一種高強度的投射式電容屏的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高強度的投射式電容屏。該高強度的投射式電容屏包括第一玻璃基板、設(shè)置于第一玻璃基板上的第一ITO層、第二玻璃基板、設(shè)置于第二玻璃基板上的第二ITO層，第一TIO層與第二ITO層之間通過壓合層連接；第一玻璃基板為鋼化玻璃基板；第一ITO層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二ITO層包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；X軸電極層邊緣上還設(shè)有與X軸電極層相連的X金屬線，Y軸電極層邊緣上還設(shè)有與Y軸電極層相連的Y金屬線，X金屬線與Y金屬線分別與柔性線路板相連；壓合層為EVA膠層或PVB膠層。該投射式電容屏的抗沖擊強度強，且其制作方法中節(jié)省搭橋工藝，可有效提高產(chǎn)品良率。
【專利說明】一種高強度的投射式電容屏

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電容屏領(lǐng)域，尤其涉及一種高強度的投射式電容屏。

【背景技術(shù)】
[0002]投射式電容屏是采用投射電容觸控技術(shù)的屏幕，觸摸屏面板能在手指觸碰到時檢測到該位置電容的變化從而計算出手指所在，進行多點觸控操作。投射式電容屏廣泛應(yīng)用于我們?nèi)粘Ｉ罡鱾€領(lǐng)域，如手機、平板電腦、媒體播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)碼相機、電器控制、醫(yī)療設(shè)備等等。
[0003]投射電容式觸摸屏是在兩層ITO導(dǎo)電玻璃涂層上蝕刻出不同的ITO導(dǎo)電線路模塊。兩個模塊上蝕刻的圖形相互垂直，可以把它們看作是X和Y方向連續(xù)變化的滑條。由于x、Y架構(gòu)在不同表面，其相交處形成一電容節(jié)點。一個滑條可以當(dāng)成驅(qū)動線，另外一個滑條當(dāng)成是偵測線。當(dāng)電流經(jīng)過驅(qū)動線中的一條導(dǎo)線時，如果外界有電容變化的信號，那么就會引起另一層導(dǎo)線上電容節(jié)點的變化。偵測電容值的變化可以通過與之相連的電子回路測量得到，再經(jīng)由A/D控制器轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號讓計算機做運算處理取得(Χ，Υ)軸位置，進而達到定位的目地。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的投射式電容屏主要有以下幾種結(jié)構(gòu):(I)GG模式；其中第一個G為保護玻璃，第二個G是SENSOR傳感器，即雙面ITO玻璃，將X方向電極形成的X軸電極層的圖案和Y方向電極形成的Y軸電極圖案分別做到雙面ITO玻璃的兩個面，并使用金屬線將X方向電極和Y方向電極引出，該GG結(jié)構(gòu)采用雙層玻璃，結(jié)構(gòu)較為厚重。(2)GFF模式；其中G是保護玻璃，F(xiàn)是ITO膜，用于分別將X軸電極圖案與Y軸電極圖案分別做到兩個ITO膜，再使用OCA貼合；GFF模式制作過程中需使用OCA貼合三次，其透光性不好而且良率難以控制。(3)GF2模式；其中G是保護玻璃，F(xiàn)是雙面ITO膜，分別將X軸電極圖案和Y軸電極圖案做到F的正反兩面，通過OCA貼合，并使用金屬線將X方向電極和Y方向電極弓I出；其制作過程中需在ITO膜的雙面分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相連的金屬線，制作困難且難以控制良率，而且其消影效果不好。(4) OGS模式，即在一層保護玻璃上直接形成ITO導(dǎo)電膜及傳感器的技術(shù)，即將X軸電極圖案和Y軸電極圖案均制作在保護玻璃上，其過程中需要對X軸電極和Y軸電極進行搭橋，并分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相連的金屬線路，制作困難且難以控制良率。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中投射式電容屏的保護玻璃容易發(fā)生破碎，無法適用于需高強度領(lǐng)域，如為迎合市場需求，需要制作防摔的電容屏等領(lǐng)域。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種高強度的投射式電容屏。
[0007]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種高強度的投射式電容屏，包括第一玻璃基板、設(shè)置于所述第一玻璃基板上的第一 ITO層、第二玻璃基板、設(shè)置于所述第二玻璃基板上的第二 ITO層，所述第一 T1層與所述第二 ITO層之間使用高強度的壓合層連接；所述第一玻璃基板為鋼化玻璃基板；所述第一 ITO層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二 ITO層包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；所述高強度的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述X軸電極層邊緣的與所述X軸電極層相連的X金屬線和設(shè)置于所述Y軸電極層邊緣的與所述Y軸電極層相連的Y金屬線，所述X金屬線與所述Y金屬線分別與柔性線路板相連；所述壓合層為EVA膠層或PVB膠層。
[0008]優(yōu)選地，所述第一玻璃基板與第一 ITO層之間、所述第二玻璃基板與第二 ITO層之間均設(shè)有用于消除光折射率的消影層。
[0009]優(yōu)選地，所述第一玻璃基板的邊緣設(shè)有釉彩邊框?qū)印?br> [0010]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點:實施本實用新型，第一玻璃基板為鋼化玻璃基板，而且在第一 ITO層和第二 ITO層之間采用高強度的壓合層連接，可有效提高投射式電容屏的抗壓強度。而且第一 ITO層和第二 ITO層之間由壓合層隔離，可有效避免第一 ITO層上的X軸電極層和第二 ITO層上的Y軸電極層直接接觸，在節(jié)省工藝的同時避免搭橋工藝中出錯導(dǎo)致廣品不良率提聞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]下面將結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:
[0012]圖1是本實用新型一實施例中高強度的投射式電容屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是本實用新型一實施例中高強度的投射式電容屏的制作方法的流程圖。
[0014]圖3是本實用新型實施例1中高強度的投射式電容屏的制作方法的流程圖。
[0015]圖4是本實用新型實施例2中高強度的投射式電容屏的制作方法的流程圖。
[0016]圖中:1、第一玻璃基板；2、第一 ITO層；3、第二玻璃基板；4、第二 ITO層；5、X金屬線；6、Y金屬線；7、壓合層；8、釉彩邊框?qū)樱?、消影層。

【具體實施方式】
[0017]為了對本實用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細說明本實用新型的【具體實施方式】。
[0018]圖1示出本實用新型一實施例中的高強度的投射式電容屏。該高強度的投射式電容屏包括第一玻璃基板1、設(shè)置于第一玻璃基板I上的第一 ITO層2、第二玻璃基板3、設(shè)置于第二玻璃基板3上的第二 ITO層4，第一 ITO層2與第二 ITO層4之間使用高強度的壓合層7連接。具體地，第一玻璃基板I為鋼化玻璃基板，用于提高投射式電容屏的抗壓強度，而且在鋼化玻璃基板破碎時，可避免無碎片脫落，從而提高使用的安全性。具體地，第一 ITO層2包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二 ITO層4包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；在X軸電極層邊緣上設(shè)有與X軸電極層相連的X金屬線5,在Y軸電極層邊緣上設(shè)有與Y軸電極層相連的Y金屬線6 ；Χ金屬線5與Y金屬線6分別與柔性線路板相連。
[0019]具體地，壓合層7為EVA膠層或PVB (聚乙烯醇縮丁醛)膠層。EVA膠層是采用EVA樹脂(即乙烯-醋酸乙烯共聚物)經(jīng)壓合處理后得到的，具有透明性好，沖擊韌性強等特點。PVB膠層是采用PVB樹脂(即聚乙烯醇縮丁醛)經(jīng)壓合處理后得到，采用PVB樹脂制作的夾層玻璃具有透明性好、沖擊強度大等優(yōu)點。
[0020]更具體地，第一玻璃基板I的邊緣設(shè)有釉彩邊框?qū)?。釉彩邊框?qū)?采用各種彩色釉彩制作而成，可以是中國紅、藍色、白色、黑色等顏色釉彩，使投射式電容屏的邊緣色彩更加絢麗。而且，釉彩邊框?qū)?的設(shè)置可以遮擋X金屬線5和Y金屬線6。
[0021]進一步地，第一玻璃基板I與第一 ITO層2之間、第二玻璃基板3與第二 ITO層4之間均設(shè)有用于消除光折射率的消影層9。消影層9的設(shè)置可使第一玻璃基板I與第一 ITO層2、第二玻璃基板3與第二 ITO層4之間的色差減少，以提高投射式電容屏的透光率又達到消影效果。具體地，消影層9包括先后疊加在第一玻璃基板I上的五氧化二鈮層和二氧化硅層；或者先后疊加在第一玻璃基板I上的氮氧化硅層和二氧化硅層。
[0022]實施例1
[0023]如圖2、圖3所示，本實用新型還提供一種高強度的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟:
[0024]Sl-O:采用絲印機將低溫釉料絲印到第一玻璃基板I的邊緣上，制得釉彩邊框?qū)? ;并在第一玻璃基板I和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影層9。其中，低溫釉料是使用溫度為400?700°C的釉料，在將低溫釉料絲印到第一玻璃基板I上時，需在400?700°C溫度下燒烤，使得烘烤后的釉料具有較強的覆著力。更具體地，將低溫釉料絲印到第一玻璃基板I的邊緣具體包括以下步驟:底板、曬板、顯影、干燥、修版、印刷、干燥、成品；其中，曬板包括選網(wǎng)、選框、繃網(wǎng)、干燥、涂布或貼附釉彩、高溫烘烤。
[0025]具體地，在第一玻璃基板I和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影層9包括以下步驟:對第一玻璃基板I和第二玻璃基板3進行清洗并熱烘干燥；在真空條件下，在第一玻璃基板I和第二玻璃基板3的一面采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧化硅；在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完成消影層9的制作。
[0026]S1-1、采用物理方法對第一玻璃基板I進行鋼化處理，以形成鋼化玻璃基板。
[0027]步驟Sl-1具體包括:將第一玻璃基板I放置在加熱爐中進行加熱至接近第一玻璃基板I的軟化溫度軟化后(如普通玻璃的軟件溫度為600°c，則將加熱至580?590°C )，采用多頭噴嘴向第一玻璃基板I的兩面吹高壓冷空氣，使其迅速均勻冷卻至室溫而得到鋼化玻璃基板，這種鋼化玻璃基板處于內(nèi)部受拉、外部受壓的應(yīng)力狀態(tài)，一旦局部發(fā)生破損，則會發(fā)生應(yīng)力釋放，第一玻璃基板I被破碎成無數(shù)沒有棱角的小塊，不易傷人。
[0028]S1-2、在鋼化玻璃基板上制作第一 ITO層2，第一 ITO層2包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層；并在X軸電極層邊緣制作與X軸電極層相連的X金屬線5，將X金屬線5綁定到柔性線路板上。
[0029]具體地，步驟S1-2包括:
[0030]S1-21:在真空條件下，采用濺射方式在鋼化玻璃基板上鍍氧化銦錫層。
[0031]S1-22:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層設(shè)置在釉彩邊框?qū)?上。可以理解地，金屬層可以是鋁、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光X金屬線5的圖案?？梢岳斫獾?，在給金屬層上覆上干膜之前需要對金屬層進行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強，而且清洗后其表面清潔干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將X金屬線5顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍金屬層，制得X金屬線5。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀(即顯影劑)進行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時，將專用的不與干膜反應(yīng)的金屬退鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸性溶液。
[0032]S1-23:在制得X金屬線5的鋼化玻璃基板上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸方向電極形成X軸電極層的圖案；x金屬線5與X軸電極層相連，以實現(xiàn)X金屬線5與X軸電極層之間電連接。
[0033]S1-24:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕亥IJ，形成X軸電極層。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HCl:HNO3:H2O = 15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl:HNO3:H2O的配比為17:17:20。可以理解地，蝕刻液的濃度可隨第一 ITO層2的阻值進行調(diào)整，第一 ITO層2阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；2Sn02+8HN03 = 2SN(N03)4+4H20。
[0034]Sl-25:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0035]S1-26:將X金屬線綁定到柔性線路板上。
[0036]S1-3:在第二玻璃基板3上制作第二 ITO層4，第二 ITO層4包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；并在Y軸電極層邊緣制作與Y軸電極層相連的Y金屬線6,將Y金屬線6綁定到柔性線路板上。
[0037]具體地，步驟S1-3包括:
[0038]S1-31:在真空條件下，采用濺射方式在第二玻璃基板3上鍍氧化銦錫層。
[0039]S1-32:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層設(shè)置在第二玻璃基板3上?？梢岳斫獾兀饘賹涌梢允卿X、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光Y金屬線6的圖案。可以理解地，在給金屬層上覆上干膜之前需要對金屬層進行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強，而且清洗后其表面清潔干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將Y金屬線6顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍金屬層，制得Y金屬線6。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀(即顯影劑)進行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時，將專用的不與干膜反應(yīng)的金屬退鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸性溶液。
[0040]S1-33:在制得Y金屬線6的第二玻璃基板3上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向電極形成Y軸電極層的圖案；γ金屬線6與Y電極層相連，以實現(xiàn)Y金屬線6與Y軸電極層之間電連接。
[0041]S1-34:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕亥IJ，形成Y軸電極層。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HCl:HNO3:H2O = 15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl:HNO3:H2O的配比為17:17:20?？梢岳斫獾?，蝕刻液的濃度可隨第二 ITO層4的阻值進行調(diào)整，第二 ITO層4阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；2Sn02+8HN03 = 2SN(N03)4+4H20。
[0042]Sl-35:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0043]S1-36:將Y金屬線綁定到柔性線路板上。
[0044]S1-4:在設(shè)有第一 ITO層2的第二玻璃基板3和設(shè)有第一 ITO層2的鋼化玻璃基板之間放置壓合膠，壓合以形成壓合層7。具體地，壓合膠可以采用具有透明性好、沖擊韌性強的EVA膠，其壓合過程包括:
[0045]S1-41:裁切EVA膠，將EVA膠放置在第一 ITO層2和第二 ITO層4之間，并將鋼化玻璃基板和第二玻璃基板3周邊固定并預(yù)留真空抽氣口?？梢岳斫獾?，在鋼化玻璃基板和第二玻璃基板3的周邊預(yù)留真空抽氣口，以便于在真空抽氣時可以將玻璃與玻璃之間的空氣完全抽到真空狀態(tài)。
[0046]S1-42:將固定后的半成品放入夾膠機，使用真空抽氣裝置從所述預(yù)留真空抽氣口處抽氣至真空狀態(tài)，升溫至55?65°C后保溫15?60min進行預(yù)壓；再升溫至120?130°C后保溫40?130min后取出，完成壓合操作,形成壓合層7。
[0047]采用EVA膠壓合形成壓合層7，具有操作簡單、成本低的優(yōu)點，可主要應(yīng)用單個成品生產(chǎn)過程。
[0048]實施例2
[0049]如圖2、圖4所示，本實用新型還提供一種高強度的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟:
[0050]S2-0:采用絲印機將低溫釉料絲印到第一玻璃基板I的邊緣上，制得釉彩邊框?qū)? ;并在第一玻璃基板I和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影層9?？梢岳斫獾?，步驟S2-0與實施例1中步驟Sl-O的制作方法一致。
[0051]S2-1:采用化學(xué)方法對第一玻璃基板I進行鋼化處理，以形成鋼化玻璃基板。具體地，步驟S2-1包括:采用高溫型離子交換法或低溫型離子交換法對第一玻璃基板I進行處理。
[0052]具體地，高溫型離子交換法是在大于或等于第一玻璃基板I的玻璃的軟化點的溫度下，將含有Na2O或K2O的第一玻璃基板I放置在熔融狀態(tài)的鋰鹽中，使第一玻璃基板I表層的鈉離子或鉀離子與鋰離子進行交換，形成鋰離子交換層，冷卻至室溫即可得到鋼化玻璃基板。由于鋰離子的膨脹系統(tǒng)小于鉀離子、鈉離子的膨脹系數(shù)，在冷卻過程中外層收縮較小而內(nèi)層收縮較大，當(dāng)冷卻到常溫后，玻璃同樣處于內(nèi)層受拉，外層受壓的狀態(tài)，其效果類似于物理鋼化?？梢岳斫獾?，本實施例中的鋰離子還可以由其他膨脹系統(tǒng)小于鉀離子、鈉離子的金屬離子替代。
[0053]低溫型離子交換法是在小于第一玻璃基板I的玻璃的轉(zhuǎn)換點的溫度區(qū)域內(nèi)的堿鹽熔液中，將第一玻璃基板I表層半徑較小的離子與堿鹽熔液中的半徑較大的離子交換，如玻璃中的鋰離子與溶液中的鉀或鈉離子交換，玻璃中的鈉離子與溶液中的鉀離子交換，利用堿離子體積上的差別在玻璃表層形成嵌擠壓應(yīng)力。
[0054]可以理解地，采用高溫型離子交換法與低溫型離子交換法對第一玻璃基板I進行鋼化處理，取決于第一玻璃基板I的主要成分，若第一玻璃基板I的主要成分含鉀、鈉離子，則采用高溫型離子交換法；若第一玻璃基板I中的主要成分含鋰離子，則采用低溫離子交換法。
[0055]S2-2:在鋼化玻璃基板上制作第一 ITO層2，第一 ITO層2包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層；并在X軸電極層邊緣制作與X軸電極層相連的X金屬線5，將X金屬線5綁定到柔性線路板上。具體地，步驟S2-2包括:
[0056]S2-21:在真空條件下，采用濺射方式在鋼化玻璃基板上鍍氧化銦錫層。
[0057]S2-22:在濺射有氧化銦錫層的鋼化玻璃基板上覆上干膜，使用光罩曝光由X軸方向電極形成的X軸電極層的圖案。
[0058]S2-23:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20=15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl:HNO3:H2O的配比為17:17:20?？梢岳斫獾?，蝕刻液的濃度可隨第一 ITO層2的阻值進行調(diào)整，第一 ITO層2阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；2Sn02+8HCl =2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；2Sn02+8HN03 = 2SN(N03)4+4H20。
[0059]S2-24:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制作X軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度1%— 3%的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除，以制得X軸電極層。
[0060]S2-25:在釉彩邊框?qū)?上采用絲印機絲印X金屬線5，并在140?160°C溫度下烘烤50?70min，以制得X金屬線5，將X金屬線5綁定到柔性線路板上?？梢岳斫獾兀琗金屬線5可以采用銀膠線。
[0061]S2-3:在第二玻璃基板3上制作第二 ITO層4，第二 ITO層4包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；并在Y軸電極層邊緣制作與Y軸電極層相連的Y金屬線6,將Y金屬線6綁定到柔性線路板上。具體地，步驟S2-3包括:
[0062]S2-31:在真空條件下，采用濺射方式在所述第二玻璃基板3上鍍氧化銦錫層。
[0063]S2-32:在濺射有氧化銦錫層的所述第二玻璃基板3上覆上干膜，使用光罩曝光由Y軸方向電極形成的Y軸電極層的圖案。
[0064]S2-33:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20=15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl:HNO3:H2O的配比為17:17:20?？梢岳斫獾?，蝕刻液的濃度可隨第一 ITO層2的阻值進行調(diào)整，第一 ITO層2阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；2Sn02+8HCl =2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；2Sn02+8HN03 = 2SN(N03)4+4H20。
[0065]S2-34:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制作Y軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度1%— 3%的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除，以制得Y軸電極層。
[0066]S2-35:在第二玻璃基板3的邊緣采用絲印機絲印Y金屬線6，并在140?160°C溫度下烘烤50?70min，以制得Y金屬線6，并將Y金屬線6綁定到柔性線路板上?？梢岳斫獾兀琘金屬線6可以采用銀膠線。
[0067]S2-4:在設(shè)有第一 ITO層2的第二玻璃基板3和設(shè)有第一 ITO層2的鋼化玻璃基板之間放置壓合膠，壓合以形成壓合層7。具體地，壓合膠還可以采用具有透明性好、抗沖擊強度大的PVB膠，其壓合過程包括:
[0068]S2-41:裁切PVB膠，將PVB膠放置在第一 ITO層2和第二 ITO層4之間，并將鋼化玻璃基板與第二玻璃基板3周邊固定并預(yù)留真空抽氣口，以便于在真空抽氣時可以將玻璃與玻璃之間的空氣完全抽到真空狀態(tài)。
[0069]S2-42:將固定化的半成品放入高壓釜，使用真空抽氣裝置從所述預(yù)留真空抽氣口處抽氣至壓強為8?12個大氣壓，升溫至65?80°C后保溫20?30min進行預(yù)壓；再升溫至130?140°C后保溫45?60min后取出，完成壓合操作,形成壓合層7。
[0070]采用PVB膠壓合形成壓合層7的透明性和抗沖擊硬度較EVA強，主要應(yīng)用批量產(chǎn)品生產(chǎn)過程。
[0071]綜上，本實用新型所提供的高強度的投射式的電容屏的制作方法中，將第一玻璃基板I鋼化處理形成鋼化玻璃基板，而且在第一 ITO層2和第二 ITO層4之間采用高強度的壓合層7(即EVA膠片層或PVB膠片層)連接，可有效提高投射式電容屏的抗壓強度。而且第一 ITO層2和第二 ITO層4之間由壓合層7隔離，可有效避免第一 ITO層2上的X軸電極層和第二 ITO層4上的Y軸電極層直接接觸，在節(jié)省搭橋工藝的同時避免搭橋工藝中出錯導(dǎo)致廣品不良率提聞。
[0072]本實用新型是通過幾個具體實施例進行說明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本實用新型范圍的情況下，還可以對本實用新型進行各種變換和等同替代。另外，針對特定情形或具體情況，可以對本實用新型做各種修改，而不脫離本實用新型的范圍。因此，本實用新型不局限于所公開的具體實施例，而應(yīng)當(dāng)包括落入本實用新型權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種高強度的投射式電容屏，其特征在于:包括第一玻璃基板(I)、設(shè)置于所述第一玻璃基板(I)上的第一 ITO層(2)、第二玻璃基板(3)、設(shè)置于所述第二玻璃基板(3)上的第二ITO層(4)，所述第一 T1層與所述第二 ITO層(4)之間使用高強度的壓合層(7)連接；所述第一玻璃基板(I)為鋼化玻璃基板；所述第一 ITO層(2)包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二 ITO層(4)包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；所述高強度的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述X軸電極層邊緣的與所述X軸電極層相連的X金屬線(5)和設(shè)置于所述Y軸電極層邊緣的與所述Y軸電極層相連的Y金屬線(6)，所述X金屬線(5)與所述Y金屬線(6)分別與柔性線路板相連；所述壓合層(7)為EVA膠層或PVB膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高強度的投射式電容屏，其特征在于:所述第一玻璃基板(I)與第一 ITO層(2)之間、所述第二玻璃基板(3)與第二 ITO層(4)之間均設(shè)有用于消除光折射率的消影層(9)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高強度的投射式電容屏，其特征在于:所述第一玻璃基板(I)的邊緣設(shè)有釉彩邊框?qū)?8)。
【文檔編號】G06F3/044GK203930776SQ201420344436
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】向火平 申請人:向火平