一種解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，包括：建立作為用來仿真自加熱效應(yīng)的熱流網(wǎng)絡(luò)的自加熱網(wǎng)絡(luò)電路，其中自加熱網(wǎng)絡(luò)電路包括相互并聯(lián)連接的晶體管熱阻、晶體管熱容和晶體管熱阻附加項；第二步驟：根據(jù)建立的自加熱網(wǎng)絡(luò)電路建立仿真式：其中，Tsh表示晶體管由于自加熱相應(yīng)而升高的溫度；Rth表示晶體管熱阻；Cth表示晶體管熱容；Pdiss表示晶體管所消耗的功率，也就是晶體管工作時候產(chǎn)生的熱量值；Rth_max表示晶體管熱阻附加項；而且，Rth_max>>Rth。
【專利說明】-種解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及器件測試仿真領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收 斂問題的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 晶體管的自加熱效應(yīng)是指，晶體管工作的時候自身產(chǎn)生的熱量足夠大的時候?qū)е?管內(nèi)的溫度高于環(huán)境溫度，從而影響晶體管性能。自加熱網(wǎng)絡(luò)是用來仿真自加熱效應(yīng)的熱 流網(wǎng)絡(luò)。
[0003] 圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的作為用來仿真自加熱效應(yīng)的熱流網(wǎng)絡(luò)的自 加熱網(wǎng)絡(luò)電路。
[0004] 如圖1所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的作為用來仿真自加熱效應(yīng)的熱流網(wǎng)絡(luò)的自加熱網(wǎng)絡(luò) 電路包括并聯(lián)連接的晶體管的熱阻和晶體管的熱容。并且，根據(jù)圖1所示的自加熱網(wǎng)絡(luò)電 路建立仿真式：
【權(quán)利要求】
1. 一種解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于包括： 第一步驟：建立作為用來仿真自加熱效應(yīng)的熱流網(wǎng)絡(luò)的自加熱網(wǎng)絡(luò)電路，其中自加熱 網(wǎng)絡(luò)電路包括相互并聯(lián)連接的晶體管熱阻、晶體管熱容和晶體管熱阻附加項； 第二步驟：根據(jù)建立的自加熱網(wǎng)絡(luò)電路建立仿真式：
其中，Tsh表示晶體管由于自加熱相應(yīng)而升高的溫度；Rth表示晶體管熱阻；Cth表示 晶體管熱容；Pdiss表示晶體管所消耗的功率；Rthjnax表示晶體管熱阻附加項；而且，Rth_ max> >Rth〇
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的10倍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的15倍。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的20倍。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的25倍。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的30倍。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，Rth_max至少 是Rth的50倍。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，所述解決 自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法用于絕緣體上硅MOS器件的模型的仿真。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，所述解決 自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法用于PSPSOI模型的仿真。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的解決自加熱網(wǎng)絡(luò)收斂問題的方法，其特征在于，所述方 法用于器件測試。
【文檔編號】G06F17/50GK104462665SQ201410668057
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】范象泉, 張昊 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司