晶體管元件層和像素電極層，所述薄膜晶體管元件層包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為所述像素電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控顯示裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述薄膜晶體管元件層上的有機(jī)發(fā)光像素層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素層包括依次層疊設(shè)置的第一電極層，像素定義層和第二電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為所述第二電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控信號(hào)傳輸單元分為傳輸接觸區(qū)和傳輸外圍區(qū)，在所述傳輸外圍區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)隔斷圖形，所述隔斷圖形圍繞所述傳輸接觸區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述隔斷圖形由至少兩個(gè)嵌套的封閉矩形組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述隔斷圖形由至少兩個(gè)嵌套的非封閉圖形組成，且每個(gè)所述非封閉圖形由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)且相鄰兩個(gè)所述非封閉圖形的子隔斷單元彼此交錯(cuò)排列。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述隔斷圖形由嵌套的至少一個(gè)封閉圖形和至少一個(gè)非封閉圖形組合形成，且每個(gè)所述非封閉圖形均由N個(gè)互不接觸的子隔斷單元構(gòu)成，N為大于一的整數(shù)，所述非封閉圖形與所述封閉圖形相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13任一項(xiàng)所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述封閉圖形和/或非封閉圖形為矩形、圓形或者多邊形。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述間隔體設(shè)置于所述像素定義層與所述第一導(dǎo)電層之間。
16.一種制造如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置的制造方法，包括: 提供第一基板和第二基板； 在所述第二基板上形成觸控信號(hào)傳輸層； 在所述第一基板或所述第二基板上形成間隔體； 在所述第一基板上形成第一導(dǎo)電層，在所述第二基板上形成第二導(dǎo)電層所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層共同構(gòu)成觸控信號(hào)傳輸單元； 其中，所述間隔體與所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層在第一基板上的垂直投影至少部分重疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，形成所述觸控信號(hào)傳輸層的步驟包括: 在所述第二基板上形成導(dǎo)電跨橋； 在所述跨橋上覆蓋第一鈍化層； 刻蝕所述第一鈍化層形成第一通孔，暴露部分所述導(dǎo)電跨橋； 在所述第一鈍化層上形成多條連續(xù)的感應(yīng)電極和以連續(xù)感應(yīng)電極為間隔的驅(qū)動(dòng)電極線段，所述驅(qū)動(dòng)電極線段通過(guò)所述第一通孔與所述導(dǎo)電跨橋電性連接，將多條所述驅(qū)動(dòng)電極線段電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，形成所述間隔體步驟包括:在所述觸控信號(hào)傳輸層上形成所述間隔體。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述第一基板上形成薄膜晶體管元件層，所述薄膜晶體管元件層包括多個(gè)薄膜晶體管開關(guān)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，形成所述間隔體步驟包括:在所述第一基板的薄膜晶體管元件層上形成所述間隔體。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于，形成所述觸控信號(hào)傳輸單元的步驟包括: 在所述薄膜晶體管元件層和所述間隔體上形成像素電極層，所述像素電極層為所述第一導(dǎo)電層; 在所述第二基板上形成所述第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層電性連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述薄膜晶體管元件層上形成有機(jī)發(fā)光像素層，所述有機(jī)發(fā)光像素層包括依次層疊設(shè)置的第一電極層、像素定義層和第二電極層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述觸控信號(hào)傳輸單元分為傳輸接觸區(qū)和傳輸外圍區(qū)，形成觸控信號(hào)傳輸單元的步驟包括: 在所述薄膜晶體管元件層上形成第二電極層，所述第二電極層為所述第一導(dǎo)電層，在所述傳輸外圍區(qū)形成至少一個(gè)隔斷圖形； 在所述第二基板上形成所述第二導(dǎo)電層，在所述傳輸接觸區(qū)所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層電性連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔斷圖形的步驟包括: 在所述薄膜晶體管元件層上形成所述第一電極層，圖案化所述第一電極層，在所述傳輸外圍區(qū)形成至少一個(gè)島狀電極，所述島狀電極圍繞所述傳輸接觸區(qū)； 之后形成第二電極層，所述第二電極層一部分形成在所述島狀電極上，另一部分形成在島狀電極外部，且所述島狀電極上的第二電極層與島狀電極外部的第二電極層絕緣斷開。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述島狀電極為倒梯形結(jié)構(gòu)。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于，形成所述間隔體步驟包括:在所述像素定義層上形成所述間隔體。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104252276SQ201410309292
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】蘇聰藝 申請(qǐng)人:上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司