本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、隨著工藝的不斷進步，半導體器件的尺寸不斷縮小，線寬已經(jīng)縮小到納米級別，生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵工藝參數(shù)，如圖形關(guān)鍵尺寸的均勻性、線寬粗糙度以及圖形形貌等，均會顯著影響器件的性能和產(chǎn)品良率。

2、cdu(關(guān)鍵尺寸均勻性)是光刻技術(shù)的核心，也是半導體器件制造工藝中需要考察的重要指標。對晶體管的性能來說，關(guān)鍵尺寸均勻性不好會導致晶體管個體之間的差異。隨著集成電路的不斷發(fā)展，對關(guān)鍵尺寸均勻性的要求也隨之提高，local?cdu(局部關(guān)鍵尺寸均勻性)也被加以關(guān)注。

3、常規(guī)local?cdu的量測方法是通過cdsem機臺進行局部圖形關(guān)鍵尺寸的量測，由于需要量測圖形數(shù)量較多，通過cdsem進行逐一量測，耗時較長、效率低。

4、需要說明的是，公開于該發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法及系統(tǒng)，以解決量測效率低的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，包括以下步驟：

3、拍攝目標區(qū)域的若干原始圖像，所述原始圖像中包括至少一類待量測圖形的縱向形貌信息和頂層輪廓信息；

4、提取所述原始圖像的尺寸參數(shù)，并根據(jù)尺寸參數(shù)計算關(guān)鍵尺寸均勻性。

5、優(yōu)選地，所述待量測圖形包括第一類型圖形和第二類型圖形，其中所述第一類型圖形具有特定的尺寸參數(shù)范圍，所述第二類型圖形至少具有一項尺寸參數(shù)與所述第一類型圖形不同。

6、優(yōu)選地，所述原始圖像中包括第一類型圖形。

7、優(yōu)選地，所述原始圖像中包括第一類型圖形和第二類型圖形。

8、優(yōu)選地，將所述原始圖像與設(shè)計版圖進行疊加，然后提取所需的原始圖像尺寸參數(shù)。

9、優(yōu)選地，所述設(shè)計版圖為gds或jdv格式。

10、優(yōu)選地，所述尺寸參數(shù)包括所述待量測圖形的孔徑、y方向與x方向直徑的比值、線寬和線粗糙度。

11、優(yōu)選地，使用ep5機臺或cd-sem機臺拍攝目標區(qū)域的若干原始圖像。

12、本發(fā)明還提供一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的系統(tǒng)，采用如上述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法。

13、優(yōu)選地，包括：

14、圖像獲取模塊，用于拍攝目標區(qū)域的若干原始圖像，所述原始圖像中包括至少一類待量測圖形的縱向形貌信息和頂層輪廓信息

15、信息提取模塊，用于提取所述原始圖像的尺寸參數(shù)，并根據(jù)尺寸參數(shù)計算關(guān)鍵尺寸均勻性。

16、在本發(fā)明提供的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法中，通過對目標區(qū)域進行拍照提取待量測圖形的尺寸參數(shù)，省去了常規(guī)量測時建立量測程式及量測時間，提高效率。

17、本發(fā)明提供的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的系統(tǒng)與本發(fā)明提供的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法屬于同一發(fā)明構(gòu)思，因此，本發(fā)明提供的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的系統(tǒng)至少具有本發(fā)明提供的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法的所有優(yōu)點，在此不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述待量測圖形包括第一類型圖形和第二類型圖形，其中所述第一類型圖形具有特定的尺寸參數(shù)范圍，所述第二類型圖形至少具有一項尺寸參數(shù)與所述第一類型圖形不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述原始圖像中包括第一類型圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述原始圖像中包括第一類型圖形和第二類型圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，將所述原始圖像與設(shè)計版圖進行疊加，然后提取所需的原始圖像尺寸參數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述設(shè)計版圖為gds或jdv格式。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述尺寸參數(shù)包括所述待量測圖形的孔徑、y方向與x方向直徑的比值、線寬和線粗糙度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于使用ep5機臺或cd-sem機臺拍攝目標區(qū)域的若干原始圖像。

9.一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-8任一項所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法及系統(tǒng)，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域，該快速量測局部關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，包括以下步驟：拍攝目標區(qū)域的若干原始圖像，所述原始圖像中包括至少一類待量測圖形的縱向形貌信息和頂層輪廓信息；提取所述原始圖像的尺寸參數(shù)，并根據(jù)尺寸參數(shù)計算關(guān)鍵尺寸均勻性。通過對目標區(qū)域進行拍照提取待量測圖形的尺寸參數(shù)，省去了常規(guī)量測時建立量測程式及量測時間，提高效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王保光,郭紋辰
受保護的技術(shù)使用者：上海華力集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10