電容式觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本申請?zhí)峁┮环N電容式觸摸屏。該電容式觸摸屏包括感應(yīng)層與顯示面板，該電容式觸摸屏還包括屏蔽層，屏蔽層設(shè)置在感應(yīng)層與顯示面板之間，屏蔽層為超低電阻透明導(dǎo)電膜，超低電阻透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為87％～93％，厚度大于0μm且小于100μm，方阻值為0.01～50歐姆。具有上述結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏，用屏蔽層代替現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的隔離層，大大降低了電容式觸摸屏的厚度，實現(xiàn)了觸摸屏的超薄，同時使得電容式觸摸屏具有高信噪比、良好的視覺效果。
【專利說明】電容式觸摸屏

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電容式觸摸屏。

【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏，由上至下一般包括四層：1)基板；2)觸控 感應(yīng)層；3) 0CA膠層；4)顯示面板。
[0003] 電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的一種觸摸屏技術(shù)。廣泛應(yīng)用于手 機、GPS、平板電腦等電子產(chǎn)品上，正朝著大尺寸、超輕薄、高透明及低制造成本方向發(fā)展。但 在電容式觸摸屏的發(fā)展過程中也正遭遇一些技術(shù)開發(fā)的瓶頸：第一，驅(qū)動難度大，靈敏度較 ??；第二，工藝復(fù)雜，良率低，成本居高不下；第三，難以實現(xiàn)超薄。
[0004] 電容式觸摸屏的厚度主要由ΙΤ0感應(yīng)層的厚度與隔離層的厚度決定。為了使電容 式觸摸屏實現(xiàn)超薄，需要減小ΙΤ0感應(yīng)層的厚度與隔離層的厚度。ΙΤ0感應(yīng)層是電容式觸摸 屏的關(guān)鍵層，它的厚度會影響光透過率、信噪比與電導(dǎo)率：ΙΤ0感應(yīng)層的透光率隨厚度增加 而減小，信噪比（SNR)與電導(dǎo)率則隨厚度增加而升高，為平衡ΙΤ0的光透過率、信噪比與電 導(dǎo)率，得到一個綜合性能較優(yōu)的結(jié)果，ΙΤ0層的厚度不能取其允許厚度范圍的下限，不利于 電容式觸摸屏實現(xiàn)超薄。
[0005] 如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中在電容式觸摸屏的感應(yīng)層20與顯示面板40之間，通常設(shè) 置隔離層30, 一般為空氣層或光學(xué)膠層。一方面，顯示屏存在寄生電容，該寄生電容的極不 穩(wěn)定性會導(dǎo)致感應(yīng)層中的導(dǎo)電圖形層電極的電容量極不穩(wěn)定，進(jìn)而會影響電容器觸摸屏的 電導(dǎo)率、信噪比等特性，隔離層的設(shè)置會減小來自顯示屏的寄生電容的影響，提高器件的靈 敏度與穩(wěn)定性；另一方面，由于顯示面板40是一個噪聲源，影響感應(yīng)層20信號采集的信噪 t匕，隔離層30可以減小顯示面板產(chǎn)生的噪聲，增加感應(yīng)層20信號采集的靈敏度。
[0006] 目如隔尚層30最小的厚度為250 μ m，如果進(jìn)一步減小其厚度，將會導(dǎo)致顯不面板 40產(chǎn)生的噪聲對感應(yīng)層20信號采集的影響變大，不利于增加電容式觸摸屏的靈敏度。并 且當(dāng)隔離層30為空氣層時，為了防止這層空隙進(jìn)入灰塵，需要將空氣層周圍密封，這樣增 加了觸摸屏制作的工序，且空氣層表面不做防反射處理會存在8%左右的光損；若該隔離 層30為光學(xué)膠，需要與上下結(jié)構(gòu)做光學(xué)匹配以增加可見光透過率，光學(xué)膠的介電常數(shù)也應(yīng) 盡可能最小，以減少來自顯示面板40的寄生電容。這兩種隔離層30不僅會增加觸控屏的 整體厚度，同樣也會使工藝復(fù)雜，增加成本。
[0007] 綜上，現(xiàn)有技術(shù)中，為了保證電容式觸摸屏的性能，ΙΤ0感應(yīng)層20的厚度與隔離層 30的厚度不能再進(jìn)一步減小以實現(xiàn)電容式觸摸屏的超??；另外，現(xiàn)有技術(shù)中的隔離層30使 得電容式觸摸屏的工藝更加復(fù)雜，成本更高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明旨在提供一種電容式觸摸屏，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電容式觸摸屏難以同時實 現(xiàn)超薄及高信噪比的問題。
[0009] 為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了電容式觸摸屏，包括感應(yīng)層與 顯示面板，上述電容式觸摸屏還包括屏蔽層，上述屏蔽層設(shè)置在上述感應(yīng)層與上述顯示面 板之間，上述屏蔽層為超低電阻透明導(dǎo)電膜，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為 87 %?93 %，厚度大于0 μ m且小于100 μ m，方阻值為0. 01?50歐姆。
[0010] 進(jìn)一步地，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜的方阻值為0. 01?10歐姆。
[0011] 進(jìn)一步地，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜包括：第一 ΙΤ0導(dǎo)電層，設(shè)置在上述感應(yīng)層 上；第一抗氧化層，設(shè)置在上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層的表面上；金屬層，設(shè)置在上述第一抗氧化 層的遠(yuǎn)離上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層的表面上；第二抗氧化層，設(shè)置在上述金屬層的遠(yuǎn)離上述第 一抗氧化層的表面上；以及第二ΙΤ0導(dǎo)電層，設(shè)置在上述第二抗氧化層與上述顯示面板之 間。
[0012] 進(jìn)一步地，形成上述第一抗氧化層和上述第二抗氧化層的材料為抗氧化金屬材 料，上述第一抗氧化層和上述第二抗氧化層的金屬材料相同或不同。
[0013] 進(jìn)一步地，上述抗氧化金屬材料為鋅或鈦。
[0014] 進(jìn)一步地，上述第一抗氧化層與上述第二抗氧化層的厚度相同，上述厚度在 lnm?10nm之間，優(yōu)選在lnm?5nm之間。
[0015] 進(jìn)一步地，上述金屬層為金層或銀層。
[0016] 進(jìn)一步地，上述金屬層的厚度為6nm?12nm。
[0017] 進(jìn)一步地，上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層與上述第二ΙΤ0導(dǎo)電層的光學(xué)厚度相等，上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層與上述第二ΙΤ0導(dǎo)電層的光學(xué)厚度的總和為0. 8?2. 0個光學(xué)單位。
[0018] 進(jìn)一步地，上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層與上述第二ΙΤ0導(dǎo)電層的折射率均大于2。
[0019] 進(jìn)一步地，上述感應(yīng)層包括導(dǎo)電圖形層，上述導(dǎo)電圖形層與上述超低電阻透明導(dǎo) 電膜的結(jié)構(gòu)相同。
[0020] 進(jìn)一步地，上述感應(yīng)層還包括與上述導(dǎo)電圖形層相連的外部線路，上述外部線路 采用方阻值在0. 01?10歐姆之間的導(dǎo)線。
[0021] 進(jìn)一步地，形成上述外部線路的材料與上述導(dǎo)電圖形層的材料相同。
[0022] 應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，上述結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏，在感應(yīng)層與顯示面板之間，用 屏蔽層代替現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的隔離層，大大降低了電容式觸摸屏的厚度，實現(xiàn)了電容式觸摸屏 的超薄。由于屏蔽層為超低電阻透明導(dǎo)電膜，因此避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用空氣層作為隔離 層所帶來的問題；同時超低電阻透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為87%?91%，避免采用光學(xué) 膠層作為隔離層帶來的問題，且利用超低電阻透明導(dǎo)電膜不僅能夠提高電容式觸摸屏的亮 度與清晰度，還能有效改善PET直接與空氣或0CA膠層接觸視差，減少顯示面板和電容式觸 摸屏之間的距離落差，增加親近真實感，進(jìn)而使得電容式觸摸屏實現(xiàn)良好的視覺效果；進(jìn)一 步地，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜僅需要< 100 μ m的厚度就可以達(dá)到比原來隔離層更好的 效果，即厚度< l〇〇ym的超低電阻透明導(dǎo)電膜可以快速導(dǎo)出顯示面板與感應(yīng)層之間產(chǎn)生 的寄生電容，增加電容式觸摸屏的靈敏度，獲得高信噪比；另外，該屏蔽層的設(shè)置不僅可以 降低整個電容式觸摸屏的厚度，該屏蔽層的制作工藝可以借鑒感應(yīng)層的制作工藝，甚至可 以與感應(yīng)層的制作工藝兼容，因此簡化整個電容式觸摸屏的制作工藝，降低電容式觸摸屏 的制作成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示 意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0024] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中在感應(yīng)層與顯示面板之間設(shè)置隔離層的電容式觸摸屏；
[0025] 圖2示出了本申請一種優(yōu)選的電容式觸摸屏的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；以及
[0026] 圖3示出了本申請一種優(yōu)選的超低電阻導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0027] 應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對本申請?zhí)峁┻M(jìn)一步的說明。除非另 有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本申請所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員通常 理解的相同含義。
[0028] 需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于"包含"和/或"包 括"時，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0029] 需要說明的是，本申請的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語"第一"、"第 二"等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用 的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本申請的實施方式例如能夠以除了在這里 圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語"包括"和"具有"以及他們的任何變形，意 圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備 不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、 方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0030] 為了便于描述，在這里可以使用空間相對術(shù)語，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用來描述如在圖中所示的一個器件或特征與其他器件或特 征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為"在其他器 件或構(gòu)造上方"或"在其他器件或構(gòu)造之上"的器件之后將被定位為"在其他器件或構(gòu)造下 方"或"在其他器件或構(gòu)造之下"。因而，示例性術(shù)語"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方 位），并且對這里所使用的空間相對描述作出相應(yīng)解釋。
[0031] 正如【背景技術(shù)】所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中的電容式觸摸屏難以實現(xiàn)超薄，并且隔離層 的加入使得電容式觸摸屏的制作工藝很復(fù)雜。為了解決如上問題，本申請?zhí)岢隽艘环N電容 式觸摸屏。
[0032] 下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情 況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0033] 在本申請一種優(yōu)選的實施方式中，如圖2所示，提供了一種電容式觸摸屏，包括感 應(yīng)層200與顯示面板400,上述電容式觸摸屏還包括屏蔽層300,上述屏蔽層300設(shè)置在上 述感應(yīng)層200與顯示面板400之間，上述屏蔽層300為超低電阻透明導(dǎo)電膜，上述超低電阻 透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為87%?93%，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜的厚度大于Ομπι且 小于100 μ m，上述超低電阻透明膜的方阻值為0. 01?50歐姆。
[0034] 具有上述結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏，在感應(yīng)層200與顯示面板400之間，用屏蔽層300 代替現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的隔離層30,大大降低了電容式觸摸屏的厚度，實現(xiàn)了電容式觸摸屏的超 薄。由于屏蔽層300為超低電阻透明導(dǎo)電膜，因此避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用空氣層作為隔離 層30所帶來的問題；同時超低電阻透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為87%?93%，避免采用光 學(xué)膠層作為隔離層帶來的問題，且利用超低電阻透明導(dǎo)電膜不僅能夠提高電容式觸摸屏的 亮度與清晰度，還能有效改善PET直接與空氣或0CA膠層接觸視差，減少顯示面板400和電 容式觸摸屏之間的距離落差，增加親近真實感，進(jìn)而使得電容式觸摸屏實現(xiàn)良好的視覺效 果；進(jìn)一步地，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜僅需要彡ΙΟΟμπι的厚度就可以達(dá)到比原來隔離層 30更好的效果，即厚度彡100 μ m的超低電阻透明導(dǎo)電膜可以快速導(dǎo)出顯示面板400與感 應(yīng)層200之間產(chǎn)生的寄生電容，增加電容式觸摸屏的靈敏度，獲得高信噪比；另外，該屏蔽 層300的設(shè)置不僅可以降低整個電容式觸摸屏的厚度，該屏蔽層300的制作工藝可以借鑒 感應(yīng)層200的制作工藝，甚至可以與感應(yīng)層200的制作工藝兼容，因此簡化整個電容式觸摸 屏的制作工藝，降低電容式觸摸屏的制作成本。
[0035] 綜上，該屏蔽層300代替現(xiàn)有技術(shù)中的隔離層30, 一方面，大大減小了電容式觸摸 屏的厚度，實現(xiàn)了電容式觸摸屏的超?。涣硗?，該屏蔽層300的制作簡化了電容式觸摸屏的 工藝，降低了制作成本。
[0036] 為了在減小電容式觸摸屏的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步使屏蔽層300能更快速導(dǎo)出顯示面板 400與感應(yīng)層200之間產(chǎn)生的寄生電容，增加電容式觸摸屏的靈敏度，獲得高信噪比，優(yōu)選 上述超低電阻透明導(dǎo)電膜的方阻值為〇. 01?10歐姆。
[0037] 本申請的一種優(yōu)選的實施例中，如圖3所示，上述超低電阻透明導(dǎo)電膜包括：第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301，設(shè)置在上述感應(yīng)層200上；第一抗氧化層302,設(shè)置在上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 301的表面上；金屬層303,設(shè)置在上述第一抗氧化層302的遠(yuǎn)離上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301 的表面上；第二抗氧化層304,設(shè)置在上述金屬層303的遠(yuǎn)離上述第一抗氧化層302的表面 上；以及第二ΙΤ0導(dǎo)電層305,設(shè)置在上述第二抗氧化層304與上述顯示面板400之間。第 一 ΙΤ0導(dǎo)電層301、第一抗氧化層302、金屬層303、第二抗氧化層304與第二ΙΤ0導(dǎo)電層305 實現(xiàn)間隙摻雜，即金屬層303間隙摻雜到第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301與第二ΙΤ0導(dǎo)電層305,提高 了超低電阻透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，提高了屏蔽層300的導(dǎo)電性能，使得顯示面板400與感應(yīng) 層200之間產(chǎn)生的寄生電容能夠快速導(dǎo)出，提高了電容式觸摸屏的信噪比，并且屏蔽層導(dǎo) 電性能的提高增加了電容式觸摸屏的靈敏度。
[0038] 為了進(jìn)一步提高超低電阻透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性，使其能夠快速導(dǎo)出顯示面板400 與感應(yīng)層200之間產(chǎn)生的寄生電容，獲得高信噪比、高靈敏度的電容式觸摸屏，優(yōu)選上述第 一抗氧化層302和上述第二抗氧化層304的材料為抗氧化金屬材料，上述第一抗氧化層302 和上述第二抗氧化層304的金屬材料可以相同也可以不同。
[0039] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述第一抗氧化層302和上述第二抗氧化層 304的金屬材料為鋅或鈦，鋅或鈦不僅具有良好的抗氧化性，而且還具有良好的導(dǎo)電性，使 得作為屏蔽層300的超低電阻透明導(dǎo)電膜的電阻率較小，電導(dǎo)率較大，進(jìn)一步提高了屏蔽 層300的導(dǎo)電性能，提高了電容式觸摸屏的靈敏度與信噪比。
[0040] 在實現(xiàn)上述理想的抗氧化的基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步使得所形成的超低電阻透明導(dǎo)電 膜的導(dǎo)電性能和透光率，優(yōu)選上述第一抗氧化層302和上述第二抗氧化層304的在lnm? 10nm之間，進(jìn)一步優(yōu)選在lnm?5nm之間，這樣可以實現(xiàn)與上述超低電阻透明導(dǎo)電膜中的第 一 IT0導(dǎo)電層301、金屬層303與第二IT0導(dǎo)電層305的良好的間隙摻雜，進(jìn)而提高屏蔽層 300的導(dǎo)電性能，并且能夠保證較高的透光率。為了方便設(shè)置，在本申請一種優(yōu)選的實施例 中，上述第一抗氧化層302與上述第二抗氧化層304的厚度相同。
[0041] 為了進(jìn)一步減小超低電阻透明導(dǎo)電膜的電阻率，優(yōu)選上述金屬層303為金層或銀 層，這是因為金與銀的電阻率很小，與超低電阻透明導(dǎo)電膜中的第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301、第一 抗氧化層302、第二抗氧化層304與第二ΙΤ0導(dǎo)電層305間隙摻雜后，能進(jìn)一步降低超低電 阻透明導(dǎo)電膜的電阻率，進(jìn)而提高屏蔽層300的導(dǎo)電率。
[0042] 為了實現(xiàn)更好的間隙摻雜效果，并且保證超低電阻透明導(dǎo)電膜具有較高的光透過 率，本申請優(yōu)選上述金屬層303的厚度為6nm?12nm。
[0043] 為了減小上述超低電阻透明導(dǎo)電膜對光的吸收，優(yōu)選上述第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301與 第二ΙΤ0導(dǎo)電層305的光學(xué)厚度的總和為0. 8?2. 0個光學(xué)單位。這樣的設(shè)置方式能夠保 證超低電阻透明導(dǎo)電膜對光的吸收及反射減小，進(jìn)而使透光率達(dá)到最大值，為了使超低電 阻透明導(dǎo)電膜的制作工藝簡單方便，本申請優(yōu)選第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301與第二ΙΤ0導(dǎo)電層305 的光學(xué)厚度相等。
[0044] 為了進(jìn)一步提高超低電阻透明導(dǎo)電膜的透光率，本申請優(yōu)選第一 ΙΤ0導(dǎo)電層301 與第二ΙΤ0導(dǎo)電層305的折射率均大于2。
[0045] 本申請的另一種優(yōu)選的實施例中，上述感應(yīng)層200包括導(dǎo)電圖形層210,上述導(dǎo)電 圖形層210與上述超低電阻透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)相同，這樣的電容式觸摸屏中的導(dǎo)電圖形層 210實現(xiàn)間隙摻雜，使得導(dǎo)電圖形層210的導(dǎo)電性能提高，進(jìn)而使得電容式觸摸屏的靈敏度 提高、驅(qū)動難度減??；另外，由于在相同厚度時，本申請中多層膜結(jié)構(gòu)的超低電阻透明導(dǎo)電 膜的電阻率較小，導(dǎo)電率較大，透光率也得到提高；而且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過調(diào)節(jié)超低 電阻透明導(dǎo)電膜厚度，使超低電阻透明導(dǎo)電膜對光的反射率降到最低，進(jìn)而使得超低電阻 透明導(dǎo)電膜的透光率達(dá)到最大，進(jìn)而提高了電容式觸摸屏的亮度與清晰度。與本領(lǐng)域的常 規(guī)設(shè)置方式相似，本申請中的電容式觸摸屏設(shè)置有基板，上述感應(yīng)層200設(shè)置在基板的表 面上。為了進(jìn)一步降低電容式觸摸屏的電阻，提高其導(dǎo)電性，從而提高其靈敏度、驅(qū)動能力， 并且實現(xiàn)電容式觸摸屏邊框透明化，優(yōu)選上述感應(yīng)層200還包括與上述導(dǎo)電圖形層210相 連的外部線路220,上述外部線路220采用方阻值在0. 01?10歐姆之間的導(dǎo)線。
[0046] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述外部線路的材料與上述導(dǎo)電圖形層的材料 相同。這樣的外部線路的導(dǎo)電性較好，進(jìn)而能夠進(jìn)一步提高電容式觸摸屏的靈敏度、驅(qū)動能 力。
[0047] 以下將結(jié)合實施例和對比例進(jìn)一步說明本發(fā)明的有益效果。所有實施例中基板采 用的材料為是鋼化玻璃，厚度為125um，透光率為88% ;邊框引線的材料為銀線；襯底的材 料為PET ;表格中不再贅述。
[0048] 實施例1
[0049] 設(shè)置圖2所示的電容式觸摸屏，其中屏蔽層的結(jié)構(gòu)如圖3所示，各第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 311、第一抗氧化層312、金屬層313、第二抗氧化層314與第二ΙΤ0導(dǎo)電層315的厚度及材 料見表1，對該導(dǎo)電圖形層的電阻率、透光率進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0050] 實施例2
[0051] 設(shè)置圖2所示的電容式觸摸屏，其中屏蔽層的結(jié)構(gòu)如圖3所示，各第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 311、第一抗氧化層312、金屬層313、第二抗氧化層314與第二ΙΤ0導(dǎo)電層315的厚度及材 料見表1，對該導(dǎo)電圖形層的電阻率、透光率進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0052] 實施例3
[0053] 設(shè)置圖2所示的電容式觸摸屏，其中屏蔽層的結(jié)構(gòu)如圖3所示，各第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 311、第一抗氧化層312、金屬層313、第二抗氧化層314與第二ΙΤ0導(dǎo)電層315的厚度及材 料見表1，對該導(dǎo)電圖形層的電阻率、透光率進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0054] 實施例4
[0055] 設(shè)置圖2所示的電容式觸摸屏，其中屏蔽層的結(jié)構(gòu)如圖3所示，各第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 311、第一抗氧化層312、金屬層313、第二抗氧化層314與第二ΙΤ0導(dǎo)電層315的厚度及材 料見表1，對該導(dǎo)電圖形層的電阻率、透光率進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0056] 實施例5
[0057] 設(shè)置圖2所示的電容式觸摸屏，其中屏蔽層的結(jié)構(gòu)如圖3所示，各第一 ΙΤ0導(dǎo)電層 311、第一抗氧化層312、金屬層313、第二抗氧化層314與第二ΙΤ0導(dǎo)電層315的厚度及材 料見表1，對該導(dǎo)電圖形層的電阻率、透光率進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0058] 表1中給出一種現(xiàn)有技術(shù)的屏蔽層的具體參數(shù)，對該屏蔽層的電阻率、透光率進(jìn) 行檢測，檢測結(jié)果見表2。
[0059] 其中，上述電阻率的檢測采用四探針方法，其中測試寬幅為1250 mm，左右內(nèi)縮40 mm ;采用分光光度計檢測透光率。
[0060] 表 1
[0061]

【權(quán)利要求】
1. 一種電容式觸摸屏，包括感應(yīng)層與顯示面板，其特征在于，所述電容式觸摸屏還包括 屏蔽層，所述屏蔽層設(shè)置在所述感應(yīng)層與所述顯示面板之間，所述屏蔽層為超低電阻透明 導(dǎo)電膜，所述超低電阻透明導(dǎo)電膜的可見光透過率為87 %?93 %，厚度大于Ο μ m且小于 100 μ m，方阻值為0· 01?50歐姆。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述超低電阻透明導(dǎo)電膜的方 阻值為0.01?10歐姆。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述超低電阻透明導(dǎo)電膜包括： 第一 ITO導(dǎo)電層，設(shè)置在所述感應(yīng)層上； 第一抗氧化層，設(shè)置在所述第一 ITO導(dǎo)電層的表面上； 金屬層，設(shè)置在所述第一抗氧化層的遠(yuǎn)離所述第一 ITO導(dǎo)電層的表面上； 第二抗氧化層，設(shè)置在所述金屬層的遠(yuǎn)離所述第一抗氧化層的表面上；以及 第二ITO導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二抗氧化層與所述顯示面板之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸摸屏，其特征在于，形成所述第一抗氧化層和所述 第二抗氧化層的材料為抗氧化金屬材料，所述第一抗氧化層和所述第二抗氧化層的金屬材 料相同或不同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述抗氧化金屬材料為鋅或鈦。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述第一抗氧化層與所述第二 抗氧化層的厚度相同，所述厚度在lnm?10nm之間，優(yōu)選在lnm?5nm之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述金屬層為金層或銀層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述金屬層的厚度為6nm? 12nm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述第一 ITO導(dǎo)電層與所述第 二IT0導(dǎo)電層的光學(xué)厚度相等，所述第一 IT0導(dǎo)電層與所述第二IT0導(dǎo)電層光學(xué)厚度總和 為0. 8?2. 0個光學(xué)單位。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述第一 IT0導(dǎo)電層與所述第 二IT0導(dǎo)電層的折射率均大于2。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述感應(yīng)層包括 導(dǎo)電圖形層，所述導(dǎo)電圖形層與所述超低電阻透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)相同。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述感應(yīng)層還包括與所述導(dǎo) 電圖形層相連的外部線路，所述外部線路采用方阻值在〇. 01?10歐姆之間的導(dǎo)線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容式觸摸屏，其特征在于，形成所述外部線路的材料與 所述導(dǎo)電圖形層的材料相同。
【文檔編號】G06F3/044GK104298413SQ201410649153
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】陳西寶, 于甄, 解金庫, 王道翠, 曹星星 申請人:張家港康得新光電材料有限公司