使用sadp技術(shù)制造電路布局的方法
【專利摘要】本文揭露一種使用SADP技術(shù)制造電路布局的方法，其涉及驗證整體圖像布局中的多個特征，使用SADP程序無法分解該多個特征，其中，至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征，減少該第一和該第二相鄰特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣?，從而使用該SADP程序可分解該多個特征，將該整體圖像布局分解成芯棒屏蔽圖像(mandrel mask)和塊屏蔽(block mask)圖像，以及產(chǎn)生對應(yīng)于該芯棒屏蔽圖像和該塊屏蔽圖像的屏蔽信息集合。
【專利說明】使用SADP技術(shù)制造電路布局的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]基本上，本發(fā)明公開涉及精密的半導(dǎo)體裝置的制造，更具體地，涉及各種使用自對準(zhǔn)雙圖像法(SADP)產(chǎn)生電路布局的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]光微影技術(shù)是制造集成電路產(chǎn)品時所使用的一種基本程序。高階光微影技術(shù)包括:(I)形成光或輻射敏感材料(如光阻)在材料層或基板上；(2)選擇性曝光(如DUV或EUV光源)該輻射敏感材料以經(jīng)由屏蔽或掩膜(在本文中所使用為可互換的術(shù)語)以轉(zhuǎn)移所定義的圖像至該輻射敏感材料；以及(3)顯影該輻射敏感材料的露出層以定義圖像化屏蔽層。各種處理操作，例如蝕刻或離子注入程序，可接著在材料或基板的底層上，經(jīng)由該圖案化屏蔽層來進(jìn)行。
[0003]當(dāng)然，集成電路制造的最終目標(biāo)是要如實地再現(xiàn)原始電路設(shè)計于集成電路產(chǎn)品上。從歷史上來看，集成電路產(chǎn)品中使用的特征尺寸和間距使使用單一圖像光阻屏蔽層來形成所欲的圖像成為可能。然而，近幾年來，裝置的尺寸和間距被縮減至現(xiàn)存的光微影工具，如193nm波長的光微影工具，已無法形成具有所有整體目標(biāo)圖像的特征的單一圖像屏蔽層。因此，裝置設(shè)計員紛紛使出包括執(zhí)行多重曝光以定義單一目標(biāo)圖像于材料層上的技術(shù)。一種這樣的技術(shù)一般稱為多重圖像化，例如雙重圖像化。一般而言，雙重圖像化為涉及分裂(即分割)致密的整體目標(biāo)電路圖像，于兩個獨立的、較不那么致密的圖像的曝光方法。該簡化、較不致密的圖像便接著被分別使用兩個獨立的屏蔽(其中一個屏蔽用于成像較不致密的圖像中的一者，而另一個屏蔽則用于成像另一個較不致密的圖像)印至晶圓。此外，在一些情況下，該第二圖像被印在該第一圖像的線間，使得成像的晶圓具有，例如，為任意一個較不致密的屏蔽的一半的特征間距。此技術(shù)有效地降低了光微影技術(shù)的復(fù)雜性，改善可達(dá)成的分辨率和使該遠(yuǎn)較小的特征其原本不可能使用現(xiàn)有的光微影技術(shù)可被印出。
[0004]該SADP程序便是一種多重圖像化技術(shù)。該SADP程序?qū)ιa(chǎn)下一代的裝置，特別是在這樣的下一代的裝置上的金屬布線被視為具吸引力的解決方案，由于當(dāng)使用SADP程序時可有較佳的迭加控制。
[0005]圖1A至IK示出裝置10的說明例，其中說明性的先前技術(shù)中的SADP程序被用于形成金屬特征(如金屬線)于絕緣材料層12。參考圖1A，硬屏蔽層14被形成于該絕緣材料層12上，且芯棒材料層16被形成于硬屏蔽層14上。也描繪出光阻材料圖像化層17，通成被稱為〃芯棒層〃，其使用傳統(tǒng)、單一曝光微顯影工具和技術(shù)形成在該芯棒材料層16上。該芯棒材料層16可包括可相對于該硬屏蔽層14被選擇性蝕刻的材料。
[0006]接著，如圖1B所示，當(dāng)使用該光阻材料圖像化層17作為蝕刻屏蔽時，蝕刻程序被施行在該芯棒材料層16上。此蝕刻程序使多個芯棒16A形成。在所描繪的實例中，該芯棒被形成而具有間距16P和最小寬度16W。該間距16P和該最小寬度16W可在建構(gòu)時根據(jù)特定裝置10變化。圖1C描繪該裝置10在光阻材料圖像化層17 (即該芯棒屏蔽)被移除后。
[0007]接著，如圖1D所示，間隔材料層18經(jīng)由施行共行沉積技術(shù)被沉積在該芯棒16A上和周圍。該間隔材料層18應(yīng)為可相對該芯棒16A和該硬屏蔽層14被選擇性蝕刻的材料。圖1E示出該裝置10在非等向性蝕刻程序被使用在該間隔材料層18上以限制多個具有橫向?qū)挾?8W且位置相鄰于該芯棒16A的側(cè)壁間隔18A。該間隔18A的寬度18W可在建構(gòu)時根據(jù)該特定裝置10變化。接著，如圖1F所示，該芯棒16A經(jīng)由施行相對于該硬屏蔽14和該側(cè)壁間隔18A為選擇性的蝕刻程序被移除。
[0008]圖1G示出在圖像化光阻屏蔽20或稱為塊屏蔽，被形成在該間隔層18A和該硬屏蔽層14上之后的該裝置10。在一個例子中，該塊屏蔽20可使用傳統(tǒng)、單一曝光光微影工具和技術(shù)形成。圖1H示出在蝕刻程序被施行以經(jīng)由該側(cè)壁間隔18A和該塊屏蔽20的合并(互統(tǒng)合)轉(zhuǎn)移該定義的圖像至該硬屏蔽層14后的該裝置10。圖1I示出在一個或更多程序操作被施行從而自已圖像化的該硬屏蔽14上移除該側(cè)壁間隔18A和該塊屏蔽20后的該裝置10。接著，如圖1J所示，蝕刻程序經(jīng)由該圖像化的硬屏蔽層14被施行在該絕緣材料層12上以定義說明性的溝槽22于該絕緣材料層12。圖1K示出在示意性地示出的金屬特征24 (如金屬線)被形成于該溝槽22后，和在該圖像化硬屏蔽層14被移除之后的該裝置10。此方法中此金屬特征24可被形成在該絕緣材料層12中為本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知的。
[0009]在SADP程序中，該被形成的金屬特征24通成被稱為〃芯柱-金屬〃特征(〃麗〃)或〃非芯柱-金屬〃特征("NMM")。如圖1K所示，該金屬特征24被定位于設(shè)置該芯柱16A和該芯柱屏蔽17 (皆在圖1K中以虛線示出)的該特征的位置的下方，且被稱為〃芯柱-金屬〃特征-并于圖1K中被標(biāo)記為"MT。所有形成在該絕緣材料層12中的其它該金屬特征24為〃非芯柱-金屬〃特征，并于圖1K中被標(biāo)記為〃NMM〃。由于所涉及的術(shù)語，該麗特征和NMM特征將被稱為不同的〃顏色〃當(dāng)其涉及分解整體圖像布局其意在使用SADP程序進(jìn)行制造，也將會在下方進(jìn)行完整的說明。因此，兩個MM特征間被稱為〃同色"，而兩NMM特征間也稱為同色，但麗特征和NMM特征則視為彼此為〃異色"。
[0010]為了使用雙重圖像化技術(shù)，用于電路的整體圖像布局必須為雙重圖像化兼容。一般情況下，這意味著整體圖像布局可被分解為兩個獨立的圖像，其各自使用現(xiàn)有的微顯影工具或其它技術(shù)形成。整體圖像布局可具有許多無法直接印出的區(qū)域，這是因為在這些區(qū)域中的多個相近地間隔特征彼此間隔太近，以致于現(xiàn)有的微顯影工具無法將個別特征印出。在調(diào)查中的這些區(qū)域的范圍具有偶數(shù)個此特征，此圖像有時被稱為〃偶數(shù)圈〃圖像，而具有奇數(shù)個特征的區(qū)域則有時被稱為〃奇數(shù)圈〃圖像。偶數(shù)圈圖像可使用雙重圖像化技術(shù)形成，但奇數(shù)圈圖像不可使用雙重圖像化技術(shù)形成。
[0011]公知的雙重圖像化技術(shù)被稱為LELE (光刻-蝕刻-光刻-蝕刻)雙重圖像化。如其名稱所意味的，該LELE程序包括形成兩個光阻蝕刻屏蔽和施行兩道蝕刻程序以轉(zhuǎn)移該所欲的整體圖像至之后將作為蝕刻屏蔽以蝕刻材料底層的該硬屏蔽上。針對術(shù)語，使用于該LELE雙重圖像化程序的該不同屏蔽被成為異色。因此，根據(jù)相鄰特征間的該間隔，該特征可使用該同樣的光阻屏蔽(同色)形成，或其可必須使用不同的光阻屏蔽(異色)所形成。在LELE程序中，若兩個相鄰特征為經(jīng)由使用傳統(tǒng)單一曝光微顯影技術(shù)所進(jìn)行圖像化的距離來隔開，那么這兩相鄰的特征可使用該相同的光阻屏蔽(同色)。相反地，若在兩相鄰特征間的間隔小于可使用單一曝光微顯影技術(shù)形成，那么這些特征必須使用不同光阻屏蔽(異色)或該特征間的間隔必須經(jīng)由改變電路布局增加以使其可使用同樣的光阻屏蔽施行。
[0012]如上方所指出的，任何電路布局使用雙重圖像化技術(shù)來形成必須檢查以確認(rèn)其可被分解為兩獨立的光阻屏蔽。布局必須具有零奇數(shù)循環(huán)以使其在LELE程序中為可分解。欲評斷是否電路布局為雙重圖像化兼容，屏蔽工程師使用非常復(fù)雜且公知的計算機程序，經(jīng)由〃繪圖(drawing) 〃和〃多邊型環(huán)(polygon loop) 〃其在調(diào)查中連結(jié)該特征的質(zhì)心以連結(jié)相鄰的特征。圖1L包含一繪出五相鄰特征(A至E)的多邊形環(huán)30的簡單的例子。該多邊形環(huán)30包括五個邊31。在此示例中，由于在相鄰特征間的相對間隔，所有的該特征被要求使用〃異色"(DC)的屏蔽形成。因此，該多邊型環(huán)30具有五個連結(jié)各特征的"DC〃邊。該多邊型環(huán)30表示奇數(shù)循環(huán)布局由于在該多邊型環(huán)30中的DC邊(共五個)。由于在該多邊型環(huán)30中的DC邊為奇數(shù)，經(jīng)由該多邊型環(huán)30所體現(xiàn)的該圖像為不可分解以使用雙重圖像化技術(shù)。圖1M示出示例性的修改使該電路布局可使其可分解。在此示例中，在該特征A和B間的該間隔被增加使這兩個特征可使用〃同色"(SC)屏蔽。因此，該修正的多邊型環(huán)30A現(xiàn)僅具有四個DC邊-其為偶數(shù)-且其可分解使用雙重圖像化技術(shù)?？傊谠揕ELE雙重圖像化程序中，增加該相鄰特征間隔具有〃破壞〃該奇數(shù)循環(huán)多邊形環(huán)的的效果。然而，增加該相鄰特征間隔也具有負(fù)面效果，其為增加需要用以制造電路的硅區(qū)域或〃圖像區(qū)(Plotspace) 〃，且增加此間隔將產(chǎn)生”漣漪”效應(yīng)，造成額外需要解決的奇數(shù)環(huán)。
[0013]在該SADP程序中，就如LELE程序，布局必須具有零奇數(shù)圈使其為可分解的。然而，不似該LELE程序，由于該SADP的性質(zhì)，僅僅增加在該奇數(shù)圈多邊形環(huán)內(nèi)的該相鄰特征間隔而使該兩個相鄰特征必須使用該"同色屏蔽"被形成將無法解決奇數(shù)圈的情況，即這樣的間隔的增加將無法破壞在該SADP成徐中的該奇數(shù)圈。相反，在該SADP程序中，該在兩相鄰特征間隔必須增加足夠的大小以使該兩相鄰的特征被間隔夠遠(yuǎn)至其可使用該芯柱屏蔽或塊屏蔽形成，即該間隔必須被增加至所謂〃非色敏(color insensitive) 〃的程度。如前所述，增加該相鄰特征間隔具有負(fù)面效果，其為增加需要用以制造電路的硅區(qū)域或〃圖像區(qū)(plot space)"，且增加此間隔將產(chǎn)生〃漣漪〃效應(yīng)，造成額外需要經(jīng)由增加額外特征間的間隔來解決的奇數(shù)環(huán)。
[0014]本發(fā)明的目的在公開各種產(chǎn)生電路布局的方法其使用自對準(zhǔn)雙圖案化(SADP)技術(shù)其可解決或至少減少一個或更多上述的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]以下所呈現(xiàn)為本發(fā)明的摘要是為了提供本發(fā)明在一些基本面向上的理解。本摘要并非本發(fā)明的詳盡概述。也并非意在標(biāo)示本發(fā)明的關(guān)鍵元素或描繪本發(fā)明的范圍。其唯一的目的為以簡潔的形式呈現(xiàn)本發(fā)明的概念以作為后方所作的詳細(xì)討論的開場。
[0016]一般而言，本發(fā)明涉及各種生成電路布局的方法，其使用自對準(zhǔn)雙圖像化(SADP)技術(shù)。在一個實施例中，一個被揭露的方法涉及用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的屏蔽的設(shè)計和生產(chǎn)。除其它外因素外，此方法包括，創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)；辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，該SADP程序無法分解該多個特征，其中，至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征；減少在該第一和第二特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣?，從而使用該SADP程序可分解該多個特征；將具有該異色的該第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的該第一和第二特征在其間具有該間隔；產(chǎn)生第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該芯柱屏蔽圖像；以及產(chǎn)生第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該塊屏蔽圖像。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]本揭露可經(jīng)由參考以下的敘述搭配附圖得到理解，其中相同的附圖標(biāo)號標(biāo)是相同的組件，其中:
[0018]圖1A至IK示出現(xiàn)有的SADP程序的說明性示例。
[0019]圖1L至IM示出多邊形環(huán)的說明性示例、以及在LELE程序中解決奇數(shù)圈沖突的示例；和
[0020]圖2A至2J示出各種在此揭露的分解電路布局已使用自對準(zhǔn)雙圖像化(SADP)技術(shù)形成方法的說明性實施例。
[0021]盡管本文所公開的申請標(biāo)的是易于進(jìn)行各種修改和替代形式，其具體的實施例已經(jīng)由圖示中示例示出且在本文中進(jìn)行詳細(xì)描述。然而應(yīng)當(dāng)理解的是，此處的描述的具體實施例并非意在限制本發(fā)明至所公開的特定形式，而相反地，其意在涵蓋所有落在由后附的權(quán)利要求所定義的專利范圍和精神內(nèi)的修改，等同物和替代物。

【具體實施方式】
[0022]本發(fā)明的各種示例性實施方案將描述如下。為了清楚地描述，非所有實際實現(xiàn)的特征在本說明書中描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，任何如此的實施例的開發(fā)，許多實施特定方式的決定是為了開發(fā)者特定的目的如符合系統(tǒng)相關(guān)的和業(yè)務(wù)相關(guān)的限制，其將隨著不同的實行而變化。此外應(yīng)當(dāng)被理解的是，此開發(fā)的所費的功夫可能是復(fù)雜且耗時的，但對于習(xí)知本領(lǐng)域技術(shù)的人員仍應(yīng)能體會本公開的益處。
[0023]本發(fā)明的申請標(biāo)的現(xiàn)在將參照附圖進(jìn)行說明。各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)、和裝置為示意性的描述于附圖中僅用以解釋且使習(xí)知本領(lǐng)域的技術(shù)的人員可以理解本公開。盡管如此，附圖仍會被加以描述并用于解釋本發(fā)明的說明性示例。本文所用的詞句和語匯應(yīng)被理解和詮釋為與精熟于相關(guān)領(lǐng)域的人員對于這些詞句和語匯的理解為一致的。這些詞句和語匯無特別的定義，即定義其由精熟于相關(guān)領(lǐng)域的人員所理解與常規(guī)和慣用的意義不同，乃意在于本文中呈現(xiàn)一致的用法。在一定程度上，其詞句和語匯具有特殊意義，即非由由精熟于相關(guān)領(lǐng)域的人員所理解，此特殊定義將會明確地陳述于說明書中并明確地提供該詞句和語匯的該特殊定義。
[0024]本發(fā)明所揭露基本上為涉及各種分解電路布局的方法，其使用自對準(zhǔn)雙圖像化(SADP)技術(shù)形成。其對于習(xí)知本領(lǐng)域的人員在完整閱讀本說明書后應(yīng)是易于理解到，本文所揭露的方法和裝置可被用于裝置的變形的制造，如邏輯裝置、記憶裝置、ASIC等。參考附圖，各種于本文所揭露的該方法、裝置、和系統(tǒng)的說明性實施例將更詳細(xì)地描述。
[0025]圖2A至2J將被參考以討論本發(fā)明所揭露的各種面向。參考在需要時，也將被制為于圖1A至IM的現(xiàn)有技術(shù)程序流程的某些面向。如本專利的背景部份所指出，在SADP程序中，該特征其被形成(如金屬線)為金屬-芯柱特征(MM)或非金屬-芯柱特征(NMM)。因其涉及到本文中和所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語，MM特征和NMM特征被稱為在不同“色”，當(dāng)涉及到使用SADP過程的技術(shù)來制造分解整體圖像布局。因此，兩個MM的特征被稱為“同色”，而一個麗特征和一個NMM特征被稱為“異色”。同樣，兩個NMM特征被稱為“同色”。
[0026]圖2A示出電路布局(如多個金屬線100)其使用SADP程序形成的簡化范例。該金屬線100可代表被形成在集成電路產(chǎn)品的金屬_2(M2)層的金屬線。該金屬線100被布置在各種軌線("M2軌線〃)上，如在圖2A的虛線所示。由于涉及SADP過程，該金屬線100可被分成芯柱-金屬線102和非芯柱-金屬線103。在所示的范例，該芯柱-金屬線102被布置在M2軌在線標(biāo)記為0，而該非芯柱-金屬線103被布置在M2軌在線標(biāo)記為I。在所示的示例中，每個金屬線100具有臨界尺寸或?qū)挾?04和間距106。該寬度104和該間距106的規(guī)?？筛鶕?jù)特定的應(yīng)用而變化，且這些尺寸可能在技術(shù)的進(jìn)展下隨著裝置尺寸持續(xù)的縮小而減少。在一個示例中，該金屬線100可具有24nm的目標(biāo)寬度104和48nm的目標(biāo)間距106。然而，應(yīng)該由精通本領(lǐng)域者所理解的是在完整閱讀本申請后，本文所揭露的該各種發(fā)明具有廣泛的適用性且其可在生產(chǎn)具有任何所欲的設(shè)置、間距、和寬度的特征時被使用。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被認(rèn)為限制于任何的此處引用的說明性的數(shù)值的范例，因為這些示例僅提供于利于理解本公開的發(fā)明。
[0027]參考圖2B，SADP程序的各種其它面向現(xiàn)在將被討論。一般而言，在SADP程序，芯柱-金屬特征的最小寬度或臨界尺寸等于該芯柱16A(見圖1B和1K)的最小寬度16W。另一方面，非芯柱-金屬特征的該最小寬度或臨界尺寸等于兩芯柱16A的該間隔小于該間隔體寬18W的兩倍。見圖1B和1E。(見圖1K中的尺寸19)圖2B圖標(biāo)出用于SADP程序的各種〃顏色規(guī)則〃，其中該芯柱16A的該最小寬度16W為24nm，該間隔體的最小寬度18W為24nm且該芯柱16A間距18P為96nm。
[0028]繼續(xù)參考圖2B，如果相鄰特征間的間隔為24nm(SMIN)，那么這兩個特性必須形成為不同顏色-其中一特征為芯柱-金屬(MM)特征，而另一特征為非芯柱-金屬(NMM)特征。當(dāng)在特征間的該間隔大于或等于72nm(SINT)，則這些特征可使用相同顏色的屏蔽形成。若在該相鄰特征間間隔大于120nm(SLRG)，則該特征為對〃顏色〃是不敏感的且可被用任何屏蔽形成。須要注意的是，在這樣的狀況下其中該相鄰特征經(jīng)由等于72nm至120nm但不包括120nm的距離間隔開，接著這些特征便可使用相同的屏蔽形成，即兩者皆為MM特征或兩者皆為NMM特征。也就是說，對于SINT ( S〈SLRG的狀況，則該相鄰特征必須使用同色的屏蔽形成。
[0029]圖2C示出由使用SADP程序生產(chǎn)的電路圖像的一部份的五個(A至E)相鄰特征所繪的多邊形環(huán)140的范例。該多邊形環(huán)140是由五個邊構(gòu)成。在此范例中，由于在相鄰特征A-C-E和D間的相對間隔，這四個相鄰特征必須使用〃異色〃 (DC)屏蔽形成。因此，該多邊形環(huán)140具有連結(jié)這四個特征的三個DC邊。在該特征B和其相鄰特征A和D間的該間隔，使該特征A和B必須使用〃同色〃 (SC)屏蔽形成且該特征B和C必須使用同色屏蔽形成。在特定的示例中，該在該多邊形環(huán)140的特征A和B可經(jīng)由等于72nm至120nm但不包括120nm的距離間隔開，如SINT ( S〈SLRG的狀況下。因此，該多邊形環(huán)140代表奇數(shù)圈布局由于在該多邊形環(huán)140的該DC邊(共為三邊)為奇數(shù)。因此，由于在該多邊形環(huán)140中的DC邊為奇數(shù)，故該經(jīng)由該多邊形環(huán)140反應(yīng)的圖像為不可分解且因此無法使用SADP技術(shù)生產(chǎn)。
[0030]圖2D示出本發(fā)明所公開的面向其中在圖2C中的該圖像由不可分解的多邊形140可被改變?yōu)榭煞纸獾膱D像140A使用雙重圖像化技術(shù)。更具體地，在本文一個公開的實施例中，在其必須使用同色屏蔽形成的相鄰特征(如A至B)的該間隔被減少而迫使該特征(隨著其間間隔的減少)使用異色(DC)屏蔽形成。例如，在該特征A和B間的該間隔可被減少至SMIN如24nm，于本文中被討論的范例，以從而迫使該特征A和B使用異色(DC)屏蔽形成且因此改變奇數(shù)圈圜(3DC邊)至偶數(shù)圈環(huán)(4DC邊)。實現(xiàn)這樣的間距的變化可以使用幾種技術(shù)來實現(xiàn)。在如圖2D所示的示例，在該特征A和B間的間隔的減少可經(jīng)由將該特征A的一邊110視為固定，并朝該特征B移動該特征A的另一邊112。在此示例中，該特征B的該邊的位置保持不變，而僅特征A被修正。也就是說，該特征A的尺寸增加而該特征B的尺寸保持不變。
[0031]重要的是，使用本文所揭露的方法，相反的不可分解的圖像可被轉(zhuǎn)化為可分解的圖像，而不影響其它相鄰特征的間隔關(guān)系或任何面積的損失。圖2E和2F為非可分解電路圖像(圖2E)和可分解電路圖像(圖2F)的部分的并排布局，其被參考以用來解釋這一點。在圖2E和2F中，該特征C和A間的該間隔114，和在該特征B和D間的間隔116保持不變。然而，使用本文所揭露的方法，該特征A和B間的間隔被減少至SMIN，如24nm(比較2E和2F)，從而迫使該特征A和B使用不同屏蔽形成。在如圖2F的特定的示例中，在該特征A和B間的間隔的減少可經(jīng)由改變該特征A和B兩者的尺寸來達(dá)成。更具體地，該特征A和B兩者的一邊I1被視為固定的，而該特征A和B的該面對邊112被移至彼此。在此示例中，該特征A和B兩者的該邊的該位置被修正。也就是說，該特征A和B兩者的尺寸被增加以縮減該特征A和B間的間隔。
[0032]圖2G至2H提供另一個以使用本文所揭露的方法被自非可分解布局轉(zhuǎn)換至可分解布局的圖像布局的示例。同樣的，本文前述的數(shù)字乃僅用于說明。如圖2G的該圖像150，具有四個(A至D)相鄰特征其為使用SADP程序生產(chǎn)的電路圖像的一部分。該多邊形環(huán)為四個邊所組成。在一個示例中，由于在相鄰特征A-B、B-CjP C-D間的相對間隔，這三個特征必須使用〃異色"(DC)屏蔽形成。因此，多變形環(huán)具有三個連結(jié)此四個特征的〃DC〃邊。該特征D和其相鄰的特征A間的間隔(72nm)使該特征A和D必須使用〃同色〃 (SC)屏蔽形成。因此，該圖像150代表奇數(shù)圈布局，由于在該多邊形環(huán)中的DC邊為奇數(shù)。因此，該圖像150為不可分解的且因此無法使用SADP技術(shù)被制造。
[0033]圖2H示出范例，其中該特征A和D兩者的尺寸經(jīng)由強迫該特征A和D使用異色(DC)屏蔽形成被增加以解決顏色沖突。更具體地，在此示例中，該特征A和D的外側(cè)邊110被視為固定，而該特征A和D的兩者的面對邊112的部份被朝向彼此移動，直到該間隔被減少至24nm。因間隔的改變，該圖像150A現(xiàn)在為可分解的因為該多邊形現(xiàn)具有四個DC邊。
[0034]圖21至2J還提供另一圖像布局的示例，其可使用本文所揭露的方法自非可分解布局轉(zhuǎn)換至可分解布局。同樣的，本文前述的數(shù)字用于說明。圖21所示的該圖像160中，具有四個(A至D)相鄰特征其為使用SADP程序制造的電路圖像的一部份。該多邊形環(huán)為四個邊所組成。在一個示例中，由于在相鄰特征A-B、B-CjP C-D間的相對間隔，這三個特征必須使用〃異色"(DC)屏蔽形成。因此，多變形環(huán)具有三個連結(jié)此四個特征的〃DC〃邊。該特征D和其相鄰的特征A間的間隔(72nm)使該特征A和D必須使用〃同色〃 (SC)屏蔽形成。因此，該圖像160代表奇數(shù)環(huán)布局由于在該多邊形環(huán)中的DC邊為奇數(shù)。因此，該圖像160為不可分解的且因此無法使用SADP技術(shù)被制造。
[0035]圖2J示出范例，其中僅該特征A的尺寸經(jīng)由強迫該特征A和D使用異色(DC)屏蔽形成被增加以解決顏色沖突。更具體地，在此示例中，該特征A的外側(cè)邊110被視為固定，而該特征A的內(nèi)側(cè)邊112的部份被移至該特征D，直到該間隔被減少至24nm為止。在此程序中，該特征D的該尺寸保持不變。因間隔的改變，該圖像160A現(xiàn)在為可分解的因為該多邊形現(xiàn)具有四的DC邊。
[0036]本文所揭露的技術(shù)與過去的SADP程序技術(shù)呈現(xiàn)強烈的對比。更具體地，在試圖解決用于使用SADP程序制造的圖像的顏色沖突上，先前技術(shù)方法總是涉及增加該相鄰特征間間隔以解決這樣的沖突。這樣的作法傾向消耗額外的圖像空間且造成額外的顏色沖突，隨著在該相鄰特征間的間隔的增加傾向于在布局的其它部份對其他特征產(chǎn)生"漣漪效應(yīng)"。相反地，本文所揭露的方法減少相鄰特征間的間隔以迫使這些特征在使用SADP程序以制造集成電路產(chǎn)品時使用異色的屏蔽形成，以解決奇數(shù)圈沖突。因此，相對于先前技術(shù)，使用本文所揭露的方法，在解決顏色沖突時將消耗較少的圖像空間，且因解決這樣的沖突所產(chǎn)生的改變也不會產(chǎn)生不良的〃漣漪〃效果于該電路布局的其它部分上。
[0037]這些上方所揭露的具體實施例僅用于說明，而本發(fā)明可經(jīng)由不同但等效的方式進(jìn)行修改或?qū)崿F(xiàn)，其對習(xí)知本領(lǐng)域者在受益于本文的教示后是相當(dāng)明顯的。例如，該前述的程序步驟可以不同的順序施行。此外，除在下方的權(quán)利要求所述的，本文所示的構(gòu)造和設(shè)計的細(xì)節(jié)其并非意在限制本發(fā)明。因此，明顯地，以上所揭露的特定實施例可被修改或調(diào)整且所有這樣的變化皆被視為在本專利的范圍和精神內(nèi)。因此，本文所尋求的保護將如上的權(quán)利要求所述。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包含: 創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)； 辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，使用該SADP程序無法分解該多個特征，其中，至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征； 減少在該第一和第二特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣?，從而使用該SADP程序可分解該多個特征； 將具有該異色的第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的第一和第二特征在其間具有該減少的間隔； 產(chǎn)生第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該芯柱屏蔽圖像；以及 產(chǎn)生第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該塊屏蔽圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括提供該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)至屏蔽制造商。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將該第一特征的第一邊視為固定、以及朝該第二特征移動該第一特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)減少在該第一和第二相鄰特征間的該間隔時，該第二特征的所有邊被視為固定的。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將每個該第一和第二特征的第一邊視為固定、以及朝彼此移動每個該第一和第二特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括僅增加該第一和第二特征的一者的尺寸，但保持該第一和第二特征的另一者的尺寸不變，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括增加該第一和第二特征兩者的尺寸，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該同色的第一和第二特征兩者皆為芯柱-金屬(mandrel-metal, MM)特征。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該同色的第一和第二特征兩者皆為非芯柱-金屬(non-mandrel-metal, NMM)特征。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該異色的第一和第二特征的一者為芯柱-金屬(mandrel-metal, MM)特征，而該異色的第一和第二特征的另一者為非芯柱-金屬(non-mandrel-metal, NMM)特征。
11.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括使用自該屏蔽制造商得到的屏蔽生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品，其中，該屏蔽為基于該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)。
12.—種方法,包括: 創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)； 辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，使用該SADP程序無法分解該多個特征，其中，在該多個特征中至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征； 減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣鳎瑥亩褂迷揝ADP程序可分解該多個特征，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括增加該第一和第二特征的一者的尺寸，但保持該第一和第二特征的另一者的尺寸不變； 將具有該異色的第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的第一和第二特征在其間具有該減少的間隔； 生成第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該芯柱屏蔽圖像；以及 生成第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該塊屏蔽圖像。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括提供該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)給屏蔽制造商。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括使用自該屏蔽制造商獲得的屏蔽生產(chǎn)集成電路，其中，該屏蔽為基于該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將該第一特征的第一邊視為固定、以及朝該第二特征移動該第一特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的間隔，但該第二特征的所有邊被視為固定的。
16.—種方法,包括: 創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)； 辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，使用該SADP程序無法分解該多個特征，其中，該多個特征中的至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征； 減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣?，從而使用該SADP程序可分解該多個特征，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括增加該第一和第二特征兩者的尺寸，以減少該第一和第二特征間的該間隔； 將具有該異色的第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的第一和第二特征在其間具有該減少的間隔； 生成第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該芯柱屏蔽圖像；以及 生成第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該塊屏蔽圖像。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括提供該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)給屏蔽制造商。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括使用自該屏蔽制造商獲得的屏蔽生產(chǎn)集成電路，其中，該屏蔽為基于該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將該第一和該第二特征的第一邊視為固定、以及朝彼此移動該第一和第二特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
【文檔編號】G06F17/50GK104462635SQ201410494410
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】袁磊, 桂宗郁, H·J·萊文森 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司