面板處理方法【專利摘要】本發(fā)明公開了一種面板處理方法，先提供一基板，其上設有復數(shù)個組件單元，再于該基板上迭設一屏蔽層，該屏蔽層具有復數(shù)個開口，以分別顯露出該復數(shù)個組件單元的活性區(qū)，再進行一噴涂制程，在該可視區(qū)內形成一膠膜，最后，移除該屏蔽層。本發(fā)明提供了一種面板處理方法，提高貼合質量解決傳統(tǒng)貼合方法所使用的光學膠膜厚度太厚的問題，能使觸控面板組件可以進一步薄化?！緦＠f明】面板處理方法【
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】[0001]本發(fā)明涉及觸控【
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】，尤其涉及面板處理方法?！?br>背景技術：
】[0002]在現(xiàn)今各類型消費性電子產品中，平板計算機(tabletcomputer)、個人數(shù)字助理(PDA)、移動電話(mobilephone)、衛(wèi)星導航系統(tǒng)與影音播放器等可攜式電子產品已廣泛地使用觸控面板(touchpanel)組件,作為人機數(shù)據(jù)的溝通接口。[0003]傳統(tǒng)觸控面板組件包括感應基板及保護蓋板。感應基板與保護蓋板透過光學膠膜貼合在一起。然而，傳統(tǒng)貼合方法所使用的光學膠膜厚度太厚，通常要到25微米的厚度，使得組件不易達到進一步薄化之目的。[0004]因此，該【
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】仍需要一種改良的面板(或基板)的處理及貼合方法，能夠使得觸控面板組件達到進一步薄化?！?br/>發(fā)明內容】[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種面板處理方法，旨在解決如何實現(xiàn)觸控面板組件進一步薄化的技術問題。[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種面板處理方法，包含:提供一基板，其上設有復數(shù)個組件單元(Chips);于該基板上迭設一屏蔽層，該屏蔽層具有復數(shù)個開口，以分別顯露出該復數(shù)個組件單元的活性區(qū)(activearea);進行一噴涂制程，在該可視區(qū)內形成一膠膜；以及移除該屏蔽層。[0007]優(yōu)選地，該噴涂制程使用一低黏度膠材，其黏度介于10CPS至3000CPS之間。[0008]優(yōu)選地，該低黏度膠材包含有環(huán)氧樹脂、聚酯、或聚甲基丙烯酸甲酯。[0009]優(yōu)選地，該膠膜的溶劑殘留量大于I%。[0010]優(yōu)選地，該膠膜的厚度小于5μm。[0011]優(yōu)選地，該膠膜的均勻度小于10%。[0012]優(yōu)選地，該膠膜的表面粗糙度Ra大于0、01μm。[0013]優(yōu)選地，該膠膜的表面輪廓變異性約為0、3μm/mm。[0014]優(yōu)選地，該屏蔽層是為一可剝膠。[0015]優(yōu)選地，該屏蔽層是為一金屬屏蔽層。[0016]優(yōu)選地，該基板包括一透明基材以及一感應電極層。[0017]優(yōu)選地，該復數(shù)個組件單元是以數(shù)組排列，且彼此之間以一切割道相隔。[0018]本發(fā)明提供了一種面板處理方法，提高貼合質量解決傳統(tǒng)貼合方法所使用的光學膠膜厚度太厚的問題，能使觸控面板組件可以進一步薄化。【專利附圖】【附圖說明】[0019]圖1至圖4為依據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的面板處理方法示意圖；[0020]圖5至圖7例示采用不同的屏蔽層，所形成的膠膜的結構特征。[0021]本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。【具體實施方式】[0022]應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0023]請參閱圖1至圖4，其為依據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的面板處理方法示意圖。[0024]首先，如圖1所示，提供一基板10，例如觸控面板組件的感應基板，其上設有復數(shù)個組件單元(chips)11，可以數(shù)組排列(在此例中以5x5數(shù)組排列)，且組件單元11彼此之間以一切割道102相隔。[0025]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述基板10可以包括一透明基材以及至少一感應電極層(圖未示)，但不限于此。[0026]上述透明基材可以包括聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,簡稱為PET)基板或玻璃基板，但不限于此。[0027]上述感應電極層可以包括氧化銦錫(ITO)透明電極等，不限于此。[0028]如圖1中的放大圖所示，各個組件單元11可以包括一活性區(qū)(activearea)110、一圍繞著活性區(qū)110的外圍區(qū)112，以及一軟板接合區(qū)114。上述活性區(qū)又可稱為顯示區(qū)或者有效區(qū)。[0029]依據(jù)本發(fā)明實施例，在軟板接合區(qū)114內，可以設有復數(shù)個金手指114a。[0030]如圖2所示，接著于基板10上迭設一屏蔽層20，其中屏蔽層20具有復數(shù)個開口210，以分別顯露出復數(shù)個組件單元11的活性區(qū)110。[0031]除了活性區(qū)110之外，基板10上的其它部位全部被遮蔽，包括切割道102、外圍區(qū)112以及軟板接合區(qū)114均被屏蔽層20所遮蔽住。[0032]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述屏蔽層20可以是一可剝膠、金屬屏蔽層或以上組合。[0033]如圖3所示，進行一噴涂制程，利用一噴涂機300在未被屏蔽層20遮蔽的可視區(qū)110內形成一膠膜30。[0034]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述噴涂制程使用一低黏度膠材，其黏度介于10CPS至3000CPS之間。[0035]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述低黏度膠材可以包含有環(huán)氧樹脂、聚酯、或聚甲基丙烯酸甲酯。[0036]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述膠膜30的溶劑殘留量大于I%。[0037]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述膠膜30的厚度小于5μm。[0038]依據(jù)本發(fā)明實施例,上述膠膜30的均勻度(uniformity)小于10%。[0039]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述膠膜30的表面粗糙度Ra大于0.01μm。上述表面粗糙度Ra是指中心線平均粗糖度。[0040]依據(jù)本發(fā)明實施例，上述膠膜30的表面輪廓(surfaceprofile)變異性約為0.3μm/mm。[0041]如圖4所示，接著移除上述屏蔽層20，留下圖案化的膠膜30。此時，膠膜30僅形成在復數(shù)個組件單元11的活性區(qū)110內，且膠膜30的厚度小于5μm。[0042]依據(jù)本發(fā)明實施例，采用不同的屏蔽層20，可發(fā)現(xiàn)膠膜30會有不同結構特征，如圖5至圖7所示。[0043]其中，圖5顯示當屏蔽層20為可剝膠時，在撕除可剝膠后，膠膜30在活性區(qū)110的周緣會有突起或斜坡結構，且扭角Θ會大于15度。[0044]圖6顯示當屏蔽層20為金屬時，由于遮蔽區(qū)非完全密合，故進行噴涂制程時會有飛濺的現(xiàn)象，膠體顆粒從活性區(qū)110至周圍的遮蔽區(qū)的密度會呈現(xiàn)高斯分布。[0045]圖7顯示當屏蔽層20為金屬加上可剝膠時，膠膜30在活性區(qū)110的周緣會有R角，且此R角會大于0.1mm。[0046]在完成圖1至圖4的形成圖案化膠膜30的步驟后，即可繼續(xù)進行基板10與另一基板的貼合步驟。[0047]上述另一基板可以是玻璃基板，包括，但不限于鈉鈣玻璃(sodalime)、保護玻璃(coverglass)、藍寶石玻璃等。[0048]或者，上述另一基板可以是片材，例如，PET膜、ITO膜或壓電材料等。[0049]上述基板對貼壓合后，可以選擇繼續(xù)進行UV照射、烘烤制程、化學強化處理等步驟，最后可進行切割，將各個組件單元11分離。[0050]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的【
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】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內?！緳嗬蟆?.一種面板處理方法,其特征在于,包含:提供一基板，其上設有復數(shù)個組件單元；于該基板上迭設一屏蔽層，該屏蔽層具有復數(shù)個開口，以分別顯露出該復數(shù)個組件單元的活性區(qū)；進行一噴涂制程，在該可視區(qū)內形成一膠膜；以及移除該屏蔽層。2.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該噴涂制程使用一低黏度膠材，其黏度介于1CPS至3000CPS之間。3.如權利要求2所述的面板處理方法，其特征在于，該低黏度膠材包含有環(huán)氧樹脂、聚酯、或聚甲基丙烯酸甲酯。4.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該膠膜的溶劑殘留量大于I%。5.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該膠膜的厚度小于5μm。6.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該膠膜的均勻度小于10%。7.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該膠膜的表面粗糙度Ra大于O、01μm。8.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該膠膜的表面輪廓變異性約為O、3μm/mm。9.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該屏蔽層是為一可剝膠。10.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該屏蔽層是為一金屬屏蔽層。11.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該基板包括一透明基材以及一感應電極層。12.如權利要求1所述的面板處理方法，其特征在于，該復數(shù)個組件單元是以數(shù)組排列，且彼此之間以一切割道相隔?！疚臋n編號】G06F3/041GK104461130SQ201410665318【公開日】2015年3月25日申請日期:2014年11月19日優(yōu)先權日:2014年11月19日【發(fā)明者】盧宏杰,黃彥衡,陳宗凱,黃世杰,鄭立婷,曾鈞麟,曾賀捷,陳秋棋,黃昌桂,莊偉仲申請人:業(yè)成光電（深圳）有限公司,英特盛科技股份有限公司