本發(fā)明屬于射頻識(shí)別領(lǐng)域，具體涉及一種提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法。

背景技術(shù)：

1、在射頻識(shí)別等領(lǐng)域，通常需要對(duì)密集堆疊的標(biāo)簽進(jìn)行盤點(diǎn)等應(yīng)用。但是密集標(biāo)簽堆疊情況下，由于標(biāo)簽密集堆疊且數(shù)量過(guò)多，標(biāo)簽與讀寫器之間相互耦合，導(dǎo)致少量標(biāo)簽無(wú)法被正常盤點(diǎn)到，會(huì)存在標(biāo)簽盤點(diǎn)漏盤等現(xiàn)象，準(zhǔn)確率不高。

2、目前有密集多標(biāo)簽盤點(diǎn)方法中，包括增加盤點(diǎn)功率和多次盤點(diǎn)等方法。增加盤點(diǎn)功率可能導(dǎo)致標(biāo)簽被擊穿滅活，此外大功率對(duì)讀寫器對(duì)硬件電路實(shí)現(xiàn)要求較高；多次盤點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致盤點(diǎn)時(shí)間增加。

3、在實(shí)際應(yīng)用中，需要一種準(zhǔn)確性較高同時(shí)盤點(diǎn)時(shí)間少的密集堆疊的標(biāo)簽盤點(diǎn)方法，本發(fā)明正是應(yīng)對(duì)這種現(xiàn)實(shí)需求而產(chǎn)生的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提供一種提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，以解決密集多標(biāo)簽盤點(diǎn)的問(wèn)題。

3、(二)技術(shù)方案

4、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，該方法包括如下步驟：

5、s1、依次輪詢天線，重置所有標(biāo)簽的標(biāo)志位為未盤點(diǎn)狀態(tài)；

6、s2、分別設(shè)置第一、二、三檔盤點(diǎn)功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位為已盤點(diǎn)狀態(tài)，依次按照第一、二和三檔盤點(diǎn)功率輪詢天線進(jìn)行標(biāo)簽盤點(diǎn)，三檔功率的盤點(diǎn)結(jié)果分別為ra、rb、rc；

7、s3、取ra、rb、rc結(jié)果的并集，即為本次盤點(diǎn)結(jié)果。

8、(三)有益效果

9、本發(fā)明提出一種提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，本發(fā)明的密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)方法，通過(guò)設(shè)置讀寫器不同盤點(diǎn)功率，結(jié)合標(biāo)簽標(biāo)志位，合理的分割讀寫器盤點(diǎn)的標(biāo)簽數(shù)量。利用小功率盤點(diǎn)實(shí)現(xiàn)近距離少標(biāo)簽盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后置位標(biāo)簽標(biāo)志位不可重復(fù)盤點(diǎn)，避免了大功率場(chǎng)景下由于盤點(diǎn)標(biāo)簽數(shù)量較多導(dǎo)致的盤點(diǎn)準(zhǔn)確度低的問(wèn)題；利用大功率盤點(diǎn)不但可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離標(biāo)簽，還可以對(duì)小功率漏盤標(biāo)簽進(jìn)行重盤，提升盤點(diǎn)準(zhǔn)確率。

10、本發(fā)明提出的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率方法，通過(guò)設(shè)置讀寫器不同盤點(diǎn)功率，結(jié)合標(biāo)簽標(biāo)志位，合理的分割讀寫器盤點(diǎn)的標(biāo)簽數(shù)量。在密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)中能發(fā)揮重要作用。

技術(shù)特征：

1.一種提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，所述s1包括：讀寫器依次通過(guò)讀寫器天線向標(biāo)簽發(fā)射“select”命令，將讀寫器天線范圍內(nèi)所有標(biāo)簽置為未盤點(diǎn)狀態(tài)，標(biāo)簽標(biāo)志位為a。

3.如權(quán)利要求2所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，所述s1包括：

4.如權(quán)利要求3所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，所述s21具體包括：選定一個(gè)天線，設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第一檔盤點(diǎn)功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位即不發(fā)送“select”命令開啟盤點(diǎn)，依據(jù)iso/iec?18000-3協(xié)議，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位變?yōu)閎，不再被重復(fù)盤點(diǎn)，輪詢讀寫器天線進(jìn)行標(biāo)簽盤點(diǎn)，盤點(diǎn)的標(biāo)簽數(shù)量為ra。

5.如權(quán)利要求4所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，第一檔盤點(diǎn)功率為6w。

6.如權(quán)利要求3所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，所述s22具體包括：選定一個(gè)天線，設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第二檔功率，要求第二檔功率大于第一檔功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位即不發(fā)送“select”命令開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)為已盤點(diǎn)，標(biāo)志位變?yōu)閎，按照第二檔盤點(diǎn)功率輪詢天線盤點(diǎn)，盤點(diǎn)結(jié)果為rb。

7.如權(quán)利要求6所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，第二檔盤點(diǎn)功率為7w。

8.如權(quán)利要求3所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，所述s23具體包括：選定一個(gè)天線，設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第三檔功率且第三檔功率大于第二檔功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)為已盤點(diǎn)，按照第三檔盤點(diǎn)功率輪詢所有天線盤點(diǎn)，盤點(diǎn)結(jié)果為rc。

9.如權(quán)利要求8所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，第三檔盤點(diǎn)功率為8w。

10.如權(quán)利要求3所述的提升密集堆疊高頻rfid標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，其特征在于，讀寫器開發(fā)板中功率的設(shè)置通過(guò)改變電阻的阻值實(shí)現(xiàn)，使用讀寫器盤點(diǎn)時(shí)，通過(guò)在上位機(jī)中選擇讀寫器功率檔位實(shí)現(xiàn)讀寫器功率的改變，讀寫器的功率值為5w、6w、7w或8w。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種提升密集堆疊高頻RFID標(biāo)簽盤點(diǎn)準(zhǔn)確率的方法，屬于射頻識(shí)別領(lǐng)域。本發(fā)明依次輪詢天線，重置所有標(biāo)簽的標(biāo)志位未盤點(diǎn)狀態(tài)；選定一個(gè)天線，設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第一檔，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)為已盤點(diǎn)；設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第二檔功率，要求第二檔功率大于第一檔功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)為已盤點(diǎn)；設(shè)置讀寫器盤點(diǎn)功率為第三檔功率，且第三檔功率大于第二檔功率，不重置標(biāo)簽標(biāo)志位開啟盤點(diǎn)，盤點(diǎn)后的標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)為已盤點(diǎn)，按照第三檔盤點(diǎn)功率輪詢所有天線盤點(diǎn)。本發(fā)明提升了盤點(diǎn)準(zhǔn)確率。

技術(shù)研發(fā)人員：柴佳,湛榮鑫,楊涵鑌,陳龍,阮志成,孫士飛,蔣遂平,張丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京計(jì)算機(jī)技術(shù)及應(yīng)用研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/11