本技術(shù)屬于計(jì)算機(jī)設(shè)備，具體涉及一種大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，信息安全的重要性愈實(shí)用新型顯。尤其是在航空航天領(lǐng)域，核心關(guān)鍵數(shù)據(jù)的重要性不言而喻。為保護(hù)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的安全，作為數(shù)據(jù)保護(hù)的最后一道防線，數(shù)據(jù)毀鑰技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。面對(duì)日益龐大的數(shù)據(jù)規(guī)模，單一存儲(chǔ)顆粒已無(wú)法滿足實(shí)際需求,如何在短時(shí)間內(nèi)徹底地、安全地對(duì)大容量系統(tǒng)中存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的多粒存儲(chǔ)器件進(jìn)行銷密提出了挑戰(zhàn)。

2、目前，常用的銷毀技術(shù)為軟毀鑰和硬毀鑰。

3、軟毀鑰主要采取數(shù)據(jù)覆蓋方式，即通過(guò)軟件對(duì)原有的數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫或擦除，其實(shí)現(xiàn)方式較為簡(jiǎn)單，可通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片寫“0”或?qū)憽?”操作完成，其缺點(diǎn)是不夠靈活，且不能在短時(shí)間內(nèi)完成數(shù)據(jù)銷密，并存在數(shù)據(jù)恢復(fù)的風(fēng)險(xiǎn)。為提高存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性，同時(shí)彌補(bǔ)軟毀鑰的缺陷，提出了一種硬毀鑰的銷密方案，通過(guò)控制電路將毀鑰電源接入存儲(chǔ)介質(zhì)芯片，借助毀鑰電源的高壓、大電流破壞存儲(chǔ)介質(zhì)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從物理上燒毀存儲(chǔ)核心關(guān)鍵數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)芯片。然而隨著存儲(chǔ)系統(tǒng)容量的日益增長(zhǎng)，面對(duì)多目標(biāo)毀鑰場(chǎng)景，難以滿足在關(guān)鍵時(shí)刻短時(shí)間內(nèi)完成有效的關(guān)鍵數(shù)據(jù)銷毀要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，能夠保障機(jī)密存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全性，針對(duì)多目標(biāo)毀鑰場(chǎng)景，當(dāng)意外情況發(fā)生，能夠在短時(shí)間內(nèi)徹底損毀多粒存儲(chǔ)芯片，使關(guān)鍵數(shù)據(jù)無(wú)法破解及恢復(fù)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型所采用的具體技術(shù)方案為：

3、一種大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，包括供電單元、電源切換單元、燒毀控制單元、通道切換單元以及儲(chǔ)能電容單元；

4、所述供電單元、電源切換單元、儲(chǔ)能電容單元、通道切換單元及大容量存儲(chǔ)單元之間順序電連接；

5、所述燒毀控制單元入口連接毀鑰電源，出口連接所述電源切換單元及通道切換單元；

6、電源切換單元輸入端連接所述儲(chǔ)能電容單元及所述燒毀控制單元，輸出端連接所述通道切換單元；所述通道切換單元的出口連通毀鑰單元，所述毀鑰單元包括多個(gè)毀鑰通道；各所述毀鑰通道分別連接所述大容量存儲(chǔ)單元的多個(gè)nand?flash分區(qū)。

7、進(jìn)一步的，與所述毀鑰通道連通的各所述nand?flash分區(qū)均為所述大容量存儲(chǔ)單元的關(guān)鍵數(shù)據(jù)分區(qū)。

8、進(jìn)一步的，所述燒毀控制單元為單片機(jī)。

9、進(jìn)一步的，所述燒毀控制單元的信號(hào)接收端連接上位機(jī)。

10、進(jìn)一步的，所述供電單元的輸出端連接所述毀鑰電源。

11、進(jìn)一步的，所述大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路還包括入口限流開(kāi)關(guān)單元；所述入口限流開(kāi)關(guān)單元設(shè)置在所述毀鑰電源與所述儲(chǔ)能電容單元之間；

12、所述入口限流開(kāi)關(guān)單元設(shè)置有一個(gè)防反開(kāi)關(guān)；所述防反開(kāi)關(guān)的電流方向?yàn)樽运鰵ц€電源至所述儲(chǔ)能電容單元。

13、進(jìn)一步的，所述大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路還包括p5v-ssd；所述p5v-ssd輸出端連接dc-dc轉(zhuǎn)換器；所述dc-dc轉(zhuǎn)換器連接所述大容量存儲(chǔ)單元；與所述dc-dc轉(zhuǎn)換器連接的各nand?flash分區(qū)均為所述大容量存儲(chǔ)單元的一般數(shù)據(jù)分區(qū)。

14、本實(shí)用新型的有益效果為：

15、本實(shí)用新型能夠保障機(jī)密存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全性，針對(duì)多目標(biāo)毀鑰場(chǎng)景，當(dāng)意外情況發(fā)生，能夠在短時(shí)間內(nèi)徹底損毀多粒存儲(chǔ)芯片，使關(guān)鍵數(shù)據(jù)無(wú)法破解及恢復(fù)。

技術(shù)特征：

1.一種大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，包括供電單元、電源切換單元、燒毀控制單元、通道切換單元以及儲(chǔ)能電容單元；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，與所述毀鑰通道連通的各所述nand?flash分區(qū)均為所述大容量存儲(chǔ)單元的關(guān)鍵數(shù)據(jù)分區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，所述燒毀控制單元為單片機(jī)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，所述燒毀控制單元的信號(hào)接收端連接上位機(jī)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，所述大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路還包括入口限流開(kāi)關(guān)單元；所述入口限流開(kāi)關(guān)單元設(shè)置在所述毀鑰電源與所述儲(chǔ)能電容單元之間；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，其特征在于，所述大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路還包括p5v-ssd；所述p5v-ssd輸出端連接dc-dc轉(zhuǎn)換器；所述dc-dc轉(zhuǎn)換器連接所述大容量存儲(chǔ)單元；與所述dc-dc轉(zhuǎn)換器連接的各nand?flash分區(qū)均為所述大容量存儲(chǔ)單元的一般數(shù)據(jù)分區(qū)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于計(jì)算機(jī)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)硬毀鑰電路，包括供電單元、電源切換單元、燒毀控制單元、通道切換單元以及儲(chǔ)能電容單元；本技術(shù)采用限流分時(shí)的方法燒毀NAND?Flash芯片，通過(guò)所設(shè)計(jì)電路中的儲(chǔ)能電容單元對(duì)毀鑰輸入進(jìn)行儲(chǔ)能放大，再通過(guò)燒毀控制單元控制通道切換單元，將能量以高壓脈沖的形式，分時(shí)輸出到每個(gè)毀鑰通道上，對(duì)NAND?Flash芯片逐個(gè)進(jìn)行燒毀，可實(shí)現(xiàn)通過(guò)更小燒毀電流在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到銷毀關(guān)鍵數(shù)據(jù)的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：彭佳煜,余江南,張銳,王曉偉,王夢(mèng)凡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司西安航空計(jì)算技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19